專利名稱：光記錄介質(zhì)及光盤(pán)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，該介質(zhì)具有至少一個(gè)具有一個(gè)信息記錄層的光透過(guò)層并形成在基板的一個(gè)主表面上并且通過(guò)來(lái)自一光透過(guò)層側(cè)的再生光的照射用于再生信息。
本發(fā)明尤其涉及一種光記錄介質(zhì)，通過(guò)確定光透過(guò)層厚度、厚度不均勻性(unevenness)、傾斜(skew)等等之間的關(guān)系，該介質(zhì)具有巨大的容量，本發(fā)明還涉及一種用于記錄或記錄和再生光記錄介質(zhì)的光盤(pán)設(shè)備。
在一個(gè)側(cè)面上能夠記錄和再生四小時(shí)量的NTSC信號(hào)數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)已經(jīng)被推出作為下一階段的光記錄介質(zhì)。
這一推出的光學(xué)介質(zhì)的用途允許一個(gè)家用視盤(pán)錄像機(jī)記錄和再生四個(gè)小時(shí)的數(shù)據(jù)，因此上述的光學(xué)介質(zhì)具有一種新記錄介質(zhì)的功能，并能夠與當(dāng)前錄像機(jī)(VCR)所使用的盒式磁帶互換。
由于上述光記錄介質(zhì)與致密盤(pán)(CD)具有相同的形狀和大小，所以上述光記錄介質(zhì)可以成為一種用戶熟悉的產(chǎn)品，這樣的用戶習(xí)慣于CD的輕松處理和操作。
進(jìn)一步，如果利用上述光記錄介質(zhì)的最為重要的快速訪問(wèn)特征，就有可能實(shí)現(xiàn)一種產(chǎn)品，該產(chǎn)品不僅可作為一種小型的、易于操作的錄像機(jī)，而且具有各種功能如錄象、放像、追蹤再現(xiàn)、編輯等等，并且這些功能能夠即時(shí)實(shí)現(xiàn)。
實(shí)現(xiàn)這樣的產(chǎn)品需要具有8GB或更大的存儲(chǔ)容量。
然而，還不存在這樣一種光記錄介質(zhì)，這種介質(zhì)僅在一個(gè)側(cè)面上具有單層的信息記錄層并且具有8GB或更大的存儲(chǔ)容量。
早先推出的數(shù)字多能盤(pán)(DVD)當(dāng)波長(zhǎng)λ為0.65μm而數(shù)值孔徑(N.A.)為0.6時(shí)在信息記錄部分的一個(gè)區(qū)域中具有4.7GB的存儲(chǔ)容量，也就是，該區(qū)域在盤(pán)半徑方向上從距離盤(pán)中心24mm的部分到58mm的部分范圍之內(nèi)。
如果要求大存儲(chǔ)容量而不改變信號(hào)格式如糾錯(cuò)碼(ECC)、調(diào)制系統(tǒng)及類似因素，那么實(shí)現(xiàn)8GB或更大的存儲(chǔ)容量需要建立下面的等式(1)。
4.7×(0.65/0.60×N.A./λ)2≥8…(1)根據(jù)上述等式(1)，N.A./λ≥1.20必須成立。
這一要求的研究揭示了將波長(zhǎng)λ設(shè)置為更短或者將N.A.設(shè)置為更大是必要的。
為了滿足上述條件，如果N.A.的值被設(shè)置為更大，那么降低照射用再生光所透過(guò)的光記錄介質(zhì)的光透過(guò)層的厚度是必要的。
這一設(shè)置的原因是盤(pán)表面被垂直于一個(gè)光拾波器(pickup)的光軸的一個(gè)表面錯(cuò)位的允許角度(傾斜角)變小了。特別是，傾斜角很容易被光記錄介質(zhì)的基(base)厚度導(dǎo)致的像差(aberration)所影響。
緣于同樣的原因，光透過(guò)層厚度的不均勻性必須被限制在一個(gè)特定的值或更小。
考慮到這些方面，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種光記錄介質(zhì)，該介質(zhì)允許一個(gè)N.A.的特別大的值并且其中能夠記錄例如8GB或更多的龐大的信息量。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)基層，該基層具有一個(gè)形成在激光入射側(cè)面的表面上的信息信號(hào)部分，以及一個(gè)形成在基層上的光透過(guò)層。光透過(guò)層的厚度t至少在信息信號(hào)部分的一個(gè)區(qū)域中在t＝3到177μm的范圍之內(nèi)。如果光透過(guò)層的不均勻性為Δt，那么用于再生或記錄和再生的光學(xué)系統(tǒng)的N.A.和波長(zhǎng)λ滿足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)。光跡間距(track pitch)為P并且傾斜為θ，那么滿足P≤0.64μm和θ≤±84.115°(λ/N.A.3/t)。通過(guò)使記錄和再生系統(tǒng)滿λ≤0.68μm和N.A./λ≥1.20，光記錄介質(zhì)被記錄或再生。這種光記錄介質(zhì)允許8GB的記錄容量。


圖1是一圖形，該圖形顯示了有關(guān)與光透過(guò)層的不均勻性相關(guān)的偏差(jitter)值改變的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；圖2是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；
圖3是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；圖4是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子；圖5是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的再一個(gè)例子；圖6是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子；圖7是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的另外的一個(gè)例子；圖8是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的再一個(gè)例子；圖9是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；圖10是一個(gè)圖，該圖顯示了一種用于制造一種根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