專利名稱：：磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置、重現(xiàn)方法及成用磁光記錄媒體的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，更具體地說，涉及采用近場光和區(qū)域(磁疇)擴展的該裝置。磁光記錄媒體作為一種具有可重寫性能和高存儲容量的高可靠記錄媒體已受到關注，并且作為計算機等的存儲器已投入使用。然而，隨著信息量的進一步增加和裝置的進一步小型化，一直尋找更高密度的記錄和重現(xiàn)技術。高密度記錄和重現(xiàn)技術由媒體技術和裝置技術構(gòu)成。前一技術包括使媒體磁跡間距變窄。利用多層磁膜之類提高重現(xiàn)分辨率。利用多層磁膜的技術采用的依據(jù)是激光光點的光強按高斯分布，以便將記錄層的磁化狀態(tài)轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層以及讀出重現(xiàn)層的磁化狀態(tài)，并且目前主要有三種類型FAD(前孔徑檢測)、RAD(后孔徑檢測)和CAD(中心孔徑檢測)。按照這些技術，激光光點的前側(cè)或后側(cè)或者中心附近用作重現(xiàn)孔徑，以便降低激光光點的實際直徑從而增大重現(xiàn)密度。后一技術包含光學超分辨率技術，用于得到超過激光束的繞射極限的會眼光點，降低激光束波長等等。此外，提供一種近場光記錄和重現(xiàn)技術，用于定位一接近磁光記錄媒體的光纖的一個端面，以及利用來自光纖的激光束照射磁光記錄媒體以使記錄和重現(xiàn)信號。這種技術使得能夠形成約0.06微米的記錄區(qū)。然而，對于利用近場光記錄和重現(xiàn)技術進行重現(xiàn)，由于該記錄區(qū)小，被檢測的重現(xiàn)信號很小，不能得到足夠的C/N比，并且重現(xiàn)的信號不利地受損。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠精確地重現(xiàn)在小的記錄區(qū)記錄的信號的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，以及相應的重現(xiàn)方法。本發(fā)明的另一個目的是提供一種適用于上述重現(xiàn)裝置和重現(xiàn)方法的磁光記錄媒體。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，用于重現(xiàn)來自具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體的信號的磁光記錄媒體重現(xiàn)裝置包含激光裝置、光學裝置、檢測器和磁場施加裝置。激光裝置振蕩產(chǎn)生激光束。光學裝置具有接近磁光記錄媒體的一個端面、并利用來自激光裝置經(jīng)過該端面的激光束照射磁光記錄媒體以及接收由磁光記錄媒體經(jīng)過該端面反射的激光束。檢測器檢測由光學裝置接收的激光束。磁場施加裝置將一交變磁場施加到磁光記錄媒體，以及擴展和收縮在重現(xiàn)層中形成的記錄區(qū)?？扇〉氖?，該光學裝置包含一具有纖芯、第一包層和第二包層的光纖。纖芯具有第一折射率。第一包層圍繞纖芯形成并具有比第一折射率小的第二折射率。第二包層圍繞第一包層形成并具有比第二折射率小的第三折射率?？扇〉氖?，光學裝置包含第一光纖和第二光纖。第一光纖具有第一纖芯和第一包層。第一纖芯具有第一直徑和第一折射率。第一包層圍繞第一纖芯形成并具有比第一折射率小的第二折射率。第二光纖具有第二纖芯和第二包層。第二包層具有大于第一直徑的第二直徑以及第三折射率。第二包層圍繞第二纖芯形成并具有小于第三折射率的第四折射率。可取的是，光學裝置包含一固體浸沒透鏡、物鏡和光學系統(tǒng)，固體浸沒透鏡包含一端面和與該端面相對的曲面。物鏡配置在固體浸沒透鏡的曲面?zhèn)炔⑴c固體浸沒透鏡同軸。該光學系統(tǒng)形成具有第一直徑的第一激光束和具有大于第一直徑的第二直徑的第二激光束，并使它們同軸入射到物鏡?？扇〉氖侵噩F(xiàn)裝置還包含繞射光柵元件，用于將直接來自激光裝置的激光束透過以及將由光學裝置接收的激光束繞射朝向檢測器。繞射光柵元件最好還包括一全息圖板。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種利用磁光記錄媒體的重現(xiàn)方法，用于使由具有一記錄層和沿預定方向磁化的重現(xiàn)層的磁光記錄媒體產(chǎn)生的信號重視，該方法包含的步驟有用激光束照射磁光記錄媒體，該激光束按由每個具有不同光束直徑的第一和第二光強分布形成的復合光強分布；將交變磁場施加到磁光記錄媒體上以便使當利用激光束照射磁光記錄媒體時在重現(xiàn)層中形成的區(qū)域擴展和收縮，以及檢測由磁光記錄媒體反射的激光束?？扇〉氖牵瑱z測步驟包含當根據(jù)由磁光記錄媒體反射的激光束的光強形成的信號為最大重現(xiàn)信號時檢測激光束。更為可取的是，檢測步驟包含在施加磁場的時刻檢測激光束，所說磁場方向與所說使重現(xiàn)層磁化的預定方向相反。根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，磁光記錄媒體包含一基片、一個記錄層和一個重現(xiàn)層。記錄層位于基片上，是由磁性材料形成的。重現(xiàn)層位于在記錄層上，由磁性材料形成?？扇〉氖?，磁光記錄媒體包含由非磁性材料形成并位于記錄層和重現(xiàn)層之間的中間層?？扇〉氖?，重現(xiàn)層中的一穩(wěn)定的區(qū)域的最小尺寸大于記錄層中相應的區(qū)域尺寸。由于采用具有與磁光記錄媒體而不是與物鏡鄰近的一個端面的光學裝置，以便利用激光束照射磁光記錄媒體，使采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置微型化。