直至在后續(xù)操作模式下在步驟260中被重置)。因此，同一位X的進一步故障在計數(shù)器已被重置之前導(dǎo)致該方法在步驟240處遵循“是”分支。如果在步驟240處確定(例如，基于用于該特定位的計數(shù)器)位X先前已失效(即，當(dāng)前故障是位X的第二次故障)，在方法移動至步驟260。在步驟260處，先前已經(jīng)失效的位的計數(shù)器被重置，或者失效位的跟蹤被以某種其他方式更新，以反映保持參數(shù)已被調(diào)整。在步驟270處，調(diào)整保持參數(shù)以便減少后續(xù)保持模式下的數(shù)據(jù)錯誤的發(fā)生。該方法然后在280處結(jié)束。在某些示例中，保持參數(shù)在保持模式的連續(xù)時段之間至多被調(diào)整一次。這避免了基于參數(shù)處于其前一值發(fā)生的錯誤對保持參數(shù)的進一步調(diào)整。
[0027]在圖2中所示的實施例中，位X中的一個錯誤不會導(dǎo)致保持參數(shù)的調(diào)整，但是同一位中的兩個錯誤會這樣，可能在有界時間段內(nèi)。例如，如果位X在連續(xù)保持模式下失效兩次，則可以調(diào)整保持參數(shù)，使得位X的第二次故障將不會促使保持參數(shù)被調(diào)整，如果保持模式在故障之間發(fā)生且位X在該保持模式下并未失效。這幫助辨別可能由保持模式下的電壓不足而引起的錯誤(例如，由于不良設(shè)置或亞最佳保持參數(shù))，其被預(yù)期從被預(yù)期在隨機位處發(fā)生的錯誤(例如，由例如輻射引起的軟錯誤)開始反復(fù)地在同一位處發(fā)生。
[0028]其他算法是可能的，例如僅基于位A中的故障，或者僅基于位X的故障。引起保持參數(shù)的改變所需的位A和位X的故障數(shù)目在上述示例中分別地是I和2，但是可以選擇其他值。例如，在調(diào)整保持參數(shù)之前可能要求位A中的不止一個錯誤。同樣地，在調(diào)整保持參數(shù)之前，可能要求位X中的單個錯誤或位X中的超過兩個錯誤。在某些實施例中，只有最近的位X故障被記錄，使得要求同一位的兩次連續(xù)故障以引起保持參數(shù)的改變。還可以使用其他標(biāo)準(zhǔn)。例如，可以要求超過預(yù)定閾值數(shù)目的不同位的故障?？梢允褂脴?biāo)準(zhǔn)的組合。已檢測到其數(shù)據(jù)錯誤的位的跟蹤(例如，用于位X的計數(shù)器)可以被以許多方式且在各種時間重置。例如，如果在預(yù)定數(shù)目的到數(shù)據(jù)保持模式的過渡和返回操作模式之后未再檢測到錯誤，則可以將該跟蹤重置。
[0029]圖3示出了圖示出在控制器110的控制下由電源140供應(yīng)給存儲器設(shè)備120的電壓的示例的圖表。
[0030]在時間tl，存儲器設(shè)備處于操作模式，并且被供應(yīng)電SV_P。在時間t2，存儲器設(shè)備過渡至第一低功率模式，并且在t2與t3之間保持在第一低功率模式。在第一低功率模式下，存儲器設(shè)備120在小于工作電壓Vdiwp的電壓Vimpi下接收功率。在第一低功率模式下，跨存儲器設(shè)備120的元件的電壓相對于操作模式下的電壓被減小，減少了漏電流。Vimpi可以被設(shè)置在足以可靠地保持存儲器設(shè)備中的數(shù)據(jù)的電平。在某些示例中，Vimpi被設(shè)置成由制造廠指定的最小數(shù)據(jù)保持電壓VDDM。在某些示例中，Vddm可以是例如0.57V。通常，Vddm被保守地設(shè)置，并且大于測量的最小保持電壓Vmin，以便覆蓋由存儲器元件的大樣本范圍上(例如>8MB的SRAM位)的變化引起的非固有界外值。例如，Vmin可以是例如0.5V。t2與t3之間的時間段Twait可以是例如使用時鐘信號計數(shù)的預(yù)定時間段。
[0031 ] 從Vdmp至VDDm的過渡被示為本質(zhì)上即刻的，但是在實踐中，該過渡可能是逐漸的，并且可以由存儲器設(shè)備的阻抗、功率控制系統(tǒng)的輸出性能和/或用戶的選擇來確定。
[0032]在時間t3，存儲器設(shè)備過渡至第二低功率模式，其中可變電壓被施加于存儲器設(shè)備。在t3與t4之間，電壓V_2被施加于存儲器設(shè)備的存儲器元件。V_2小于Vimpi。在t3與t4之間，跨存儲器元件的電壓從Vimpi下降至VDDmin。在時間t4，跨存儲器元件的電壓達(dá)到VDDmin且跨存儲器元件施加電壓VmP3。Vddlp3大于Vimp2和VDDmin，促使跨存儲器元件的電壓增加。在時間t5，跨存儲器元件的電壓達(dá)到V_t且施加于存儲器元件的電壓再次被減小至V_2。Vddlp2與V_3之間的交變施加電壓的圖案被重復(fù)至t7為止。在t7處，存儲器設(shè)備被置于操作，并且Vdmp被施加于存儲器元件?？绱鎯ζ髟碾妷涸黾?，并且在t8處，跨存儲器兀件的電壓為VDDQP。
