專利名稱：陶瓷疊層器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要是涉及用于移動電話機(jī)等高頻無線電儀器的陶瓷疊層器件，特別是涉及陶瓷疊層RF器件。
近年，陶瓷疊層器件，特別是在高頻波段(無線電頻率波段)工作的陶瓷疊層RF器件對移動電話機(jī)等高頻無線儀器的小型化做出的貢獻(xiàn)非常引人注目。下面參照


已有的陶瓷疊層RF器件。
圖12是已有的陶瓷疊層RF器件的剖面圖。圖12中，101是低溫?zé)Y(jié)陶瓷體。102是由多層配線導(dǎo)體構(gòu)成的RF電路。103是層間通路孔。105是芯片電阻、芯片電容、芯片電感體、帶包裝的半導(dǎo)體等芯片部件。105通過金屬帽107實現(xiàn)電路的密封。
下面說明上述結(jié)構(gòu)的已有的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
首先，多層配線導(dǎo)體102與多個芯片部件105之間實現(xiàn)電氣連接，同時在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體101內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。這些部件整體形成RF電路，具有例如RF疊層開關(guān)等陶瓷疊層RF器件的功能。
另外，圖13是表示已有的陶瓷疊層RF器件的結(jié)構(gòu)方框圖。這些方框分別代表疊層濾波器(圖13(a))，表面彈性波(SAW)濾波器(圖13(b))，RF開關(guān)(圖13(c))等不同功能的各個獨(dú)立的器件。
但是在上述結(jié)構(gòu)中，因為沒有保護(hù)被裝配芯片部件的封裝樹脂或者封裝空腔的密封金屬蓋(金屬帽107)，所以不能安裝需要封閉的半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器。這里，已有實施例中的金屬蓋107僅作為電磁屏蔽，而沒有封裝功能，所以不能安裝這些部件。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，使用了單一陶瓷體。因此，為了通過內(nèi)裝高容量的電容器而形成多功能器件，象特開平4-79601號(相對應(yīng)的美國專利美國專利5406235號)所示的那樣，提出了將具有不同相對介電常數(shù)的陶瓷等介電體形成一體的方法。例如，提出了用不同成分的陶瓷體燒結(jié)成一體的方法。但是，成分不同的陶瓷體的收縮率各不相同，形成一體燒結(jié)非常困難。還有，對于不同相對介電常數(shù)的陶瓷體形成的一體化陶瓷，在不同的相對介電常數(shù)的陶瓷體之間，有時會生成寄生電容并影響器件性能。
本發(fā)明的目的是提供可以收容半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器的陶瓷疊層器件。另外一個目的是為了使器件小型化、多功能化、低矮化、易制造，并提高其可靠性。同時通過最優(yōu)化電路設(shè)計來提高上述陶瓷疊層器件在組合多項功能后的綜合性能。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件的特征為由具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第1陶瓷體、具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體、以及處于所述第1和第2陶瓷體之間的熱硬化性樹脂片所組成，所述熱硬化性樹脂片上具有填入了導(dǎo)電性樹脂的穿通孔以使所述第1陶瓷體的某個所述多層配線圖形和所述第2陶瓷體的某個所述多層配線圖形互相實現(xiàn)電氣連接。
所述陶瓷體的內(nèi)部至少有一層配線圖形，各配線圖形通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接。這里，作為陶瓷體，例如，可以使用相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)系列的介電體，也可以使用相對介電常數(shù)小于10的低介電體。作為高介電常數(shù)系列的介電體，可以使用Bi-Ca-Nb-O系(相對介電常數(shù)大約58)、Ba-Ti-O系、Zr(Mg，Zn，Nb)Ti-Mn-O系等介電體。另外，作為低介電常數(shù)系列的介電體，可以使用鋁硼硅酸玻璃系列(相對介電常數(shù)7)、鎂橄欖石系列等陶瓷材料。另外，作為熱硬化性樹脂，可以使用例如環(huán)氧樹脂，苯酚樹脂，氰酸鹽樹脂等。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是上述各陶瓷體是疊層一體燒結(jié)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1、第2陶瓷體和所述熱硬化性樹脂片通過熱硬化形成一體。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1、第2陶瓷體的相對介電常數(shù)互不相同。
因為在相對介電常數(shù)互不相同的陶瓷體之間夾持有比陶瓷的介電常數(shù)低的熱硬化性樹脂，能夠減少相對介電常數(shù)不同的陶瓷之間發(fā)生的寄生電容，提高器件性能。另外，因為在陶瓷體和熱硬化性樹脂片的界面形成圖形，可以調(diào)整在各陶瓷體內(nèi)部構(gòu)成的多層配線圖形等的電路間的阻抗的不匹配，避免發(fā)生損失。而且，因為熱硬化性樹脂具有非常低的相對介電常數(shù)，在它和陶瓷的界面形成的各圖形之間的相互干涉很少，可以得到很好的器件性能。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是增加了具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第3陶瓷體，以及夾持在所述第2和第3陶瓷體之間的熱硬化性樹脂片；所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10，所述第3陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1和第3陶瓷體的實際厚度相同，所述第2陶瓷體的厚度大于所述第1和第3陶瓷體。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1和第2陶瓷體的厚度互不相同。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是在所述第2陶瓷體的與其他陶瓷體背向的面內(nèi)設(shè)有插裝柵列接點(diǎn)電極。
插裝柵列接點(diǎn)電極的作用是在布線印刷電路板上安裝陶瓷疊層器件時，與布線印刷電路板實現(xiàn)電氣連接。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是在所述第2陶瓷體和所述插裝柵列接點(diǎn)電極之間夾有熱硬化性樹脂片。