此外，重現(xiàn)裝置將記錄層中的一個區(qū)域狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層，并擴展該經(jīng)轉(zhuǎn)移的區(qū)域大小以產(chǎn)生一個信號，使得重現(xiàn)信號的強度提高，因而可以得到足夠高的C/N比。此外，采用一所謂的多包層的階狀分布折射率的光纖作為在重現(xiàn)裝置中的光學裝置，以便利用激光束照射磁光記錄媒體。因此，僅在中心的光束光點的光強明顯增加，記錄層內(nèi)僅有預期的區(qū)域狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層，因而，可以得到精確的重現(xiàn)信號。另外，將一所謂的單包層的階狀分布折射率的光纖和一具有比該另一光纖更大纖芯的單包層階狀分布折射率光纖用作在重現(xiàn)裝置中的光學裝置，以便利激光束照射磁光記錄媒體。因此，僅在中心的激光光點的光強明顯增加，從而可以得到精確的重現(xiàn)信號。另外，將一固體浸沒透鏡用作在重現(xiàn)裝置中的光學裝置，以便使兩個直徑不同的激光束同軸入射到物鏡上。因此，僅在中心的光束光點的光強明顯增加，因而可以得到精確的重現(xiàn)信號。此外，重現(xiàn)裝置使用一全息圖板，以便使直接來自激光裝置的激光束透過，并使由磁光記錄媒體反射的激光束產(chǎn)生繞射。因此，激光裝置和檢測器可以配置在同一平面內(nèi)，這樣就可以減小由激光裝置和檢測器形成的光學系統(tǒng)的尺寸。根據(jù)利用磁光記錄媒體的重現(xiàn)方法，在施加磁場的時刻檢測由被擴展的區(qū)域反射的激光束，磁場方向與使重現(xiàn)層起始磁化的方向相反，因此可以得到足夠強的重現(xiàn)信號。此外，由于記錄層和重現(xiàn)層依次位于磁光記錄媒體的基片側(cè)，激光束可以從與基片相反的一側(cè)照射。這樣就使光纖或類似物的端面能更接近記錄層配置，能由較小的記錄區(qū)域重現(xiàn)信號。通過結(jié)合附圖對本發(fā)明的如下詳細介紹，將會使本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點和各個方面變得更明顯。圖1表示適用于根據(jù)本發(fā)明的第一實施例重現(xiàn)裝置的磁光記錄媒體的一個實例。圖2表示磁光記錄媒體的另一實例的斷面。圖3表示根據(jù)第一實施例以及根據(jù)它的重現(xiàn)原理的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)。圖4A表示圖3中所示光纖的折射率，圖4B表示光纖結(jié)構(gòu)的一斷面，圖4C表示由光纖發(fā)出的激光束的光強分布。圖5A和5B分別是表示圖3中所示的接收/發(fā)送單元結(jié)構(gòu)的前視圖和底視圖。圖6是表示圖3中所示的重現(xiàn)裝置的重現(xiàn)過程的示意圖。圖7是表示圖1所示磁光記錄媒體的一區(qū)域的狀態(tài)轉(zhuǎn)移和擴展的示意圖。圖8A-8D是用于介紹圖2所示磁光記錄媒體的重現(xiàn)原理的實施步驟的示意圖。圖9表示磁光記錄媒體連同它的重現(xiàn)原理的又一個實例。圖10A和10B是表示施加的磁場和在圖3所示的重現(xiàn)裝置得到的重現(xiàn)信號波形圖。圖11A和11B表示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的磁光記錄媒體的結(jié)構(gòu)連同它的重現(xiàn)原理。圖12表示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)。圖13表示通過圖12中所示固體浸沒透鏡和物鏡的光路徑。圖14A更具體地表示透過圖13中所示的固體浸沒透鏡的激光束的光路徑，圖14B表示在圖14A中A-A’平面中的激光束的光強分布。圖15表示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)。下面參照附圖具體介紹本發(fā)明的各實施例。在各圖中的相同或相應部分使用相同的參考符號標注，對它們不重復介紹。第一實施例首先介紹適用于根據(jù)本發(fā)明第一實施例的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置的磁光記錄媒體的結(jié)構(gòu)。參閱圖1，磁光記錄媒體10包含，透明基片1，在透明基片1上形成的記錄層2、在記錄層2上形成的重現(xiàn)層4以及在重現(xiàn)層4上形成的保護層5。透明基片1由玻璃、聚碳酸酯之類制成。記錄層2由磁性材料例如TbFeCo制成。重現(xiàn)層4由磁性材料例如GdFeCo制成。保護層5由透明絕緣材料例如SiN制成。記錄層2、重現(xiàn)層4和保護層5依次通過磁控管濺射涂敷形成。記錄層2膜厚為500到3000埃，重現(xiàn)層4膜厚為50到1000埃，保護層5膜厚為180到220埃。磁光記錄媒體10中記錄層2接近透明基片1、重現(xiàn)層4接近保護層5。因此，由保護層5側(cè)而不是由透明基片1側(cè)提供用于記錄和重現(xiàn)的照射激光束。應當指出，記錄層2并不限于上述TbFeCo，可以是由Tb、Dy和Nd和Fe、Co和Ni中間選擇出的一種成分制成的單層或多層磁膜，或者是由Pt和Pd中的一種元素以及在Fe、Co和Ni中間選擇的一種成分制成的單層或多層磁膜。重現(xiàn)層4不限于上述的GdFeCo，可以是由GdFe、GdCo和TbCo中間或由Ho、Gd、Tb和Dy中間選擇的一種成分、或由Fe、Co和Ni中間選擇的一種成分制成的磁膜。此外，如在圖2中所示的磁光記錄媒體中，可以在記錄層2和重現(xiàn)層4之間夾入中間層3。