[0033]如能夠看到的，Ywmin彡Vddlp2,并且
^DDret ^ ^DDLP3 ° 在某些實施例中， VDDLP2 可以是接地電壓。在其他示例中，Vd—可以等于vDDmin。在某些示例中，v_t可以等于ν.Ρ3。在某些示例中，VDDLP3<VDDLP1，并且在某些示例中ν.Ρ3 = Vddlpi。還可以有VDDU>3>VDDU)1。
[0034]可以將VDDMt視為第一保持電壓，并且可以將VDDmin視為第二保持電壓。
[0035]當(dāng)V_2= VDDmin時，跨存儲器元件的電壓可以被保持在VDDmin達(dá)一非零時間段(例如，預(yù)定時間段)。同樣地，當(dāng)VDDMt = Vddlp3時，存儲器元件可以被保持在VDDMt達(dá)一非零時間段(例如預(yù)定時間段)。
[0036]圖4示出了跨存儲器元件的電壓的示例，其中，跨存儲器元件的電壓被保持在vDDret和vDDmin中的每一個達(dá)一非零時間段。在某些示例中，跨存儲器元件的電壓被保持在VDDret和VDDmin中的僅一個或兩者都不是達(dá)一非零時間段。在圖4處，在tl，跨存儲器元件的電壓從VDDMt開始下降，并且在時間t2達(dá)到VDDmin。電壓保持在VDDmin直至t3為止，那時較高電壓(Vdiip3 = VDDret)被施加于存儲器元件。在t4處，電壓達(dá)到Vratert并保持在此電壓直至t5為止，那時施加電壓被減小(至Vddlp2 = VDDmin)。在t6處，跨存儲器元件的電壓達(dá)到VDDmin，并且該過程持續(xù)至保持模式被終止。
[0037]在圖3和4中，兩個電壓電平之間的過渡僅僅是示意性的。通常，過渡的速率和形式將特別地取決于存儲部和關(guān)聯(lián)電力導(dǎo)體網(wǎng)的阻抗和電源的電容，并且可以有其他形式(例如本質(zhì)上線性的過渡)。
[0038]第二低功率模式具有比第一低功率模式低的RMS電壓，并且因此漏電流在第二低功率模式下較低。Vimp3的間歇性施加刷新或恢復(fù)存儲器元件中的電荷，以避免或減少由于在vDDm以下的電壓的施加而引起的數(shù)據(jù)錯誤的發(fā)生。
[0039]第一低功率模式(例如，圖3的t2和t3之間的時段)可以被視為數(shù)據(jù)保持模式的一部分。然而，出于本描述的目的，數(shù)據(jù)保持模式描述第二低功率模式(例如，圖3中的t3與t7之間的時段)。模式之間電壓過渡時段，例如圖3的t7和t8之間，能夠被分配給相鄰模式中的任一個或兩者都不分配給。例如，可以將t7和t8之間的時段視為第二低功率模式(數(shù)據(jù)保持模式)的一部分，可以視為操作模式的一部分，或者可以視為單獨過渡模式。在某些示例中，只有當(dāng)跨存儲器元件的電壓已達(dá)到工作電壓電平V.時，存儲器設(shè)備才被視為處于操作模式。這能夠幫助避免在電壓在標(biāo)稱工作電壓以下時使存儲器設(shè)備操作，改善了可靠性。
[0040]在某些示例中，存儲器設(shè)備直接從操作模式過渡至第二低功率模式，而不經(jīng)由第一低功率模式過去。
[0041]在某些示例中，響應(yīng)于第二低功率模式將不被使用的確定，存儲器設(shè)備直接從第一低功率模式過渡至操作模式，而不經(jīng)由第二低功率模式過去。例如，該確定可以基于用戶的選擇，例如按照由用戶設(shè)置的控制寄存器中的值來控制。
[0042]圖5示出了保持參數(shù)改變時的跨存儲器元件的電壓的示例。在圖5的示例中,保持參數(shù)是VDMn。在tl和t2之間的時段中，存儲器設(shè)備處于操作模式，如在圖3的示例中。在圖5的示例中，不存在第一低功率模式，并且在t2處存儲器設(shè)備直接從操作模式過渡至第二低功率模式。在本示例中，vDDmin是具有初始值vDDmin(l的參數(shù)。在某些示例中，vDDmin(l被設(shè)置成使得VDDM>VDDmin(l彡VDDmin。第二低功率模式與圖3的類似。施加電壓在Vimp2和Vimp3之間切換，因此跨存儲器元件的電壓在VDDmin與VDDMt之間改變，如在圖3中。在t7處，存儲器設(shè)備將返回至操作模式，并且施加電壓增加至V_P。在t8和t9之間，存儲器設(shè)備處于操作模式，并且正常地執(zhí)行讀/寫操作。出于本示例的目的，在t8與t9之間的時段期間，檢測一個或多個數(shù)據(jù)錯誤并確定應(yīng)改變保持參數(shù)以改善保持模式的可靠性。根據(jù)本示例，根據(jù)VDDminl=Vlldmintl+AVddm來調(diào)整參數(shù)VDDmin，其中，AVddm是描述最小電壓變化的預(yù)定參數(shù)。在某些實例中，Λ Vddm可以具有固定值(例如0.01V)