)的方法；圖11是一個(gè)薄平基板的示意性的截面視圖的一個(gè)例子，該基板形成了根據(jù)本發(fā)明的一種多層光盤(pán)；圖12是一個(gè)圖，該圖顯示了用于制造一種根據(jù)本發(fā)明的多層光盤(pán)的方法；圖13是一個(gè)圖，該圖顯示了用于制造一種根據(jù)本發(fā)明的多層光盤(pán)的方法；圖14是一個(gè)圖，該圖顯示了用于制造一種根據(jù)本發(fā)明的多層光盤(pán)的方法；圖15是一個(gè)圖，該圖顯示了用于制造一種根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)的方法；圖16是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；圖17是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子；圖18是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的具有雙層結(jié)構(gòu)的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；圖19是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的具有三層結(jié)構(gòu)的一種光記錄介質(zhì)的一個(gè)例子；圖20是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的另一個(gè)例子；圖21是一個(gè)示意性的截面視圖，該視圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的一種光記錄介質(zhì)的再一個(gè)例子；圖22是一個(gè)兩組透鏡的放大圖。該透鏡在一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)中用于記錄和再生一個(gè)本發(fā)明所應(yīng)用的光盤(pán)；圖23是一個(gè)圖，該圖顯示了在根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)的光透過(guò)層中被測(cè)量的雙折射(birefringence)量的結(jié)果；并且圖24是一個(gè)圖，該圖顯示了在根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)的光透過(guò)層中被測(cè)量的雙折射量的結(jié)果。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的光盤(pán)在此之后將參考對(duì)應(yīng)的附圖詳細(xì)描述。
在這一實(shí)施方式中，本發(fā)明被應(yīng)用于這樣一種光盤(pán)，該光盤(pán)上的信號(hào)通過(guò)激光照射讀出，而激光透過(guò)一個(gè)基層上的光透過(guò)層，例如，一個(gè)具有信息記錄層的基板。
在一般的光記錄盤(pán)中，盤(pán)傾斜范圍(margin)θ、N.A.的值和光透過(guò)層的厚度彼此間相互關(guān)聯(lián)。參照被廣泛證實(shí)的具有實(shí)際播放能力的CD日本專利公布號(hào)為H3-225650的專利公布了這些參數(shù)和范圍θ間的一種相互關(guān)系。
根據(jù)上述公布，足以建立下面的等式(2)。
θ≤+84.115(λ/N.A.3/t) …(2)這一標(biāo)準(zhǔn)能夠應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)。
當(dāng)光盤(pán)大量生產(chǎn)時(shí)所需的傾斜范圍θ的特定限制值被恰當(dāng)?shù)卦O(shè)置為0.4°，其原因是從光盤(pán)大量生產(chǎn)的角度看，如果限制值被設(shè)置為小于上述值，那么光盤(pán)的產(chǎn)量會(huì)降低并且因此其中的制造費(fèi)用會(huì)增加。在已有的記錄介質(zhì)中，CD的傾斜范圍θ的限制值是0.6°并且DVD的限制值為0.4°。
因此，設(shè)置的光透過(guò)層厚度是在這樣的假設(shè)下計(jì)算的，該假設(shè)為在θ＝0.4°的條件下激光的波長(zhǎng)被設(shè)置得更短同時(shí)N.A.的值被設(shè)置得更大。如果設(shè)置λ＝0.65μm，那么N.A.的值必須設(shè)置為0.78或更大。這導(dǎo)致t≤288μm。
如果激光的波長(zhǎng)進(jìn)一步變的更短并且接著設(shè)置λ＝0.4μm，那么光透過(guò)層的厚度t在N.A.≤0.78不變的假設(shè)下被設(shè)置為t≤177μm。在這種情況下，如果利用一個(gè)用于制造CD和類似產(chǎn)品的、具有厚度為1.2mm基板的已有的設(shè)備，那么整個(gè)光盤(pán)的厚度最大大約為1.38mm。
考慮在磁光(magneto-optical)盤(pán)中使用的磁場(chǎng)調(diào)制，所以最好降低光透過(guò)層的厚度。如果厚度設(shè)置為30μm或更小，那么記錄和再生磁光盤(pán)就很容易。
確定光透過(guò)層厚度的下限依賴于用于保護(hù)記錄薄膜或反射薄膜的光透過(guò)層的保護(hù)功能。考慮到光記錄介質(zhì)的可靠性和后面描述的在光透過(guò)層表面上的兩組透鏡沖突的影響，厚度的下限需要設(shè)置為3μm或更大。
如上描述，N.A./λ值的增加對(duì)于光記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量的增加是不可缺少的。在這種情況下，為了達(dá)到8GB的存儲(chǔ)容量，至少設(shè)置N.A.值為0.7或更大同時(shí)設(shè)置激光的波長(zhǎng)λ為0.68或更短是必要的。由于在光透過(guò)層厚度和傾斜之間存在上述的關(guān)系，光透過(guò)層的厚度t被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在3到177μm范圍之內(nèi)以便允許使用從已有的紅色激光到可望在未來(lái)流行的藍(lán)色激光范圍之間的激光器。
為達(dá)到本發(fā)明的大記錄容量(8GB)的目的必須改變光跡間距P和線性密度d。為此，必要的條件是滿足下面的等式(3)。
