專利名稱：基板的植球結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基板的植球結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)出來(lái)之后必需由各種方式來(lái)加以封裝成集成電路。其中較常見的有導(dǎo)線架(lead frame)封裝及球點(diǎn)陣列(BGA，Ball Grid Array)封裝二種。其中BGA已成為市場(chǎng)主流，許多常用的集成電路，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、中央處理器(CPU)等都是用這類的封裝技術(shù)來(lái)封裝為單只的集成電路(IC)。
BGA封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于可以在有限的集成電路的面積中，伸出更多的接腳，使得一個(gè)晶片可以函蓋更多功能的電路。尤其隨著制造能力的提升，這樣的需求是可實(shí)現(xiàn)的。


圖1為現(xiàn)有BGA的封裝的示意圖。BGA封裝的集成電路將晶片14植入在基板12上，接著連上金屬連接線13再以一封裝層15將晶片加以封裝，最后在基板另一面預(yù)留的植球結(jié)構(gòu)(111)植上金屬球11。
圖2為現(xiàn)有植球結(jié)構(gòu)111的示意圖。上半部為俯視圖，下半部為剖面?zhèn)纫晥D。植球結(jié)構(gòu)主要由焊接區(qū)22、非焊接區(qū)23及遮罩層21三部份所組成，焊接區(qū)22形成于基板12上，遮罩層21覆蓋在基板上。遮罩層21上的缺口界定出整個(gè)植球結(jié)構(gòu)。這樣的結(jié)構(gòu)下，遮罩層21并未覆蓋到焊接區(qū)22，且有一環(huán)非焊接區(qū)23裸露于外，所以通稱非遮罩式(Non-Mask)植球結(jié)構(gòu)。金屬層則植入在遮罩層21的缺口上。這樣的作法在植球的時(shí)候助焊劑可以從裸露的非焊接區(qū)23揮發(fā)出去，有利助焊劑的排氣，因此植球容易，但附著力卻因此降低。
圖3為另一種現(xiàn)有植球結(jié)構(gòu)111的示意圖。與圖2一樣，上半部為俯視圖，下半部為剖面?zhèn)纫晥D。植球結(jié)構(gòu)主要也是由焊接區(qū)32、非焊接區(qū)33及遮罩層31三部份所組成，焊接區(qū)32形成在基板12上，遮罩層31覆蓋于基板上，與圖2的差別在于，遮罩層31上的缺口只有使焊接區(qū)32裸露于外，非焊接區(qū)33則完全被遮罩層所覆蓋，未裸露于外。由于遮罩層31的缺口完全將非焊接區(qū)33覆蓋住，只用來(lái)界定焊接區(qū)32上的窗口，因此這種結(jié)構(gòu)又稱遮罩式(Mask)式植球結(jié)構(gòu)。這樣的作法可以使植球的附著力提升，不會(huì)有圖2植球之后可能會(huì)脫落的問題，但是在進(jìn)行焊接時(shí)，因?yàn)橹竸┑膿]發(fā)氣體不易排出，所以要焊上去比較困難。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種基板的植球結(jié)構(gòu)，它不但可以使助焊劑揮發(fā)的氣體可以順利排出而易于焊接，還維持焊接后的金屬球原有的附著力。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)，用以植入一金屬球，它包含一基板，至少具有一焊接區(qū)及一非焊接區(qū)，該非焊接區(qū)毗鄰該焊接區(qū)；一遮罩層，罩于上述的基板上，它至少具有一對(duì)應(yīng)于焊接區(qū)的缺口，該缺口使毗鄰焊接區(qū)的非焊接區(qū)的一部份裸露于外，非焊接區(qū)的另一部份被該遮罩層所遮蓋。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，焊接區(qū)為金屬材料。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，焊接區(qū)為圓形。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，遮罩層的缺口至少具有一凹角。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，凹角涵蓋焊接區(qū)及該非焊接區(qū)，并使焊接區(qū)的部份裸露于外。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，基板為一半導(dǎo)體基板。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)，用以植入一金屬球，它包含一基板及一遮罩層，該基板至少具有一焊接區(qū)，該遮罩層至少具有一缺口，并覆蓋于基板上，該缺口至少具一凹角，使毗鄰焊接區(qū)的一非焊接區(qū)的一部份裸露于外，而該非焊接區(qū)的另一部份被該遮罩層所遮蓋。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，焊接區(qū)為金屬材料。
上述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其中，焊接區(qū)為圓形。
由于采用了上述的技術(shù)解決方案，本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)在遮罩層的缺口上有可供排氣的凹角，改善了金屬球植入的進(jìn)行，而且在遮罩層上所有預(yù)留大的焊接區(qū)，可加強(qiáng)金屬球的附著力。另外由于植球易于進(jìn)行，附著力又佳，所以本實(shí)用新型的植球結(jié)構(gòu)可以提高植球的速度，從而提高生產(chǎn)效率。
