信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在用于計算機(jī)等的信息記錄介質(zhì)（磁盤記錄介質(zhì)）中，以往以來一直使用鋁基板 或玻璃基板。在這些基板上形成磁性薄膜層，利用磁頭使磁性薄膜層磁化，由此在磁性薄膜 層中記錄信息。
[0003] 近年來，在硬盤驅(qū)動器（HDD)裝置中，記錄密度愈發(fā)高密度化。因記錄密度的高 密度化，信息記錄介質(zhì)（載體）與在信息記錄介質(zhì)上浮起而進(jìn)行記錄的讀寫的磁頭的間隙 (浮起高度）縮小至幾nm左右。
[0004] 隨著浮起高度變小，在將信息記錄介質(zhì)用于硬盤驅(qū)動器裝置中的情況下，容易發(fā) 生訪問記錄于介質(zhì)中的數(shù)據(jù)時的讀取錯誤和/或?qū)懭脲e誤、及磁頭與介質(zhì)表面碰撞的磁頭 碰撞等問題。
[0005] 因此，信息記錄介質(zhì)用玻璃基板所要求的清潔性非常高，例如為了可靠地去除研 磨材料、異物通過如下方式進(jìn)行對應(yīng)：在研磨工序后，與液體接觸而容易去除附著物后進(jìn)行 擦洗（只夕77''洗浄）等。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利第4623210號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的問題
[0010] 但是，在對應(yīng)630Gbit/inch2以上的面記錄密度的下一代的信息記錄介質(zhì)用玻璃 基板中，雖然在平滑性、清潔性方面不存在問題，但是在形成磁性薄膜層而作為信息記錄介 質(zhì)的情況下，產(chǎn)生了電磁轉(zhuǎn)換特性（SNR)降低、讀取精度下降這樣的問題。
[0011] 對上述問題進(jìn)行了徹底調(diào)查，結(jié)果可知：載體制造商為了進(jìn)一步提高清潔性進(jìn)行 了在磁性膜形成前利用堿性溶液對信息記錄介質(zhì)用玻璃基板進(jìn)行清洗從而將基板上的微 小的顆粒去除這樣的工序，在該工序中，玻璃成分略微溶出、表面狀態(tài)發(fā)生了變化，因此之 后，利用濺射等形成磁性薄膜層時的條件發(fā)生了偏差，產(chǎn)生了上述問題。
[0012] 本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板 的制造方法，根據(jù)該制造方法，即使為了提高清潔性而在磁性膜形成前利用堿性溶液對信 息記錄介質(zhì)用玻璃基板進(jìn)行清洗，也能夠抑制表面狀態(tài)發(fā)生變化。
[0013] 用于解決問題的手段
[0014] 本發(fā)明涉及的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法為用于信息記錄介質(zhì)的信息 記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，該信息記錄介質(zhì)中，在玻璃基板的主表面上形成有磁性 薄膜層，且磁性記錄面中的記錄密度為630Gbit/平方英寸以上。上述信息記錄介質(zhì)用玻璃 基板的制造方法具備下述工序：精密研磨工序，其中，利用pH為4以下的酸性的含有膠態(tài)二 氧化硅的研磨液對玻璃部件的主表面進(jìn)行精密研磨；第1浸漬工序，其中，在所述精密研磨 工序后，在溶液中浸漬5分鐘以上；和超聲波清洗工序，其中，在所述第1浸漬工序后對所述 玻璃部件實(shí)施超聲波清洗。在上述精密研磨工序中進(jìn)行了精密研磨的玻璃部件的表面粗糙 度Ra在1ym2的測定范圍為3.0A以下。上述第1浸漬工序的溶液的pH為6. 5以上8. 5以 下。
[0015] 優(yōu)選的是，在上述超聲波清洗工序后進(jìn)一步具備將玻璃部件在pH6. 5以上8. 5以 下的溶液中浸漬5分鐘以上的第2浸漬工序。優(yōu)選的是，進(jìn)一步具備下述工序：擦洗工序， 其中，在上述超聲波清洗工序后對玻璃部件實(shí)施擦洗；和第3浸漬工序，其中，在擦洗工序 后在pH6. 5以上8. 5以下的溶液中浸漬5分鐘以上。