(0.74/P)×(0.267/d)≥8d≤0.1161/P(μm/bit) …(3)當(dāng)P＝0.58μm時(shí)，不等式d≤0.206μm/bit成立。這一例子的計(jì)算參考了DVD-ROM(只讀存儲(chǔ)器)的值。因此，考慮到用于記錄和再生的信號(hào)處理技術(shù)(也就是，部分響應(yīng)最大似然PRML的應(yīng)用，ECC和類似編碼的冗余的減少)的進(jìn)步，可望將線性密度增加15％，并且從而有可能增加光跡間距P到該范圍。這揭示了光跡間距P的最大值為0.64μm。
另外，光跡間距的變化ΔP的容許值被嚴(yán)格設(shè)置。如果光盤(pán)具有CD或DVD的相同記錄和再生參數(shù)，那么從DVD中使用的0.74的光跡間距和±0.03的允許值中獲得下面的等式(4)。
ΔP≤±0.03P/0.74＝±0.04P …(4)因此，如果P＝0.56成立，那么ΔP≤±0.023μm就成立。
另外，光透過(guò)層厚度的不均勻性必須更精確地改進(jìn)。
如果光透過(guò)層的厚度偏離中心值(該中心值是設(shè)計(jì)再生物透鏡的基礎(chǔ))與由一點(diǎn)上的不均勻厚度的影響產(chǎn)生的像差量與波長(zhǎng)和N.A.值的四次冪成比例。因此，如果需要通過(guò)將N.A.的值設(shè)置得更大并且將波長(zhǎng)設(shè)置得更短來(lái)增加記錄的密度，那么要更嚴(yán)格地限制光透過(guò)層厚度的不均勻性。作為一個(gè)特定系統(tǒng)例子的CD實(shí)際上與建立的N.A.＝0.45和用于光透過(guò)層不均勻厚度的標(biāo)準(zhǔn)允許值±100μm一起使用。
DVD具有N.A.＝0.6和±30μm的不均勻厚度的標(biāo)準(zhǔn)允許值。如果使用CD中±100μm的允許量，那么厚度的不均勻性Δt由下面的等式(5)表達(dá)。Δt＝±(0.45/N.A.)4×(λ/0.78)×100＝±5.26×(λ/N.A.4)μM(其中N.A.代表一個(gè)數(shù)值孔徑) …(5)圖1顯示了當(dāng)光透過(guò)層厚度的中心值為100μM并且當(dāng)波長(zhǎng)為0.68μM而N.A.的值為N.A.＝0.875時(shí)獲得的光透過(guò)層厚度不均勻性和偏差值之間關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖1的研究揭示了當(dāng)偏差值為8％(當(dāng)沒(méi)有變化來(lái)自一個(gè)傾斜或類似的出現(xiàn)中時(shí)獲得的偏差的參考值)時(shí)，光透過(guò)層厚度的不均勻性在此時(shí)大約為±7μm。從等式(5)獲得的值是6μm。這意味著一個(gè)令人滿意的信號(hào)可以從滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的盤(pán)介質(zhì)處獲得。
因此，允許的光透過(guò)層厚度的不均勻性Δt必須設(shè)置在±5.26×(λ/N.A.4)范圍之內(nèi)。
由于光透過(guò)層厚度的產(chǎn)生依賴于使用記錄和再生激光照射的光盤(pán)表面是均勻的假設(shè)，所以有可能通過(guò)偏離其中的焦點(diǎn)來(lái)校正像差。然而，如果光透過(guò)層厚度在這一照射區(qū)域是不均勻的(也就是在點(diǎn)中)，那么就不可能通過(guò)調(diào)整焦點(diǎn)來(lái)校正像差。關(guān)于厚度的中心值，這一不均勻性Δt必須限制在±3λ/100或更小。
另外，光記錄介質(zhì)的偏心率(eccentricity)E如下面等式(6)那樣設(shè)置，而DVD的偏心率為50μm。
E≤50×P/0.74＝67.57P(μm) …(6)如上所述，光記錄介質(zhì)為達(dá)到允許8GB存儲(chǔ)容量的高密度所需要的條件的小結(jié)如下。
記錄和再生光學(xué)系統(tǒng)滿λ≤0.68μm并且N.A./λ≥1.20。光記錄介質(zhì)具有一個(gè)光透過(guò)層—至少在信息信號(hào)部分的區(qū)域—具有厚度t＝3到177μm并且厚度不均勻性Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)，而且也具有光跡間距P≤0.64μm，允許值ΔP≤±0.04Pμm，線性密度d≤0.1161/P(μm/bit)，盤(pán)傾斜(彎曲)θ≤84.115×(λ/N.A.3/t)，偏心率E≤67.75P(μm)并且表面粗糙度Ra≤±3λ/100(在點(diǎn)照射區(qū))。
基板利用壓模通過(guò)注入成型形成，該壓模實(shí)現(xiàn)了滿足根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)所需的上述規(guī)格的間距和間距變化。由于通過(guò)常規(guī)機(jī)器利用絲桿(screw)實(shí)現(xiàn)輸送(feeding)操作難于制造這樣的具有較小間距變化的高精度壓模，上述的壓模是使用附帶線性馬達(dá)的具有輸送結(jié)構(gòu)的原始盤(pán)曝光設(shè)備來(lái)制造的。另外，一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)使用一個(gè)用于減小空氣運(yùn)動(dòng)的包裝覆蓋，并且在激光和曝光設(shè)備之間提供了一種振動(dòng)隔離(vibroisolating)材料用于除去曝光激光所用冷卻水的顫動(dòng)。
在這一實(shí)施方式中，由于反射薄膜或記錄薄膜在基板的信息信號(hào)表面上形成并且信息通過(guò)其上的光照射記錄和再生，所以考慮到當(dāng)薄膜形成時(shí)一個(gè)記錄信號(hào)的失真，必須在基板上形成一個(gè)凹坑(pit)。
例如，如果當(dāng)從基板(基)側(cè)面觀察信號(hào)凹坑時(shí)，具有10GB存儲(chǔ)容量的一個(gè)ROM類型盤(pán)的信號(hào)凹坑的不對(duì)稱性是25％，那么從與基側(cè)面對(duì)應(yīng)的側(cè)面觀察到的信號(hào)凹坑的不對(duì)稱性為10％。特別地，由于信號(hào)從與基側(cè)面對(duì)應(yīng)的光透過(guò)層側(cè)面讀出，所以當(dāng)基板形成時(shí)凹坑的不對(duì)稱性必須設(shè)置為25％，以便當(dāng)從光照射側(cè)面觀察到凹坑時(shí)能夠形成具有10％不對(duì)稱性的凹坑。