因為在疊層陶瓷體的下層側(cè)的陶瓷體的底面和設(shè)在此底面的插裝柵列接點(diǎn)電極之間夾有熱硬化性樹脂，可以提高底面的陶瓷的落下強(qiáng)度。而且因為夾持有比陶瓷體的相對介電常數(shù)低的熱硬化性樹脂，可以減少與布線印刷電路板之間的寄生成分，同時可以改變阻抗匹配，提高了電路設(shè)計的自由度。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的與所述第2陶瓷體背向的面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
這里，作為半導(dǎo)體裸芯片有雙極晶體管、FET、二極管、IC等，由硅等其他半導(dǎo)體化合物組成。SAW濾波器用水晶、LiTaO3、LiNbO3等單晶壓電基片組成。這些半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器可以采用例如SBB方法或者GGI(Gold to Gold Interconection)方法等突起連接方法，在安裝電極部的陶瓷體的面內(nèi)相向配置并實現(xiàn)電氣連接，倒裝而成。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1陶瓷體為上方帶有凹部的空腔型陶瓷體，半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的上述凹部的底面，上部涂有密封樹脂。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1陶瓷體是帶有開孔部的開孔型陶瓷體，半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在組成所述第1陶瓷體的所述開孔部底面的上述熱硬化性樹脂片面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
還有，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10。
另外還有，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述半導(dǎo)體裸芯片中包括有在UHF頻帶以上的頻率工作的半導(dǎo)體裸芯片。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述半導(dǎo)體裸芯片中包括有PIN二極管。
還有，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述SAW濾波器中有非平衡輸入平衡輸出的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第1陶瓷體和具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體依次疊層，半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的與所述第2陶瓷體背向的面內(nèi)，上部涂有密封樹脂，所述第2陶瓷體的與所述第1陶瓷體背向的面內(nèi)設(shè)有插裝柵列接點(diǎn)電極。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1和第2陶瓷體的相對介電常數(shù)互不相同。
還有，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1陶瓷體是上方帶有凹部的空腔型陶瓷體，所述半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部與上述凹部的底面相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體，上部涂有密封樹脂。
另外還有，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是增加了具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第3陶瓷體，所述第3陶瓷體疊裝在所述第2陶瓷體的與所述第1陶瓷體背向的面內(nèi)，所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10，所述第3陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10。
本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形并且由其上方帶有凹部的空腔型陶瓷體組成的第1陶瓷體和通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體依次疊層組成，半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的上述凹部的底面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
另外，本發(fā)明的陶瓷疊層器件是上述陶瓷疊層器件，其特征是所述第1陶瓷體帶有由在和所述第2陶瓷體背向的平坦部內(nèi)形成的電極圖形組成的陣列天線。
與本發(fā)明有關(guān)的移動體通信機(jī)的特征是裝有所述陶瓷疊層器件。
這里，移動通信機(jī)是移動電話等。因為如上所述陶瓷疊層器件可以小型化、多功能化，裝有這樣的陶瓷疊層器件的移動電話也可以小型化、多功能化。
這里，作為相對介電常數(shù)大于10的高相對介電常數(shù)的陶瓷體，可以使用Bi-Ca-Nb-O系(相對介電常數(shù)58)，但是不限于該材料，例如，也可以用Ba-Ti-O系、Zr(Mg，Zn，Nb)-Ti-Mn-O系等陶瓷材料。作為相對介電常數(shù)小于10的低相對介電常數(shù)的陶瓷體，可以使用硼硅酸鋁系(相對介電常數(shù)7)，但是不限于該材料，例如，也可以用鎂橄欖石系等陶瓷材料。
多層配線導(dǎo)體2在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14、15內(nèi)形成內(nèi)層電容器和內(nèi)層電感器。在疊層一體燒結(jié)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中形成的多層配線圖形由銅或者銀組成，在上述配線圖形間所需要的地方配有層間通路孔3以實現(xiàn)電氣連接。多層配線圖形的各層圖形可以用絲網(wǎng)印刷等方法形成，層間通路孔孔可以用穿孔機(jī)在介電體板上開孔后用印刷等方法填入導(dǎo)體漿形成。
下面以低介電常數(shù)系列的陶瓷體為例詳細(xì)說明內(nèi)部帶有此類多層配線導(dǎo)體2的陶瓷體14、15的形成方法。首先，在硼硅酸鋁等陶瓷粉末內(nèi)混合低熔點(diǎn)的玻璃料、有機(jī)粘結(jié)劑、有機(jī)溶劑得到漿料，從用漿料成型的玻璃陶瓷基板得到生料板。在該生料板內(nèi)用穿孔機(jī)或者激光加工形成復(fù)數(shù)個使上下陶瓷體的配線實現(xiàn)電氣連接的通路孔。然后，用主要是銀、銅、金等粉末組成的導(dǎo)電漿在生料板上印刷條狀線或者電容電極等配線圖形。在各生料板上的各個通路孔內(nèi)同樣填入導(dǎo)電漿。然后，復(fù)數(shù)塊生料板在確保電氣連接的正確位置上疊層，在規(guī)定條件下加溫、加壓得到一體化的疊層生料板。然后，將該疊層體干燥后在氧化氣氛中的燒結(jié)爐中在400到500℃的溫度范圍燒結(jié)，燒掉生板中的有機(jī)粘接劑。如果導(dǎo)電體的主要成分使用銀或者金粉末時，上述燒結(jié)氣氛可以是空氣等氧化氣氛，在850到950℃的溫度范圍中燒結(jié)得到陶瓷體。另外，導(dǎo)電體的主要成分是銅粉末時，可以在惰性氣體氣氛中或者還原氣氛中，在850到950℃的溫度范圍中燒結(jié)得到陶瓷疊層體。
