本文公開的實施方式一般地涉及采用熱輔助磁記錄(HAMR)頭的磁盤裝置。本文公開的一些實施方式還涉及包含熱穩(wěn)定材料層的用于熱輔助磁記錄的近場換能器。

背景技術(shù)：

在使用HAMR頭的磁盤裝置中，近場換能器(NFT)可以被用于在記錄過程中局部加熱具有高矯頑力的磁介質(zhì)以降低局部區(qū)域的矯頑力。金通常被用于NFT材料以實現(xiàn)高光學(xué)效率，但是金的熔點低，并且當(dāng)NFT被長期加熱時NFT的變形是一個問題。NFT溫度在光學(xué)近場被產(chǎn)生的點附近特別高，最大溫度可以高過磁盤裝置的工作溫度達到超過150攝氏度。當(dāng)NFT溫度高過磁盤裝置的工作溫度超過150攝氏度時，經(jīng)由表面、晶界或晶格的金原子的原子擴散顯著增大，導(dǎo)致NFT變形。

一種解決方案是將合金用于NFT材料，其在高溫更穩(wěn)定。然而，合金的使用因為兩個原因升高了操作過程中的NFT溫度：1)介電常數(shù)的虛部大，更多光被NFT吸收；2)由于摻雜原子的聲子散射NFT的熱導(dǎo)率下降，并且NFT內(nèi)部的熱流減小。如果NFT溫度上升過高，則使用合金的好處可以被抵消。

因此，本領(lǐng)域中需要改進的HAMR頭。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文公開的實施方式一般地涉及HAMR頭。該HAMR頭包括主磁極、波導(dǎo)和布置在主磁極與波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線，天線包括第一部分和第二部分。第二部分可以由比第一部分的材料具有更高熔點的材料制成。具有第二部分有助于減小NFT的溫度上升并減小施加于NFT的激光功率。

在一種實施方式中，HAMR頭包括主磁極、波導(dǎo)和布置在主磁極與波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線，天線包括由第一材料制成的第一部分和由第二材料制成的第二部分。天線的第二部分是嵌入在第一部分中的層。HAMR頭還包括被聯(lián)接到天線的熱分流器。

在另一種實施方式中，HAMR頭包括主磁極、波導(dǎo)、熱沉和布置在主磁極與波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線，天線包括由第一材料制成的第一部分和由第二材料制成的第二部分。第二材料比第一材料具有更高的熔點。天線還包括在面對介質(zhì)的表面的第一表面，第二部分包括第一表面的至少一部分。HAMR頭還包括布置在天線與熱沉之間的熱分流器。

在另一種實施方式中，熱輔助磁記錄頭包括主磁極、波導(dǎo)和布置在主磁極和波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線。HAMR頭還包括被聯(lián)接到天線的熱分流器和布置在熱分流器與天線之間的層。

在另一種實施方式中，硬盤驅(qū)動器包括磁介質(zhì)、磁讀頭和HAMR寫頭。HAMR寫頭包括主磁極、波導(dǎo)、熱沉和布置在主磁極與波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線，天線包括由第一材料制成的第一部分和由第二材料制成的第二部分。第二材料比第一材料具有更高的熔點。天線還包括在面對介質(zhì)的表面的第一表面，第二部分包括第一表面的至少一部分。HAMR寫頭還包括布置在天線與熱沉之間的熱分流器。

附圖說明

按照本公開的以上所述特征能被詳細理解的方式，對以上簡要概述的本公開的更具體的說明可以參考實施方式進行，其中的一些在附圖中示出。然而應(yīng)該注意，附圖僅示出了本公開的典型實施方式，因此不應(yīng)被當(dāng)作對其范圍的限制，因為本公開可以容許涉及磁傳感器的任何領(lǐng)域中的其他等效實施方式。

