或者可以根據(jù)算法來(lái)確定，諸如ADDM=(VDDU>3-VDDmin)/k，其中，VDDminl是V版n的當(dāng)前值，(例如最近的VDDmin0,VDDminl等)且k是固定整數(shù)，例如2、5或10。存在用于設(shè)置AVddm的其他可能性。
[0043]在t9，存儲(chǔ)器設(shè)備將過(guò)渡至第二低功率模式，并且ν.Ρ2'被供應(yīng)給存儲(chǔ)器設(shè)備。在某些示例中Vddij2 ' = VDDminl。在某些示例中Vddij2 ' = Vddij2且可以通過(guò)檢測(cè)跨存儲(chǔ)器設(shè)備的電壓來(lái)控制電源電壓以確定跨存儲(chǔ)器元件的電壓何時(shí)達(dá)到VDDminl。在tlO與til之間，Vddlp3 ;被供應(yīng)給存儲(chǔ)器設(shè)備。在某些示例中，ν.Ρ3' =Vimp3。在某些示例中Vimp3' >VDDLP3,例如ν.Ρ3' =Vimp3+Λ Vddm。其中，Vimp/ = VDmP3，不需要生成附加電壓電平，簡(jiǎn)化了電源要求。
[0044]在til處，跨存儲(chǔ)器元件的電壓達(dá)到Vddm/。在某些示例中，供應(yīng)給存儲(chǔ)器設(shè)備的電壓被控制，使得VDDMt' =VDDMt。在其他示例中，可以控制電壓供應(yīng)，使得Vddm/ >VDDMt。例如，Vddm/ = VDDMt+AVDDM。在某些示例中，Vddm/的值并未受到直接控制，而是VDDminl、Vddlp3/、tlO與til之間的時(shí)間段和存儲(chǔ)器設(shè)備的阻抗性質(zhì)等的值的結(jié)果。
[0045]在后續(xù)操作循環(huán)中，例如在返回操作模式和進(jìn)一步檢測(cè)的錯(cuò)誤之后，可以進(jìn)一步調(diào)整參數(shù) "^DDmin，^DDmink+i "^DDmink+
Δ Vddm,其中，Δ Vddm能夠在VDDmin的調(diào)整之間改變，這可以表不為 VDDmin k+l_^DDmin k+ ^ ^DDM k+1。
[0046]圖6示出了其中保持參數(shù)是電源切換時(shí)段Tsw、以及其間Vmp2被供應(yīng)給存儲(chǔ)器設(shè)備的時(shí)間段的示例。在tl和t6之間，圖6類(lèi)似于圖5。t5與t6之間的時(shí)間段對(duì)應(yīng)于Tsw的初始值，Tswoo根據(jù)某些示例，間接地通過(guò)設(shè)置Tsw來(lái)控制VDDmin，使得VDDmin特別地取決于Tsw、Vddlp2>VDDret以及存儲(chǔ)器設(shè)備的阻抗。在某些示例中，跨存儲(chǔ)器元件的電壓可以在t6之前達(dá)到Vimp2。在這種情況下，VDDmin = Vddlp2,并且Tsw控制跨存儲(chǔ)器設(shè)備的電壓保持在VDDmin的時(shí)間段。
[0047]如在圖5中，存儲(chǔ)器設(shè)備返回至在t8與t9之間的操作模式，并且保持參數(shù)Tsw在這種情況下由于一個(gè)或多個(gè)所檢測(cè)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤而被調(diào)整(例如，如相對(duì)于圖2所述)。在這種情況下，Tsff從Tsw變成Tswi，其中，TSW1〈TSW。結(jié)果，當(dāng)存儲(chǔ)器設(shè)備返回至保持模式時(shí)，施加Vddlp2的時(shí)間段被減小，如til和tl2之間所示。相應(yīng)地，施加保持電壓Vimp3之間的時(shí)間段被減小，降低了數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性。在某些示例中，其中，跨存儲(chǔ)器元件的電壓到tl2時(shí)尚未達(dá)到V_2，跨存儲(chǔ)器元件的最小電壓例如從VDDmin增加至VDDmin'，如圖6中所示。