專利名稱：測試光盤存儲介質(zhì)質(zhì)量的方法和裝置以及光盤介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以用于測試光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量的方法和裝置及一種光盤存儲介質(zhì)；更具體地說是涉及一種被提高了準(zhǔn)確性和可靠性的方法和裝置。
盤存儲介質(zhì)被分為兩類，磁盤和光盤如只讀光盤(CD)。由于光盤巨大的存儲容量，對其的需要正在快速地增加。


圖1A和1B所示為常規(guī)的光盤。這些磁盤的半徑L1為60mm，中心孔的直徑為15mm。圖1A顯示了一個已被預(yù)先記錄的光盤。如圖1A所示，光盤的記錄區(qū)包括一個導(dǎo)入起始點BLI，一個主存儲區(qū)起始點BPL，和一個導(dǎo)出起始點BLO。信息被寫入主存儲區(qū)起始點BPL與導(dǎo)出起始點BLO之間的主存儲區(qū)MSA內(nèi)。
圖1B顯示了一個常規(guī)的一次寫入的光盤，在其上面還沒有記錄信息。與圖1A中的光盤一樣，圖1B中的光盤也具有一個記錄區(qū)，當(dāng)信息被記錄到其上時，此信息被記錄在主存儲區(qū)MSA中。如圖1A和1B所示，記錄區(qū)的一個外部區(qū)域不用于存儲信息。其提供了一個對制造缺陷的裕量，因為由于所使用的制造技術(shù)，缺陷更容易出現(xiàn)在記錄區(qū)的外部區(qū)域中。
對磁盤和磁光盤而言，常規(guī)的質(zhì)量測試方法包括在盤的導(dǎo)入?yún)^(qū)或主存儲區(qū)中記錄信號，再現(xiàn)這些測試信號，并將測試信號與參考信號進(jìn)行比較以確定質(zhì)量。
這些方法已被應(yīng)用于光盤的質(zhì)量測試中。然而，不幸地是這些方法不能被應(yīng)用于所制造的每一種光盤。例如，一旦測試數(shù)據(jù)被寫入一個一次寫入的光盤中，則這張光盤失去了其作為商品的價值而不可使用了。因此，一般是從所制造的一組光盤中取出一些樣本并根據(jù)上述的方法進(jìn)行測試。
除了使得被取樣的光盤變成不可使用外，這些質(zhì)量測試技術(shù)還被證明是不準(zhǔn)確及不可靠的。因為被取樣的磁盤可能具有充分好的質(zhì)量而并不必然意味者其他那些沒被取樣的磁盤也具有充分高的質(zhì)量。所以，這些測試勢必會不準(zhǔn)確且不可靠。
這些光盤存儲介質(zhì)還受到額外的質(zhì)量測試。例如，通過監(jiān)控用一個激光束對光盤表面的掃描來用一個CCD攝影機顯示光盤的整個表面。使用顯示器對表面進(jìn)行可視地檢查。
其他的測試包括推壓/拉伸，串?dāng)_，和檢測導(dǎo)入起始點BLI，主存儲區(qū)起始點BPL，和導(dǎo)出起始點BLO的定位。
通過上述的測試過程，諸如導(dǎo)入起始點BLI，主存儲區(qū)起始點BPL，導(dǎo)出起始點BLO，軌跡和索引起始點，測試速度，軌跡間隔，彎曲偏差，翹曲偏差，光盤的厚度，角偏差，垂直偏差，光盤的半徑，和光盤中心孔的直徑等機械特征尺寸被檢測。除此之外，信號特征如徑向噪聲，聚焦噪聲，跟蹤信號的推壓/拉伸，數(shù)據(jù)載波模擬信號，和載波數(shù)字信號也被檢測。
本發(fā)明的一個目的是提供一種克服了上面所討論的缺陷和缺點的用于測試一個光盤的質(zhì)量的方法和裝置。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種提高了可靠性和準(zhǔn)確度的用于測試光盤質(zhì)量的方法和裝置。
本發(fā)明的另外一個目的是提供一種讓光盤既能被測試又能在測試之后依然可用的用于測試光盤的質(zhì)量的方法和裝置。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種克服了上述缺陷與缺點的光盤存儲介質(zhì)。
這些及其他的目的是通過提供一種用于測試光盤的質(zhì)量的方法來實現(xiàn)的，其包括再現(xiàn)上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域中的測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生一個測試信號，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地定位于主信息存儲區(qū)的外側(cè)；及根據(jù)上述再現(xiàn)的測試信號判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
這些及其他的目的還通過提供一種用于測試光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量的裝置來實現(xiàn)的，其包括一個用于再現(xiàn)上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域中的測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生一個測試信號的光學(xué)拾取器，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地定位于主信息存儲區(qū)的外側(cè)；及用于根據(jù)上述所再現(xiàn)的測試信號判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量的判斷裝置。
