專利名稱：散熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種散熱裝置，尤其是指一種組裝方便、定位效果良好且具有保護(hù)芯片功能的散熱裝置。
隨著計算機(jī)技術(shù)快速發(fā)展及其應(yīng)用范圍愈來愈廣，對計算機(jī)內(nèi)部電子組件處理速度的要求也愈來愈高，伴隨著運(yùn)行速度的提高，相關(guān)電子組件所產(chǎn)生的熱量也大量增加，若不及時將此熱量排出，使用時的穩(wěn)定性及品質(zhì)將大受影響。
現(xiàn)有用來協(xié)助電子組件排出熱量的散熱裝置的構(gòu)造可參考

圖1，該散熱裝置10設(shè)有基座12，其頂面13朝上設(shè)有若干散熱鰭片18，而底面14是平坦表面用來直接貼靠在電子組件(未標(biāo)號)的頂面，以將電子組件運(yùn)行時產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出，并且通過該若干散熱鰭片18將熱量散發(fā)出去。但是，就目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)上的覆晶式芯片20(FlipChip，請一起參考圖2)而言，硅晶22是直接外露并且凸出于基板24頂面，若受到過大的外力時，該直接外露的硅晶22極易破裂?，F(xiàn)有散熱裝置10運(yùn)用在覆晶式芯片20上時，是先傾斜放置(如圖2虛線所示)后再旋轉(zhuǎn)成水平(如圖2實(shí)線所示)，在該傾斜旋轉(zhuǎn)的過程中，該散熱裝置10需旋轉(zhuǎn)一與硅晶22厚度H相同的高度H，方能水平平貼在硅晶22的頂面，但這極易造成硅晶22的邊緣受到過大壓力而破裂。再者，現(xiàn)有散熱裝置10的底面14是平坦表面，不具有方向性，所以無法辨識組裝時的正確方向，并且在與硅晶22頂面之間也會產(chǎn)生滑動而無法定位。
因此，實(shí)需一種散熱裝置來解決上述缺失。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有保護(hù)芯片功能、組裝方便快捷，并且定位效果良好的散熱裝置。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的一種散熱裝置，設(shè)有基座，該基座的頂面朝上設(shè)置有若干排散熱鰭片，該若干排散熱鰭片彼此間是以適當(dāng)間距平行排列在一起。該基座底面的中央?yún)^(qū)域形成有用以貼靠并且大致覆蓋住該直接外露而凸出于基板頂面上的硅晶的凹槽。再者，該基座的一側(cè)具有以形成階部的較薄厚度，且在階部的內(nèi)側(cè)，該基座還向下延伸出有凸條。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明有以下顯著優(yōu)點(diǎn)本散熱裝置組裝方便快捷、定位效果良好，同時具有保護(hù)芯片功能。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
圖1是現(xiàn)有散熱裝置的立體圖。
圖2是現(xiàn)有散熱裝置與覆晶式芯片組裝過程的示意圖。
圖3是本發(fā)明散熱裝置與相關(guān)組件的立體分解圖。
圖4是本發(fā)明散熱裝置與相關(guān)組件的立體組合圖。
圖5是本發(fā)明散熱裝置與覆晶式芯片組裝過程的示意圖。
圖6是本發(fā)明散熱裝置另一實(shí)施例的立體圖。
請一起參考圖3至圖5，本發(fā)明散熱裝置30是由鋁擠方式形成，具有基座32，該基座32的頂面34朝上設(shè)置有若干排散熱鰭片36，該若干排散熱鰭片36彼此間是以適當(dāng)間距平行排列在一起，其中位于兩外側(cè)的第三排散熱鰭片36的頂部形成有供鎖固風(fēng)扇(附圖未顯示)的長槽38。該基座32底面42的中央?yún)^(qū)域形成有用以貼靠并且大致覆蓋住該直接外露而凸出于基板24頂面上的硅晶22的凹槽44。
再者，該基座32的一側(cè)具有以形成階部48的較薄的厚度，而且在階部48的內(nèi)側(cè)，該基座32向下延伸有凸條46。當(dāng)散熱裝置30組裝在芯片20頂面上后，該階部48是貼合在供芯片20插設(shè)的連接器52的側(cè)邊凸塊54上，而該凸條46則位于芯片20與連接器52凸塊54之間的縫隙內(nèi)(請參考圖4)。通過該階部48與凸條46，除可提供方向性辨識以利于組裝外，也可定位該散熱裝置30在芯片20上而防止滑動產(chǎn)生。
該散熱裝置30裝設(shè)在芯片20上時(請參考圖5)，是先傾斜放置(如圖5虛線所示)后再旋轉(zhuǎn)成水平(如圖5實(shí)線所示)，在該傾斜放置旋轉(zhuǎn)的過程中，該散熱裝置30是旋轉(zhuǎn)一高度為h的距離而水平平貼于硅晶22頂面，其中該旋轉(zhuǎn)高度h等于硅晶22厚度H減去凹槽44深度d(即h＝H-d)，小于現(xiàn)有散熱裝置的旋轉(zhuǎn)高度(即H)，因此可以避免硅晶22的邊緣受到過大壓力而破裂。可以理解，當(dāng)該凹槽44的深度d越大而越接近硅晶22的高度H時，該散熱裝置30的旋轉(zhuǎn)高度h即越小，對硅晶22的壓力也越小。
請參閱圖6，是本發(fā)明散熱裝置的另一實(shí)施例。該散熱裝置30’的基座32’頂面34’朝上設(shè)置有若干排散熱鰭片36’，且位于兩外側(cè)第三排散熱鰭片36’的頂部并且形成有長槽38’。該基座32’的底面42’形成有凹槽44’，且在對應(yīng)芯片20基板24(圖6未顯示)兩側(cè)緣的位置，分別向下延伸有凸肋59，可配合在芯片20基板24的兩側(cè)緣而實(shí)現(xiàn)良好的定位效果。
可以理解，本發(fā)明散熱裝置基座底面上的凹槽，可設(shè)置為其它諸如方形或圓形等適當(dāng)?shù)男螤睢?br> 權(quán)利要求
1.一種散熱裝置，設(shè)有基座，其特征在于該基座的頂面朝上凸設(shè)有若干排散熱鰭片，該若干排散熱鰭片彼此間是以適當(dāng)間距平行排列在一起，該基座底面之中央?yún)^(qū)域形成有一凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于該基座上位于兩外側(cè)第三排散熱鰭片的頂部形成有長槽。
3.如權(quán)利要求1或2所述的散熱裝置，其特征在于該基座的一側(cè)具有可形成階部的較薄的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的散熱裝置，其特征在于該基座在階部的內(nèi)側(cè)向下延伸有凸條。
5.如權(quán)利要求1或2項所述的散熱裝置，其特征在于該基座的底面在該凹槽的兩外側(cè)適當(dāng)距離處分別向下延伸有凸肋。
全文摘要
一種散熱裝置，具有基座，該基座的頂面朝上設(shè)置有若干排散熱鰭片，該若干排散熱鰭片彼此間是以適當(dāng)間距平行排列在一起。該基座底面的中央?yún)^(qū)域形成有用以貼靠并且可大致覆蓋住該直接外露而凸出于基板頂面上的硅晶的凹槽。再者，該基座的一側(cè)具有以形成階部的較薄厚度，并且在階部的內(nèi)側(cè)，該基座還向下延伸出有凸條。
文檔編號H01L23/34GK1316639SQ0011419
公開日2001年10月10日 申請日期2000年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月5日
發(fā)明者李朝陽, 林雨利, 曾兆坤 申請人:富準(zhǔn)精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司