中間層3由非磁性材料(即一種絕緣材料)制成，例如由SiN、AlN、TiN、SiO2、Al2O3、SiC、TiC、ZnO、SiAlON、ITO(氧化銦錫)和SnO2制成，并且膜厚為30到300埃。通過夾入中間層3，如后所述可以在重現(xiàn)層4內(nèi)在放大和重現(xiàn)的區(qū)域內(nèi)形成一具有穩(wěn)定形狀的區(qū)域。希望重現(xiàn)層4中的穩(wěn)定區(qū)域的最小尺寸大于記錄層中的對應尺寸，由于該過程不需要放大由記錄層2向重現(xiàn)層4狀態(tài)轉(zhuǎn)移的一個區(qū)域，相應地對于磁光記錄媒體10或11施加交變磁場的要求可以取消。具有大的穩(wěn)定區(qū)域最小尺寸的磁性材料可適用于或者由磁光記錄媒體10或者由磁光記錄媒體11構(gòu)成的重現(xiàn)層4。下面介紹用于重現(xiàn)由磁光記錄媒體10或11形成的信號的根據(jù)本發(fā)明第一實施例的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)。參閱圖3，重現(xiàn)裝置包含接收/發(fā)送單元6、光纖7和磁頭9。光纖7的端面77配置鄰近磁光記錄媒體10。端面77和磁光記錄媒體10的表面之間的距離例如為0.2微米(容差±0.1微米)。發(fā)送/接收單元6配置在光纖7的端面78側(cè)，包含半導體激光器6a、光電檢測器6b和一全息圖板6c。半導體激光器6a形成波長為635納米(容差±15納米)或波長680納米(容差±15納米)的振蕩激光束，將其提供到光纖7的端面78。光檢測器6b接近半導體激光器6a配置并接收來自光纖7的端面78的激光束。該全息圖板6c包含一個玻璃基片和在玻璃基片上形成的全息圖，將入射的激光束分成為0級的，±10級的，……±n級的繞射光束。因此，由半導體激光器6a照射的激光束中的0級繞射光束(即直接通過該全息圖板6c透射而未繞射的光束)透過該全息圖板6c進入光纖的端面78。同時，由光纖7的端面78照射和經(jīng)過全息圖板6c透射的激光束中的+1級的或-1級的繞射光束輸入光電檢測器6b。光纖7接收來自半導體激光器6a經(jīng)過端面78的激光束，將激光束沿圖中的UM方向進行導向，激光束經(jīng)過端面77照射磁光記錄媒體10。光纖7還經(jīng)過端面77接收由磁光記錄媒體10反射的激光束，將激光束沿圖中的MU方向進行導向，激光束經(jīng)過端面78照射全息圖板6c。僅讓沿特定方向反射的激光束透過的偏振式濾光片8形成在光纖7中。在這一實例中，偏振式濾式片8的構(gòu)成僅讓沿與該圖平面垂直的方向反射的激光束透過。半導體激光器6a的配置使得由其照射的激光束沿與該圖平面垂直的方向產(chǎn)生偏振。因此，由半導體6a照射的激光束將不含由偏振式濾光片8所阻擋。磁頭9包括電磁線圈9a和用于向電磁線圈9a提供交變電流的磁頭驅(qū)動電路9b。因此，電磁式磁頭9向磁光記錄媒體10施加交變磁場AF，將根據(jù)在記錄層2中的記錄區(qū)21狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層中的一個區(qū)域擴展，因此形成一大于記錄區(qū)21的區(qū)域41并使之收縮。交變磁場AF的強度范圍從50到300奧斯特。交變磁場AF的脈沖寬度AF范圍從20到500納秒。光纖7如圖4所示是一多包層的階狀分布折射單光纖，包括折射率為n1(例如1.50到1.70)的纖芯7c、圍繞纖芯7c形成的具有折射率n2(例如1.45到1.65)的內(nèi)圓環(huán)形包層7b，以及圍繞內(nèi)圓環(huán)形包層7b形成的具有折射率n3(例如1.40到1.60)的外圓環(huán)形包層7a。折射率n3小于折射率n2，折射率n2小于折射率n1。適用于纖芯7c、內(nèi)圓環(huán)形包層7b和外圓環(huán)形包層7a的材料是多種成分的玻璃、塑料和含有Na2O、CaO和GeO的(每一種具有彼此不同成分比)SiO2的類似物。此外，希望光纖7的端部帶有圓錐部分79，即光纖7端部直徑小于光纖7主體直徑。在這一實例中，內(nèi)圓環(huán)形包層7b的直徑為0.1微米(容差±0.05微米)。主體直徑300微米(容差±100微米)。對于如上所的光纖7，激光束通過纖芯7c以及內(nèi)圓環(huán)包層7b行進。通過纖芯7c行進的激光束在磁光記錄媒體10上形成一激光光點，具有狹窄光束直徑W1的陡度光強分布，如圖4C所示。同時，通過內(nèi)圓環(huán)形包層7b行進的激光束在磁光記錄媒體10上形成一光束光點，它具有寬的光束直徑W2平緩的光強分布，如圖4C所示。因此，這些光強分布的復合光強分布僅在光束中心的光強是極高的。在發(fā)送/接收單元6中，在同一平面內(nèi)配置半導體激光器6a和光電檢測器6b，如圖5A所示。偏振型濾光片6d安裝在光電檢測器6b中的光接收表面上，其透過+一級的式-一級的繞射光束L211中的P偏振分量和S偏振分量。發(fā)送/接收單元6具有3個缺口K1-K3，按間隔90°分布構(gòu)成。半導體激光器6a的配置使半導體激光器6a的發(fā)射點61位于線K2-K3上。建立如下方程(1)和(2)Sinθ＝λ/p…(1)Z1＝Ltanθ…(2)其中L代表半導體激光器6a和該全息圖板6C之間的距離，P代表細微波紋結(jié)構(gòu)(在圖上用豎直的色條表示的)間距，該結(jié)構(gòu)形成該全息圖板6C上的全息圖，θ代表由該全息圖板6C形成的±一級的繞射角，入代表激光束的波長，Z1代表半導體激光器和光電檢測器6b之間的距離。進而，由方向(1)和(2)建立如下方向(3)Z1＝Lλ/(P2-λ2)1/2…(3)因此，當激光束的波長入增加時，由該全息圖板6C形成的±一級的繞射角θ也增加。