本發(fā)明的目的還通過提供一種光盤存儲介質(zhì)來實現(xiàn)，其包括一個主信息存儲區(qū)；和一個存儲了測試信號，環(huán)形地定位于主信息存儲區(qū)的外側(cè)的外部區(qū)域。
本發(fā)明的目的還通過提供一種記錄測試信號到一個光盤存儲介質(zhì)中的方法來實現(xiàn)，其包括將一個光學(xué)拾取器定位在上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域以產(chǎn)生一個測試信號，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地定位于主信息存儲區(qū)的外側(cè)；和記錄測試數(shù)據(jù)到上述外部區(qū)域中。
本發(fā)明的目的還通過提供一種記錄測試信號到一個光盤存儲介質(zhì)中的裝置來實現(xiàn)，其包括一個光學(xué)拾取器；一個控制裝置，用于定位該光學(xué)拾取器在上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地定位于主信息存儲區(qū)的外側(cè)，且通過使用上述光學(xué)拾取器記錄測試數(shù)據(jù)到上述外部區(qū)域中。
本發(fā)明的其他目的，特點，和特征；方法，操作，及結(jié)構(gòu)的相關(guān)元件的功能；部件的組合；和制造的經(jīng)濟(jì)性將從接下來對優(yōu)選實施例的詳細(xì)說明和附圖中被進(jìn)一步闡明，所有的附圖構(gòu)成了本說明書的一部分，其中各個圖中相似的標(biāo)識符指示了相對應(yīng)的部件。
本發(fā)明將從接下來給出的詳細(xì)說明和僅僅為了圖示而并不限制本發(fā)明的附圖中被完全地理解。其中圖A和1B所示為常規(guī)的光盤；圖2A和2B所示為根據(jù)本發(fā)明的光盤；圖3A和3B所示為根據(jù)本發(fā)明再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)的一種方法；圖4A和4B所示為根據(jù)本發(fā)明再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)的另一種方法；圖5A和5B所示為根據(jù)本發(fā)明再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)的另外的一種方法；圖6所示為用于記錄測試數(shù)據(jù)到一個光盤中并測試光盤質(zhì)量的裝置的方框圖；圖7所示為根據(jù)本發(fā)明用于記錄測試數(shù)據(jù)到一個光盤的方法的流程圖；圖8A和8B所示為根據(jù)本發(fā)明當(dāng)測試數(shù)據(jù)被寫入其中時光盤的信息狀態(tài)；圖9根據(jù)本發(fā)明用于測試光盤的質(zhì)量的方法的流程圖；圖10A所示為光盤上的槽模式和再現(xiàn)的槽模式信號之間的聯(lián)系；和圖10B所示為再現(xiàn)的模擬信號的一個樣例；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的用于記錄測試數(shù)據(jù)到一個光盤上并測試光盤的質(zhì)量的裝置(下文中簡稱為“光盤質(zhì)量測試裝置”)。如圖所示，光盤質(zhì)量測試裝置包括一個驅(qū)動單元31和一個拾取單元32。驅(qū)動單元31包括一個用于支撐將被使用的光盤31-1的托架31-2，一個用于夾住光盤31-1的夾具31-3，和一個用于旋轉(zhuǎn)光盤31-1的主軸電機31-4。拾取單元32包括一個用于寫信息到光盤3 1-1和從光盤31-1讀取信息的拾取器32-2。一個滑動電機32-1相對于光盤31-1徑向地移動拾取器32-2。
一個控制器36根據(jù)用戶的輸入和來自拾取單元32的聚焦誤差及跟蹤誤差通過一個伺服機構(gòu)37控制主軸電機和滑動電機32-1的運轉(zhuǎn)。當(dāng)用戶指示記錄測試數(shù)據(jù)到光盤31-1上時，控制器36把將被寫到光盤31-1上的測試數(shù)據(jù)提供到拾取單元32，并控制測試數(shù)據(jù)的記錄。
當(dāng)用戶指示進(jìn)行關(guān)于光盤的一次質(zhì)量測試時，控制器3 6控制拾取單元32以再現(xiàn)記錄在光盤31-1上的測試數(shù)據(jù)。拾取單元32輸出的再現(xiàn)信號被提供到一個RF放大器33和控制器36，而聚焦誤差和跟蹤誤差信號也被提供到控制器36。根據(jù)該聚焦誤差和跟蹤誤差信號和再現(xiàn)的信號，控制器36通過伺服機構(gòu)37控制滑動電機31-4。RF放大器33處理來自拾取單元32的再現(xiàn)信號并輸出被處理的用于MPEG處理的再現(xiàn)信號。被處理過的再現(xiàn)信號還被提供到一個比較器35。
比較器35比較處理過的再現(xiàn)信號和存儲在一個存儲器34中的預(yù)定數(shù)據(jù)。比較的結(jié)果被輸出到控制器36，其根據(jù)比較結(jié)果確定光盤31-1是優(yōu)質(zhì)還是劣質(zhì)。如果控制器36確定光盤31-1是劣質(zhì)時，控制器36驅(qū)動一個指示器38以通知用戶該光盤31-1為劣質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的光盤質(zhì)量測試裝置的操作將參照圖2A到9被詳細(xì)地說明。如圖2A和2B所示，根據(jù)本發(fā)明的光盤質(zhì)量測試裝置記錄測試數(shù)據(jù)STP到光盤，其包括已被預(yù)先記錄的光盤(圖2A)和寫入的(圖2B)光盤的外部區(qū)域中。此記錄操作將在下面參照圖6到8B被詳細(xì)的討論。