這種陶瓷疊層器件的上層為高介電常數(shù)系列的陶瓷體15，下層為低介電常數(shù)系列的陶瓷體14，但是不限定這種結(jié)構(gòu)。也可以與上述結(jié)構(gòu)相反，上層為低介電常數(shù)系列的陶瓷體，下層為高介電常數(shù)系列的陶瓷體。此時，可以在上層的低介電常數(shù)系列的陶瓷體內(nèi)得到50歐姆的電路。還有，作為熱硬化性樹脂的結(jié)合樹脂17、18，可以使用環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂，氰酸鹽樹脂等任一種樹脂。而且，作為本發(fā)明的熱硬化性樹脂，也可以利用包括在美國專利第6038133號(與日本的專利特開平11-220262號公報相對應(yīng))中公開的含有無機(jī)填料的熱硬化性樹脂。因此，將該美國專利作為本申請說明書的一部分在此列舉。
下面說明如上所述的2種陶瓷體14、15之間夾持相對介電常數(shù)為4左右的熱硬化性樹脂的結(jié)合樹脂17的效果。首先，當(dāng)高介電常數(shù)系列的陶瓷體15與低介電常數(shù)系列的陶瓷體14直接接觸時，常常因為各自內(nèi)部設(shè)置的多層配線導(dǎo)體的電路阻抗不同，從而產(chǎn)生阻抗不匹配，導(dǎo)致?lián)p失。而在上述結(jié)構(gòu)中，2種陶瓷體之間夾持相對介電常數(shù)為4左右的熱硬化性樹脂的結(jié)合樹脂17，在上述2種陶瓷體14、15和結(jié)合樹脂17之間的界面可以形成圖形，從而可以調(diào)整阻抗的匹配。此時因為結(jié)合樹脂17的相對介電常數(shù)很低，上述圖形間的相互干涉很少，可以得到很好的器件性能。
下面，說明在下層的陶瓷體14和插裝柵列接點(diǎn)電極7之間插入低相對介電常數(shù)的結(jié)合樹脂18的效果。由于結(jié)合樹脂18可以吸收墜落沖擊，因此可以提高器件的落下強(qiáng)度。而且因為夾持比陶瓷體14的相對介電常數(shù)低的結(jié)合樹脂18，可以減少與布線印刷電路板之間產(chǎn)生的寄生成分，同時可以變化阻抗的匹配，提高設(shè)計的自由度。
下面說明具有不同的相對介電常數(shù)的上層的陶瓷體15和下層的陶瓷體14組合在一起的情況。先敘述上層的高相對介電常數(shù)系列的陶瓷體15的特點(diǎn)，然后敘述下層的低相對介電常數(shù)系列的陶瓷體14的特點(diǎn)，然后說明具有不同相對介電常數(shù)的陶瓷體組合在一起的條件和效果。
一般來說，高介電常數(shù)的陶瓷體中形成的條狀線因為波長可以縮短，所以可以使條狀線共振器的共振器長度反比于相對介電常數(shù)的平方根而縮短。因此適合做小型高Q值的條狀線共振器。但是，條狀線的特性阻抗通常很低。例如利用絲網(wǎng)印刷形成的最小線幅為100um、屏蔽線間隔是2mm的條狀線的特性阻抗是20到30歐姆，因此實際上不可能形成50歐姆的線路。另一方面，因為相對介電常數(shù)高，可以容易地在很窄的面積上制作大容量值的內(nèi)層電容。
另外，低相對介電常數(shù)陶瓷體中形成的條狀線的波長雖然不能縮短太多，卻很容易實現(xiàn)50歐姆以上的高特性阻抗，也容易形成內(nèi)層電感。因為相對介電常數(shù)低，鄰間的條狀線之間的電磁場結(jié)合量比較小，適合形成配線層。
這樣，由于結(jié)合了在各層中都配有最優(yōu)化電路元件的并具有2種以上相對介電常數(shù)的陶瓷體，因此可以同時實現(xiàn)小型化和高性能。另外，根據(jù)條狀線的特性阻抗的關(guān)系，對于各層陶瓷體的相對介電常數(shù)，上層的高介電常數(shù)系列的陶瓷體的相對介電常數(shù)應(yīng)大于10，而且最好在40到60范圍內(nèi)，下層的低介電常數(shù)系列的陶瓷體的相對介電常數(shù)應(yīng)小于10。
在圖2中，14是低介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，15是高介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，17、18是結(jié)合樹脂，2是多層配線導(dǎo)體，3是層間通路孔，4是半導(dǎo)體裸芯片，5是SAW濾波器，6是密封樹脂，7是LGA。如圖2所示，該陶瓷疊層RF器件和實施方式1的陶瓷疊層RF器件相比，不同之處在于，在上層的低介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14的上面，半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5的電極部在上述陶瓷體14的上面對向接觸，進(jìn)行倒裝，上面用密封樹脂6形成密封部。
下面用圖2說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件。首先，多層配線導(dǎo)體2在低介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14和高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。將它們疊層一體燒結(jié)成的低介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體和高介電常數(shù)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體各層中形成的多層配線圖形由銅或者銀組成，在上述配線圖形之間的需要的地方配置了層間通路孔以實現(xiàn)電氣連接。
多層配線圖形的各層圖形利用例如絲網(wǎng)印刷等方法形成，層間通路孔在介電體板中用穿孔機(jī)開孔，再通過印刷方法填入導(dǎo)電漿。
另外，結(jié)合樹脂17、18是將包含無機(jī)填料和未硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂的化合物加工成片狀，再形成通孔，填入導(dǎo)電性樹脂組成物的片狀物體，將這些片狀物體夾入低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14、15之間再通過熱硬化形成一體。
在陶瓷體的底面形成與外部連接的底面接點(diǎn)電極LGA7。半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器倒裝在上述陶瓷體上面，在陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器。這些部件整體組成RF電路，具有例如RF疊層開關(guān)等陶瓷疊層RF器件的功能。