所以，半導體激光器6a和光電檢測器6b之間的距離Z1也增加。距離Z1還隨半導體激光器6a和該全息圖板6c之間的距離L變化。因而，表1以該全息圖板6c的間距P和在半導體激光器6a與該全息圖反6c之間的距離L作為參數(shù)，表示了所計算的半導體激光器6a和光電檢測器6b之間的距離Z1。當對于635納米的激光束波長，間距P的范圍從1.5到35微米以及距離L的范圍從3到25毫米時，距離Z1范圍從0.45到2.2毫米。因而，這里將距離Z1范圍設定從0.45到2.2毫米，距離L范圍設定從3到25毫米。表1</tables>表1還表示了采用能提供波長680納米的激光束(振蕩)的激光器6a時的半導體激光器6a和光檢測器6b之間的距離Z2。當該全息圖板6c的間距P的范圍從1.5到35微米和半導體激光器6a和該全息圖板6c之間的距離L范圍從3到25納米時，距離Z2的范圍從0.48到2.3毫米。所以，在這一實例中的距離Z2設定范圍為從0.48到2.3毫米，距離L的設定范圍為從3到25毫米。雖然，該全息圖板6c在發(fā)送/接收單元6中的配置是該全息圖板6c與半導體激光器6a和光電檢測器6b成一整體，但該全息圖板6c可以與發(fā)送/接收單元6分開配置。雖然，如圖5A中所示發(fā)送/接收單元6裝有該全息圖板6C，在光纖的端面78和半導體激光器6a之間可以設有一半反射鏡，以便反射由磁光記錄媒體10反射的激光束L21，這樣激光束L21就與光電檢測器6b垂直。下面介紹按照上述構(gòu)成的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置的工作情況。如圖6中所示，由發(fā)送/接收單元6在半導體激光器6a照射的波長635納米的激光束沿與該圖平面垂直的方向被反射，傳播輸入到該全息圖板6c。入射在該全息圖板6c上的激光光束在該全息圖板6c處產(chǎn)生繞射并分成0級的，±一極的，…±n級的繞射光束。0級的繞射直接透過該全息圖板6c，在該全息圖板6c沒有形成繞射，并進入光纖7的端面78。由于從半導體激光器6a照射的激光束沿與該圖的平面垂直的方向被反射，通過在光纖7中的偏振型濾光片8。因此，入射到纖芯7c上的激光束L1通過纖芯7C行進，并由端面77向磁光記錄媒體10照射。同時，入射在內(nèi)圓環(huán)形包層7b上的激光束L2通過內(nèi)圓環(huán)形包層7b行進，并由端面77向磁光記錄媒體10照射。通過纖芯7C行進的激光束L1形成按陡變光強分布的光束光點，如圖4C中所示，光點的直徑為600埃(容差±200埃)，幾乎與在記錄層2中的記錄區(qū)21的尺寸相同。因此，照射在磁光記錄媒體10上的激光束L1僅使記錄區(qū)21的該區(qū)域的溫度上升到預定的溫度或者更高。當記錄區(qū)21的溫度超過預定溫度時，在記錄層2中的記錄區(qū)21狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4，在重現(xiàn)層4中形成尺寸與記錄區(qū)21大約相同的區(qū)域41，如圖7所示。區(qū)域40的磁化方向與記錄區(qū)21的磁化方向相同。當由磁頭9施加的交變磁場AF的方向與該被轉(zhuǎn)移的區(qū)域40磁化方向40a相同時，區(qū)域40在磁光記錄媒體的平面內(nèi)擴展形成大于記錄區(qū)21的區(qū)域41。激光束L1中通過纖芯7C行進的激光束部分L11由擴展的區(qū)域41所反射，向外散射，不會返回到光纖7的端面77。同時激光束L2中通過內(nèi)圓環(huán)形包層7b行進的激光束L21由擴展的區(qū)域41所反射，沒有向外散射，將返回到光纖7的端面77。因此，入射在端面77上的激光束L21沿相反的方向行進通過纖芯7C和內(nèi)圓環(huán)形7b。由于在擴展的區(qū)域41反射的激光束L21的偏振面因克耳效應稍微旋轉(zhuǎn)，偏振型濾光片8僅讓沿相反方向即沿與偏振型濾光片8的偏振方向相同的方向行進通過纖芯7C和內(nèi)圓環(huán)形包層7b的激光束L21中的偏振分量透過。透過偏振型濾波器8的激光束L21由光纖7的端面78朝該全息圖板6C照射，以使激光束L21中的十一級的或一一級的繞射光束經(jīng)過偏振型濾光片6d入射到光電檢測器6b上。光電檢測器6b根據(jù)入射的繞射光線L211重現(xiàn)信號。由于克耳旋轉(zhuǎn)角按照重現(xiàn)層4的磁化方向變化，故重現(xiàn)的信號按照重現(xiàn)層4的磁化方向變化。當在檢測重現(xiàn)信號之后交變磁場AF的方向與磁化方向40a相反時，被擴展的區(qū)域41收縮。如上所述的重現(xiàn)過程使得由記錄層2中的記錄區(qū)連續(xù)地重現(xiàn)信號。為了得到具有高C/N比的重現(xiàn)信號，應當在重現(xiàn)層2中的一區(qū)域擴展時，由該區(qū)域重現(xiàn)信號。如圖7所示，在由記錄層2狀態(tài)轉(zhuǎn)移到區(qū)域21之前，將重現(xiàn)層4沿一預定的方向磁化(在這一實例中，沿圖中向下的方向)。當為了使在記錄層2中記錄區(qū)21狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4中的區(qū)域，通過改變耦合磁化方向21a以及交變磁場AF的方向與磁化方向40a相同時，區(qū)域40擴展到區(qū)域41。因此，為了得到最大的重現(xiàn)信號，當交變磁場AF沿與重現(xiàn)層4的起始磁化方向相反的方向(即在圖中向上的方向)施加時，光電檢測器僅需檢測由磁光記錄媒體10反射的激光束L21。在重現(xiàn)來自按照磁化方向21a的記錄區(qū)22(對于記錄區(qū)21按相反的磁化方向22a)的信號時，由于重現(xiàn)層4的起始磁化方向與需重現(xiàn)的區(qū)域22的磁化方向22a相同，記錄層實際上已被狀態(tài)轉(zhuǎn)移和擴展。