圖7所示為根據(jù)本發(fā)明用于記錄測試數(shù)據(jù)到一個光盤中的方法的流程圖。如圖所示，在步驟S10中，控制器36使光盤拾取單元32從光盤中讀取內(nèi)容表TOC數(shù)據(jù)。記錄在光盤中心附近的TOC數(shù)據(jù)指示了例如已被預(yù)先記錄的光盤中主存儲區(qū)的導(dǎo)入起始點，主存儲區(qū)，和主存儲區(qū)的導(dǎo)出起始點的位置。僅僅出于討論的目的，在光盤中記錄測試數(shù)據(jù)的方法將根據(jù)一個已被預(yù)先記錄的光盤進(jìn)行說明。然而，一個本領(lǐng)域?qū)I(yè)人員將會容易地理解此方法可應(yīng)用在，例如，一次寫入的光盤上的應(yīng)用。
在從拾取單元32接收TOC數(shù)據(jù)后，控制器36確定用戶是否已在步驟S20中選擇了一個測試數(shù)據(jù)記錄模式。如果測試數(shù)據(jù)記錄模式?jīng)]有被選中，則處理結(jié)束。否則，在步驟S30中，控制器36確定用戶是否選擇了一個由內(nèi)到外記錄模式。
如果在步驟S30中選擇了由內(nèi)到外記錄模式，則在步驟S40中，控制器36以任意已知的方式確定拾取器32-2的當(dāng)前位置，并根據(jù)TOC數(shù)據(jù)確定主存儲區(qū)的導(dǎo)出起始點BLO。接著，在步驟S50中，控制器36根據(jù)所檢測的拾取器32-2的當(dāng)前位置和所確定的主存儲區(qū)的導(dǎo)出起始點BLO的位置移動拾取器32-2到主存儲區(qū)的導(dǎo)出起始點。
在步驟S60中，控制器36使拾取單元32以一個如圖8A所示的由內(nèi)到外的方式記錄測試數(shù)據(jù)STP到光盤31-1中。測試數(shù)據(jù)能夠由用戶提供或是由控制器36存儲的預(yù)定數(shù)據(jù)。測試數(shù)據(jù)可以是一個預(yù)定的槽模式，一個預(yù)定的位模式，或一個預(yù)定的信號如一首知名的音樂作品。下文中將根據(jù)光盤的質(zhì)量測試更詳細(xì)的說明測試數(shù)據(jù)。
控制器36控制拾取器32-2跟蹤光盤并使其在徑向上從內(nèi)向外移動的同時，如圖8A所示，拾取器記錄一個測試數(shù)據(jù)的導(dǎo)入和測試數(shù)據(jù)。換句話說，在記錄測試數(shù)據(jù)期間，控制器36通過滑動電機32-1和伺服機構(gòu)37在光盤徑向向外的方向上移動拾取器32-2。另外，如圖8A所示，控制器36使拾取單元32在主存儲區(qū)的導(dǎo)出區(qū)之后的一個預(yù)定的徑向距離開始記錄測試數(shù)據(jù)STP的導(dǎo)入?yún)^(qū)以在主存儲區(qū)的導(dǎo)出和測試數(shù)據(jù)STP的導(dǎo)入之間產(chǎn)生一個緩沖區(qū)。
在記錄完測試數(shù)據(jù)之后，在步驟S70中控制器36更新光盤中的TOC數(shù)據(jù)以指示測試數(shù)據(jù)和其導(dǎo)入的位置。
如果在步驟S30中沒有選擇由內(nèi)到外記錄模式，則在步驟S80中，控制器36確定用戶是否選擇了由外到內(nèi)記錄模式。如果也沒有選擇由外到內(nèi)記錄模式，則處理返回步驟S30。否則，處理進(jìn)行到步驟S90。在步驟S90中，控制器36以任意已知的方式檢測拾取器32-2的當(dāng)前位置，并從TOC數(shù)據(jù)中確定記錄區(qū)末端的位置。接著在步驟S100中，控制器36移動拾取器32-2到記錄區(qū)的末端。
接下來在步驟S110中，控制器36使拾取單元32以一個圖8B中所示的由外到內(nèi)模式記錄測試數(shù)據(jù)到光盤中。如圖8B所示，測試數(shù)據(jù)STP從記錄區(qū)的末端開始徑向向內(nèi)地朝光盤的中心記錄。具體地說，如圖8B所示，測試數(shù)據(jù)STP的一個導(dǎo)入?yún)^(qū)先被記錄，然后記錄的是測試數(shù)據(jù)STP，最后記錄的是測試數(shù)據(jù)STP的一個導(dǎo)出。測試數(shù)據(jù)STP的導(dǎo)出被記錄在主存儲區(qū)的導(dǎo)出的開始處足夠前處以在主存儲區(qū)的導(dǎo)出和測試數(shù)據(jù)STP的導(dǎo)出之間留出一個緩沖區(qū)。當(dāng)從外到內(nèi)記錄測試數(shù)據(jù)時，控制器一邊跟蹤光盤一邊沿徑向向光盤的中心移動拾取器32-2。
在步驟S110中記錄完測試數(shù)據(jù)之后，處理進(jìn)行到步驟S70。在步驟S70中，控制器36更新光盤中的TOC數(shù)據(jù)以指示測試數(shù)據(jù)和其導(dǎo)入和導(dǎo)出的位置。
現(xiàn)在將根據(jù)圖3A到圖6以及圖9說明根據(jù)本發(fā)明的光盤質(zhì)量測試裝置的質(zhì)量測試操作。圖9所示為根據(jù)本發(fā)明用來測試光盤的質(zhì)量的方法。如圖9所示，在步驟S200中，控制器36控制拾取單元32以再現(xiàn)和輸出光盤31-1的TOC數(shù)據(jù)。接下來在步驟S220中，控制器36確定用戶是否已輸入質(zhì)量測試請求。如果沒有質(zhì)量測試請求被輸入，則處理結(jié)束。如果輸入了質(zhì)量測試請求，這在步驟S230中，控制器36以任意已知的方式檢測拾取器32-2的當(dāng)前位置。