這也降低了數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性。在某些示例中，當(dāng)VDDmin' >VDDmin時(shí)，可以減少電壓從VDDmin'增加至VDDret所需的時(shí)間(例如，將t3至t5與圖6中的tl2至tl3相比較)。在某些情況下，如圖6中所示，可以相應(yīng)地減小用于施加Vimp3的時(shí)段(例如，通過(guò)施加ν.Ρ3達(dá)到基于跨存儲(chǔ)器元件的電壓的測(cè)量結(jié)果而確定的時(shí)段)。在其他情況下，當(dāng)Tsw改變時(shí)，不改變施加ν.3的時(shí)間段。因此，電壓Vltot可以隨著Tsw被減小而增加(至Vddlp3的最大值)。在電壓在施加ν.Ρ3的時(shí)段結(jié)束之前(例如，在圖6中的tl3之前)達(dá)到Vimp3的情況下，Tsw的減小將導(dǎo)致跨存儲(chǔ)器元件的電壓較早地達(dá)到ν.Ρ3，并且因此被保持在Vimp3更長(zhǎng)時(shí)間。
[0048]可以有各種選擇用于設(shè)置TSW1。例如TWl=TSW(l/2，或者更一般地Tswl=Tswtl/q，其中，q是大于I的預(yù)定正實(shí)數(shù)或整數(shù)值。
[0049]出于舉例說(shuō)明的目的，圖6示出了在t2與t3之間下降至VDMn且在t9與tl9之間下降至VDDmi/的跨存儲(chǔ)器元件的電壓。然而，在某些示例中，時(shí)間段t2至t3及t9和tlO等于Tsw(S卩，分別地Tswtl和TSW1)。在這種情況下，跨存儲(chǔ)器元件的電壓將不一定分別在時(shí)間t3和tlO達(dá)到VDDmin或VDDmin'。在這種情況下，跨存儲(chǔ)器元件的電壓的細(xì)節(jié)VDDmin' >VDDmin將取決于施加電壓的值、電壓被施加的時(shí)間段、存儲(chǔ)器設(shè)備的阻抗等。
[0050]在替換示例中，當(dāng)Tsw減小時(shí)，調(diào)整電源電路的加載以在施加電壓從Vimp2變成V_3時(shí)(例如，在圖6的til與tl2之間)增加電壓降的速率，使得VDDmin' =VDDmin。同樣地，當(dāng)Tsw增加時(shí)，調(diào)整電源電路的加載以減小電壓降的速率，以每當(dāng)設(shè)備進(jìn)入第二低功率模式時(shí)保持V DDmin 本質(zhì)上相同。
[0051]根據(jù)某些示例，調(diào)整保持參數(shù)允許存儲(chǔ)器設(shè)備對(duì)保持模式進(jìn)行調(diào)諧以在降低保持模式下的功率的同時(shí)降低數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性。在某些示例中，可以將設(shè)備視為“學(xué)習(xí)”最佳(或接近于最佳)保持參數(shù)。調(diào)諧或?qū)W習(xí)自動(dòng)地將由過(guò)程變化等引起的特定設(shè)備的性質(zhì)考慮在內(nèi)。此外，根據(jù)某些示例，調(diào)諧或?qū)W習(xí)允許保持模式隨存儲(chǔ)器的改變而改變，例如在一個(gè)先前可靠的位(位X)已變得更易于在保持模式下發(fā)生故障的情況下。位X的此類(lèi)改變可以是例如老化或暴露于高溫的結(jié)果。
[0052]在某些示例中，僅一個(gè)保持參數(shù)改變。在某些示例中，可以改變不止一個(gè)保持參數(shù)。例如，當(dāng)檢測(cè)到數(shù)據(jù)錯(cuò)誤時(shí)，可以同時(shí)地改變兩個(gè)(或更多)保持參數(shù)。在某些示例中，不止一個(gè)保持參數(shù)是可改變的，但是每次只有一個(gè)改變(使得設(shè)備在參數(shù)的每次改變之間進(jìn)入保持模式)。在此類(lèi)示例中，改變的保持參數(shù)可以取決于錯(cuò)誤類(lèi)型(例如，位A或位X),可以替代地，或者可以取決于保持參數(shù)的相應(yīng)值。