因此，僅相對于沿與重現(xiàn)層4的起始磁化方向相反的方向被磁化的記錄區(qū)，觀測到磁化的狀態(tài)轉(zhuǎn)移擴展和消磁。所以，當交變磁場AF沿與重現(xiàn)層4的起始磁化方向相反的方向施加時，光電檢測器6b僅需檢測由磁化記錄媒體10反射的激光束L21。應指出，由于重現(xiàn)層4的起始磁化方向與圖7所示相反，當由記錄區(qū)22重現(xiàn)信號時，觀測到磁化的狀態(tài)轉(zhuǎn)移和區(qū)域的擴展。因此，為得到最大重現(xiàn)信號，當交變磁場AF沿與記錄區(qū)22的磁化方向相同的方向施加時，光電檢測器6b僅需檢測由磁光記錄媒體10反射的激光束L21。上文所述介紹是關于由圖1所示的磁光記錄媒體10重現(xiàn)信號。下文所作介紹是關于由圖2所示的磁光記錄媒體10重現(xiàn)信號。如在圖8A中所示，重現(xiàn)層4沿一預定的方向(即在圖中向上或向下的方向)被磁化。如圖8B中所示，當按照陡變溫度分布的激光束照射磁光記錄媒體11時，在記錄區(qū)21中的磁化方向21a按照照射的位置轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4上，形成磁化方向與起始磁化方向相反的的區(qū)域40。由于非磁性的中間層3形成在記錄層2和重現(xiàn)層4之間、根據(jù)靜磁耦合而不是擴展耦合形成轉(zhuǎn)移。如圖8C所示，當交變磁場AF的方向與在區(qū)域40中的磁化方向相同時，如圖8C所示，區(qū)域40擴展形成區(qū)域41，其大于記錄區(qū)21。利用光電檢測器6b檢測由擴展的區(qū)域41反射的激光束L21，產(chǎn)生重現(xiàn)的信號。應當指出，由于中間層3形成在記錄層2和重現(xiàn)層4之間，區(qū)域41中的磁疇壁不是由記錄區(qū)22固定的(區(qū)域22鄰近記錄區(qū)21并具有相反的磁化方向)。因此，區(qū)域可以在比沒有中間層3的磁光記錄媒體10中更穩(wěn)定地擴展。于是，如圖8D中所示，當交變磁場AF的方向與重現(xiàn)層4的起始磁化方向相同時，被擴展的區(qū)域41收縮。對于由基片1側(cè)依次形成的如圖1和2中所示的磁光記錄媒體10和11中的記錄層2和重現(xiàn)層4，由相反的保護層5這一側(cè)照射激光束，由于從薄的保護層5這一側(cè)照射激光束，使得光纖7的端面77能比由厚的基片側(cè)1照射激光束，配置得更靠近磁光記錄媒體10和11中的記錄層2和重現(xiàn)層4。然而如圖9所示，由基片側(cè)1依次形成有重現(xiàn)層4和記錄層2的磁光記錄媒體12也可以利用重現(xiàn)裝置進行重現(xiàn)。磁光記錄媒體12具有在基片1和重現(xiàn)層4之間由SiN之類形成的光干涉層15，以便增強重現(xiàn)信號。一由AlTi或類似物構(gòu)成的屏蔽層16形成在中間層3和記錄層2之間，用以將記錄層2與重現(xiàn)層4更完全地隔開。按照第一實施例，光纖7具有鄰近磁光記錄媒體10配置的端面77，光纖7經(jīng)過端面77利用激光進行照射。因此，即使來自很小的記錄區(qū)例如600埃的信號，也能夠精確地重現(xiàn)。此外，由于將交變磁場AF施加到記錄媒體10，由記錄層2向重現(xiàn)層4狀態(tài)轉(zhuǎn)移形成的區(qū)域40被擴展，由經(jīng)擴展的區(qū)域41重現(xiàn)信號。因而，可以得到強的重現(xiàn)信號。當沒有施加交變磁場時(H＝0)，如圖10A所示，所得到的重現(xiàn)信號是極小的，相反，當施加交變磁場時，如圖10B所示可以得到強的重現(xiàn)信號。此外，由于光纖7是一多色層的階狀分布折射率的光纖，行進通過纖芯7C的激光束L1的光強分布具有陡度的形狀，因此僅有極小的記錄區(qū)21可以狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4。所以可以得到精確的重現(xiàn)信號。由于裝有全息圖板6C，用于對由磁光記錄媒體反射的激光束進行繞射，半導體激光器6a和光電檢測器6b可以配置在同一平面。此外，由于使用將半導體激光器6a，光電檢測器和該全息圖板6c一起整體裝入發(fā)送/接收單元6，使得整個重現(xiàn)裝置的尺寸能夠減小。第二實施例上述單一光纖7可以由圖11A和11B中所示的雙光纖61和62替換。光纖61利用激光束照射磁光記錄媒體10，用以狀態(tài)轉(zhuǎn)移和擴展一個區(qū)域。光纖62利用激光束照射磁光記錄媒體10，并且還接收由磁光記錄媒體10反射的激光束。用于照射的光纖61具有折射率范圍從1.50至1.70的纖芯61c、圍繞纖芯61形成的且折射率范圍從1.40到1.60的包層61a。包層61a的折射率小于纖芯61C的折射率。因此，光纖61是單包層的具有階狀分布折射率的光纖。用于接收的光纖62具有折射率范圍為從1.50到1.70的纖芯62b和圍繞纖芯62b形成的且折射率范圍從1.40到1.60的包層62a。包層62a的折射率小于纖芯62b的折射率。因此，光纖62也是一單包層的具有階狀折射率的光纖。接收光纖62的纖芯62b的直徑大于照射光纖61的纖芯61c的直徑。因此，光纖61發(fā)射具有陡變光強分布13、和具有較小光束直徑W1的激光束L1，如圖4C中所示。光纖62發(fā)射具有寬的光強分布、和具有較大光束直徑W2的激光束，如圖4C中所示。下面介紹采用如上所述的兩條光纖61和62的重現(xiàn)裝置的重現(xiàn)過程。如圖11A所示，當激光束L1行進通過光纖61中的纖芯61c，然后經(jīng)過端面661照射到磁光記錄媒體10時；僅在記錄層2中的記錄區(qū)21的溫度升高至少達到一預定溫度，通過改變耦合記錄區(qū)21狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4，形成一區(qū)域40，利用交變磁場AF擴展成區(qū)域41。