這里和已有實施例的不同點(diǎn)在于，在UHF頻帶以上的頻率工作的半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器裸芯片在平板狀的陶瓷體上面朝下裝配，在上述陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋上述裸芯片和SAW濾波器。半導(dǎo)體裸芯片是雙極晶體管、FET、二極管、IC等，由硅或其他的化合物半導(dǎo)體組成。SAW濾波器是水晶、LiTaO3、LiNbO3等單晶壓電基片，這些裸芯片可以通過SBB或者是GGI(Gold to Gold Interconection)等突起連接方法，和陶瓷體的裝有電極部的面相向?qū)崿F(xiàn)電氣連接，即所謂倒裝。
另外，將低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)的陶瓷體14和高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)的陶瓷體15分別疊層燒結(jié)成一體，燒結(jié)后再用結(jié)合樹脂17、18進(jìn)行連接，這樣結(jié)合樹脂可以吸收燒結(jié)時因熱膨脹系數(shù)不同而引起的陶瓷體的彎曲，提高設(shè)計的自由度而且得到堅固的連接。在最下層上配置結(jié)合樹脂可以提高接點(diǎn)電極的強(qiáng)度，因此也可以減少墜落實驗中的損傷。
另外，因為由將具有2種以上的相對介電常數(shù)的陶瓷片一體化，和實施方式3同樣，在各層中可以配置最優(yōu)化電路元件，這樣可以同時達(dá)到小型化和高性能化。根據(jù)帶狀線的特性阻抗的關(guān)系，各陶瓷體的相對介電常數(shù)，上層的相對介電常數(shù)應(yīng)小于10，下層的相對介電常數(shù)應(yīng)大于10，最好在40到60范圍內(nèi)。
如上所述，實施方式2由相對介電常數(shù)不同的陶瓷體和結(jié)合樹脂構(gòu)成。即因為上層是相對介電常數(shù)小于10的低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，下層的相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，上下層的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)合面間和最下層上配有結(jié)合樹脂，所以可以得到和實施方式1同樣的效果，而且也減少了陶瓷體的彎曲，從而提供了接點(diǎn)強(qiáng)度很高的陶瓷疊層RF器件。
圖3是本發(fā)明實施方式3的陶瓷疊層RF器件的剖面圖。在圖3中，19是空腔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，15是高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，17、18是結(jié)合樹脂，2是多層配線導(dǎo)體，3是層間通路孔，4是半導(dǎo)體裸芯片，5是SAW濾波器，6是密封樹脂，7是LGA。
與圖2不同的是，替換了低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14，在上層配置開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19，下層配置高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15，在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)合面間配有結(jié)合樹脂17，最下層上配有結(jié)合樹脂18。
以下用圖3說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
多層配線導(dǎo)體2在開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19和高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。在分別疊層一體燒結(jié)而成的各個低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中形成的多層配線圖形由銅或者銀組成，在上述配線圖形間需要的地方通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接。
另外，結(jié)合樹脂17、18是將包含無機(jī)填料和未硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂的化合物加工成片狀，再形成通孔，填入導(dǎo)電性樹脂組成物的片狀物體，將這些片狀物體夾入低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19、15之間再通過熱硬化形成一體。
在陶瓷體的底面形成和外部連接的底面接點(diǎn)電極LGA7。另外，半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5在開孔內(nèi)倒裝，密封樹脂6填入開孔內(nèi)并覆蓋這些半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5。這些部件整體形成RF電路。具有例如RF疊層開關(guān)公用器等陶瓷疊層RF器件的功能。
這里與實施方式2的很大不同之處在于，在最上層配置開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19，在下層配置高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15，在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體之間的結(jié)合面配置結(jié)合樹脂17，在最下層配置結(jié)合樹脂18，形成異類疊層結(jié)構(gòu)。
這樣將開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19和高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15分別疊層燒結(jié)，燒結(jié)后用結(jié)合樹脂16連接，這樣結(jié)合樹脂可以吸收燒結(jié)時因熱膨脹系數(shù)不同而引起的陶瓷體的彎曲，提高設(shè)計的自由度。
開孔結(jié)構(gòu)疊層一體燒結(jié)成型時，因為結(jié)構(gòu)的上下不對稱很容易產(chǎn)生彎曲。而本實施方式對提高開孔表面的平坦度非常有效，該平坦度對半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器的裝配是必不可少的。還有，在最下層上配置結(jié)合樹脂可以提高接點(diǎn)強(qiáng)度，因此也可以減少墜落實驗中的損傷。
另外，在最上層開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19內(nèi)也可以形成配線圖形，有利于小型化。
