專利名稱：盤片盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在由一對(duì)殼體組成的存放盒內(nèi)放置有圓盤狀記錄媒體的盤片盒。
作為計(jì)算機(jī)等外部記錄媒體用的盤片盒，目前廣泛使用著例如3.5英寸小型軟盤片盒(以下稱3.5英寸MFD)。
如

圖1所示，3.5英寸MFD由以下部件構(gòu)成圓盤狀記錄媒體即磁盤100、隔著環(huán)101被安裝在磁盤100上的中心轂盤102、保護(hù)磁盤100不受外力用的上殼體103和下殼體104、安裝在上殼體103上的第1墊片105、安裝在下殼體104上的第2墊片106、安裝在下殼體104上的提升器107、向記錄再現(xiàn)裝置裝取時(shí)進(jìn)行開閉動(dòng)作的開閉器108、向關(guān)閉開閉器108的方向施加力的開閉器彈簧109以及設(shè)定是否可以向磁盤100寫入用的寫保護(hù)構(gòu)件110。
其中，第1和第2墊片105、106用于除去附在磁盤100上的灰塵和防止磁盤100受損傷，系由無(wú)紡布等制成。如圖2所示，第2墊片106通過熱熔接被安裝在下殼體104上。與第2墊片106一樣，第1墊片105也通過熱熔接被安裝在上殼體103上。另外，在圖2中，涂黑部106a就是熱熔接的部分，其它的斜線部分106b是未曾熔接的部分。
這樣，只有在第1和第2墊片105、106它們的周邊部的局部被熱熔接在殼體103、104上。在第2殼體106上的未曾熱熔接部分，利用配置在第2墊片106與下殼體104之間的提升器107向磁盤100一側(cè)施加力。由此，使第1和第2墊片105、106與磁盤100接觸，提高了第1和第2墊片105、106所起的除塵效果。
然而，人們期望著作為計(jì)算機(jī)等外部記錄媒體用的盤片盒實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步高記錄密度化。為此，有人針對(duì)傳統(tǒng)的3.5英寸MFD磁盤轉(zhuǎn)速300rpm或360rpm這一現(xiàn)狀，提出了通過使記錄再現(xiàn)時(shí)的磁盤轉(zhuǎn)速提高到3000rpm以上，以此來實(shí)現(xiàn)盤片盒高記錄密度化的方案。
盡管如此，在提高磁盤轉(zhuǎn)速以求實(shí)現(xiàn)高記錄密度化時(shí)，一旦磁盤振擺增大，就不能進(jìn)行正常的記錄再現(xiàn)。因此，為了提高磁盤轉(zhuǎn)速，實(shí)現(xiàn)高記錄密度化，在使用傳統(tǒng)的3.5英寸MFD以上時(shí)，還必須限制磁盤的振擺，又，在提高磁盤轉(zhuǎn)速以求實(shí)現(xiàn)高記錄密度化時(shí)，即使是非常微小的灰塵也會(huì)成為所謂漏信息的原因。即，在提高磁盤轉(zhuǎn)速以求實(shí)現(xiàn)高記錄密度化時(shí)，即使是以往不成為問題的微小灰塵也會(huì)造成數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。因此，為了提高磁盤轉(zhuǎn)速，實(shí)現(xiàn)高記錄密度化，在使用傳統(tǒng)的3.5英寸MFD以上時(shí)，還必須防止灰塵附在磁盤面上。
這樣，由于存在著磁盤的振擺和因灰塵造成的漏失信息等問題，因此在單純采用傳統(tǒng)的3.5英寸MFD那樣的結(jié)構(gòu)來提高轉(zhuǎn)速以求實(shí)現(xiàn)高記錄密度化時(shí)，就難以確?？蓾M足實(shí)用的可靠性。
本發(fā)明就是根據(jù)上述以往的現(xiàn)狀而提出的方案，其目的在于提供可實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步高記錄密度化的盤片盒。
本發(fā)明的盤片盒的一個(gè)特點(diǎn)是，具有在3000rpm以上轉(zhuǎn)速狀態(tài)下進(jìn)行記錄及/或再現(xiàn)的圓盤狀記錄媒體以及放置圓盤狀記錄媒體的存放盒。所述存放盒具有配置在圓盤狀記錄媒體一方的主面?zhèn)壬系牡?存放盒構(gòu)件以及配置在圓盤狀記錄媒體另一方的主面?zhèn)壬系牡?存放盒構(gòu)件，將圓盤狀記錄媒體放置在第1存放盒構(gòu)件與第2存放盒構(gòu)件的中間。并且，在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)圓盤狀記錄媒體時(shí)，圓盤狀記錄媒體與第1存放盒構(gòu)件的間隙以及圓盤狀記錄媒體與第2存放盒構(gòu)件的間隙中的最小間隙應(yīng)當(dāng)大于0mm而小于0.5mm。
這種盤片盒在由記錄再現(xiàn)裝置轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤狀記錄媒體時(shí)，存放盒構(gòu)件與圓盤狀記錄媒體的間隙中的至少較狹一方的間隙應(yīng)小于0.5mm。因此，這種盤片盒在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)圓盤狀記錄媒體時(shí)，流動(dòng)在存放盒構(gòu)件與圓盤狀記錄媒體之間的氣流可起到限制圓盤狀記錄媒體振擺的作用。又由于該間隙大于0mm，故在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)圓盤狀記錄媒體時(shí)，存放盒構(gòu)件不會(huì)與圓盤狀記錄媒體接觸。因此，在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)圓盤狀記錄媒體時(shí)，圓盤狀記錄媒體也就不會(huì)與存放盒構(gòu)件接觸面產(chǎn)生磨損。
所述磁盤最好是所述第1存放盒構(gòu)件和所述第2存放盒構(gòu)件中的至少1個(gè)設(shè)置有貼附在與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的面上的墊片。利用墊片既可除去附在圓盤狀記錄媒體上的灰塵，又可防止圓盤狀記錄媒體與存放盒構(gòu)件的磨損。
在設(shè)置墊片時(shí)，該墊片至少應(yīng)當(dāng)面向圓盤狀記錄媒體，將保護(hù)圓盤狀記錄媒體的保護(hù)層與通過加熱熔接的熱熔接層疊合，再采用熱熔接方法貼附該熱熔接層。如果按照這種方法將熱熔接層設(shè)置在墊片上通過熱熔接將該熱熔接層進(jìn)行貼附，與直接將墊片加壓熱接盒在存放盒構(gòu)件的情況相比，則可以在不使與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的保護(hù)層受到損傷的狀態(tài)下貼附墊片。因此，就不會(huì)因貼附墊片時(shí)產(chǎn)生的損傷而出現(xiàn)由墊片產(chǎn)生灰塵的現(xiàn)象。