如圖11B所示，當區(qū)域40擴展到區(qū)域41時，磁光記錄媒體10旋轉(zhuǎn)，因此，區(qū)域40(41)移動到光纖62之下。所以，擴展的區(qū)域41由行進通過光纖62中的纖芯62b和經(jīng)過端面662的激光來照射。照射到擴展的區(qū)域41的激光束L2中的被反射的激光束L22返回到光纖62的端面662并由光電探測器6b檢測，如在第一實施例中一樣。如上所述通過改變磁場AF使經(jīng)擴展的區(qū)域41收縮。第三實施例根據(jù)本發(fā)明第三實施例采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置包括固體浸沒透鏡80、物鏡81、半導體激光器透鏡82、準直透鏡83、半導體激光器84、準直透鏡85、半反射鏡86、光電檢測器87和磁頭88。固體浸沒透鏡80中的平面部分80a鄰近磁光記錄媒體10，還有與平面部分80a相反的球面部分80b。物鏡81配置在固體浸沒透鏡80的曲面部分80b的一側(cè)，令固體浸沒透鏡80的光軸與物鏡80的光軸相一致。半導體激光器82提供波長為635納米的振蕩激光束。準直透鏡83根據(jù)由半導體激光器82照射的激光束形成平行的激光束L81。準直透鏡85根據(jù)由半導體激光器84照射的激光束形成平行的激光束L82。激光束L82的直徑D82大于激光束L81的直徑D81。半反射鏡81將激光束L81和L82復合，以使激光束L81和L82同軸入射到物鏡81上。光電檢測器87接收由磁光記錄媒體10反射的并透過固體浸沒透鏡80和物鏡81的激光束。磁頭88向磁光記錄媒體10施加交變磁場AF，使在磁光記錄媒體10中的重現(xiàn)層4中形成的一個區(qū)域擴展和收縮。該重現(xiàn)裝置還包含一半反射鏡89，渥拉斯頓棱鏡90、會聚透鏡91和差分放大器92。半反射鏡89使來自準直透鏡83的激光束81直接透過并且將由磁光記錄媒體10反射的激光束朝光電檢測器87反射。渥拉斯頓棱鏡90將由半反射鏡89反射的激光束分成為P偏振分量和S偏振分量以及由S和P偏振分量復合的激光束。會聚透鏡91將通過渥拉斯頓棱鏡90的激光束會聚到光電檢測器87上。差分放大器92根據(jù)由光電檢測器87依據(jù)P偏振分量產(chǎn)生的一個信號，以及由光電檢測器87依據(jù)S偏振分量產(chǎn)生的一個信號產(chǎn)生一個重現(xiàn)信號。應注意，光電檢測器87還根據(jù)由S和P偏振分量復合的激光束產(chǎn)生一用于聚焦控制或跟蹤控制的誤差信號。下面將介紹按照如上所述構(gòu)成的重現(xiàn)裝置的重現(xiàn)過程。由半導體激光器82照射的激光束利用準直透鏡83使之平行，以便形成具有小直徑D81的激光束L81。同時，利用準直透鏡85使由半導體激光器84照射的激光束平行，以便形成具有大的直徑D82的激光束。激光束L81直接透過半反射鏡86，以便能使激光束L81入射到物鏡81上。同時，激光束L82由半反射鏡86反射，以使激光束L82能入射到物鏡81上。因此，由準直透鏡83和85以及半反射鏡86形成的光學系統(tǒng)形成直徑為D81的激光束L81和其直徑D82大于直徑D81的激光束L82，以使激光束L81和L82能同軸入射到物鏡81上。如圖13所示，由于具有不同直徑的兩個激光束L81和L82輸入到物鏡81，兩個激光束L81和L82每個各按不同的角度入射到固體浸沒透鏡80的球面上。因此，由固體浸沒透鏡80形成的激光束L81的光點直徑大于由固體浸沒透鏡80形成的激光束L82的光點直徑，如圖14A所示。所以，在圖14A中的平面A-A’中的激光束L81和L82的復合光強分布與在圖14B中所示的一樣。這種光強分布與在圖14C中所示的相似。在中心的激光束的光雖明顯大于在外圓周處的光強。接著，來自物鏡81的激光束進一步會聚，僅例如不大于0.1微米的極小的記錄區(qū)可以狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層4。此外，由于利用磁頭88將交變磁場AF施加到磁光記錄媒體10，在重現(xiàn)層4中形成的一個區(qū)域被擴展，利用具有寬的光強分布的激光束L81照射該經(jīng)擴展的區(qū)域。因此，正像第一和第二實施例中一樣，由光電檢測器87檢測的重現(xiàn)信號的強度增加。第四實施例如圖15所示，根據(jù)本發(fā)明第四實施例的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置包含第三實施例的結(jié)構(gòu)加上分光鏡93、準直透鏡94以及反射鏡95和96。然而應當注意，該裝置沒有裝沒如圖12所示的半導體激光器84，僅裝有單一的半導體激光器82。準直透鏡94替代圖12中所示的準直透鏡85。雖然，半反射鏡86和89的配置與圖12中所示的相反，但在第四實施例中的半反射鏡86和89也可以按照圖12中所示方式配置。分光鏡93將由半導體激光器82照射的激光束通過直接透過該激光束以及垂直反射該激光束而分成兩部分。準直透鏡83根據(jù)直接透過分光鏡93的激光束形成具有小直徑D81的激光束L81。準直透鏡94根據(jù)由分光鏡93垂直反射的激光束形成具有大直徑D82的激光束L82。反射鏡95垂直反射來自準直透鏡94的激光束L82，反射鏡96還將由反射鏡95垂直反射的激光束垂直反射朝向半反射鏡86。因此，由準直透鏡83和94、半反射鏡86、分光鏡93和反射鏡95和96組成的光學系統(tǒng)形成小直徑D81的激光束L81和其直徑D82大于直徑D81的激光束L82，并且使激光束L81和L82同軸入射到物鏡81上。