1.一種大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，包括多條依次排列的位線，其中，至少部分依次相鄰的若干條位線均由彼此斷開的多個(gè)子位線構(gòu)成，且所有的子位線呈陣列分布，每一列的所述子位線連接同一輸入/輸出單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，部分依次相鄰的若干條所述位線均由彼此斷開的多個(gè)子位線構(gòu)成，剩余的部分所述位線均為完整的位線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，剩余的部分所述位線的一端均連接至另一輸入/輸出單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，每組所述位線均由彼此斷開的多個(gè)子位線構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線由兩個(gè)、四個(gè)、六個(gè)或八個(gè)所述子位線構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，每個(gè)所述子位線的長(zhǎng)度均相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，所有的子位線呈兩列、四列、六列或八列的陣列分布，且所述大容量存儲(chǔ)器包括兩個(gè)、四個(gè)、六個(gè)或八個(gè)所述輸入/輸出單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，部分依次相鄰的若干條所述位線由彼此斷開的多個(gè)子位線構(gòu)成，另一部分依次相鄰的若干條所述位線由彼此斷開的與所述子位線長(zhǎng)度不同的多個(gè)另一子位線構(gòu)成，剩余的部分所述位線均為完整的位線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：陣列分布的多個(gè)存儲(chǔ)單元；與所述位線相互垂直的多條字線，同一列的所述存儲(chǔ)單元連接同一條所述字線；多條所述位線包括依次排列的第一位線和第二位線，且所述大容量存儲(chǔ)器中的所述第一位線和所述第二位線依次交替排列，同一行的所述存儲(chǔ)單元連接相鄰的所述第一位線和所述第二位線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的大容量存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元為6T存儲(chǔ)單元，包括：
數(shù)據(jù)鎖存器，所述數(shù)據(jù)鎖存器包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器交叉耦接，所述第一反相器包括第一 PMOS 晶體管和第一 NMOS 晶體管，所述第二反相器包括第二 PMOS 晶體管和第二 NMOS 晶體管，所述第一 PMOS 晶體管的源極和所述第二 PMOS 晶體管的源極連接工作電壓，所述第一NMOS晶體管的源極和所述第二NMOS晶體管的源極連接地端；
第一傳輸晶體管，所述第一傳輸晶體管的柵極連接所述字線，源極連接所述第一位線，漏極連接所述第一反相器的輸出端；
第二傳輸晶體管，所述第二傳輸晶體管的柵極連接所述字線，源極連接所述第二位線，漏極連接所述第二反相器的輸出端。