在墊片上設(shè)置熱熔接層上的保護(hù)層軟化溫度低，并且，也低于存放盒構(gòu)件中的貼附該熱熔接層的墊片部分的軟化溫度。這樣，在熱熔接貼附熱熔接層時(shí)，就不會(huì)出現(xiàn)疊合在該熱熔接層上的保護(hù)層和貼附墊片的部分軟化的問題，可以容易而又高質(zhì)量地進(jìn)行墊片的貼附。
在墊片上設(shè)置熱熔接層，對(duì)該熱熔接層進(jìn)行熱熔接時(shí)，既可以對(duì)該熱熔接層全面進(jìn)行熱熔接，也可以對(duì)該熱熔接層進(jìn)行局部熱熔接。在全面熱熔接時(shí)，因沿整個(gè)面貼附墊片，故墊片上面的平面性誤差減小，在整個(gè)墊片的面上，可減小該墊片與圓盤狀記錄媒體間隙尺寸的不均。而在局部熱熔接時(shí)，則可減少熱熔接時(shí)所施加的熱量。因此，可較容易地進(jìn)行熱熔接。但無(wú)論全面熔接或局部熔接，一旦單位面積所施加的熱量太多，往往會(huì)使貼附墊片一側(cè)的構(gòu)件上出現(xiàn)撓曲等變形，因此最好控制在不使其過熱的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的盤片盒的又一個(gè)特點(diǎn)是，具有圓盤狀記錄媒體和放置圓盤狀記錄媒體的存放盒。所述存放盒具有配置在圓盤狀記錄媒體一方的主面?zhèn)壬系牡?殼體以及配置在圓盤狀記錄媒體另一方的主面?zhèn)壬系牡?殼體，將圓盤狀記錄媒體放置在第1殼體與第2殼體的中間。并且，所述第1殼體和第2殼體中的至少一方在與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的面上貼附墊片。該墊片至少將面對(duì)圓盤狀記錄媒體、保持圓盤狀記錄媒體的保護(hù)層與通過加熱熔接的熱熔接層疊合后，再采用熱熔接方法將其熱熔接層貼附在殼體上。
該盤片盒通過在墊片上設(shè)置保護(hù)層和熱熔接層，對(duì)其熱熔接層進(jìn)行熱熔接，將墊片貼附在殼體上。故與直接在存放盒構(gòu)件上加壓熱接合墊片的情況相比，這種盤片盒可以在不使與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的保護(hù)層受到損傷的狀態(tài)下貼附墊片。因此，這種盤片盒不會(huì)因貼附墊片時(shí)產(chǎn)生的損傷而出現(xiàn)由墊片產(chǎn)生灰塵的現(xiàn)象。
墊片的熱熔接層的軟化點(diǎn)最好比疊合在該熱熔接層上的保護(hù)層軟化溫度低，并且，也低于貼附該熱熔接層的墊片的殼體軟化溫度。這樣，在熱熔接貼附熱熔接層時(shí)，就不會(huì)出現(xiàn)疊合在該熔接層上的保護(hù)層和貼附墊片的殼體軟化的問題，可以容易而又高質(zhì)量地進(jìn)行墊片貼附。
在墊片上設(shè)置熱熔接層，對(duì)該熱熔接層進(jìn)行熱熔接時(shí)，既可以對(duì)其熱熔接層的全面進(jìn)行熱熔接，也可以對(duì)其熱熔接層進(jìn)行局部熱熔接。在全面熱熔接時(shí)，因沿整個(gè)面貼附墊片，故墊片上面的平面性誤差減小，在整個(gè)墊片的面上，可減小該墊片與圓盤狀記錄媒體間隙尺寸的不均。而在局部熱熔接時(shí)，則可減少熱熔接時(shí)所施加的熱量。因而，可較容易地進(jìn)行熱熔接。但無(wú)論全面熔接或局部熔接，一旦單位面積所施加的熱量太多，往往會(huì)使貼附墊片一側(cè)的構(gòu)件上出現(xiàn)撓曲等變形，因此最好控制在不使其過熱的范圍內(nèi)。
對(duì)附圖的簡(jiǎn)單說明圖1為表示傳統(tǒng)的盤片盒一側(cè)的分解立體圖。
圖2為表示在傳統(tǒng)的盤片盒的殼體中裝有墊片狀態(tài)的俯視圖。
圖3為表示適用本發(fā)明的盤片盒一例的立體圖。
圖4為從底面?zhèn)瓤磮D3所示的盤片盒的立體圖。
圖5為從盤片盒底面?zhèn)瓤磮D3所示的盤片盒局部分解狀態(tài)的分解立體圖。
圖6為圖3所示的盤片盒上殼體的俯視圖。
圖7為圖3所示的盤片盒下殼體的俯視圖。
圖8為從盤片盒底面?zhèn)瓤磮D3所示盤片盒中的由開閉器構(gòu)件關(guān)閉記錄再現(xiàn)用開口部后狀態(tài)的俯視圖。
圖9為從盤片盒底面?zhèn)瓤磮D3所示盤片盒中的移動(dòng)操作開閉器構(gòu)件后打開記錄再現(xiàn)用開口部狀態(tài)的俯視圖。
圖10為表示圖3所示的盤片盒中的沿著圖9的X1-X2線剖面的剖視圖。
圖11為表示在圖3所示的盤片盒上殼體內(nèi)壁上安裝有上墊片狀態(tài)的俯視圖。
圖12為表示在圖3所示的盤片盒下殼體內(nèi)壁上安裝有下墊片狀態(tài)的俯視圖。
圖13為表示將上墊片熔接在上殼體上時(shí)的熱熔接部位圖形一例的俯視圖。
圖14為表示將下墊片熱熔接在下殼體上時(shí)的熱熔接部位圖形一例的俯視圖。
圖15為表示將上墊片熱熔接在上殼體上時(shí)的熱熔接部位圖形又一例的俯視圖。
圖16為表示將下墊片熱熔接在下殼體上時(shí)的熱熔接部位圖形又一例的俯視圖。
圖17為對(duì)墊片與磁盤間隙大小相對(duì)磁盤振擺大小之間關(guān)系調(diào)查后結(jié)果的示圖。
圖18為磁盤與上墊片和下墊片之間的位置關(guān)系以及與磁盤振擺大小之間關(guān)系的示圖。
下面，結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
圖3表示適用本發(fā)明的盤片盒的一例。該盤片盒1是在存放盒3的內(nèi)部放置回轉(zhuǎn)自如的3.5英寸直徑磁盤2的部件。
存放盒3通過由合成樹脂材料成形的方形大致淺盒狀的上殼體4和下殼體5對(duì)結(jié)合后形成整體薄盒的形狀。
如圖3和圖4所示，在上殼體4和下殼體5的外周部各自一體形成凸?fàn)畹那皞?cè)的側(cè)面局部缺口的外周壁6、7，以構(gòu)成互相對(duì)接的存放盒3的外周側(cè)面。在這些上殼體4和下殼體5相對(duì)面的內(nèi)面上，形成與外周壁6、7略微內(nèi)接的多個(gè)壁，相互對(duì)接后各自形成一體直立的磁盤存放部形成壁，構(gòu)成圓形的磁盤存放部。
在這些上殼體4和下殼體5相面對(duì)的內(nèi)面上，外周壁6、7的拐角部附近相互面對(duì)的位置各自設(shè)有一體的多個(gè)接合凸起以及可穿通這些接合凸起的插通孔。又在上殼體4一側(cè)設(shè)置的各接合凸起外周部各自形成一體直立的環(huán)狀抵接部，在各接合凸起穿通在各插通孔內(nèi)時(shí)，可使各抵接部的前端部與下殼體5的各插通孔外周部接合。