圖1A和1B示出根據(jù)本文描述的多種實施方式的盤驅(qū)動器系統(tǒng)。

圖2A和2B示出根據(jù)本文描述的一種實施方式的HAMR寫頭。

圖3A和3B示出根據(jù)本文描述的一種實施方式的HAMR寫頭。

圖4A和4B示出根據(jù)本文描述的一種實施方式的HAMR寫頭。

圖5A-5C是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭的部分橫截面?zhèn)纫晥D。

圖6A-6B是圖表，其示出根據(jù)多種實施方式，具有第二部分的天線對NFT的溫度上升和驅(qū)動NFT的所需激光功率的影響。

圖7A-7C是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭的部分橫截面?zhèn)纫晥D。

圖8A-8C示出根據(jù)本文描述的多種實施方式的HAMR寫頭。

圖9A和9B是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭的部分橫截面?zhèn)纫晥D。

為了便于理解，在可能的情況下，相同的附圖標(biāo)記已被用來標(biāo)示附圖所共有的相同的元件?？梢韵氲剑跊]有特別敘述的情況下，一種實施方式中公開的元件可以被有利地用于其他實施方式。

具體實施方式

以下，參考實施方式。然而，應(yīng)該理解，本公開不局限于具體的所描述的實施方式。相反，以下特征和元件的任何組合，不論是否涉及不同的實施方式，被認為實施和實踐了要求保護的主題。而且，盡管本文描述的實施方式可以實現(xiàn)優(yōu)于其他可能的方案和/或優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點，但是特定優(yōu)點是否被給定實施方式實現(xiàn)不是對要求保護的主題的限制。因而，以下方面、特征、實施方式和優(yōu)點僅僅是說明性的，不被當(dāng)作所附權(quán)利要求的要素或限制，除了權(quán)利要求中明確記述的以處。

本文公開的實施方式一般涉及HAMR頭。HAMR頭包括主磁極、波導(dǎo)和布置在主磁極與波導(dǎo)之間的NFT。NFT包括天線，天線包括第一部分和第二部分。相比第一部分的材料，第二部分可以由具有更高熔點的材料制成。具有第二部分有助于減小NFT的溫度上升并減小施加于NFT的激光功率。

圖1A示出體現(xiàn)本公開的磁盤驅(qū)動器100。如圖所示，至少一個可旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)112被支撐在主軸114上并被磁盤驅(qū)動電機118旋轉(zhuǎn)。每個介質(zhì)上的磁記錄呈任何適合的數(shù)據(jù)軌道圖案的形式，諸如磁介質(zhì)112上同心數(shù)據(jù)軌道的環(huán)形圖案(未示出)。

至少一個滑塊113被設(shè)置于磁介質(zhì)112附近，每個滑塊113支撐一個或更多個磁頭組件121，磁頭組件121可以包括用于加熱介質(zhì)表面122的輻射源(例如激光器或LED)。隨著磁介質(zhì)112旋轉(zhuǎn)，滑塊113在介質(zhì)表面122上方徑向移入和移出，使得磁頭組件121可以訪問磁介質(zhì)112的不同軌道以讀取或記錄數(shù)據(jù)。每個滑塊113借助懸架115被連接至致動器臂119上。懸架115提供輕微彈簧彈力，該彈簧彈力將滑塊113向介質(zhì)表面122偏移。每個致動器臂119被連接至致動器裝置127。如圖1A所示的致動器裝置127可以是音圈電機(VCM)。VCM包括在固定磁場內(nèi)可移動的線圈，線圈移動的方向和速度由控制單元129提供的電機電流信號控制。

在使用HAMR的磁盤驅(qū)動器100的操作過程中，磁介質(zhì)112的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生滑塊113與介質(zhì)表面122之間的空氣軸承，該空氣軸承在滑塊113上施加向上的力或升力?？諝廨S承因而抵消懸架115的輕微彈簧彈力，并在正常操作過程中支撐滑塊113以小且基本恒定的間距略高于介質(zhì)112表面。輻射源加熱高矯頑力介質(zhì)，使得磁頭組件121的寫元件可以正確地磁化介質(zhì)中的數(shù)據(jù)位。