根據(jù)TOC數(shù)據(jù)中指示的測試數(shù)據(jù)的導(dǎo)入的位置和拾取器32-2的當(dāng)前位置，控制器36在步驟S240中移動拾取器32-2到測試數(shù)據(jù)的導(dǎo)入處。除了指示測試數(shù)據(jù)的導(dǎo)入的位置，TOC數(shù)據(jù)還通過此位置數(shù)據(jù)指示了測試數(shù)據(jù)是被徑向由內(nèi)到外還是徑向由外到內(nèi)記錄的。根據(jù)此判斷結(jié)果，在步驟S250中控制器36使拾取器32-2再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)。
測試數(shù)據(jù)能夠如圖3A所示為一個已被預(yù)先記錄的光盤或如圖3B所示為一個一次寫入的光盤連續(xù)地再現(xiàn)，或者測試數(shù)據(jù)能夠如圖4A所示為一個已被預(yù)先記錄的光盤或如圖4B所示為一個一次寫入的光盤以預(yù)定的間隔再現(xiàn)。另外，測試數(shù)據(jù)的預(yù)定選擇段能夠如圖5A所示為一個已被預(yù)先記錄的光盤或如圖5B所示為一個一次寫入的光盤再現(xiàn)。
在步驟S260中，再現(xiàn)的測試數(shù)據(jù)被RF放大器33處理并輸出到比較器35。在控制器36的控制下。比較器將測試數(shù)據(jù)與存儲器34中的預(yù)定數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，控制器36根據(jù)比較結(jié)果來判斷光盤31-1的質(zhì)量。比較器35和控制器36能夠進(jìn)行一個質(zhì)量測試操作或多種質(zhì)量測試操作的組合。這些質(zhì)量測試模式包括一個槽模式測試，一個位模式測試，和一個模擬信號測試。
在一個CD和數(shù)字視頻磁盤(或數(shù)字多功能磁盤)DVD中，最小的位模式是3T而最大的位模式對CD來說是11T而對DVD來說是14T。3T，4T等等是相對于一個預(yù)定位模式的位模式長度的測量值。圖10A所示為從RF放大器33輸出的信號和代表著光盤31-1中的測試數(shù)據(jù)的槽之間的關(guān)系。如圖10A所示，從RF放大器33輸出的信號在一個槽的開始處從，例如，一個低狀態(tài)轉(zhuǎn)變到一個高狀態(tài)，并在該槽的整個長度上保持高狀態(tài)，并在槽的末端從高狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈蜖顟B(tài)。從RF放大器33輸出的信號的轉(zhuǎn)變代表了一個位值1，而從RF放大器33輸出的信號保持高狀態(tài)的時間的長度代表了0的個數(shù)。一個3T槽表示位流1001。而4T槽，比3T長一點，表示位流10001。當(dāng)槽模式從3T連續(xù)地增加到11T或4T時，0的個數(shù)也相應(yīng)增加。
當(dāng)使用槽模式方法測試質(zhì)量時，同一槽模式被一遍一遍地記錄以作為測試數(shù)據(jù)。在一個優(yōu)選實施例中，被記錄的槽模式是3T槽模式。因為3T槽模式是最小的槽模式，所以錯誤更可能被檢測到。
比較器35對由RF放大器輸出的槽模式信號，如圖10A所示，和存儲在存儲器34中的一個參考信號進(jìn)行比較。參考信號代表了記錄在光盤上的槽模式。代表了一個與參考信號相匹配的一個槽的槽模式信號的每一段對應(yīng)于可識別的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)使用3T槽模式時，每個可識別的槽模式代表了可識別數(shù)據(jù)的四個位。比較器35確定可識別的測試數(shù)據(jù)的總數(shù)，然后將可識別的測試數(shù)據(jù)的總數(shù)與一個存儲在存儲器34中的預(yù)定可識別數(shù)據(jù)的閾值進(jìn)行比較。存儲器34存儲了一個與圖3A-3B，4A-4B，和5A-5B(即，連續(xù)的，周期的，和選擇段)中所示的每種再現(xiàn)方法有關(guān)的可識別數(shù)據(jù)閾值。因此，比較器35根據(jù)再現(xiàn)的類型(連續(xù)的，周期的，和選擇段)，選擇一個不同的可識別數(shù)據(jù)閾值。比較器35輸出比較結(jié)果到控制器36。
如果可識別數(shù)據(jù)的數(shù)量大于可識別數(shù)據(jù)閾值，則在步驟S260中控制器36確定光盤是優(yōu)質(zhì)的。否則，在步驟S260中控制器36確定光盤為劣質(zhì)的。
代替或除了槽模式測試，可以進(jìn)行位模式測試以判斷光盤31-1的質(zhì)量。在位模式測試中，槽模式信號被轉(zhuǎn)換為一個位流。即，每個槽被轉(zhuǎn)換成其代表位。比較器35對所得的位模式和一個存儲在存儲器34中的位模式的參考形式進(jìn)行比較。不同于槽模式測試，位模式測試不需要把同一槽模式一遍一遍的記錄在光盤31-1中作為測試數(shù)據(jù)。任何預(yù)定的槽排列均可以被記錄在光盤31-1中以作為測試數(shù)據(jù)。存儲在存儲器34中的參考位模式對應(yīng)于存儲在光盤31-1中的槽模式。