如上結(jié)構(gòu)的上殼體4和下殼體5在相互對(duì)接結(jié)合時(shí)，被安裝形成各外周壁6、7和各磁盤存放部形成壁對(duì)接的形狀，在各接合凸起穿通在各插通孔內(nèi)的同時(shí)，各抵接部的前端部與插通孔的外周部抵接。并且，通過對(duì)從各插通孔凸出的各接合凸起前端部進(jìn)行熔融，使上殼體4和下殼體5形成伸出的卡止部，這樣，將插通孔的外周部卡止后形成一體化。
如圖4所示，下殼體5設(shè)有圓形的載片臺(tái)進(jìn)入用開口部10，構(gòu)成磁盤存放部的中心孔。在將盤片盒1安放在記錄再現(xiàn)裝置上之后，回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)放置在存放盒3內(nèi)的磁盤2的記錄再現(xiàn)裝置的轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)入該載片臺(tái)進(jìn)入用開口部10。并且，該載片臺(tái)進(jìn)入用開口部10將安裝成放置在存放盒3內(nèi)的磁盤2的中心孔閉塞狀態(tài)的中心轂盤11從下殼體5面向外方。
中心轂盤11在與磁盤2中心孔的孔徑大致相同直徑的嵌合部的外周部設(shè)置有一體伸出的凸緣部，總體上形成大致配合狀。在該中心轂盤11的中央部設(shè)有可插入轉(zhuǎn)臺(tái)回轉(zhuǎn)軸的中心孔12，在其中心孔12的附近設(shè)有與設(shè)置在轉(zhuǎn)臺(tái)上的驅(qū)動(dòng)構(gòu)件接合的接合部13。
如圖5和圖6所示，上殼體4設(shè)有記錄再現(xiàn)用開口部14，使放置在磁盤存放部?jī)?nèi)的磁盤2的信號(hào)記錄區(qū)域至少一部分沿內(nèi)外周而面向存放盒3的外方。而在下殼體5的與上殼體4內(nèi)設(shè)置的記錄再現(xiàn)用開口部14面對(duì)的位置上，如圖5和圖7所示，設(shè)有記錄再現(xiàn)用開口部15，使放置在磁盤存放部?jī)?nèi)的磁盤2的信號(hào)記錄區(qū)域至少一部分沿內(nèi)外周而面向存放盒3的外方。這些記錄再現(xiàn)用開口部14、15從載片臺(tái)進(jìn)入用開口部相鄰的位置至存放盒3的前面?zhèn)?，位于上殼體4和下殼體5寬度方向的大致中央處，形成大致矩狀體。
存放盒3設(shè)有可沿圖4箭頭A方向和B方向移動(dòng)自如的大致T字形開閉器構(gòu)件22，用于開閉各記錄再現(xiàn)用開口部14、15。該開閉器構(gòu)件22例如可用金屬材料成形，如圖5所示，由相互平行面對(duì)的開閉部23、24、分別處在開閉部23、24移動(dòng)方向兩側(cè)的移動(dòng)自如地受存放盒3支承的支承部25、26以及連接開閉部23、24與支承部25、26的連接部27所構(gòu)成，基本上形成剖面為大致コ字形狀。
開閉部23、24呈大致矩形形狀，稍許大于記錄再現(xiàn)用開口部14、15。如圖5所示，支承部25、26具有分別相互平行面對(duì)的支承片25a、25b和支承片26a、26b，這些支承片25a、25b的基端部和支承片26a、26b的基端部通過連接部27連接，形成剖面大致為コ字形狀。
支承部25、26各自具有面對(duì)主面將支承片25b、26b的一部分大致垂直狀地翻折后形成的導(dǎo)向片29、30，這些導(dǎo)向片29、30分別移動(dòng)自如地受下殼體5支承。通過將支承片25b、26b的一部分加工成這些導(dǎo)向片29、30，以確保機(jī)械性強(qiáng)度。
連接部27在連接開閉部23、24基端側(cè)的同時(shí)，將這些開閉部23、24與支承部25、26連接在一起。如圖5所示，該連接部27在支承部25的一側(cè)，通過將該連接部27內(nèi)部的一部分翻折后形成彈簧卡止片31，在該彈簧卡止片31上，固定著配設(shè)在存放盒3前方側(cè)的一方拐角部上的開閉器彈簧34的一端。并且，利用開閉器彈簧34的彈力，使開閉器構(gòu)件22沿圖4中的A方向移動(dòng)，開閉部23、24將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉。
如圖3和圖4所示，為了在未將盤片盒1放入記錄再現(xiàn)裝置之前使記錄再現(xiàn)用開口部14、15處于關(guān)閉狀態(tài)，將開閉部23、24制成大致矩形形狀，其尺寸稍大于記錄再現(xiàn)用開口部14、15。這樣，在記錄再現(xiàn)裝置內(nèi)未裝入該盤片盒1之前，磁盤2不會(huì)從記錄再現(xiàn)用開口部14、15中外露。
即，在未將盤片盒1放入記錄再現(xiàn)裝置之前，開閉器構(gòu)件22將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉，其作用是可防止灰塵等從記錄再現(xiàn)用開口部14、15進(jìn)入磁盤存放部?jī)?nèi)而附在磁盤2上，或者因來自外部的異物等對(duì)磁盤2造成損傷。
在將盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置之后，如圖8和圖9所示，開閉器構(gòu)件22與記錄再現(xiàn)裝置的開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45接合。該開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45沿著存放盒3的前面?zhèn)纫苿?dòng)。即，開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45克服開閉器彈簧34的彈力，使開閉器構(gòu)件22沿著存放盒3向圖4和圖8中的箭頭B方向移動(dòng)。由此，如圖9所示，記錄再現(xiàn)用開口部14、15被打開，形成磁盤2從記錄再現(xiàn)用開口部14、15外露的狀態(tài)。