同樣地，當(dāng)信息記錄在和再生于形成在一張記錄盤(pán)上的凹槽時(shí)(也就是，記錄和再生表面上的凹的部分)，由于凹槽占用(duty)率發(fā)生改變，也就是，在記錄薄膜形成之后導(dǎo)向(guide)凹槽變的更加狹窄，例如，必須布置壓模的形狀以便更寬的凹槽能夠形成。例如，當(dāng)信息同時(shí)記錄在凸島(land)和凹槽兩者之上，光照射側(cè)面上測(cè)量的接觸面和凹槽寬度的占用率最好設(shè)置為55％到65％，以便獲得最終50％的占用率。
由于形成單面盤(pán)要求有一定硬度，所以要求根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的基板具有大約0.6mm或更大的厚度。如果制造如上所述的具有兩個(gè)彼此粘結(jié)在一起的基板的光記錄介質(zhì)，那么設(shè)置基板的厚度大約為0.3mm是合適的。
如圖2所示，記錄薄膜或反射薄膜形成在基板10的信息信號(hào)部分11之上。如果盤(pán)為ROM類型的，那么形成由鋁或類似材料組成的反射薄膜以便達(dá)到20到60nm的厚度。
如果盤(pán)是相變類型的，那么信息記錄薄膜的形成是按照所述順序連續(xù)形成鋁薄膜、GeSbTe薄膜和硫化鋅-二氧化硅薄膜實(shí)現(xiàn)的。
如果盤(pán)是磁光盤(pán)，那么信息記錄薄膜的形成是按照所述順序連續(xù)形成鋁薄膜、氮化硅薄膜、TbFeCo薄膜和氮化硅薄膜實(shí)現(xiàn)的。
如果盤(pán)是單次寫(xiě)入(write-once)類型的，那么形成信息記錄薄膜通過(guò)噴涂金或鋁并且接著涂上青色素(cyanin)系統(tǒng)或酞氰(phthalocyanine)系統(tǒng)的有機(jī)色素薄膜以干燥。
如圖2所示，記錄和再生光的照射來(lái)自與基板10相對(duì)的側(cè)面的記錄和再生物鏡透鏡L。
如圖3所示，光透過(guò)層12進(jìn)一步在信息記錄薄膜上形成紫外線硬(curing)樹(shù)脂(resin)。例如，光透過(guò)層12能夠通過(guò)在基板10的一個(gè)表面上旋轉(zhuǎn)-拉長(zhǎng)滴下的紫外線硬樹(shù)脂并經(jīng)過(guò)光照凝固而形成，其中在該表面上能夠形成具有任一上述結(jié)構(gòu)的膜。
從形成具有上述厚度的光透過(guò)層12的角度看，對(duì)于紫外線樹(shù)脂具有從300cps到30000cps范圍內(nèi)的粘性是恰當(dāng)?shù)摹?br> 例如，如果采用在25℃時(shí)具有5800cps粘性的紫外線硬樹(shù)脂，那么紫外線硬樹(shù)脂被滴在基板上并且基板以2000rpm的速率旋轉(zhuǎn)11秒。接著，能夠最后形成具有100μm厚度的光透過(guò)層12。
當(dāng)通過(guò)使用液體紫外線硬樹(shù)脂形成光透過(guò)層12時(shí)，如果液體紫外線樹(shù)脂在基板10的內(nèi)部邊沿(periphery)部分滴下，也就是，在半徑方向上偏離盤(pán)中心25mm的位置并且接著旋轉(zhuǎn)-拉長(zhǎng)，內(nèi)部邊沿的厚度就變的不同于外部邊沿的厚度，這是因?yàn)殡x心力和粘性阻力之間的關(guān)系。差異量可達(dá)到30μm或更大，并且因此不能滿足上述的厚度允許值。
為了避免這一缺點(diǎn)，在基板的中心孔徑13采用某種方法遮蓋的狀態(tài)下，紫外線硬樹(shù)脂在基板10的中心部分滴下是有效的。例如，具有0.1mm厚度的聚碳酸酯板料(polycarbonate sheet)被處理以便產(chǎn)生一個(gè)30nm直徑φ的圓形并且被粘結(jié)到中心孔徑10h。接著，紫外線硬樹(shù)脂滴下再接著通過(guò)紫外線照射被凝固，并且從那之后，中心孔徑被再次打孔。根據(jù)這一方法，有可能實(shí)現(xiàn)這樣的光透過(guò)層12，該光透過(guò)層的內(nèi)部和外部邊沿之間的厚度差異被限制在10μm(p-p)或者更小。
當(dāng)光透過(guò)層12形成時(shí)，為了防止光透過(guò)層12從光盤(pán)的最外邊沿突出，在參考CD的120mm直徑和類似的直徑的基礎(chǔ)上，要求設(shè)置120mm+7mm的值作為光盤(pán)直徑的最大值。
如圖4所示，光透過(guò)層12可以通過(guò)將聚碳酸酯板料14與100μm厚度的紫外線硬樹(shù)脂15粘結(jié)來(lái)形成。在這種情況下，需要將板料14厚度的不均勻性與粘結(jié)的紫外線硬樹(shù)脂15的厚度的不均勻性的和設(shè)置到10μm p-p或更小。
與基板10具有相同直徑的板料14通過(guò)粘結(jié)紫外線硬樹(shù)脂15被放置在基板10之上，并且紫外線硬樹(shù)脂15通過(guò)采用板料14作為其重力被旋轉(zhuǎn)-拉長(zhǎng)。作為結(jié)果，形成了特別薄的紫外線硬樹(shù)脂層。因此，其中的整個(gè)厚度的不均勻性能夠完全限制到10μmp-p。
本發(fā)明能夠應(yīng)用于具有多層結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)上，如圖5所示，其中第二記錄層18是通過(guò)形成在基板10上的第一記錄層17上的中間層16而形成的。
在具有上述結(jié)構(gòu)的光盤(pán)中傾斜往往是容易出現(xiàn)的。如圖6所示，為了減小傾斜，涂上紫外線硬樹(shù)脂作為基板10表面上的傾斜糾正成分(member)19是有效的，該表面與光透過(guò)層12形成的表面相對(duì)。
傾斜糾正成分19是通過(guò)涂上與光透過(guò)層12相同的材料或者在凝固后薄薄地涂上一種材料形成的，該種材料與光透過(guò)層12的材料相比具有較高的收縮率。
為了記錄和再生一種高記錄密度的光記錄介質(zhì)，需要一種光學(xué)拾波器，該拾波器具有一個(gè)后面將描述的較高N.A.的物鏡透鏡。在這種情況下，物鏡透鏡和光透過(guò)層表面間的距離(此后引用為工作距離W.D.)與普通拾波器所采用的距離相比必須設(shè)置得更窄。
然而，在這種情況下，物鏡透鏡可能會(huì)與光透過(guò)層表面碰撞，并因此損壞它。
為了防止由碰撞帶來(lái)的這一損壞，如圖7所示，提供硬涂層20(具有比鉛筆硬度H更高的硬度)是有效的。