下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是現(xiàn)有BGA封裝集成電路示意圖。
圖2是現(xiàn)有基板植球結(jié)構(gòu)之一示意圖。
圖3是現(xiàn)有基板植球結(jié)構(gòu)之二示意圖。
圖4是本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
由圖4所示，本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)的較佳實(shí)施例，它主要包含基板12(可見于圖2或圖3)及遮罩層41。基板12上通常會(huì)植入許多金屬球，當(dāng)然也會(huì)對(duì)應(yīng)出許多植球結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的植球結(jié)構(gòu)上的基板至少會(huì)有一焊接區(qū)42及一非焊接區(qū)43，該非焊接區(qū)43毗鄰該焊接區(qū)42。而遮罩層41罩于該基板12上，其至少具有一對(duì)應(yīng)于焊接區(qū)42的缺口，該缺口使毗鄰焊接區(qū)42的非焊接區(qū)43的一部份裸露于外，非焊接區(qū)的另一部份431被遮罩層41所遮蓋，以利植入金屬球。
這樣，金屬球在植入本實(shí)用新型的植球結(jié)構(gòu)時(shí)，助焊劑所揮發(fā)的氣體可從遮罩層缺口上的凹角411排出，可順利進(jìn)行焊接。而另一方面，焊接上去的金屬球與焊接區(qū)連接面很大，所以附著力相當(dāng)強(qiáng)，不會(huì)像圖2的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)有脫落的缺點(diǎn)。
當(dāng)然，焊接區(qū)42為金屬，形狀一般為圓形。金屬球的成份則含錫鉛等物質(zhì)。在作法上，該遮罩層的該缺口至少具一凹角即可達(dá)到排氣的目的。凹角涵蓋焊接區(qū)及非焊接區(qū)之間，使焊接區(qū)的部份裸露于外。當(dāng)然，基板可以為一半導(dǎo)體基板或電路板等。
本實(shí)用新型基板的植球結(jié)構(gòu)還可以是包含一基板及一遮罩層，該基板至少具有一焊接區(qū)，該遮罩層至少具有一缺口，并覆蓋于基板上，該缺口至少具一凹角，使毗鄰焊接區(qū)的一非焊接區(qū)的一部份裸露于外，而該非焊接區(qū)的另一部份被該遮罩層所遮蓋，以利于金屬球的植入。
權(quán)利要求1.一種基板的植球結(jié)構(gòu)，用以植入一金屬球，其特征在于，它包含一基板，至少具有一焊接區(qū)及一非焊接區(qū)，該非焊接區(qū)毗鄰該焊接區(qū)；一遮罩層，罩于上述的基板上，它至少具有一對(duì)應(yīng)于焊接區(qū)的缺口，該缺口使毗鄰焊接區(qū)的非焊接區(qū)的一部份裸露于外，非焊接區(qū)的另一部份被該遮罩層所遮蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的焊接區(qū)為金屬材料。
3.如權(quán)利要求1所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的焊接區(qū)為圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的遮罩層的缺口至少具有一凹角。
5.如權(quán)利要求4所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的凹角涵蓋焊接區(qū)及該非焊接區(qū)，使焊接區(qū)的部份裸露于外。
6.如權(quán)利要求1所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的基板為一半導(dǎo)體基板。
7.一種基板的植球結(jié)構(gòu)，用以植入一金屬球，其特征在于它包含一基板及一遮罩層，該基板至少具有一焊接區(qū)，該遮罩層至少具有一缺口，并覆蓋于基板上，該缺口至少具一凹角，使毗鄰焊接區(qū)的一非焊接區(qū)的一部份裸露于外，而該非焊接區(qū)的另一部份被該遮罩層所遮蓋。
8.如權(quán)利要求7所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的焊接區(qū)為金屬材料。
9.如權(quán)利要求7所述的基板的植球結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的焊接區(qū)為圓形。
專利摘要一種基板的植球結(jié)構(gòu),用以植入一金屬球,它包含:一基板,至少具有一焊接區(qū)及一非焊接區(qū),該非焊接區(qū)毗鄰該焊接區(qū);一遮罩層,罩于上述的基板上,它至少具有一對(duì)應(yīng)于焊接區(qū)的缺口,該缺口使毗鄰焊接區(qū)的非焊接區(qū)的一部分裸露于外,非焊接區(qū)的另一部分被該遮罩層所遮蓋。本實(shí)用新型改善了金屬球植入的進(jìn)行,提高了植球的速度,而且在遮罩層上所有預(yù)留大的焊接區(qū),可加強(qiáng)金屬球的附著力。
文檔編號(hào)H01L23/48GK2410742SQ00201588
公開日2000年12月13日 申請(qǐng)日期2000年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月31日
發(fā)明者黃讌程, 彭國(guó)峰, 陳文銓, 林有為, 杜修文, 葉乃華, 施鴻文 申請(qǐng)人:勝開科技股份有限公司