在按照上述構(gòu)成的重現(xiàn)裝置中，由單一半導體激光器82照射的激光束利用分光鏡93分成兩部分，根據(jù)由分光鏡93垂直反射的激光束，準直透鏡94形成具有大直徑D82的激光束L82。因此，重現(xiàn)裝置取消了圖12中所示的半導體激光器84。應指出，希望光纖7的端面77或固體浸沒透鏡80的平面80a與磁光記錄媒體10、11和12之間的距離總是固定的，因此希望各磁跡形成在同一平面內(nèi)，而不是按島狀和槽狀類型形成。在這種情況下，用于跟蹤控制的信號可以預先記錄在磁光記錄媒體上，可以照射側(cè)向光束以及主光束，以便讀出用于進行跟蹤控制的記錄信號。上面詳細介紹了本發(fā)明，應清楚地理解，其僅作為示例和用于說明，并不是為了限定，本發(fā)明的構(gòu)思和范圍僅是由所提出的權(quán)利要求限定的。權(quán)利要求1.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，用于從具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含激光裝置，用于照射激光束；光學裝置，具有鄰近所述磁光記錄媒體的端面，用于利用來自所述激光裝置經(jīng)過所述端面的激光束照射所述磁光記錄媒體以及接收由所述磁光記錄媒體反射的經(jīng)過所述端面的激光束；檢測裝置，用于檢測由所述光學裝置接收的激光束；以及磁場施加裝置，用于將交變磁場施加到所述磁光記錄媒體，以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述的光學裝置包含一光纖、該光纖包含具有第一折射率的纖芯；圍繞所述纖芯形成的且具有小于所述第一折射率的第二折射率的第一包層；圍繞所述第一包層形成的且具有小于所述第二折射率的第三折射率的第二包層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述光學裝置包含第一光纖、包含具有第一直徑和第一折射率的第一纖芯、以及圍繞所述第一纖芯形成的且具有小于所述第一折射率的第二折射率的第一包層；第二光纖，包含具有大于所述第一直徑的第二直徑的以及第三折射率的第二包層，以及圍繞所述第二包層形成的且具有小于第三折射率的第四折射率的第二包層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述光學裝置包含固體浸沒透鏡，具有所述端面和與所述端面相反的曲面；物鏡，配置在所述固體浸沒透鏡的所述曲面?zhèn)?，與所述固體浸沒透鏡同軸；以及光學系統(tǒng)，形成具有第一直徑的第一激光束和具有大于所述第一直徑的第二直徑的第二激光束，并使所述第一和所述第二激光束同軸入射到所述物鏡上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述激光裝置包含第一激光器；以及第二激光器；以及所述光學系統(tǒng)包含第一透鏡，根據(jù)來自所述第一激光器的激光束形成所述第一激光束；第二透鏡，根據(jù)來自所述第二激光器的激光束形成所述第二激光束；以及光復合元件，用于復合所述第一激光束和所述第二激光束。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述激光裝置包含一個激光器；以及所述光學系統(tǒng)包含分光元件，用于將來自所述激光器的激光束分布兩個激光束；第一透鏡，根據(jù)由該激光束利用所述分光元件分出的一個激光束形成所述第一激光束；第二透鏡，根據(jù)由該激光束利用所述分光元件分出的另一激光束形成所述第二激光束；光復合裝置，用以復合所述第一激光光束和所述第二激光光束。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，還包含繞射裝置，用于將來自所述激光裝置的激光束直接透過，以及將由所述光學裝置的激光束朝向所述檢測裝置繞射。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中的繞射裝置包含一全息圖板。9.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，用于由具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含光纖，具有鄰近所述磁光記錄媒體的一個端面以及另一端面；一激光器，配置在所述光纖的另一端面，用于向所述光纖的另一端面提供激光束；光電檢測器，配置在所述光纖的另一端面，接收來自所述光纖的另一端面的激光束；及磁頭，用于向所述磁光記錄媒體施加變壓磁場，以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述的光纖包含具有第一折射率的纖芯；圍繞所述纖芯形成的且具有小于所述第一折射率的第二折射率的第一包層；以及圍繞所述第一包層形成的且具有小于所述第二折射率的第三折射率的第二包層。11.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，用于由具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含第一光纖，具有鄰近所述磁光記錄媒體的一個端面和另一端面；一激光器，配置在所述第一光纖的另一端面?zhèn)龋糜谙蛩龅谝还饫w的另一端面提供激光束；第二光纖，具有鄰近所述磁光記錄媒體的一個端面和另一端面；光電檢測器，配置在所述第二光纖的另一端面?zhèn)?，由所述第二光纖的另一端面接收激光束；以及磁頭，用于向所述磁光記錄媒體施加交變磁場，以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，其中所述第一光纖包含具有第一直徑和第一折射率的第一纖芯，以及圍繞所述纖芯形成的且具有小于所述第一折射率的第二折射率的第一纖芯；以及所述第二光纖包含具有大于第一直徑的第二直徑的和第三折射率的第二纖芯；以及圍繞所述第二纖芯形成的且具有小于第三折射率的第四折射率的第二包層。