另外，因為將具有2種以上的相對介電常數(shù)的陶瓷片一體化，與實施方式2同樣，在各層中可以配置最優(yōu)化電路元件，這樣可以同時實現(xiàn)小型化和高性能化。根據(jù)帶狀線的特性阻抗的關(guān)系，對于各陶瓷體的相對介電常數(shù)，上層的相對介電常數(shù)應(yīng)小于10、下層的相對介電常數(shù)應(yīng)大于10、最好在40到60范圍內(nèi)。
如上所述，實施方式3由相對介電常數(shù)不同的異類陶瓷體和結(jié)合樹脂構(gòu)成。而且陶瓷體為具有不同相對介電常數(shù)的2種以上的異類陶瓷疊層體，最上層為相對介電常數(shù)小于10的開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，下層為相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體。另外，在上下層的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)合面間和最下層上配置有結(jié)合樹脂，所以可以提供同時實現(xiàn)小型化和高性能化的陶瓷疊層RF器件。
與圖3不同的是，替代了空腔型低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，在最上層配置開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19，中間層配置高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15，下層配置低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體16，在各低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)合面間配置有結(jié)合樹脂17，在最下層上配置結(jié)合樹脂18。
以下用圖4說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
多層配線導(dǎo)體2在開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19和高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15、低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體16內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。在分別疊層一體燒結(jié)而成的各個低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中形成的多層配線圖形由銅或者銀組成，在上述配線圖形間需要的地方通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接。
另外，結(jié)合樹脂17、18是將包含無機(jī)填料和未硬化狀態(tài)的熱硬化性樹脂的化合物加工成片狀，再形成通孔，填入導(dǎo)電性樹脂組成物的片狀物體，將這些片狀物體夾持入低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19、15、16之間再通過熱硬化形成一體。在陶瓷體的底面形成與外部連接的底面接頭電極LGA7。
另外，半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5在空腔內(nèi)倒裝，密封樹脂6填入空腔內(nèi)并覆蓋這些半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5。這些部件整體形成RF電路，具有例如RF疊層開關(guān)公用器等陶瓷疊層RF器件的功能。
這里和實施方式3最大的不同之處是，在最上層配置開孔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19，中層配置高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15，下層配置低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體16，各低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)合面間配置有結(jié)合樹脂17，最下層上配置有結(jié)合樹脂18。
這樣將低溫?zé)Y(jié)陶瓷體19、15、16分別疊層一體燒結(jié)，燒結(jié)后用結(jié)合樹脂16連接，這樣結(jié)合樹脂可以吸收燒結(jié)時因熱膨脹系數(shù)不同而引起的陶瓷體的彎曲。
空腔結(jié)構(gòu)疊層一體燒結(jié)成型時，因為結(jié)構(gòu)的上下不對稱很容易彎曲。而本實施方式對提高腔體表面的平坦度非常有效，該平坦度對半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器的裝配是必不可少的。還有，在最下層上配置結(jié)合樹脂可以提高接點(diǎn)強(qiáng)度，因此也可以減少墜落實驗中的損傷。
另外，因為低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體夾持住高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體的結(jié)構(gòu)，所以能根據(jù)電路的規(guī)模以最佳厚度形成適合形成高容量的電容或者低損失的共振器的高介電常數(shù)陶瓷體和適合形成低損耗的電感的低介電常數(shù)陶瓷體，使設(shè)計的自由度大幅度提高。
如上所述，實施方式4由相對介電常數(shù)不同的異類陶瓷體和結(jié)合樹脂構(gòu)成。即陶瓷體為相對介電常數(shù)不同的3種以上的異類陶瓷疊層體。最上層為相對介電常數(shù)小于10的空腔型低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，中間層是相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，下層的相對介電常數(shù)小于10的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，低溫?zé)Y(jié)陶瓷體之間的結(jié)合面間和最下層上配有結(jié)合樹脂這樣的結(jié)構(gòu)，這樣提供了同時實現(xiàn)小型化和高性能化的陶瓷疊層RF器件。
另外，根據(jù)以上實施方式4，可以以各種形態(tài)統(tǒng)一移動電話等無線部的電路，例如，如果半導(dǎo)體芯片是復(fù)數(shù)個PIN二級管，SAW濾波器是不平衡輸入平衡輸出結(jié)構(gòu)時，數(shù)字移動電話(全球移動通信系統(tǒng)，GSM)與DCS、或GSM與IMT2000的雙波段機(jī)，或者在此機(jī)器上增加了用于個人移動通信系統(tǒng)(個人通信系統(tǒng)，PCS)的三波段機(jī)的天線開關(guān)可以和接受SAW濾波器統(tǒng)一在一起，從而實現(xiàn)器件的小型化以及通信機(jī)器本身的小型化。