如果光透過(guò)層12被制得很薄，它往往易于接受來(lái)自灰塵的有害影響。因此，硬涂層20應(yīng)該具有抗靜電(antistatic)功能。這一抗靜電功能能夠防止灰塵被光盤(pán)表面所吸收。
如果被測(cè)量的光波長(zhǎng)為780nm，那么根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)的光透過(guò)層中的雙折射量最好設(shè)置為平均15nm或更小，當(dāng)光往返于外部并且其中在光盤(pán)徑向位置中的雙折射量的變化為15nm p-p(峰-峰)或更小時(shí)。
通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)，信號(hào)被實(shí)驗(yàn)性地記錄和再生，該光盤(pán)具有使用聚碳酸酯板料附帶100μm厚度的作為信息記錄層的相變薄膜形成的光透過(guò)層。在這種情況下，當(dāng)線性密度是0.21μm/bit時(shí)，獲得8％的偏差值。上述光盤(pán)的雙折射量被測(cè)量。圖23顯示了測(cè)量的結(jié)果。在圖23中，橫坐標(biāo)代表徑向位置(nm)，縱坐標(biāo)代表雙折射量(nm)。在圖23中，雙折射量的分布由一個(gè)縱向段表示，并且平均值由縱向段和橫向段間的交叉點(diǎn)表示。雙折射量能夠設(shè)置為平均15nm或更小，當(dāng)光往返于外部并且其中在光盤(pán)徑向位置中的雙折射量的變化能被設(shè)置為15nm p-p(峰-峰)或更小時(shí)。
同樣的實(shí)驗(yàn)性記錄和再生操作通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)實(shí)現(xiàn)，該光盤(pán)通過(guò)在信息記錄層上涂上液體光硬樹(shù)脂作為相變薄膜并且旋轉(zhuǎn)-拉長(zhǎng)樹(shù)脂以通過(guò)光照射涂上相同的材料來(lái)形成。
在這種情況下，當(dāng)線性密度為0.2μm/bit時(shí)，獲得7％的偏差值。上述光盤(pán)的雙折射量被測(cè)量。圖24顯示了測(cè)量的結(jié)果。在圖24中，橫坐標(biāo)代表徑向位置(nm)，縱坐標(biāo)代表雙折射量(nm)。在圖24中，雙折射量的分布由一個(gè)縱向段表示，并且平均值由縱向段和橫向段間的交叉點(diǎn)表示。當(dāng)與獲得的雙折射量相比較，雙折射量能夠進(jìn)一步減小，當(dāng)光透過(guò)層形成了聚碳酸酯板料時(shí)，也就是，能夠設(shè)置為平均5nm或更小，當(dāng)光往返于外部并且其中在光盤(pán)徑向位置中的雙折射量的變化能夠設(shè)置為5nm p-p(峰-峰)或更小時(shí)。
如上所述，與常規(guī)CD和DVD比較，CD和DVD表面中的100nm的雙折射量揭示了根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)具有穩(wěn)定和出色的特性。
如果對(duì)根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的信息記錄層的表面進(jìn)行硅烷處理，那么有可能改善信息記錄層和形成光透過(guò)層的紫外線硬樹(shù)脂之間的緊密粘附。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可能具有一個(gè)通過(guò)噴涂形成在光透過(guò)層表面上的抗反射薄膜。
抗反射薄膜的折射率(refractivuity)N最好設(shè)置得低于光透過(guò)層的折射率。如果用于記錄和再生的光波長(zhǎng)為λ，那么抗反射薄膜的厚度最好設(shè)置為(λ/3)/N(nm)或更小，最佳為(λ/4)/N(nm)或更小。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的N.A.值變得越來(lái)越高時(shí)，記錄和再生光的入射角變的更大，從而使光透過(guò)層表面上的光反射不能被忽視。
例如，在N.A.＝0.45的情況下，記錄和再生光的入射角為26.7°，并且在N.A.＝0.6的情況下，記錄和再生光的入射角為36.9°。
在N.A.＝0.8的情況下，記錄和再生光的入射角為53.1°。
已經(jīng)確定光透過(guò)層表面上的光反射率依賴于記錄和再生光的入射角。如果光透過(guò)層的反射率為1.52，那么一個(gè)S偏振成分的表面反射率超出15％(參考Kino Melles Griot公司出版的Guide for Laser and Optics的168頁(yè))。在這種情況下，導(dǎo)致了光量損失的問(wèn)題并且有效的N.A.會(huì)下降。
為了避免上述問(wèn)題，形成一個(gè)抗反射薄膜是有效的。
已經(jīng)知道如果光透過(guò)層的折射率為1.52，那么一種用于具有大約1.23的光折射率的抗反射薄膜的材料的使用是理想的(參考Kyoritsu出版公司出版的光技術(shù)系列Vol.11中的Optical Thin Film的28頁(yè))。在工業(yè)領(lǐng)域，采用具有1.38折射率N的二氟化鎂。
如果記錄和再生光的波長(zhǎng)為650nm，用于(λ/4)/N(μm)條件的變量的各種值的替代揭示了最好形成抗反射薄膜以便達(dá)到大約120nm的厚度。
已經(jīng)確定如果光透過(guò)層表面上的光的反射量從0到(λ/4)/N(μm)的范圍內(nèi)減小，那么當(dāng)該量為(λ/4)/N(μm)時(shí)變得最小。已經(jīng)確定另一方面，如果抗反射薄膜的厚度超出(λ/4)/N(μm)，那么光反射量增加并且當(dāng)為(λ/2)/N(μm)時(shí)達(dá)到最大?；谶@些事實(shí)并考慮到工業(yè)薄膜形成技術(shù)，已經(jīng)確定將抗反射薄膜的厚度設(shè)置為(λ/3)/N(μm)或更小實(shí)際上就足夠了。
當(dāng)抗反射薄膜如上所述形成光透過(guò)層的表面時(shí)，也就是，一個(gè)具有(λ/4)/N(μm)的單層的二氟化鎂薄膜被形成當(dāng)光透過(guò)層上的抗反射薄膜具有1.52的折射率，如果使用具有550nm波長(zhǎng)的記錄和再生光，那么有可能減少其中50％或更多的光量，當(dāng)記錄和再生光的入射角增加到大約60°時(shí)(參考Kino Melles Griot公司出版的Guide for Laser and Optics的174頁(yè))。