如圖6和圖7所示，上殼體4和下殼體5各自在記錄再現(xiàn)用開口部14、15的周圍設(shè)有開閉器構(gòu)件22的引導(dǎo)開閉部23、24的引導(dǎo)凹部32、33。在開閉器構(gòu)件22將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉之后，在這些引導(dǎo)凹部32、33分別形成該開閉器構(gòu)件22并與開閉部23、24一端抵接的接合面35、36。這些接合面35、36位于記錄再現(xiàn)用開口部14、15寬度方向一端相鄰近的位置上。并且，在由開閉器構(gòu)件22將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉之后，開閉器構(gòu)件22的開閉部23、24一端分別與接合面35、36抵接。
如圖6所示，上殼體4設(shè)有沿開閉器構(gòu)件22移動(dòng)方向引導(dǎo)開閉器構(gòu)件22的支承部26的支承片26a用的引導(dǎo)凹部37。而在下殼體5上，如圖7所示設(shè)有沿開閉器構(gòu)件22移動(dòng)方向引導(dǎo)開閉器構(gòu)件22的支承部26的支承片26b用的引導(dǎo)凹部40。
并且，在下殼體5的引導(dǎo)凹部33，設(shè)有沿開閉器構(gòu)件22移動(dòng)方向的導(dǎo)向槽42、43，開閉器構(gòu)件22的支承片25b、26b的導(dǎo)向片29、30分別移動(dòng)自如地插入這些導(dǎo)向槽42、43內(nèi)。
如圖8和圖9所示，在上殼體4和下殼體5的前面，沿開閉器構(gòu)件22移動(dòng)方向形成記錄再現(xiàn)裝置的開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45滑動(dòng)接觸的滑動(dòng)接觸面46。
在該盤片盒1上，如圖5所示，還設(shè)有移動(dòng)自如的寫保護(hù)構(gòu)件50，用于設(shè)定是否可以向磁盤2寫入。該寫保護(hù)構(gòu)件50可移動(dòng)自如地設(shè)置在與圖6所示的上殼體4后面?zhèn)裙战遣可系臋z測(cè)孔51和與圖7所示的下殼體5后面?zhèn)裙战遣可系拈_口部52相對(duì)應(yīng)的位置上。
如圖4和圖7所示，在下殼體5寬度方向兩側(cè)面的附近分別形成一對(duì)定位孔54、55，用于對(duì)記錄再現(xiàn)裝置的盒子裝填部進(jìn)行定位。盤片盒1在裝入記錄再現(xiàn)裝置時(shí)，記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的定位凸起就被插入定位孔54、55內(nèi)，由此對(duì)盒子裝填部進(jìn)行定位。
在上殼體4和下殼體5上的鄰近定位孔54的位置處，分別貫通設(shè)有識(shí)別存放的磁盤2記錄容量等用的識(shí)別孔56、57。并且上殼體4和下殼體5上的鄰近后面?zhèn)鹊膬蓚€(gè)拐角部位置處，分別設(shè)有識(shí)別存放的磁盤2記錄容量等用的識(shí)別凹部63、65和識(shí)別凹部64、66。
在上殼體4前面?zhèn)鹊囊环焦战遣?，形成有向前面一?cè)開口切開的規(guī)格識(shí)別用缺口部60，用于將盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置的磁盤裝填部時(shí)識(shí)別其規(guī)格。通過能不能將記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的規(guī)格檢測(cè)構(gòu)件插入規(guī)格識(shí)別用缺口部60來檢測(cè)盤片盒1的規(guī)格。
又如圖10和圖11所示，在上殼體4的內(nèi)壁與磁盤2之間配設(shè)有裝在上殼體4上的上墊片70，而在下殼體5的內(nèi)壁與磁盤2之間，如圖10和圖12所示配設(shè)有裝在下殼體5上的下墊片71。圖11和圖12分別是上墊片70和下墊片71部分的剖面線示圖。
這些上墊片70和下墊片71不僅用于防止已進(jìn)入存放盒3內(nèi)部的灰塵附在磁盤2上，而且防止磁盤2直接與硬度較高的上殼體和下殼體接觸而受損傷。并且，這些上墊片70和下墊片71各自與磁盤2直徑大致相同，在中心部形成大致環(huán)狀的中心孔，其孔徑大于磁盤2的中心孔的孔徑。在上殼體70和下殼體71上，從外周部面向中心孔鄰近的位置，設(shè)有半徑方向的缺口。這些缺口稍許大于分別設(shè)置在上殼體4和下殼體5上的記錄再現(xiàn)用開口部14、15的開口尺寸。
然而，傳統(tǒng)的盤片盒是在將由無(wú)紡布制成的墊片壓接在殼體上的狀態(tài)下，通過在殼體的局部加熱使殼體熔接，將墊片熱熔接在殼體上。其中，由無(wú)紡布制成的墊片通常是將直徑約10-20μm的細(xì)纖維絞合而成的，從它的破斷面部分容易脫落較多的纖維片。
并且，以往由于是將由無(wú)紡布制成墊片熱熔接在殼體上，因此在進(jìn)行這種熱熔接時(shí)也會(huì)對(duì)構(gòu)成墊片的纖維造成很大損傷，特別是在壓接部分的邊緣處，會(huì)形成很多纖維破斷的狀態(tài)。因此，從該部分很容易脫落纖維片，往往會(huì)使原先應(yīng)當(dāng)除去灰塵的墊片本身變成了灰塵的產(chǎn)生源。
另外，由無(wú)紡布制成的墊片通常是一種纖維的絞合體，原本就存在著不少的纖維片等的灰塵。并且，在傳統(tǒng)的盤片盒中，由提升器抬起墊片，在磁盤回轉(zhuǎn)時(shí)使磁盤與墊片接觸。然而，在磁盤回轉(zhuǎn)時(shí)磁盤一旦與墊片接觸，由于這一接觸或者從記錄再現(xiàn)裝置傳遞來的回轉(zhuǎn)振動(dòng)，就會(huì)振動(dòng)墊片，其結(jié)果往往會(huì)出現(xiàn)從墊片脫落纖維等灰塵的現(xiàn)象。因此，使原先應(yīng)當(dāng)除去灰塵的墊片本身變成了灰塵的產(chǎn)生源。
但，傳統(tǒng)的盤片盒的記錄密度較小，故從墊片脫落的纖維片不會(huì)造成大的問題，然而，在提高記錄密度以實(shí)現(xiàn)大容量化時(shí)，即使是再小的灰塵也會(huì)成為漏失信息的原因，這樣，從墊片脫落的纖維片等灰塵也就會(huì)成為問題。
再加上，以往是在將墊片安裝在殼體上時(shí)使殼體熔融進(jìn)行熱熔接的，故在其熱熔接時(shí)會(huì)使殼體的半熔融物沾染在墊片表面。并且，沾染在墊片表面上的半熔融物固化后的物質(zhì)與磁盤接觸，有時(shí)也會(huì)對(duì)磁盤造成損傷。
為此，本發(fā)明適用的盤片盒1如圖10所示，將上墊片70制成由保護(hù)層72和熱熔接層73組成的雙層結(jié)構(gòu)，將熱熔接層73的整個(gè)面熱熔接在上殼體4的與磁盤2面對(duì)的面上，同樣，也將下墊片71制成由保護(hù)層74和熱熔接層75組成的雙層結(jié)構(gòu)，將熱熔接層75的整個(gè)面熱熔接在下殼體5的與磁盤2對(duì)向的面上。