另外，半導(dǎo)體芯片不限于PIN二級管，只要是開關(guān)，就可以和GaAs的FET等、或者低噪聲放大器、混頻器等調(diào)諧設(shè)備IC統(tǒng)一在一起。
另外，圖7是實施方式5的陶瓷疊層RF器件上裝配的SAW濾波器的放大剖面圖。
以下用圖5、6、7說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
這里，相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)系列的陶瓷體可以用Bi-Ca-Nb-O系(相對介電常數(shù)為58)，但是不限于此，例如也可以用Ba-Ti-O系、Zr(Mg，Zn，Nb)-Ti-Mn-O系等陶瓷材料。另外，相對介電常數(shù)小于10的低介電常數(shù)系的陶瓷體，可以用硼硅酸鋁玻璃系列(相對介電常數(shù)為7)，但是不限于此，也可以用鎂橄欖石系列的陶瓷材料。
多層配線導(dǎo)體2在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體1內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。在疊層一體燒結(jié)而成的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中形成的多層配線圖形由銀或者銅組成，在上述配線圖形間需要的地方通過層間通路孔3實現(xiàn)電氣連接。多層配線圖形的各層圖形用絲網(wǎng)印刷等方法形成，層間通路孔在介電體片中用穿孔機(jī)開孔并通過印刷等方法填入導(dǎo)電漿而形成。
另外，半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器等高頻器件在上述陶瓷體上倒裝，在陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋上述復(fù)數(shù)裸芯片。在陶瓷體的底面如圖6所示，形成和外部連接的接頭電極LGA7。這些部件整體形成RF回路。具有例如RF疊層開關(guān)公用器的陶瓷疊層RF器件的功能。
如圖7的放大圖所示，在SAW濾波器5底面形成電極9，利用氣密封樹脂10密封，并通過在其外側(cè)形成的結(jié)合用突起電極8與陶瓷體實現(xiàn)電氣連接。
這里和已有實施例的很大不同之處在于，在UHF頻帶以上頻率工作的半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器裸芯片在平板狀的陶瓷體上面倒裝，在陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋上述復(fù)數(shù)裸芯片。半導(dǎo)體裸芯片是雙極晶體管、FET、二極管、IC等，由硅或其他的化合物半導(dǎo)體組成。SAW濾波器是水晶、LiTaO3、LiNbO3等單晶壓電基片，這些元件可以通過SBB或者是GGI(Gold to Gold Interconection)等突起連接方法倒裝而成。
一般在300MHz以上的所謂UHF頻帶以上的頻率中，帶有包裝的半導(dǎo)體會因為包裝結(jié)構(gòu)特有的導(dǎo)線和模型樹脂而產(chǎn)生寄生阻抗，所以在高頻不能很好地發(fā)揮半導(dǎo)體特有的性能。即會出現(xiàn)增益降低、頻率數(shù)偏差加大或噪聲特性惡化等。而且為了阻抗匹配需要很多的外加附加部件，從而出現(xiàn)部件數(shù)量增加，電路整體變大等缺點(diǎn)。
在本實施方式的結(jié)構(gòu)中，由于使用裸芯片的半導(dǎo)體，完全不受包裝結(jié)構(gòu)特有的導(dǎo)線和模型樹脂產(chǎn)生的寄生阻抗的影響。在裝配中，通過突起連接等方法進(jìn)行倒裝，使得寄生阻抗成分很小，可以得到很好的高頻性能。
即可以提高增益，減少頻率偏差，改善噪聲特性。還有，由于安裝裸芯片，可以無視包裝的大小，一般可以減小裝配面積，實現(xiàn)器件的小型化，也幾乎不需要外加部件。
還有，為了保護(hù)半導(dǎo)體裸芯片，本實施方式組成的陶瓷體上面全部涂布了密封樹脂。一般半導(dǎo)體裸芯片受到其表面的硅氧化物和硅氮化物等絕緣體薄膜的保護(hù)，這里再用密封樹脂涂層，進(jìn)一步提高了可靠性。
還有，在陶瓷體的上面用密封樹脂涂層可以使陶瓷疊層RF器件的上面平坦。這樣可以得到適合利用裝配機(jī)進(jìn)行自動安裝的表面組裝器件(SMD)，作為高頻部件非常容易操作。
另外，由于陶瓷體的底面的接頭電極為LGA，所以容易實現(xiàn)多接點(diǎn)化，容易實現(xiàn)安裝有上述半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器的電路規(guī)模較大的復(fù)合器件。
還有，將利用樹脂進(jìn)行氣密封的SAW濾波器倒裝后，就可以將原來為了得到氣密性而必須具備空腔結(jié)構(gòu)包裝的器件裝配到平板上的基板上。如圖5所示，這樣很容易進(jìn)行半導(dǎo)體裸芯片的一體化裝配。
根據(jù)上述本實施方式，疊層一體燒結(jié)的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中，布有銅或者銀形成的多層配線圖形，各配線圖形之間需要的地方配置有層間通路孔以實現(xiàn)電氣連接。還有，在陶瓷疊層體低面形成LGA接點(diǎn)電極，在陶瓷體上面倒裝有在UHF頻帶以上頻率工作的半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器，在陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋上述復(fù)數(shù)裸芯片。這樣，作為器件可以得到很好的高頻性能，實現(xiàn)器件的小型化，提高可靠性。而且可以提供適合利用裝配機(jī)進(jìn)行自動安裝的表面組裝器件(SMD)。
以下用圖8說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
多層配線導(dǎo)體2在空腔型低溫?zé)Y(jié)陶瓷體11形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。在疊層一體燒結(jié)而成的陶瓷體中形成的多層配線圖形由銀或者銅組成，在上述配線圖形間需要的地方通過層間通路孔3實現(xiàn)電氣連接。
多層配線圖形的各層圖形采用例如絲網(wǎng)印刷等方法形成，層間通路孔在介電體片中用穿孔機(jī)開孔并用印刷等方法填入導(dǎo)電漿形成。空腔也同樣用穿孔機(jī)在介電片上開孔形成。半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5在腔體內(nèi)倒裝，在此空腔體內(nèi)填入密封樹脂6，將半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器覆蓋。
另外，在陶瓷體的底面形成和外部連接的底面接頭電極LGA7。這些部件整體形成RF電路。具有例如RF疊層開關(guān)等陶瓷疊層RF器件的功能。