根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)可能具有圖8中顯示的結(jié)構(gòu)，在圖8中的兩個(gè)基板51、52彼此粘結(jié)在一起，它們每個(gè)具有的厚度為最終獲得的基板10厚度的一半。在這種情況下，由于具有0.6mm厚度的兩個(gè)基板51、52的每個(gè)均有光透過(guò)層--具有最大為170μm的厚度以及在兩個(gè)基板上形成--被彼此粘結(jié)在一起，盤(pán)厚度變?yōu)?0.6+0.17)×2+(粘結(jié)層的厚度)。如果粘結(jié)層的厚度是0.06mm，那么盤(pán)厚度為1.60mm。如圖9所示，光盤(pán)可能在一個(gè)基板50的兩個(gè)表面上都形成信息信號(hào)記錄表面和光透過(guò)層。
將要描述制造根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一種方法。
如圖10所示，準(zhǔn)備了通過(guò)擠壓或澆鑄制造的厚度為100μm的聚碳酸酯板料40。壓模41加熱到比玻璃溶化點(diǎn)更高的一個(gè)溫度，并且滾筒42迫于壓力被壓到板料40。在這種情況下，例如，壓力能夠設(shè)置為280kgf。
在上述操作之后，如圖11所示，壓模41的凹坑或波導(dǎo)凹槽被轉(zhuǎn)移到板料40。在冷卻之后，板料40從壓模41處被脫殼，從而形成了100μm厚度的薄平基板43。
隨后，反射薄膜或記錄層通過(guò)與上述制造方法相同的過(guò)程形成在波導(dǎo)凹槽上。
可以使用圖11中顯示的薄平基板43制造具有多層結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)。
在這種情況下，如圖12所示，液體紫外線硬樹(shù)脂60滴到壓模141上，并且在圖11中顯示的薄平基板43被布置在液體紫外線硬樹(shù)脂60上，使其記錄層側(cè)面與其保持接觸。
如圖13所示，在薄平基板43通過(guò)液體紫外線硬樹(shù)脂60布置在一個(gè)旋轉(zhuǎn)設(shè)備61上的狀態(tài)中，壓模141被旋轉(zhuǎn)以拉長(zhǎng)液體紫外線硬樹(shù)脂，壓模上的薄平基板被碾壓，因此要求的液體紫外線硬樹(shù)脂的厚度被設(shè)置為20μm。隨后，如圖14所示，來(lái)自燈62的紫外線從薄平基板43的一個(gè)側(cè)面照射，因此，液體紫外線硬樹(shù)脂被凝固。
如圖15中所示，厚度為20μm的薄平基板43和凝固的紫外線硬樹(shù)脂60從壓模141處被整體脫殼。
由硅混合物、鋁、金或類似材料構(gòu)成的金屬薄薄膜形成在微小的凹面和凸起上，因此通過(guò)壓模141轉(zhuǎn)移到紫外線硬樹(shù)脂60，并且因而能夠形成記錄層。
能夠制造具有三個(gè)記錄層或更多的光盤(pán)，通過(guò)反復(fù)執(zhí)行關(guān)于圖12到圖15中描述的過(guò)程。
如圖16所示，經(jīng)注入成型獲得的基板通過(guò)紫外線硬樹(shù)脂以20μm的間隔粘結(jié)到上述最后獲得的記錄層。因此，能夠獲得高密度的光盤(pán)。
如圖17所示，由鋁、金或類似材料構(gòu)成的高反射薄膜70在最終獲得的記錄層上形成，并且進(jìn)一步一個(gè)保護(hù)薄膜71在高反射薄膜70上形成，因此，使得制造一種具有多層結(jié)構(gòu)的薄光盤(pán)成為可能。
在這種情況下，如果記錄層數(shù)為N，最終獲得的光盤(pán)的厚度是一些厚度的和，這些厚度的獲得是通過(guò)多層之間的紫外線硬樹(shù)脂層厚度乘以N和高反射薄膜70與保護(hù)薄膜71的總厚度，如5μm。特別地，如果多層之間的紫外線硬樹(shù)脂層厚度是20μm、高反射薄膜70與保護(hù)薄膜71的總厚度為5μm，并且光盤(pán)具有四層結(jié)構(gòu)，那么整個(gè)光盤(pán)的厚度為185μm。
然而，由于如此獲得的光盤(pán)具有較低的強(qiáng)度，有必要將硬的厚平板粘結(jié)到薄平基板43的側(cè)面以支撐它們或者通過(guò)利用一種現(xiàn)象來(lái)記錄和再生信息，在該現(xiàn)象中當(dāng)高速旋轉(zhuǎn)時(shí)一種易曲的光盤(pán)能夠變得平整。
鄰近記錄層和拾波器透鏡的可移動(dòng)距離之間的厚度為值20μm，其中鄰近記錄層是上述的記錄層，其確定基于最終獲得的光盤(pán)的層數(shù)，而拾波器則用于記錄和再生光盤(pán)。
如果透鏡的可移動(dòng)距離，也就是，兩組透鏡的間隔為50μm，如圖18所示，那么以間隔50μm通過(guò)紫外線硬樹(shù)脂足以將基板10和薄平基板43彼此粘結(jié)在一起。如果制造具有如圖19所示的三層結(jié)構(gòu)的光盤(pán)，那么以間隔25μm足以在基板10和薄平基板43之間形成記錄層。
除了具有上述結(jié)構(gòu)的光盤(pán)外，本發(fā)明能夠應(yīng)用于一種光盤(pán)，該光盤(pán)的形成是經(jīng)過(guò)如圖20所示的紫外線硬樹(shù)脂通過(guò)將薄平基板43和具有盤(pán)形狀的基板50擠壓在一起，并且依靠來(lái)自透明基板側(cè)面的紫外線的照射將彼此粘結(jié)在一起，其中基板50經(jīng)過(guò)注入成型制連根據(jù)本發(fā)明，如圖21所示，制造最終具有4層結(jié)構(gòu)的光盤(pán)是經(jīng)過(guò)將薄平基板43放置在基板50上并且通過(guò)來(lái)自薄平基板43的側(cè)面的紫外線照射將薄平基板43粘結(jié)到基板50，其中基板50具有微小的凹面和凸起，當(dāng)依靠注入成型經(jīng)紫外線硬樹(shù)脂將薄平基板43擠壓到基板50上時(shí)在其兩側(cè)面形成記錄層。
下面將描述在基板上形成的凹坑或深度。在此之后，假設(shè)光透過(guò)層的折射率為N。
能夠獲得最高調(diào)制的凹坑或凹槽中的深度為(λ/4)/N。在光記錄介質(zhì)或ROM類型及類似介質(zhì)中的凹坑或凹槽的深度被設(shè)置為上述值。
如果在凹槽記錄或接觸面記錄中，由于推-拉操作獲得一個(gè)軌道錯(cuò)誤信號(hào)，那么當(dāng)凹坑或凹槽的深度達(dá)到(λ/8)/N時(shí)，推-拉信號(hào)變得最大。