因此，上墊片70和下墊片71的保護(hù)層72、74既可以防止進(jìn)入存放盒3內(nèi)部的灰塵附在磁盤2上，又可用于保護(hù)磁盤2不受損傷。這些保護(hù)層72、74采用由尼龍和人造絲等纖維組成的無(wú)紡布構(gòu)成，其厚度例如可定為200-400μm。
另一方面，上墊片70的熱熔接層73是用于將上墊片70熱熔接在上殼體4上，被配置在與上殼體面對(duì)的一側(cè)。同樣，下墊片71的熱熔接層75是用于將下墊片71熱熔接在下殼體5上，被配置在與下殼體面對(duì)的一側(cè)。這些熱熔接層73、75由通過加熱而熔融的材料、具體地講例如由乙烯基醋酸酯和聚乙烯等高分子材料構(gòu)成。這些熱熔接層73、75的厚度例如可定為10-300μm。
上墊片70在向上殼體4推壓的狀態(tài)下，通過熔融熱熔接層73，在熱熔接后貼附在上殼體4上。同樣，下墊片71在向下殼體5推壓的狀態(tài)下，通過熔融熱熔接層75，在熱熔接后貼附在下殼體5上。
這樣，該盤片盒1的上墊片70和下墊片71分別由保護(hù)層72、74和熱熔接層73、75構(gòu)成，通過熱熔接將熱熔接層73、75分別貼附在上殼體4和下殼體5上。因此，該盤片盒1可以在不會(huì)對(duì)與磁盤2面對(duì)的保護(hù)層72、75造成損傷的情況下將上墊片70和下墊片71分別貼附在上殼體4和下殼體5上。這樣，該盤片盒1就不會(huì)出現(xiàn)因貼附上墊片70和下墊片71時(shí)造成的損傷而從上墊片70和下墊片71產(chǎn)生灰塵的現(xiàn)象。
上墊片70和下墊片71的熱熔接層73、75的軟化點(diǎn)低于保護(hù)層72、74軟化的溫度。并且，最好也低于上殼體4和下殼體5軟化的溫度。這樣，在將熱熔接73、75熱熔接后分別貼附在上殼體4和下殼體5上時(shí)，就不會(huì)使疊合在該熱熔接層73、75上的保護(hù)層72、74以及上殼體4和下殼體5軟化，可容易而又高質(zhì)量地進(jìn)行上墊片70和下墊片71的貼附作業(yè)。
具體地講，例如上墊片70和下墊片71的保護(hù)層72、74采用瞬間(ビカット)軟化點(diǎn)為110℃的尼龍纖維構(gòu)成的無(wú)紡布制成，上墊片70和下墊片71的熱熔接層73、75采用瞬間(ビカット)軟化點(diǎn)為80℃以下的乙烯基醋酸酯或聚乙烯制成，上殼體4和下殼體5采用瞬間(ビカット)軟化點(diǎn)為125℃以上或熱變形溫度為110℃以上的丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS樹脂)制成。
在將上墊片70放置在上殼體4內(nèi)壁的規(guī)定位置之后，只對(duì)該上墊片70的熱熔接層73進(jìn)行熔融，并采用不使熱熔接層73沾染保護(hù)層72表面的那種溫度，具體地講，使用加熱至約100℃的平砧鐵(フラットホ-ン)，將上墊片70推壓在上殼體4上。這樣，不用軟化保護(hù)層72和上殼體4，只熔化熱熔接層73，就可將該熱熔接層73熱熔接在上殼體4上。
同樣，在將下墊片71放置在下殼體5內(nèi)壁的規(guī)定位置之后，只對(duì)該下墊片71的熱熔接層75進(jìn)行熔融，并采用不使熱熔接層75沾染保護(hù)層74表面的那種溫度，具體地講，使用加熱至約100℃的平砧鐵，采用不使熱熔接層75沾染保護(hù)層74表面的那種壓力，將下墊片71推壓在下殼體5上。這樣，不用軟化保護(hù)層74和下殼體5，只熔化熱熔接層75，就可將該熱熔接層75熱熔接在下殼體5上。
如上所述，采用只對(duì)熱熔接層74、75進(jìn)行熔融的方法進(jìn)行熱熔接，就可在不會(huì)對(duì)保護(hù)層72、74造成損傷的情況下將上墊片70和下墊片71分別貼附在上殼體4和下殼體5上，故不會(huì)出現(xiàn)因保護(hù)層72、74產(chǎn)生的損傷造成從構(gòu)成保護(hù)層72、74的無(wú)紡布中脫落纖維片的現(xiàn)象。
該盤片盒1由于是將上墊片70的整個(gè)面貼附在上殼體4上，故在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，不會(huì)使上墊片70與磁盤2接觸，在上墊片70與磁盤4之間產(chǎn)生規(guī)定的間隙t1。同樣，由于是將下墊片71的整個(gè)面貼附在下殼體5上，故在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，不會(huì)使下墊片71與磁盤2接觸，在下墊片71與磁盤2之間產(chǎn)生規(guī)定的間隙t2。
即，該盤片盒1在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，上墊片70和下墊片71不會(huì)與磁盤2接觸。因此，該盤片盒1在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，就不會(huì)出現(xiàn)因上墊片70和下墊片71與磁盤2接觸而造成從上墊片70和下墊片71中脫落轉(zhuǎn)移纖維片等灰塵之類的現(xiàn)象。
又由于該盤片盒1是將上墊片70和下墊片71的整個(gè)面分別貼附在上殼體4和下殼體5上，因此，與只將上墊片70和下墊片71的一部分貼附在上殼體4和下殼體5上的情況相比，可減小上墊片70和下墊片71的與磁盤相對(duì)面高度的不均。換言之，在上墊片70的整個(gè)面上，可減小上墊片70與磁盤2的間隙t1大小的不均，同樣，在下墊片71的整個(gè)面上，可減小下墊片71與磁盤2的間隙t2大小的不均。
如后所述，在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，這些間隙t1、t2的大小會(huì)影響到該磁盤2上產(chǎn)生的振擺程度。因此，若這些間隙t1、t2的大小出現(xiàn)不均，就很容易使磁盤2產(chǎn)生振擺。但采用該盤片盒1時(shí)，由于是將上墊片70和下墊片71的整個(gè)面分別貼附在上殼體4和下殼體5上，故可減小這些間隙t1、t2大小的不均，使磁盤2不容易產(chǎn)生振擺。
上墊片70和下墊片71例如是由涂敷有半熔融狀態(tài)的高分子材料的無(wú)紡布制成的，此時(shí)，無(wú)紡布成為保護(hù)層72、74，被涂敷的高分子材料成為熱熔接層73、75。這樣，在無(wú)紡布上涂敷法熔融狀態(tài)的高分子材料形成上墊片70和下墊片71之后，由于該高分子材料有著不使無(wú)紡布中原含有的灰塵脫落的作用，因此可更進(jìn)一步抑制從上墊片70和下墊片71產(chǎn)生灰塵。