比較器35在槽對槽的基礎(chǔ)上比較從槽模式信號中導(dǎo)出的位模式和參考位模式。換句話說，每一組對應(yīng)于一個槽的位與參考位模式中的對應(yīng)的一組位進(jìn)行比較。如果存在一個匹配，則匹配的位被認(rèn)為已被識別。比較器35對所識別數(shù)據(jù)的總數(shù)求和，并將數(shù)據(jù)的總識別數(shù)與一個存儲在存儲器34中的預(yù)定的識別數(shù)據(jù)閾值進(jìn)行比較。比較的結(jié)果被輸出到控制器36。與槽模式測試一樣，存儲器34存儲了與連續(xù)，周期，和選擇段模式的再現(xiàn)有關(guān)的識別數(shù)據(jù)閾值。因此，識別數(shù)據(jù)的閾值依賴于再現(xiàn)的模式(連續(xù)的，周期的，或分段)。
如果可識別數(shù)據(jù)的數(shù)量超過可識別數(shù)據(jù)閾值，則控制器36確定光盤是優(yōu)質(zhì)的。否則，控制器36確定光盤31-1為劣質(zhì)的。
代替或除了槽模式測試和位模式測試兩者或任一個，可以進(jìn)行模擬信號測試以判斷光盤31-1的質(zhì)量。在此模擬信號測試中，從槽模式信號中導(dǎo)出的位模式被比較器35數(shù)-模轉(zhuǎn)換以獲得有關(guān)如圖10B所示的模擬信號。隨后比較器35對模擬信號進(jìn)行振幅和頻率測試中的任一個或兩者都進(jìn)行。在振幅測試中，比較器35比較模擬信號的振幅和一個在圖10B中用ATH和-ATH指示的振幅閾值范圍。
在頻率測試中，比較器35將零交點如圖10B中所示的t1和t2與對應(yīng)與每一個零交點的預(yù)定時間閾值范圍進(jìn)行比較。更特別地，因為記錄在光盤31-1上的測試數(shù)據(jù)是預(yù)定的，所以使得的模擬信號也是已知的。對這些零交點乘以一個由經(jīng)驗確定的誤差量便產(chǎn)生所再現(xiàn)的模擬信號的每個零交點的一個時間閾值范圍。每個零交點的時間閾值范圍接著便被存儲在存儲器34中。
當(dāng)然，與其他測試一樣，所使用的存儲的時間閾值范圍依賴于再現(xiàn)模式(連續(xù)的，周期的，或選擇的段)。
可以根據(jù)振幅測試，頻率測試，或振幅測試與頻率測試來判斷光盤31-1的質(zhì)量。如果模擬信號的振幅超過振幅閾值范圍，則控制器36確定光盤31-1為劣質(zhì)。另外，如果模擬信號的一個零交點在相應(yīng)的時間閾值范圍之外，控制器36也確定光盤31-1為劣質(zhì)。如果控制器根據(jù)振幅測試，頻率測試，或振幅測試與頻率測試沒有得到一個劣質(zhì)判斷，則控制器36確定光盤31-1為優(yōu)質(zhì)。
接下來，在步驟S270中，如果控制器36判斷光盤31-1為劣質(zhì)的，則處理進(jìn)行到步驟S280，控制器36驅(qū)動指示器38且處理結(jié)束。以此方式，用戶被警告即正在測試的光盤為一張劣質(zhì)光盤。如果在步驟S270中光盤被判斷為優(yōu)質(zhì)的，則處理結(jié)束。
如上所述，槽模式測試，位模式測試，振幅測試，和頻率測試，可以被單獨地或連同其他另一個使用來確定光盤的質(zhì)量。除了上述的質(zhì)量測試，光盤還經(jīng)歷了額外的機械和信號質(zhì)量測試。例如，使用一個CCD攝影機，通過監(jiān)控用一條激光光束進(jìn)行的光盤表面的掃描來顯示光盤的整個表面。
其他測試包括推壓/拉伸，干擾，和檢測導(dǎo)入起始點BLI，主存儲器起始點BPL，和導(dǎo)出起始點BLO的定位。
通過上述的測試過程，諸如導(dǎo)入起始點BLI，主存儲區(qū)起始點BPL，導(dǎo)出起始點BLO，軌跡和索引起始點，測試速度，軌跡間隔，弓曲偏差，翹曲偏差，光盤的厚度，角偏差，垂直偏差，光盤的半徑，和光盤中心孔的直徑等機械特征尺寸被檢測。
根據(jù)本發(fā)明用于測試一個光盤的質(zhì)量的方法和裝置記錄測試數(shù)據(jù)并從光盤的一個外部區(qū)中再現(xiàn)測試數(shù)據(jù)。此區(qū)在已被預(yù)先記錄的光盤或一次寫入的光盤中均沒有被使用。因此，根據(jù)本發(fā)明每張被制造的磁盤可以進(jìn)行其質(zhì)量測試而不會使得光盤失去作為商品的價值。其結(jié)果是，根據(jù)本發(fā)明的質(zhì)量測試更加準(zhǔn)確與可靠。
正被如此說明的本發(fā)明，其應(yīng)被清楚的是相同物可以通過許多方法變化。這樣的變化不被視為背離本發(fā)明的精神和范圍，且所有諸如應(yīng)被技術(shù)熟練者所清楚的修正勢必被包括在接下來的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于測試光盤存儲介質(zhì)質(zhì)量的方法，其特征在于包括再現(xiàn)上述光盤存儲介質(zhì)中的一個外部區(qū)域中的測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生一個測試信號，上述光盤的上述外部區(qū)域被環(huán)形地定位在一個主存儲區(qū)外側(cè)；和根據(jù)上述再現(xiàn)的測試信號判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