另外，如果信號(hào)記錄在接觸面和凹槽兩者之上，那么考慮到相互干擾(crosstalk)和交叉擦除(cross-erasure)特性，凹槽深度必須與伺服信號(hào)的特性共同設(shè)置。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果的研究中確定出當(dāng)凹槽深度在(λ/6)/N或(λ/3)/N值附近時(shí)相互干擾變得最小并且隨著凹槽的加深，交叉擦除的影響減小。如果在考慮到凹槽彎度和類似情況下滿足相互干擾和交叉擦除兩個(gè)特性，那么當(dāng)深度在(3/8λ)/N值的附近時(shí)，這兩個(gè)特性達(dá)到最佳。根據(jù)本發(fā)明的高記錄密度的光記錄介質(zhì)能夠應(yīng)用于具有在上述范圍內(nèi)的凹槽深度的光記錄介質(zhì)。
下面將描述一種用于實(shí)現(xiàn)較高N.A.的布局。圖22顯示了一種用于實(shí)現(xiàn)較高N.A.的光盤(pán)設(shè)備的透鏡的布局，也就是，其中兩組透鏡的布局。
如圖22所示，光盤(pán)設(shè)備在一個(gè)第一透鏡31和盤(pán)21之間提供了一個(gè)第二透鏡32。
由于光盤(pán)設(shè)備具有一個(gè)兩片型透鏡的布局，所以有可能設(shè)置N.A.為0.7或更大，并且也有可能將第二透鏡32的一個(gè)第一平面32a和盤(pán)21的表面之間的間隔縮小。
形成第一和第二透鏡31、32的一個(gè)第一平面31a、一個(gè)第二平面31b、一個(gè)第三平面32a和一個(gè)第四平面32b作為非球面平面是需要的。
由于使用兩片型透鏡，所以有可能記錄和再生具有高記錄密度的上述光記錄介質(zhì)。
如上明確地描述，根據(jù)本發(fā)明，一種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)基層--具有形成在激光入射側(cè)面的表面上的一個(gè)信息信號(hào)部分，以及一個(gè)形成在基層上的光透過(guò)層。光透過(guò)層的厚度t至少在信息信號(hào)部分的一個(gè)區(qū)域中在t＝3到177μm的范圍內(nèi)。如果光透過(guò)層的不均勻性是Δt，那么用于再生或記錄和再生的光學(xué)系統(tǒng)的N.A.和波長(zhǎng)λ滿足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)。光跡間距為P并且傾斜為θ，那么滿足P≤0.64μm以及θ≤±84.115°(λ/N.A.3/t)。光記錄介質(zhì)被記錄和再生通過(guò)使一個(gè)記錄和再生系統(tǒng)滿足λ≤0.68μm和N.A./λ≥1.20。這種光記錄介質(zhì)允許8GB的記錄容量。因此，有可能使用一個(gè)簡(jiǎn)單的記錄和再生設(shè)備來(lái)增加光記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量。
參考對(duì)應(yīng)的附圖已經(jīng)描述了一種本發(fā)明法的最佳實(shí)施方式，應(yīng)被理解的是本發(fā)明不只限于上述的實(shí)施方式并且在不偏離在附加的權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍和原理的情況下，熟練的專業(yè)人員能對(duì)其作各種變動(dòng)和修改。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)包含一基層，該基層具有形成在激光入射側(cè)面的一表面上的一信息信號(hào)部分；并且形成在所述基層上的一光透過(guò)層，其中所述光透過(guò)層的厚度t至少在上述信息信號(hào)部分的一區(qū)域中在t＝3到177μm的范圍之內(nèi)，并且如果上述光透過(guò)層的不均勻性是Δt，那么用于再生或記錄和再生的光學(xué)系統(tǒng)的N.A.和波長(zhǎng)λ滿足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)(其中N.A.是一數(shù)值孔徑)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中如果光跡間距為P并且傾斜為θ，那么滿足P≤0.64μm以及θ≤±84.115°(λ/N.A.3/t)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中上述光記錄介質(zhì)通過(guò)使一個(gè)滿足λ≤0.68μm和N.A./λ≥1.20記錄和再生系統(tǒng)的被記錄和再生。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中其外部直徑為127mm或更小且其厚度為1.60mm或更小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中一線性密度被設(shè)置使得記錄容量達(dá)到8GB或更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中如果所述光透過(guò)層的折射率為N，那么一凹槽或一信息凹坑的深度在(λ/8)/N到(3λ/8)/N的范圍之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中光跡間距不均勻性設(shè)置為ΔP≤±0.04 P(μm)，偏心率設(shè)置為E≤67.57(μm)，并且傾斜設(shè)置為0.4°或更小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中被記錄和再生光照射的表面的表面粗糙度Ra在光點(diǎn)大小的范圍內(nèi)被設(shè)置為±3λ/100或者更小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包含一個(gè)由熱塑性樹(shù)脂構(gòu)成并且具有0.3到1.2mm的厚度的基板；并且通過(guò)轉(zhuǎn)移在所述基板上形成的一波導(dǎo)凹槽，其中一個(gè)多層薄膜形成在所述波導(dǎo)凹槽上或者通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂層在其上形成有機(jī)色素，并且至少一種紫外線硬樹(shù)脂涂在其上使得具有3到177μm的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