[0053]根據(jù)某些示例，當(dāng)保持參數(shù)將改變時(shí)，Tsw被減半。當(dāng)要求后續(xù)參數(shù)改變時(shí)，
加且Tsw被設(shè)置成其原始值。
[0054]圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法700的流程圖。該方法在703處開(kāi)始并前進(jìn)至步驟705，在那里，諸如VDDMt和Tsw的參數(shù)值被初始化例如成默認(rèn)值。最弱位、位A的位置被存儲(chǔ)。還可以發(fā)生其他初始化，諸如設(shè)置AVddm的值。
[0055]在步驟710處，設(shè)備進(jìn)入數(shù)據(jù)保持模式(第二低功率模式)。在某些示例中，設(shè)備可以在步驟720處直接從705進(jìn)入操作模式，而不是在步驟710處首先進(jìn)入數(shù)據(jù)保持模式。
[0056]在步驟720處，設(shè)備被帶入操作模式，并在步驟730處對(duì)位錯(cuò)誤執(zhí)行檢查。在本示例中，假設(shè)單個(gè)位錯(cuò)誤能夠被修正，而兩個(gè)或更多位中的錯(cuò)誤不一定能被修正。然而，還可以有其他錯(cuò)誤處理方法。
[0057]如果未檢測(cè)到錯(cuò)誤，則在723處，確定是否已經(jīng)歷了其中未檢測(cè)到或僅檢測(cè)到非重復(fù)單個(gè)位錯(cuò)誤的預(yù)定間隔(例如，保持模式和操作模式的時(shí)間段或多個(gè)循環(huán))。在這種情況下，非重復(fù)單個(gè)位錯(cuò)誤是位X中的錯(cuò)誤，而同一位X在預(yù)定間隔中未經(jīng)歷第二次錯(cuò)誤。此類(lèi)錯(cuò)誤很可能是由于在設(shè)備外部引起且與設(shè)備在保持模式下的操作無(wú)關(guān)的隨機(jī)事件而引起的，諸如輻射?？梢詫⒃摃r(shí)間段定義為預(yù)定數(shù)目的保持模式/操作模式而不是恒定時(shí)間段。在某些示例中，732可以測(cè)試該間隔中的存儲(chǔ)器設(shè)備中的所有錯(cuò)誤的不存在。在某些示例中，可以施加不止一個(gè)測(cè)試，并且可以對(duì)每個(gè)測(cè)試使用不同的間隔。例如，在732處，可以測(cè)試(P(I)AND P (2)) OR P (3)是否為真，其中，P (I)= “不超過(guò)一個(gè)單個(gè)位錯(cuò)誤在位X中在至少一個(gè)第一間隔期間已發(fā)生”，P (2)=沒(méi)有錯(cuò)誤在位A中在至少一個(gè)第二間隔期間發(fā)生，并且P (3)=沒(méi)有錯(cuò)誤在位A或位X中在至少一個(gè)第三間隔期間發(fā)生錯(cuò)誤，其中，每個(gè)間隔的結(jié)尾是當(dāng)前時(shí)間。在某些示例中，第三間隔可以短于第一和第二間隔。在某些示例中，間隔被不同地測(cè)量(例如，在保持與操作模式之間的循環(huán)中測(cè)量第一和第二間隔，并且可以將第三間隔測(cè)量為時(shí)間段)。
[0058]如果預(yù)定間隔尚未經(jīng)歷錯(cuò)誤或僅非重復(fù)單個(gè)位錯(cuò)誤，則該方法在設(shè)備下一次被置于保持模式中時(shí)返回至710。然而，如果在732處，確定在預(yù)定間隔期間未發(fā)生錯(cuò)誤或無(wú)重復(fù)錯(cuò)誤，則該方法移動(dòng)至733。在733處確定是否將調(diào)整Tsw，例如通過(guò)檢查在本文中被稱為Opt 2的用戶定義參數(shù)。當(dāng)Ope 2處于第一狀態(tài)時(shí)，Tsw的調(diào)整被啟用，而當(dāng)Opt 2處于第二狀態(tài)時(shí)，Tsw的調(diào)整被禁用。如果將調(diào)整Tsw，則該