[0016] 優(yōu)選的是，上述溶液的pH小于6. 5時，進(jìn)一步具備向溶液添加調(diào)節(jié)劑從而使pH為 6. 5以上8. 5以下的工序。優(yōu)選的是，上述第1浸漬工序的溶液的pH為7以上8以下。優(yōu) 選的是，所述第1浸漬工序中的浸漬時間為120分鐘以下。
[0017] 發(fā)明效果
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，即使為了提高清潔性而在磁 性膜形成前利用堿性溶液對信息記錄介質(zhì)用玻璃基板進(jìn)行清洗，也可以制造能夠抑制表面 狀態(tài)發(fā)生變化的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板。
【附圖說明】
[0019] 圖1是信息記錄介質(zhì)用玻璃基板1G的立體圖。
[0020] 圖2是信息記錄介質(zhì)的立體圖。
[0021] 圖3是示出玻璃基板1G和信息記錄介質(zhì)1的制造方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 以下對本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例進(jìn)行說明。對于相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同 的參照標(biāo)號，有時不再重復(fù)其說明。在以下說明的實(shí)施方式和實(shí)施例中，在提及個數(shù)、數(shù)量 等的情況下，除了特別說明的情況以外，本發(fā)明的范圍不一定限于該個數(shù)、數(shù)量等。在以下 的實(shí)施方式中，除了特別說明的情況以外，各個構(gòu)成要素對本發(fā)明不一定是必須的。
[0023] (信息記錄介質(zhì)1的構(gòu)成）
[0024] 參照圖1和圖2,對信息記錄介質(zhì)用玻璃基板1G和信息記錄介質(zhì)1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說 明。圖1是信息記錄介質(zhì)用玻璃基板1G的立體圖，圖2是信息記錄介質(zhì)的立體圖。
[0025] 如圖1所示，在信息記錄介質(zhì)1中使用的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板1G(以下稱作 "玻璃基板1G"）呈在中心形成有孔11的環(huán)狀的圓板形狀。玻璃基板1G具有外周端面12、 內(nèi)周端面13、正面主表面14以及背面主表面15作為玻璃基板1G，使用了非晶質(zhì)玻璃等，例 如，外徑約65mm，內(nèi)徑約20mm，厚度約0. 8mm，表面粗糙度約2.〇A以下。
[0026] 對玻璃基板1G的英寸尺寸沒有特別限定，可以制造0. 8英寸、1. 0英寸、1. 8英寸、 2. 5英寸、3. 5英寸各種玻璃基板1G作為信息記錄介質(zhì)用的盤片。
[0027] 出于有效應(yīng)對由下落沖擊導(dǎo)致的玻璃基板1G的破裂，玻璃基板1G的厚度優(yōu)選為 0. 30mm?2. 2mm。此處所謂玻璃基板1G的厚度是指，在基板上成為點(diǎn)對稱的任意數(shù)點(diǎn)處測 定的值的平均值。
[0028] 如圖2所示，信息記錄介質(zhì)1在上述玻璃基板1G的正面主表面14上形成有磁性 薄膜層23。在圖示中，僅在正面主表面14上形成磁性薄膜層23,但是，也可以在背面主表 面15上設(shè)置磁性薄膜層23。
[0029] 作為磁性薄膜層23的形成方法，可以使用現(xiàn)有公知的方法，例如可以舉出在玻璃 基板1G上旋涂分散有磁性顆粒的熱固化性樹脂來形成的方法、通過濺射來形成的方法以 及通過非電鍍來形成的方法。
[0030] 旋涂法得到的膜厚為約0. 3ym?1. 2ym左右，濺射法得到的膜厚為0. 04ym? 0? 08ym左右，非電鍍法得到的膜厚為0? 05ym?0? 1ym左右，出于薄膜化以及高密度化的 觀點(diǎn)，基于濺射法和非電鍍法的膜形成較好。
[0031] 作為在磁性薄膜層23中使用的磁性材料，沒有特別限定，可以使用現(xiàn)有公知的材 料，但是，為了得到高保持力，Co系合金等是合適的，Co系合金是以晶體各向異性高的Co為 基礎(chǔ)并出于調(diào)整剩余磁通密度的目的添加Ni、Cr而成的。近年來，作為適合于熱輔助記錄 用的磁性層材料，使用了 FePt系的材料。