在操作中，磁盤驅(qū)動器100的各種部件由控制單元129產(chǎn)生的諸如訪問控制信號和內(nèi)部時鐘信號的控制信號控制。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲裝置和微處理器。控制單元129產(chǎn)生控制各種系統(tǒng)操作的控制信號，諸如線123上的驅(qū)動電機控制信號和線128上的頭定位和尋道控制信號。線128上的控制信號提供期望的電流分布以最優(yōu)地移動并定位滑塊113到介質(zhì)112上期望的數(shù)據(jù)軌道。寫信號和讀信號經(jīng)由記錄通道125被傳送到組件121上的寫頭和讀頭，并從組件121上的寫頭和讀頭傳送出。

以上對通常的磁盤存儲系統(tǒng)的說明和圖1A的伴隨的圖示僅出于描繪目的。應(yīng)當(dāng)顯然，磁盤存儲系統(tǒng)可以包含大量介質(zhì)和致動器，每個致動器可以支撐許多滑塊。

圖1B是圖1A的磁盤驅(qū)動器100的HAMR讀/寫頭101和磁介質(zhì)112的部分橫截面?zhèn)纫晥D。讀/寫頭101可以對應(yīng)于圖1A中描述的磁頭組件121。讀/寫頭101包括諸如空氣軸承面(ABS)的面對介質(zhì)的表面(MFS)139、寫頭103和磁讀頭105，且讀/寫頭101被安裝在滑塊113上使得MFS139面對磁介質(zhì)112。如圖1B所示，磁介質(zhì)112在箭頭148指示的方向上移動經(jīng)過寫頭103。如圖1B及隨后的圖中所示，X方向表示沿軌道方向，Y方向表示軌道寬度或跨軌道方向，Z方向表示基本垂直于MFS 139的方向。

在一些實施方式中，磁讀頭105是磁致電阻(MR)讀頭，其包括位于MR屏蔽S1和S2之間的MR傳感元件152。在另外的實施方式中，磁讀頭105是磁隧道結(jié)(MTJ)讀頭，其包括位于MR屏蔽S1和S2之間的MTJ傳感元件152。作為記錄的位，磁介質(zhì)112中相鄰磁化區(qū)域的磁場可由MR(或MTJ)傳感元件152檢測。

寫頭103包括主磁極142、波導(dǎo)135、布置在主磁極142與波導(dǎo)135之間的NFT 140、返回極144和激勵主磁極142的線圈146。光斑尺寸轉(zhuǎn)換器(未示出)可以被聯(lián)接到NFT 140并且可以基本平行于波導(dǎo)135。寫頭103可以被可操作地連接到激光器155(即輻射源)。激光器155可以被直接設(shè)置在寫頭103上，或者輻射可以通過光纖或波導(dǎo)從定位為與滑塊113分開的激光器155傳送。波導(dǎo)135是穿過寫頭103的高度將輻射傳輸?shù)絅FT 140——例如等離激元器件或光學(xué)換能器——的通道，NFT 140位于MFS 139處或附近。當(dāng)諸如激光束的輻射被引入到波導(dǎo)135內(nèi)時，隱失波在波導(dǎo)135的與NFT 140的表面141上激勵的表面等離激元耦合的表面137產(chǎn)生。表面等離激元傳播到NFT 140的表面143，光學(xué)近場光斑在表面143的頂點(未示出)附近產(chǎn)生。在另外的實施方式中，波導(dǎo)135可以不延伸到MFS 139，且NFT 140可以被布置在波導(dǎo)135的末端，因此NFT 140與波導(dǎo)135對準。然而，本文的實施方式不局限于任何特定類型的輻射源或用于傳輸從輻射源發(fā)出的能量到MFS 139的技術(shù)。如圖1B所示的NFT 140是納米喙NFT。然而，NFT 140不限于任何特定類型的NFT。在一些實施方式中，NFT 140是E型天線NFT或棒棒糖NFT。