2.權(quán)利要求1所要求的方法，其中上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域分布在從上述光盤存儲介質(zhì)的最外點到上述光盤存儲介質(zhì)的一個預(yù)定點的范圍內(nèi)。
3.權(quán)利要求2所要求的方法，其中上述預(yù)定點被環(huán)形地定位于上述主信息存儲區(qū)的一個導(dǎo)出區(qū)的外側(cè)。
4.權(quán)利要求1所要求的方法，其中在上述再現(xiàn)步驟中連續(xù)地再現(xiàn)上述外部區(qū)域中的上述測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生上述測試信號。
5.權(quán)利要求1所要求的方法，其中在上述再現(xiàn)步驟中從上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
6.權(quán)利要求1所要求的方法，在上述再現(xiàn)步驟中，從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
7.權(quán)利要求1所要求的方法，在上述再現(xiàn)步驟中，以周期性的間隔沿上述外部區(qū)域再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)。
8.權(quán)利要求1所要求的方法，在上述再現(xiàn)步驟中，從上述外部區(qū)域的各段中再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)。
9.權(quán)利要求1所要求的方法，另外包括當(dāng)上述判斷步驟判斷上述光盤存儲介質(zhì)為劣質(zhì)時向操作者發(fā)出一個警報。
10.權(quán)利要求1所要求的方法，其中上述再現(xiàn)步驟再現(xiàn)一個槽模式信號作為上述測試信號，上述槽模式信號代表了上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域中的一個預(yù)定的槽模式。上述判斷步驟根據(jù)上述槽模式信號和一個表示了上述預(yù)定槽模式的參考信號來判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
11.權(quán)利要求10所要求的方法，在其上述判斷步驟中將上述槽模式信號與上述參考信號進(jìn)行比較，確定在上述槽模式信號中與上述參考信號匹配的信息的數(shù)量，如果上述信息數(shù)量大于一個預(yù)定的閾值時確定上述光盤存儲介質(zhì)為優(yōu)質(zhì)。
12.權(quán)利要求10所要求的方法，其中上述預(yù)定模式為一個3T槽模式。
13.權(quán)利要求1所要求的方法，其中上述再現(xiàn)步驟再現(xiàn)上述測試信號并產(chǎn)生一個位模式；上述判斷步驟根據(jù)上述位模式和一個預(yù)定的位模式來判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
14.權(quán)利要求13所要求的方法，其中在上述判斷步驟中將上述位模式與上述預(yù)定的位模式進(jìn)行比較，確定在上述位模式信號中與上述預(yù)定的位模式匹配的信息的數(shù)量，如果上述信息數(shù)量大于一個預(yù)定的閾值時確定上述光盤存儲介質(zhì)為優(yōu)質(zhì)。
15.權(quán)利要求14所要求的方法，其中在判斷步驟中，將上述位模式與在位組上對應(yīng)于上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域上的一個預(yù)定槽模式的預(yù)定位模式進(jìn)行比較。
16.權(quán)利要求1所要求的方法，其中上述判斷步驟首先比較上述測試信號的一個振幅與一個預(yù)定的閾值范圍，并根據(jù)上述的比較確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
17.權(quán)利要求16所要求的方法，其中在上述判斷步驟中，再比較上述測試信號的頻率與一個預(yù)定的信號頻率，并根據(jù)第一次和第二次比較來確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
18.權(quán)利要求1所要求的方法，在其上述判斷步驟中比較上述測試信號的頻率與一個預(yù)定的信號頻率，并根據(jù)上述比較確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
19.一種用于測試一個光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量的裝置，其特征在于包括用于再現(xiàn)上述光盤存儲介質(zhì)中的一個外部區(qū)域中的測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生一個測試信號的光學(xué)拾取器，上述光盤的上述外部區(qū)域被環(huán)形地定位在一個主存儲區(qū)外側(cè)；和用于根據(jù)上述再現(xiàn)的測試信號判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量的判斷裝置。
20.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域分布在從上述光盤存儲介質(zhì)的最外點到上述光盤存儲介質(zhì)的一個預(yù)定點的范圍內(nèi)。