如上所述，該盤片盒1因可抑制來自上墊片70和下墊片71產(chǎn)生灰塵，故不容易產(chǎn)生因灰塵造成的漏失信息，可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高記錄密度化。
在上墊片70和下墊片71分別熱熔接在上殼體4和下殼體5上時(shí)，也可以不進(jìn)行整個(gè)面的熱熔接，而只熱熔接其一部分。圖13至圖16表示只熱熔接一部分時(shí)的熱熔接部位的圖形例。在圖13至圖16中，用斜影線表示的部分就是熱熔接部位的圖形。
圖13和圖14是將熱熔接部位形成點(diǎn)狀的示例，在將上墊片70和下墊片71的周邊部80、81分別熱熔接在上殼體4和下殼體5上的同時(shí)，將上墊片70和下墊片71面內(nèi)的多個(gè)部位82、83分別點(diǎn)狀熱熔接在上殼體4和下殼體5上。
圖15和圖16是將熱熔接部位形成線狀的示例，在將上墊片70和下墊片71的周邊部84、85分別熱熔接在上殼體4和下殼體5上的同時(shí)，將上墊片70和下墊片71面內(nèi)的多個(gè)部位86、87分別線狀熱熔接在上殼體4和下殼體5上。
如圖13和圖14以及圖15和圖16所示，在只對(duì)上墊片70和下墊片71的一部分進(jìn)行熱熔接時(shí)，可以減少熱熔接時(shí)所施加的熱量。因此，可較容易地進(jìn)行熱熔接。若施加的熱量太多，熱熔接時(shí)往往會(huì)在上殼體4和下殼體5上產(chǎn)生撓曲等變形，而只對(duì)上墊片70和下墊片71的一部分進(jìn)行熱熔接時(shí)，則可減少熱熔接時(shí)所施加的熱量，故還有不容易產(chǎn)生以上那樣撓曲等變形的優(yōu)點(diǎn)。
在圖13至圖16所示的例子中，雖然殘留有上墊片70和下墊片71面內(nèi)未被熱熔接的部分，但上墊片70和下墊片71的周邊部是全部熱熔接的。因此，即使在上墊片70和下墊片71面內(nèi)殘留有未被熱熔接的部分，也不會(huì)發(fā)生這些上墊片70和下墊片71周邊部上撓的問題。即，若進(jìn)行了圖13至圖16所示圖形的熱熔接，可用較少的熱量貼附上墊片70和下墊片71，而不會(huì)發(fā)生上墊片70和下墊睡71周邊部上撓的現(xiàn)象。
上墊片70和下墊片71的保護(hù)層72、 74也可以采用無(wú)紡布以外的材料制成，例如，也可采用由聚四氟乙然(如特氟隆(商品名)等)之類的摩擦系數(shù)小的材料構(gòu)成的片材制成。使用無(wú)紡布時(shí)，雖有除去灰塵的效果，但如上所述，在不同的場(chǎng)合中也會(huì)成為灰塵的產(chǎn)生源。對(duì)此，在采用聚四氟乙烯之類的摩擦系數(shù)小的材料組成的片材來構(gòu)成保護(hù)層72、74時(shí)，可使其在不會(huì)成為灰塵生源的情況下保護(hù)磁盤2。
并且，該盤片盒1在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，如圖10所示，下墊片71與磁盤2之間產(chǎn)生的間隙t2設(shè)定為大于0mm而小于0.5mm。這樣，該盤片盒1的下墊片71與磁盤2之間的間隙非常小，故在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，下墊片71與磁盤2之間流動(dòng)的氣流就可起到抑制磁盤2振擺的作用。
即，該盤片盒1在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，由于下墊片71與磁盤2之間流動(dòng)的氣流影響，不容易在該磁盤2上產(chǎn)生振擺。并且，該盤片盒1因減少了磁盤2的振擺，能在實(shí)現(xiàn)高記錄密度化的方面起更有效的作用。
雖然該盤片盒1中的下墊片71與磁盤2的間隙t2很狹小，但該間隙t2大于0mm。因此，在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，下墊片71與磁盤2不會(huì)接觸。從而，該磁盤1在回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2時(shí)，就不會(huì)產(chǎn)生磁盤2與下墊片71接觸磨損那樣的問題。
也可以不使下墊片71與磁盤2間隙t2狹小，而致為上墊片70與磁盤2之間的間隙t1變小。即，也可使上墊片70與磁盤2的間隙t1設(shè)定為大于0mm而小于0.5mm。這種場(chǎng)合也同樣可以利用上墊片70與磁盤2間隙t1中流動(dòng)的氣流影響來抑制磁盤2的振擺。
并且，也可以使上墊片70與磁盤2的間隙t1和下墊片71與磁盤2的間隙t2兩者都設(shè)定為大于0mm而小于0.5mm。此時(shí)，在上墊片70與磁盤2的間隙t1中流動(dòng)的氣流作用和在下墊片71與磁盤2的間隙t2中流動(dòng)的氣流作用中，更狹小一方的間隙中流動(dòng)的氣流能起更大的作用，故可進(jìn)一步抑制磁盤2的振擺。
具有如上結(jié)構(gòu)的盤片盒1在未裝入記錄再現(xiàn)裝置的狀態(tài)時(shí)，如圖8所示，因開閉器彈簧34的彈力作用，開閉器構(gòu)件22沿圖8中的箭頭A方向移動(dòng)，由該開閉器構(gòu)件22的開閉部23、24將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉著。開閉器構(gòu)件22在將記錄再現(xiàn)用開口部14、15關(guān)閉之后，開閉部23、24移動(dòng)方向的一端與接合面35、36抵接。
可將該盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置進(jìn)行記錄動(dòng)作或再現(xiàn)動(dòng)作。在將該盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置之后，如圖9所示，由記錄再現(xiàn)裝置的開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45操作，使開閉器構(gòu)件22移動(dòng)，打開記錄再現(xiàn)用開口部14、15。即，一旦將該盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置，首先，記錄再現(xiàn)裝置的開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45與滑動(dòng)接觸面46的一端側(cè)抵接，同時(shí)與開閉器構(gòu)件22的支承部26的一端抵接。其次，該開閉器驅(qū)動(dòng)構(gòu)件45沿著滑動(dòng)接觸面46向圖8中的箭頭B方向滑動(dòng)，由此使開閉器構(gòu)件22的支承部26沿箭頭B方向移動(dòng)。然后，隨著支承部26的移動(dòng)，開閉部23、24移動(dòng)，將記錄再現(xiàn)用開口部14、15打開。