13.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，用于由具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含固體浸沒透鏡，具有鄰近所述磁光記錄媒體的一個平面和與所述平面相反的曲面；物鏡，配置在所述固體浸沒透鏡的曲面?zhèn)?，與所述固體浸沒透鏡同軸；激光器；光學系統(tǒng)，用于由來自所述激光器的激光束形成具有第一直徑的第一激光束以及具有大于所述第一直徑的第二直徑的第二激光束，且使所述第一和第二激光束同軸入射到所述物鏡上；光電檢測器，接收由所述磁光記錄媒體反射的和透過所述固體浸沒透鏡和所述物鏡的激光束；以及磁頭，用于向所述磁光記錄媒體施加交變磁場；以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域。14.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置，用于從具有記錄層和重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含固體浸沒透鏡，具有鄰近所述磁光記錄媒體的一個平面和與所述平面相反的曲面；物鏡，配置在所述固體浸沒透鏡的曲面?zhèn)?，與所述固體浸沒透鏡同軸；第一激光器；第一透鏡，根據(jù)來自所述第一激光器的激光束形成具有第一直徑的第一激光束；第二激光器；第二透鏡，根據(jù)來自所述第二激光器的激光束形成具有大于所述第一直徑的第二直徑的第二激光束；光學系統(tǒng)，用于使所述第一和第二激光束同軸入射到所述物鏡上；光學檢測器，接收由所述磁光記錄媒體反射的和透過所述固體浸沒透鏡和所述物鏡的激光束；以及磁頭，用于向所述磁光記錄媒體施加交變磁場，以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域。15.一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)方法，用于從具有記錄層和沿預定方向磁化的重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含的步驟有利用激光束照射所述磁光記錄媒體，該激光束具有按不同光束直徑的第一和第二光強分布形成的復合光強分布；當用所述激光束照射所述磁光記錄媒體時，向所述磁光記錄媒體施加交變磁場，以便擴展和收縮在所述重現(xiàn)層中形成的一個區(qū)域；以及檢測由所述磁光記錄媒體反射的激光束。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的利用磁光記錄媒體的重現(xiàn)方法，其中所述的檢測步驟包含當根據(jù)由所述磁光記錄媒體反射的激光束的光強的重現(xiàn)信號是最大的重現(xiàn)信號時，檢測所述激光束。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的利用磁光記錄媒體的重現(xiàn)方法，其中所述的檢測步驟包含當沿與所述預定方向相反的方向施加磁場時檢測所述激光束。18.一種利用磁光記錄媒體重現(xiàn)方法，用于從具有記錄層和沿預定第一方向磁化的重現(xiàn)層的磁光記錄媒體重現(xiàn)信號，包含的步驟有利用激光束照射所述磁光記錄媒體，該激光束具有按第一光束直徑的光強分布，以便將在所述記錄層中的一個區(qū)域狀態(tài)轉(zhuǎn)移到所述重現(xiàn)層；沿與所述第一方向相反的方向，向所述磁光記錄媒體施加磁場，以便擴展該狀態(tài)轉(zhuǎn)移到所述重現(xiàn)層中的一個區(qū)域；利用激光束照射所述磁光記錄媒體，該激光束具有按大于所述第一光束直徑的第二光束直徑的光強分布；當利用具有按所述第二光束直徑的光強分布的激光束照射所述磁光記錄媒體時，檢測由所述磁光記錄媒體反射的激光束；以及沿所述第一方向向所述磁光記錄媒體施加磁場，以便收縮在所述重現(xiàn)層中的所述擴展的區(qū)域。19.一種磁光記錄媒體，包含—基片；—記錄層，位于在所述基片上，由磁性材料構(gòu)成，以及—重現(xiàn)層，位于在所記錄層之上，由磁性材料構(gòu)成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的磁光記錄媒體，還包含位于所述記錄層和所述重現(xiàn)層之間由非磁性材料制成的中間層。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的磁光記錄媒體，其中所述重現(xiàn)層中的穩(wěn)定區(qū)域的最小尺寸大于所述記錄層中的穩(wěn)定區(qū)域的最小尺寸。全文摘要一種采用磁光記錄媒體的重現(xiàn)裝置,包含一多包層的階狀折射率的光纖;配置在光纖的一個端面?zhèn)鹊陌雽w激光器,用于向光纖的一個端面提供激光束;光電檢測器,配置在光纖的一端面?zhèn)?接收來自光纖的一個端面的激光束;以及磁頭,用于向磁光記錄媒體施加交變磁場。由于光纖的另一個端面鄰近磁光記錄媒體,即使來自一極小的記錄區(qū)也能精確重現(xiàn)信號。此外,由于交變磁場施加到磁光記錄媒體,由磁光記錄媒體中的記錄層狀態(tài)轉(zhuǎn)移到重現(xiàn)層上的區(qū)域被擴展,故可以由被擴展的區(qū)域得到強的重現(xiàn)信號。文檔編號G11B7/135GK1195166SQ97125779公開日1998年10月7日申請日期1997年12月2日優(yōu)先權(quán)日1996年12月2日發(fā)明者山口淳,鷲見聰,鈴木譽久,棚瀨健司申請人:三洋電機株式會社