技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及具有堆疊中選擇器的頂部固定式自旋?軌道轉(zhuǎn)矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SOT?MRAM)結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)的實(shí)施例總體上涉及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)，更具體地涉及SOT?MRAM單元和芯片結(jié)構(gòu)。SOT?MRAM芯片結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)器單元陣列，其具有多個(gè)第一引線、多個(gè)第二引線和多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括MTJ和選擇器元件。這些SOT?MRAM單元消除了使大電流通過(guò)MTJ的阻擋層的需求，選擇性元件消除了通常在不擾亂相鄰存儲(chǔ)器單元的情況下選擇單個(gè)存儲(chǔ)器單元所需的大晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：P.M.布拉干薩;L.萬(wàn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：HGST荷蘭公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.21
技術(shù)公布日：2017.08.11