這里和實施方式5的很大不同之處在于，低溫?zé)Y(jié)陶瓷體1被空腔型低溫?zé)Y(jié)陶瓷體11所替代?？涨恍徒Y(jié)構(gòu)保證不會有密封樹脂6進(jìn)入周圍側(cè)面的情況，由樹脂外溢引起的變形很少。這樣，減低了裝配時出現(xiàn)辨別錯誤的情況。
另外，由于陶瓷體具有空腔結(jié)構(gòu)，安裝了半導(dǎo)體的周緣部的陶瓷體上也可以形成電極圖形12。由此可以在有限的體積內(nèi)有效地形成內(nèi)藏電路，可以提高器件性能以及實現(xiàn)器件的小型化。
根據(jù)以上實施方式6，半導(dǎo)體是上部為凹部的空腔型，密封樹脂填入上述空腔部，密封樹脂不會進(jìn)入周圍側(cè)面，由樹脂外溢引起的變形很少。這樣，可以提供不會在裝配時出現(xiàn)辨別錯誤的陶瓷疊層RF器件。
還有，如圖9所示，可以在陶瓷體的上面中的一側(cè)形成空腔的凹部，在另一側(cè)沒有空腔凹部的地方形成陣列天線13，從而提高作為無線部電路的器件性能。
以下用圖10說明上述結(jié)構(gòu)的陶瓷疊層RF器件的工作原理。
多層配線導(dǎo)體2在低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14、16以及高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15內(nèi)形成內(nèi)層電容和內(nèi)層電感。在疊層一體燒結(jié)而成的異類疊層低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中形成的多層配線圖形由銀或者銅組成，在上述配線圖形間需要的地方通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接。半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5在上述陶瓷體上面倒裝，并在陶瓷體上面涂有密封樹脂以覆蓋此半導(dǎo)體裸芯片4和SAW濾波器5。
在陶瓷體的底面形成和外部連接的底面接頭電極LGA7。這些部件整體形成RF電路。具有例如RF疊層開關(guān)等陶瓷疊層RF器件的功能。
一般來說，高介電常數(shù)的陶瓷體中形成的條狀線因為波長可以縮短，所以可以使條狀線共振器的共振器長度反比于相對介電常數(shù)的平方根而縮短。因此適合做小型高Q值的條狀線共振器。但是，條狀線的特性阻抗通常很低。例如利用絲網(wǎng)印刷形成的最小線幅為100um、屏蔽線間隔是2mm的條狀線的特性阻抗是20到30歐姆，因此實際上不可能形成50歐姆的線路。另一方面，因為相對介電常數(shù)高，可以容易地在很窄的面積上制作大容量值的內(nèi)層電容。
另外，低相對介電常數(shù)陶瓷體中形成的條狀線的波長雖然不能縮短太多，卻很容易實現(xiàn)50歐姆以上的高特性阻抗，也容易形成內(nèi)層電感。因為相對介電常數(shù)低，鄰間的條狀線之間的電磁結(jié)合量比較小，適合形成配線層。
這樣，由于結(jié)合了在各層中都配有最優(yōu)化電路元件的并具有2種以上相對介電常數(shù)的陶瓷體，因此可以同時實現(xiàn)小型化和高性能。另外，根據(jù)條狀線的特性阻抗的關(guān)系，對于各層陶瓷體的相對介電常數(shù)，上層的相對介電常數(shù)應(yīng)小于10，中間層的相對介電常數(shù)應(yīng)大于10，而且最好在40到60范圍內(nèi)，最下層的相對介電常數(shù)應(yīng)小于10。
這里，高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15被低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14與低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體16所夾持，所以可以防止燒結(jié)時由于熱膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)的陶瓷體的彎曲。另外，中間的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15比其上下的低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體14和低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體16要厚，所以可以在中間的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體15內(nèi)形成高Q值的條狀線，從而減少電路的損失。
另外，一般來說，在低溫?zé)Y(jié)陶瓷體中，低介電常數(shù)的元件強(qiáng)度要高一些。本實施方式中，可以在低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體上形成底面LGA電極，所以能夠得到接點(diǎn)強(qiáng)度很高的器件。
根據(jù)上述實施方式7，陶瓷體為具有不同介電常數(shù)的異類陶瓷體疊層。另外，陶瓷體為具有不同介電常數(shù)的3層以上的異類陶瓷體疊層，最上層為相對介電常數(shù)小于10的低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，中間層為相對介電常數(shù)大于10的高介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體，最下層為相對介電常數(shù)小于10的低介電常數(shù)低溫?zé)Y(jié)陶瓷體。這樣，可以提供同時實現(xiàn)小型化和高性能化的陶瓷疊層RF器件。
如上所述，移動電話機(jī)30中安裝的陶瓷疊層RF器件20實現(xiàn)了小型化和高性能化，移動電話機(jī)也可以實現(xiàn)小型化和高性能化。還有，此移動電話機(jī)使用實施方式1的陶瓷疊層RF器件，但不限于此，也可以使用其他實施方式的陶瓷疊層RF器件。
根據(jù)以上的本發(fā)明，在各陶瓷體之間夾持熱硬化性樹脂片的結(jié)合樹脂。與將具有不同介電常數(shù)的2個陶瓷體直接接觸的情況相比，這樣可以減少上下陶瓷體之間產(chǎn)生的寄生電容。另外，下層側(cè)的陶瓷體的底面上設(shè)有插裝柵列接點(diǎn)電極，在此陶瓷體的底面與插裝柵列接點(diǎn)電極之間夾持另一熱硬化性樹脂片的結(jié)合樹脂。這樣可以提高器件的強(qiáng)度。