圖2A是根據(jù)本文所述一種實施方式的HAMR寫頭103的部分透視圖。為了更好地示出寫頭103的某些部件，覆層材料和間隔層被省略。寫頭103包括返回極144、波導(dǎo)135、NFT 140和主磁極142。NFT 140可以包括天線202。寫頭103還可以包括被聯(lián)接到天線202的熱分流器(thermal shunt)204，熱分流器204可以被布置在天線202與熱沉(heat sink)206之間。熱分流器204可以由導(dǎo)熱材料制成。寫頭103還可以包括圍繞主磁極142的熱沉206和布置在返回極144的表面上的反射鏡層208。天線202可以包括在MFS 139處的表面143、面向波導(dǎo)135的表面141、面向主磁極142的表面210和連接表面143與表面141的表面212。

天線202也可以包括第一部分203和第二部分209。第二部分209可以是在天線202內(nèi)的層，并且可以包括表面210。天線202的第一部分203可以由諸如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或鋁(Al)的金屬制成。第二部分209可以由具有比第一部分203的金屬的熔點高的熔點的材料制成，第二部分209的材料可以是不可混合于第一部分203的材料中的。第二部分209可以由元素或合金制成。在一種實施方式中，第二部分209由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成。在另外的實施方式中，第二部分209由合金制成。第二部分209的合金可以包括諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir、Re、Au、Ag、Cu或Al的一種或更多種金屬。在一些實施方式中，第二部分209的合金可以包括一種或更多種金屬以及一種或更多種合金化元素。該合金的一種或更多種金屬可以與用于第一部分203的金屬相同。可替換地，合金的一種或更多種金屬可以包括多種金屬。該一種或更多種合金化元素可以是任何適合的材料，諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re。在一些實施方式中，合金是金合金，諸如AuRh、AuCo或AuNi。在一些實施方式中，三元合金被用來形成第二部分209，該三元合金包括與兩種合金化元素形成合金的一種金屬，或者與一種合金化元素形成合金的兩種金屬，諸如AgPdCu。在一些實施方式中，多種金屬與一種或更多種合金化元素混合，諸如AuAgCuIr或AuAgCuIrPd。

圖2B是根據(jù)本文描述的一種實施方式的HAMR寫頭103的部分橫截面圖。寫頭103可以包括布置在波導(dǎo)135與天線202之間的覆層材料222，NFT 140可以包括布置在天線202與主磁極142之間的間隔層220。覆層材料222和間隔層220兩者可以由諸如氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合的電介質(zhì)材料制成。天線202包括第一部分203和第二部分209。粘合層211可以被布置在第二部分209和間隔層220之間，粘合層211可以由任何適合的材料制成，諸如Ta、Ti、Cr、Ni、Co、Hf、Zr、所提及的材料的氧化物或所提及的材料的氮化物。第二部分209可以具有從MFS 139延伸到離開MFS 139的位置的長度L₁。長度L₁可以等于或小于熱分流器204與MFS 139之間的距離。長度L₁范圍可以自約30nm到約150nm。當(dāng)光被引入天線202中時，天線202中的電荷被集中在MFS 139處的第二部分209中，且大量熱產(chǎn)生在第二部分209中的MFS 139處。如果第二部分209延伸到天線202的后邊緣224，則至熱沉206的熱流減小，NFT 140的溫度升高。因而，通過減小第二部分209的長度L₁，至熱沉206的熱流被提高并且NFT 140的溫度降低。

天線202的第二部分209可以具有范圍從約3埃到約50nm的厚度t₁。在一種實施方式中，第二部分209由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，第二部分209的厚度t₁小于約3nm，諸如從3到5埃。在另一實施方式中，第二部分209由如上所述的合金制成，第二部分209的厚度t₁小于50nm，諸如約3到5nm。

圖3A是根據(jù)本文所述的一種實施方式的HAMR寫頭103的部分透視圖。再一次，覆層材料和間隔層被略去。天線202可以包括第一部分302和第二部分304。第一部分302可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分304可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。第二部分304可以是天線202內(nèi)的層，并且可以包括表面210的一部分、整個表面143、整個表面212和表面141的一部分。