21.權(quán)利要求20所要求的裝置，其中上述預(yù)定點被環(huán)形地定位于上述主信息存儲區(qū)的一個導(dǎo)出區(qū)的外側(cè)。
22.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述光學(xué)拾取器連續(xù)地再現(xiàn)上述外部區(qū)域中的上述測試數(shù)據(jù)以產(chǎn)生上述測試信號。
23.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述光學(xué)拾取器從上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
24.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中光學(xué)拾取器從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
25.權(quán)利要求1所要求的裝置，其中光學(xué)拾取器以周期性的間隔沿上述外部區(qū)域再現(xiàn)上述測試數(shù)據(jù)。
26.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中光學(xué)拾取器再現(xiàn)在上述外部區(qū)域的各段中的上述測試數(shù)據(jù)。
27.權(quán)利要求19所要求的裝置，另外包括一個指示器；其中當(dāng)上述光盤被判斷為劣質(zhì)時上述判斷裝置使上述指示器操作者發(fā)出一個警報。
28.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述光學(xué)拾取器再現(xiàn)一個槽模式信號作為上述測試信號，上述槽模式信號代表了上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域中的一個預(yù)定的槽模式；且上述判斷裝置根據(jù)上述槽模式信號和一個表示了上述預(yù)定槽模式的參考信號來判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
29.權(quán)利要求28所要求的裝置，其中上述判斷裝置將上述槽模式信號與上述參考信號進(jìn)行比較，確定在上述槽模式信號中與上述參考信號匹配的信息的數(shù)量，如果上述信息數(shù)量大于一個預(yù)定的閾值時確定上述光盤存儲介質(zhì)為優(yōu)質(zhì)。
30.權(quán)利要求28所要求的裝置，其中上述預(yù)定模式為一個3T槽模式。
31.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述光學(xué)拾取器再現(xiàn)上述測試信號并產(chǎn)生一個位模式；上述判斷裝置根據(jù)上述位模式和一個預(yù)定的位模式來判斷上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
32.權(quán)利要求31所要求的裝置，其中上述判斷裝置將上述位模式與上述預(yù)定的位模式進(jìn)行比較，確定在上述位模式信號中與上述預(yù)定的位模式匹配的信息的數(shù)量，如果上述信息數(shù)量大于一個預(yù)定的閾值時確定上述光盤存儲介質(zhì)為優(yōu)質(zhì)。
33.權(quán)利要求32所要求的裝置，其中判斷裝置將上述位模式與在位組上對應(yīng)于上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域上的一個預(yù)定槽模式的預(yù)定位模式進(jìn)行比較。
34.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述判斷裝置首先比較上述測試信號的一個振幅與一個預(yù)定的閾值范圍，并根據(jù)上述的該比較確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
35.權(quán)利要求34所要求的裝置，其中上述判斷裝置再次比較上述測試信號的頻率與一個預(yù)定的信號頻率，并根據(jù)第一次和第二次比較來確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
36.權(quán)利要求19所要求的裝置，其中上述判斷裝置比較上述測試信號的頻率與一個預(yù)定的信號頻率，并根據(jù)上述比較確定上述光盤存儲介質(zhì)的質(zhì)量。
37.一種光盤存儲介質(zhì)，其特征在于包括一個主信息存儲區(qū)；和一個存儲了測試數(shù)據(jù)的外部區(qū)域，環(huán)形分布在上述主信息存儲區(qū)的外側(cè)。
38.權(quán)利要求37所要求的光盤存儲介質(zhì)，其中上述光盤存儲介質(zhì)的外部區(qū)域分布在從上述光盤存儲介質(zhì)的最外點到上述光盤存儲介質(zhì)的一個預(yù)定點的范圍內(nèi)。
39.權(quán)利要求38所要求的光盤存儲介質(zhì)，其中上述預(yù)定點被環(huán)形地定位于上述主信息存儲區(qū)的一個導(dǎo)出區(qū)的外側(cè)。