此時(shí)，記錄再現(xiàn)裝置的磁頭進(jìn)入上述已被打開的記錄再現(xiàn)用開口部14、15。在將盤片盒1裝入記錄再現(xiàn)裝置之后，回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤2的轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)入載片臺(tái)進(jìn)入用開口部10，中心轂盤11被固定在該轉(zhuǎn)臺(tái)上。
該盤片盒1在磁盤2處在轉(zhuǎn)臺(tái)上以3000rpm以上轉(zhuǎn)速、具體地講例如3600rpm回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)下，由磁頭對(duì)磁盤2進(jìn)行記錄動(dòng)作或再現(xiàn)動(dòng)作。
此時(shí)，如上所述，該盤片盒1由于下墊片71與磁盤2的間隙t2設(shè)定得非常小，因此下墊片71與磁盤2間隙中流動(dòng)的氣流起到抑制磁盤2振擺的作用。從而，該盤片盒1不會(huì)產(chǎn)生很大的振擺，可在非常穩(wěn)定的回轉(zhuǎn)狀態(tài)下對(duì)磁盤2進(jìn)行記錄再現(xiàn)。
下面，對(duì)回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤后的該磁盤的振擺實(shí)際調(diào)查的結(jié)果作出說明。
將上述盤片盒1使用的與上墊片70和下墊片71相同的由保護(hù)層和熱熔接層組成的雙層結(jié)構(gòu)的墊片，通過對(duì)熱熔接層整個(gè)面進(jìn)行熱熔接，將表面貼附在平滑的基板上，再將磁盤配置在該墊片上。使墊片與磁盤的間隙變化，對(duì)該間隙的大小與回轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)磁盤后產(chǎn)生的該磁盤的振擺大小之間的關(guān)系作了測(cè)定。其中，磁盤采用86.5mm的直徑規(guī)格，其轉(zhuǎn)速為3600rpm。
結(jié)果詳見圖17。在圖17中，橫軸表示墊片與磁盤的間隙大小，縱軸表示磁盤半徑30.0mm位置時(shí)的振擺峰值。
如圖17所示，墊片與磁盤的間隙越小，磁盤振擺就越小。這是由于墊片與磁盤之間的間隙中流動(dòng)的氣流起到抑制磁盤振擺的作用。當(dāng)墊片與磁盤的間隙為0時(shí)，雖然振擺最小，但墊片與磁盤滑動(dòng)接觸后會(huì)磨損墊片和磁盤而產(chǎn)生灰塵。因此，該間隙最好不要為0。
然而，為了實(shí)現(xiàn)磁盤的高記錄密度化，從硬盤裝置中的實(shí)績(jī)也可以看出，最好是將磁頭放置在頭部滑塊內(nèi)，稍許讓磁頭在磁盤上露出一點(diǎn)或者在基本上無(wú)負(fù)載狀態(tài)下與磁盤接觸。并且，在將磁頭放置在頭部滑塊內(nèi)進(jìn)行記錄再現(xiàn)時(shí)，磁盤振擺的大小必須抑制在40μm以下。即，為了實(shí)現(xiàn)磁盤的高記錄密度化，最好是將磁頭放置在頭部滑塊內(nèi)進(jìn)行記錄再現(xiàn)，為此，必須將磁盤振擺的大小抑制在40μm以下。
從圖17中可以看出，通過將墊片與磁盤的間隙設(shè)定在0.5mm以下，就可以將磁盤振擺的大小抑制在40μm以下。因此，通過將墊片與磁盤的間隙設(shè)定在0.5mm以下，就可以將磁盤振擺的大小抑制到可使用頭部滑塊的40μm以下，可實(shí)現(xiàn)使用頭部滑塊的高記錄密度化。具體來講，適用本發(fā)明的是將墊片與磁盤的間隙設(shè)定為0.5mm以下，例如在采用3.5英寸直徑的磁盤的盤片盒中，也可將其容量定為200MB。
在上述的實(shí)驗(yàn)中，雖然只有在磁盤一方的面?zhèn)扰渲脡|片，但在上述的盤片盒1中，磁盤2由上墊片70和下墊片71夾持住。因此，磁盤2會(huì)受到上墊片70與磁盤2之間流動(dòng)的氣流影響以及下墊片71與磁盤2之間流動(dòng)的氣流影響。在此場(chǎng)合，磁盤2的振擺會(huì)因其位置的不同而顯示出圖18所示的傾向。
在圖18中，橫軸表示磁盤2與上墊片70和下墊片71之間的位置關(guān)系，將磁盤2配置在上墊片70與下墊片71的中間時(shí)作為基準(zhǔn)位置(0)。在將磁盤2移動(dòng)到上墊片70一側(cè)時(shí)，即移動(dòng)到磁盤2與上墊片70的間隙t1變小、磁盤2與下墊片71的間隙t2變大時(shí)，以正(+)來表示。反之，在將磁盤2移動(dòng)到下墊片71一側(cè)時(shí)，即移動(dòng)到磁盤2與上墊片70的間隙t1變大，磁盤2與下墊片71的間隙t2變小時(shí)，以負(fù)(-)來表示。
如圖18所示，在將磁盤2配置在靠近下墊片71的位置(圖18中的負(fù)側(cè)位置)時(shí)，由于下墊片71與磁盤2之間流動(dòng)的氣流影響，可抑制磁盤2的振擺。但磁盤2一旦離開下墊片71，磁盤2的振擺就會(huì)變大。這是由于下墊片71與磁盤2之間流動(dòng)的氣流所產(chǎn)生的抑制振擺的作用減小的緣故。當(dāng)磁盤2進(jìn)一步遠(yuǎn)離下墊片71，磁盤2一旦處在靠近上墊片70的位置(圖18中的正側(cè)位置)，磁盤2的振擺就會(huì)重新變小。這是由于磁盤2與上墊片70的間隙t1變小，上墊片70與磁盤2之間流動(dòng)的氣流起到抑制磁盤2振擺作用的緣故。
因此，盤片盒1無(wú)論是磁盤2與上墊片70的間隙t1還是磁盤2與下墊片71的間隙t2中的任一方只要小于0.5mm，就可以抑制磁盤2的振擺。當(dāng)然也可以是磁盤2與上墊片70的間隙t1和磁盤2與下墊片71的間隙t2兩者都小于0.5mm。此時(shí)，由上墊片70與磁盤2的間隙t1中流動(dòng)的氣流所產(chǎn)生的作用和由下墊片71與磁盤2的間隙t2中流動(dòng)的氣流所產(chǎn)生的作用兩者之中，特別狹小一方的間隙中流動(dòng)的氣流作用則更強(qiáng)，更能抑制磁盤2的振擺。