[0032] 為了改善磁頭的光滑度，可以在磁性薄膜層23的表面薄薄地涂覆潤滑劑。作為潤 滑劑，例如可以舉出用氟利昂系等的溶劑對作為液體潤滑劑的全氟聚醚（PFPE)稀釋而成 的潤滑劑。
[0033] 根據(jù)需要，可以設(shè)置基底層、保護(hù)層。信息記錄介質(zhì)1中的基底層可根據(jù)磁性膜來 進(jìn)行選擇。作為基底層的材料，例如可以舉出選自Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性 金屬中的至少一種以上的材料。
[0034] 基底層不限于單層，也可以設(shè)為層疊相同種類或不同種類的層而成的多層結(jié)構(gòu)。 例如，可以設(shè)為Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等多層基底層。
[0035] 作為防止磁性薄膜層23的磨損、腐蝕的保護(hù)層，例如，可舉出Cr層、Cr合金層、碳 層、氫化碳層、氧化鋯層、二氧化硅層等。保護(hù)層可以通過內(nèi)聯(lián)型濺射裝置，與基底層、磁性 膜等一起連續(xù)地形成。保護(hù)層可以是單層，或者由相同種類或不同種類的層構(gòu)成的多層結(jié) 構(gòu)。
[0036] 可以在上述保護(hù)層上形成其它保護(hù)層，或者，替代上述保護(hù)層而形成其它保護(hù)層。 例如，替代上述保護(hù)層，可以在Cr層上，在用醇系的溶劑稀釋四烷氧基硅烷得到的產(chǎn)物中 分散膠態(tài)二氧化硅微粒進(jìn)行涂覆，進(jìn)一步進(jìn)行燒制，形成二氧化硅（Si0 2)層。
[0037] 如上所述，信息記錄介質(zhì)用的玻璃基板1G在制造后被捆包材料密閉捆包并被流 通，之后從捆包材料中取出，設(shè)置磁性薄膜層23等，在即將設(shè)置磁性薄膜層23等之前，為了 去除捆包時和運(yùn)輸時附著的微小顆粒，或者為了消除因條件的不同導(dǎo)致的表面狀態(tài)的不均 勻性，利用堿溶液等實(shí)施清洗處理。
[0038] 即使在實(shí)施這種堿處理的情況下，在進(jìn)行將該信息記錄介質(zhì)用玻璃基板在40°C、 pHll的氫氧化鈉溶液中浸漬30分鐘的堿處理時，若為上述玻璃基板的主表面14、15的 SiOH/Si的平均值是0. 20以上0. 50以下的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板，則即使在用于磁性 記錄面中的記錄密度為630Gbit/平方英寸以上的記錄密度非常高的信息記錄介質(zhì)的情況 下，也能夠充分抑制信噪比（S/N比）的降低。
[0039] 接著，對于玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明，根據(jù)該制造方法，即使在磁性薄膜層的 形成前實(shí)施堿處理，也能夠抑制S/N比的降低。
[0040] (玻璃基板1G的制造工序）
[0041] 接下來，參照圖3,對本實(shí)施方式的玻璃基板1G和信息記錄介質(zhì)1的制造方法進(jìn)行 說明。圖3是示出玻璃基板1G和信息記錄介質(zhì)1的制造方法的流程圖。
[0042] 首先，在步驟10(以下，省略為"S10"，步驟11以后也同樣）的"玻璃熔融工序"中， 使構(gòu)成玻璃基板的玻璃還料恪融。
[0043] 在S11的"模壓成型工序"中，通過使用了上模和下模的模壓，將熔融玻璃坯料制 造成玻璃基板。所使用的玻璃組成使用了通常的鋁硅酸鹽玻璃。作為玻璃基板的制造方法， 不限于成型，也可以是作為公知的方法的從板狀玻璃的切割等，玻璃組成也不限于此。
[0044] 在S12的"第1磨削工序（第1研削工序）"中，對玻璃基板的兩主表面進(jìn)行磨削 加工。該第1磨削工序是使用利用了行星齒輪機(jī)構(gòu)的雙面磨削裝置來進(jìn)行的。具體而言， 從上下方將磨削盤按壓于玻璃基板的兩面，向玻璃基板的主表面供給研削液，使它們相對 地移動來進(jìn)行磨削加工。通過該磨削加工，得到具有大致平坦的主表面的玻璃基板。