40.權(quán)利要求37所要求的光盤存儲介質(zhì)，另外包括一個環(huán)形地介于上述主信息存儲區(qū)和上述外部區(qū)域之間的緩沖區(qū)。
41.權(quán)利要求37所要求的光盤存儲介質(zhì)，另外包括一個上述外部區(qū)域的導(dǎo)入?yún)^(qū)；和一個上述外部區(qū)域的導(dǎo)出區(qū)，上述導(dǎo)入?yún)^(qū)比上述導(dǎo)出區(qū)更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
42.權(quán)利要求37所要求的光盤存儲介質(zhì)，另外包括一個上述外部區(qū)域的導(dǎo)入?yún)^(qū)；和一個上述外部區(qū)域的導(dǎo)出區(qū)，上述導(dǎo)出區(qū)比上述導(dǎo)入?yún)^(qū)更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
43.一種用于記錄一個測試數(shù)據(jù)到一個光盤存儲介質(zhì)中的方法，其特征在于包括定位一個光學(xué)拾取器在上述光盤存儲介質(zhì)的一個外部區(qū)域以產(chǎn)生一個測試信號，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地位于一個主信息存儲區(qū)的外側(cè)；和記錄測試數(shù)據(jù)到上述外部區(qū)域中。
44.權(quán)利要求43所要求的方法，其中上述定位步驟包括檢測上述光學(xué)拾取器的一個位置；檢測上述主信息存儲區(qū)的一個導(dǎo)出區(qū)的位置；定位上述光學(xué)拾取器在上述主信息存儲區(qū)的導(dǎo)出區(qū)的末端。
45.權(quán)利要求44所要求的方法，在上述記錄步驟中，從上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
46.權(quán)利要求43所要求的方法，在上述記錄步驟中，從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
47.權(quán)利要求43所要求的方法，其中上述定位步驟包括檢測上述光學(xué)拾取器的一個位置；檢測上述光盤存儲介質(zhì)的一個記錄區(qū)的末端；定位上述光學(xué)拾取器在上述記錄區(qū)的上述末端。
48.權(quán)利要求47所要求的方法，在上述記錄步驟中，從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
49.權(quán)利要求43所要求的方法，在上述記錄步驟中，從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
50.一種用于記錄一個測試數(shù)據(jù)到一個光盤存儲介質(zhì)中的裝置，其特征在于包括一個光學(xué)拾取器；用于定位上述光學(xué)拾取器在上述光盤存儲介質(zhì)的一個外部區(qū)域，上述光盤存儲介質(zhì)的上述外部區(qū)域環(huán)形地位于一個主信息存儲區(qū)的外側(cè)，和使用上述光學(xué)拾取器記錄測試數(shù)據(jù)到上述外部區(qū)域中的控制裝置。
51.權(quán)利要求50所要求的裝置，其中上述控制裝置檢測上述光學(xué)拾取器的一個定位，檢測上述主信息存儲區(qū)的一個導(dǎo)出區(qū)的定位，并定位上述光學(xué)拾取器在上述主信息存儲區(qū)的上述導(dǎo)出區(qū)的一個末端。
52.權(quán)利要求51所要求的裝置，其中上述控制裝置從上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
53.權(quán)利要求50所要求的方法，其中上述控制裝置從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
54.權(quán)利要求50所要求的裝置，其中上述控制裝置檢測上述光學(xué)拾取器的一個定位，檢測上述光盤存儲介質(zhì)的記錄區(qū)的一個末端，并定位上述光學(xué)拾取器在上述記錄區(qū)的上述末端。
55.權(quán)利要求54所要求的裝置，其中上述控制裝置從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
56.權(quán)利要求50所要求的裝置，其中上述控制裝置從上述外部區(qū)域的一個外側(cè)段到上述外部區(qū)域的一個內(nèi)側(cè)段記錄上述測試數(shù)據(jù)，上述內(nèi)側(cè)段比上述外側(cè)段更靠近上述光盤存儲介質(zhì)的中心。
全文摘要
用于測試一種光盤存儲介質(zhì)的方法和裝置首先記錄測試數(shù)據(jù)在光盤的一個外部區(qū)域中。當(dāng)制造一個已被預(yù)先記錄的磁盤時,光盤的此外部區(qū)域沒有被使用,而其也沒有被一次寫入光盤的用戶使用。光盤的質(zhì)量是根據(jù)從光盤的外部區(qū)域中再現(xiàn)的測試數(shù)據(jù)中產(chǎn)生的測試信號來判斷的。
文檔編號G11B7/00GK1188314SQ9712580
公開日1998年7月22日 申請日期1997年12月18日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月19日
發(fā)明者呂運盛, 金炯奎 申請人:Lg電子株式會社