磁盤2與上墊片70的間隙t1的大小和磁盤2與下墊片71的間隙t2的大小例如可以通過改變盤片盒1的整體厚度來調(diào)整。另外，在不能改變盤片盒1的整體厚度時(shí)，例如可以通過改變上殼體4和下殼體5的厚度、或者改變構(gòu)成上墊片70和下墊片71的保護(hù)層72、74以及熱熔接層73、74的厚度來調(diào)整上述間隙t1、t2的大小。
在以上的說明中，列舉了將磁盤用作圓盤狀記錄媒體的示例，但本發(fā)明也可適用于使用光學(xué)頭進(jìn)行記錄及/或再現(xiàn)的使用光盤的盤片盒。這里所指的光盤不僅是預(yù)先形成壓紋凹點(diǎn)(emboss pit)的再現(xiàn)專用光盤，而且也包含利用記錄層的相位變化進(jìn)行記錄再現(xiàn)的相位變化型光盤以及可進(jìn)行光磁性記錄的光磁盤等。
在將光盤用作圓盤狀記錄媒體時(shí)，特別是在將光學(xué)頭的物鏡放置在頭部滑塊上使物鏡與光盤的間隙變得極其小的場(chǎng)合下，抑制光盤的振擺非常之重要。這樣，在將物鏡與光盤的間隙變得極其狹小時(shí)，也容易受到細(xì)微的灰塵影響。因此，可抑制光盤振擺和抑制灰塵產(chǎn)生的本發(fā)明對(duì)于將光學(xué)頭的物鏡放置在頭部滑塊上且在使物鏡與光盤的間隙變得極其小的狀態(tài)下進(jìn)行記錄及/或再現(xiàn)的使用光盤的盤片盒也是有效的。
產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用可能性本發(fā)明的盤片盒由于在回轉(zhuǎn)圓盤狀記錄媒體時(shí)使存放盒物件與圓盤狀記錄媒體之間產(chǎn)生的間隙變小，通過存放盒構(gòu)件與圓盤狀記錄媒體之間流動(dòng)的氣流作用，使圓盤狀記錄媒體不再產(chǎn)生振擺。因此，本發(fā)明的盤片盒可使用盤狀記錄媒體的回轉(zhuǎn)穩(wěn)定。從而，若采用本發(fā)明的盤片盒，不僅可實(shí)現(xiàn)高記錄密度化，而且又可提供能進(jìn)行特別穩(wěn)定的信號(hào)記錄再現(xiàn)的盒式結(jié)構(gòu)。
并且，在本發(fā)明的盤片盒內(nèi)，在墊片上設(shè)有保護(hù)層和熱熔接層，通過該熱熔接層的熱熔接，將墊片貼附在殼體上，故可在圓盤狀記錄媒體面對(duì)的保護(hù)層不受損傷的情況下貼附墊片。因此，本發(fā)明的盤片盒不會(huì)出現(xiàn)因貼附墊片時(shí)造成的損傷而從墊片中產(chǎn)生灰塵的現(xiàn)象，減少了因來自墊片的灰塵而造成的信息漏失。從而，若采用本發(fā)明的盤片盒，則可在高記錄密度化方面提供出錯(cuò)誤少而又高質(zhì)量的盒式結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種盤片盒，包括在3000rpm以上轉(zhuǎn)速進(jìn)行回轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行記錄及/或再現(xiàn)的圓盤狀記錄媒體、具有在圓盤狀記錄媒體一方的主面?zhèn)壬吓渲玫牡?存放盒構(gòu)件和在圓盤狀記錄媒體另一方的主面?zhèn)壬吓渲玫牡?存放盒構(gòu)件、將圓盤狀記錄媒體放置在第1存放盒物件與第2存放盒構(gòu)件之間的存放盒，其特征在于，圓盤狀記錄媒體回轉(zhuǎn)時(shí)的圓盤狀記錄媒體與第1存放盒構(gòu)件的間隙和圓盤狀記錄媒體與第2存放盒構(gòu)件的間隙雙方中的至少較狹一方的間隙設(shè)定為大于0mm而小于0.5mm。
2.如權(quán)利要求1所述的盤片盒，其特征在于，所述第1存放盒構(gòu)件和所述第2存放盒構(gòu)件中的至少一方具有貼附在與圓盤狀記錄媒體相面對(duì)的面上的墊片。
3.如權(quán)利要求2所述的盤片盒，其特征在于，所述墊片至少是由與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的保護(hù)圓盤狀記錄媒體的保護(hù)層和通過加熱熔融的熱熔接層疊合組成，并通過該熱熔接層的熱熔接來進(jìn)行貼附。
4.如權(quán)利要求3所述的盤片盒，其特征在于，所述熱熔接層的軟化點(diǎn)應(yīng)低于疊合在該熱熔接層上的保護(hù)層的軟化溫度，并且在存放盒構(gòu)件中，又應(yīng)當(dāng)?shù)陀诰哂性摕崛劢訉拥膲|片貼附部分的軟化溫度。
5.如權(quán)利要求3所述的盤片盒，其特征在于，所述墊片是對(duì)熱熔接層的整個(gè)面進(jìn)行熱熔接后貼附的。
6.如權(quán)利要求3所述的盤片盒，其特征在于，所述墊片是對(duì)熱熔接層的局部進(jìn)行熱熔接后貼附的。
7.一種盤片盒，包括圓盤狀記錄媒體、具有在圓盤狀記錄媒體一方的主面?zhèn)壬吓渲玫牡?殼體和在圓盤狀記錄媒體另一方的主面?zhèn)扰渲玫牡?殼體、將圓盤狀記錄媒體放置在第1墊片與第2墊片之間的存放盒，其特征在于，所述第1殼體和所述第2殼體中的至少一方在與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的面上貼附有墊片、所述墊片至少是由與圓盤狀記錄媒體面對(duì)的保護(hù)圓盤狀記錄媒體的保護(hù)層和通過熱熔融的熱熔接層疊合組成，并通過該熱熔接層的熱熔接來進(jìn)行貼附。
8.如權(quán)利要求7所述的盤片盒，其特征在于，所述熱熔接層的軟化點(diǎn)應(yīng)低于疊合在該熱熔接層上的保護(hù)層的軟化溫度，并且又低于具有該熱熔接層的貼附墊片的殼體的軟化溫度。
9.如權(quán)利要求7所述的盤片盒，其特征在于，所述墊片是對(duì)熱熔接層的整個(gè)面進(jìn)行熱熔接后貼附在殼體上的。
10.如權(quán)利要求7所述的盤片盒，其特征在于，所述墊片是對(duì)熱熔接層的局部進(jìn)行熱熔接后貼附在殼體上的。
11.如權(quán)利要求7所述的盤片盒，其特征在于，所述圓盤狀記錄媒體是在以3000rpm以上轉(zhuǎn)速進(jìn)行回轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行記錄及/或再現(xiàn)的。
全文摘要
一種盤片盒,在由貼附有上墊片的上殼體和貼附有下墊片的下殼體組成的存放盒內(nèi)放置磁盤,并且,磁盤與上墊片的間隙t
文檔編號(hào)G11B23/03GK1243592SQ98801835
公開日2000年2月2日 申請(qǐng)日期1998年11月9日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月14日
發(fā)明者馬杉真二, 小鹿美香 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社