包含一個(gè)由熱塑性樹(shù)脂構(gòu)成并且具有0.3到1.2mm的厚度的基板；并且通過(guò)轉(zhuǎn)移在所述基板上形成的一導(dǎo)向凹槽，其中一個(gè)多層薄膜形成在所述導(dǎo)向凹槽上或者通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂層在其上形成有機(jī)色素，通過(guò)將至少一種紫外線硬樹(shù)脂涂于其上，作為一光透過(guò)層的光透過(guò)薄膜被粘結(jié)到其上，并且整個(gè)厚度在3到177μm的范圍之內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中所述光透過(guò)層的形成是通過(guò)把用壓模注入成型或者澆鑄制造的板料加熱到較高的溫度從而將信號(hào)或?qū)虬疾坜D(zhuǎn)移到所述板料形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的光記錄介質(zhì)，其中具有0.6到1.2mm厚度的基板被粘結(jié)到所述的轉(zhuǎn)移板料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的一光記錄介質(zhì)，其中所述基板是一透明平板。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的一光記錄介質(zhì)，其中所述基板使用紫外線硬樹(shù)脂粘結(jié)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的一光記錄介質(zhì)，其中所述紫外線硬樹(shù)脂通過(guò)旋轉(zhuǎn)被涂上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，具有一個(gè)雙側(cè)面結(jié)構(gòu)通過(guò)在兩側(cè)面同時(shí)澆鑄或粘結(jié)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，具有一個(gè)多層結(jié)構(gòu)，其中的多個(gè)信息記錄薄膜或反射薄膜及光透過(guò)層被層壓(1aminated)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1 7的一光記錄介質(zhì)，其中所述多個(gè)反射薄膜的反射率在指向光入射側(cè)面的方向上被減小。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中紫外線硬樹(shù)脂涂在與所述光透過(guò)層相對(duì)的側(cè)面上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的一光記錄介質(zhì)，其中涂在與所述光透過(guò)層相對(duì)的側(cè)面上的紫外線硬樹(shù)脂與形成所述光透過(guò)層的材料相比在凝固之后具有高收縮率。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中用于改善表面硬度和具有抗靜電特性的硬涂層形成在所述光透過(guò)層的表面。
22.根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10的一光記錄介質(zhì)，其中使用紅外線硬樹(shù)脂涂層的信息記錄層的表面經(jīng)受硅烷過(guò)程以改善與所述紫外線硬樹(shù)脂的粘附。
23.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中一個(gè)抗反射薄膜形成在所述光透過(guò)層的表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的一光記錄介質(zhì)，其中所述抗反射薄膜的折射率N低于所述光透過(guò)層的折射率，并且如果用于記錄和再生的光的波長(zhǎng)為λ，那么所述抗反射薄膜的厚度設(shè)置為(λ/3)/N(μm)或更小。
25.一個(gè)用于記錄光盤(pán)的光盤(pán)設(shè)備，具有厚度t設(shè)置為t＝3到177μm的光透過(guò)層，該光盤(pán)設(shè)備包括一激光源，用于獲得波長(zhǎng)為680nm或更小的激光；并且一透鏡，具有0.7或更大的N.A.用于在所述光盤(pán)的一信號(hào)記錄表面將激光聚光。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的光盤(pán)設(shè)備，其中如果所述光盤(pán)的光透過(guò)層的厚度不均勻性為Δt，那么用于記錄或記錄和再生的所述光盤(pán)的光學(xué)系統(tǒng)的N.A.和波長(zhǎng)λ滿足Δt≤±5.26(λ/N.A.4)(μm)(其中N.A.是一數(shù)值孔徑)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的光盤(pán)設(shè)備，其中所述透鏡具有一個(gè)兩組結(jié)構(gòu)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的光盤(pán)設(shè)備，其中所述透鏡具有0.78或更大的NA.。
全文摘要
一種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)基層和一個(gè)形成在基層上的光透過(guò)層,其中該基層具有一個(gè)信息信號(hào)部分形成在激光輸入的側(cè)面的表面上。光透過(guò)層厚度t至少在信息信號(hào)部分的一個(gè)區(qū)域中在t=3到177μm的范圍內(nèi)。如果光透過(guò)層的不均勻性為Δt,那么用于再生或記錄和再生的光學(xué)系統(tǒng)的N.A.和波長(zhǎng)λ滿足Δt≤±5.26(λ/N.A.
文檔編號(hào)G11B7/26GK1194436SQ98105878
公開(kāi)日1998年9月30日 申請(qǐng)日期1998年3月25日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月25日
發(fā)明者柏木俊行, 川久保伸, 中沖有克, 金子正彥 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社