另外，根據(jù)本發(fā)明，可以將半導(dǎo)體裸芯片與SAW濾波器裝入陶瓷疊層RF器件，從而可以實現(xiàn)器件的高性能化，小型化，低矮化，降低制造難度，提高可靠性，可以提供增大利用最優(yōu)化電路設(shè)計組合多項功能時的綜合性能的陶瓷疊層RF器件。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷疊層器件，其特征在于是由具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第1陶瓷體、具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體、在上述第1和第2陶瓷體之間夾持的熱硬化性樹脂片組成；所述熱硬化性樹脂片上具有填入了導(dǎo)電性樹脂的穿通孔以使所述第1陶瓷體的每個所述多層配線圖形與所述第2陶瓷體的每個所述多層配線相互實現(xiàn)電氣連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述陶瓷體是疊層一體燒結(jié)成的低溫?zé)Y(jié)陶瓷體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1和第2陶瓷體與所述熱硬化性樹脂片通過熱硬化形成一體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1和第2陶瓷體的相對介電常數(shù)互不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于增加了具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第3陶瓷體，以及在第2和第3陶瓷體之間夾持的熱硬化性樹脂片；所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10，所述第3陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1和第3陶瓷體的實際厚度相同，所述第2陶瓷體的厚度大于所述第1和第3陶瓷體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述各陶瓷體的厚度互不相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第2陶瓷體的與其他陶瓷體背向的面上設(shè)有插裝柵列接點(diǎn)電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第2陶瓷體與所述插裝柵列接點(diǎn)電極之間夾持有熱硬化性樹脂片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的與所述第2陶瓷體背向的面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1陶瓷體為上方帶有凹部的空腔型陶瓷體；半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的所述凹部的底面，上部涂有密封樹脂。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1陶瓷體是帶有開孔部的陶瓷；半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在組成所述第1陶瓷體的所述開孔部底面的所述熱硬化性樹脂片面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述半導(dǎo)體裸芯片中包括有在UHF頻帶以上的頻率工作的半導(dǎo)體裸芯片。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述半導(dǎo)體裸芯片中包括有PIN二極管。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述SAW濾波器中有非平衡輸入平衡輸出的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
17.一種陶瓷疊層器件，其特征在于具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第1陶瓷體和具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體依次疊層；半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的與所述第2陶瓷體背向的面內(nèi)，上部涂有密封樹脂；所述第2陶瓷體的與所述第1陶瓷體背向的面內(nèi)設(shè)有插裝柵列接點(diǎn)電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1和第2陶瓷體的相對介電常數(shù)互不相同。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1陶瓷體是上方帶有凹部的空腔型陶瓷體；所述半導(dǎo)體裸芯片和SAW濾波器在電極部與所述凹部的底面相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體上，上部涂有密封樹脂。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的陶瓷疊層器件，其特征在于增加了具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第3陶瓷體；所述第3陶瓷體疊裝在所述第2陶瓷體的與所述第1陶瓷體背向的面內(nèi)；所述第1陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10，所述第2陶瓷體的相對介電常數(shù)大于10，所述第3陶瓷體的相對介電常數(shù)小于10。
21.一種陶瓷疊層器件，其特征在于具有通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形，并且由其上方帶有凹部的空腔型陶瓷體組成的第1陶瓷體和通過層間通路孔實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形的第2陶瓷體依次疊層組成；半導(dǎo)體裸芯片和電極部與氣密封裝的SAW濾波器在電極部相向配置狀態(tài)下安裝在所述第1陶瓷體的所述凹部的底面內(nèi)，上部涂有密封樹脂。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的陶瓷疊層器件，其特征在于所述第1陶瓷體帶有由在和所述第2陶瓷體背向的平坦部內(nèi)形成的電極圖形組成的陣列天線。
23.一種移動通信機(jī)，其特征在于是具有根據(jù)權(quán)利要求1至22中的任一權(quán)利要求所述的陶瓷疊層器件的移動通信機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明的陶瓷體疊層器件包括具有通過層間通路孔3實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形2的第1陶瓷體,具有通過層間通路孔3實現(xiàn)電氣連接的多層配線圖形2的第2陶瓷體,以及在所述第1和第2陶瓷體之間夾持的熱硬化性樹脂片17,所述熱硬化性樹脂片上具有填入了導(dǎo)電性樹脂的穿通孔以使所述第1陶瓷體的某個所述多層配線圖形與所述第2陶瓷體的某個所述多層配線實現(xiàn)電氣連接。實現(xiàn)了高性能化、小型化、低矮化、易制造、可靠性高的陶瓷疊層器件。
文檔編號H01L23/538GK1336787SQ0112956
公開日2002年2月20日 申請日期2001年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月27日
發(fā)明者山田徹, 瓜生一英, 松村勉, 石崎俊雄 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社