如圖3B所示，粘合層320可以被布置在天線202與間隔層220之間，粘合層320可以由與粘合層211相同的材料制成。天線202的第二部分304可以具有小于約100nm的基本均勻的厚度t₂，諸如范圍從約3埃到約50nm。在一種實施方式中，第二部分304由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，且第二部分304的厚度t₂小于約3nm，諸如3到5埃。在另一實施方式中，第二部分304由如上所述的合金制成，且第二部分304的厚度t₂小于50nm。在一些實施方式中，第二部分304可以具有變化的厚度。第二部分304可以包括包含表面141的一部分的部分316，第二部分304的部分316具有厚度t₃。第二部分304可以包括包含表面212的部分318，第二部分304的部分318具有厚度t₄。厚度t₃和t₄可以不同。第二部分304可以具有從MFS 139延伸到離開MFS 139的位置的長度L₂。長度L₂范圍可以從約50nm到約150nm。

圖4A是根據(jù)一種實施方式的HAMR寫頭103的部分透視圖。天線202可以包括第一部分402和第二部分404。第一部分402可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分404可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。第二部分404可以包括表面210的一部分、整個表面143、整個表面212和表面141的一部分。

如圖4B所示，粘合層420可以被布置在天線202與間隔層220之間，粘合層420可以由與粘合層211相同的材料制成。天線202的第二部分404可以具有從MFS 139延伸到離開MFS 139的位置的長度L₃。長度L₃范圍可以從約50nm到約150nm。

圖5A-5C是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭103的部分橫截面?zhèn)纫晥D。如圖5A所示，天線202包括第一部分502和第二部分504。第二部分504可以是被嵌入在第一部分502中的層，第二部分504可以包括表面143的一部分。第一部分502可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分504可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。第二部分504可以是與MFS 139基本垂直的層，可以離開表面210距離D₁。距離D₁范圍可以從約10nm到約50nm。第二部分504具有范圍從約0.5nm到約30nm的厚度。在一種實施方式中，第二部分504由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，第二部分504的厚度范圍從約0.5nm到約5nm。在另一種實施方式中，第二部分504由與用于第二部分209(圖2A)的合金相同的合金制成，第二部分504的厚度范圍從約1nm到約30nm。具有第二部分504的目的是防止原子從操作過程中天線202的具有最高溫度的區(qū)域至天線202的另外的區(qū)域的擴散。原子從一個區(qū)域到另外的區(qū)域的擴散能導(dǎo)致天線202變形。

如圖5B所示，天線202包括第一部分506和第二部分508。第二部分508可以是嵌在第一部分506中的層，第二部分508可以包括表面141的一部分。第一部分506可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分508可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。第二部分508的至少一部分基本平行于MFS 139。在一種實施方式中，整個第二部分508基本平行于MFS 139，且離開MFS 139距離D₂。距離D₂范圍可以從約60nm到約200nm。第二部分508可以被布置在天線202內(nèi)鄰近熱分流器204的位置。第二部分508具有范圍從約0.5nm到約30nm的厚度。在一種實施方式中，第二部分508由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，第二部分508的厚度范圍從約0.5nm到約5nm。在另一種實施方式中，第二部分508由與用于第二部分209(圖2A)的合金相同的合金制成，且第二部分508的厚度范圍從約0.5nm到約30nm。

如圖5C所示，天線202包括第一部分510和第二部分512。第二部分512可以是嵌在第一部分510中的層，第二部分512可以包括表面210的一部分和表面141的一部分。第一部分510可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分512可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。第二部分512可以是具有基本平行于表面212的第一部分514、基本平行于表面141的第二部分516和基本平行于MFS 139的第三部分518的層。在一些實施方式中，第三部分518具有從第二部分516延伸到表面141的彎曲的橫截面輪廓。在一些實施方式中，在天線202中不存在第三部分518。第三部分518可以離開MFS 139距離D₃。第二部分512的第三部分518和MFS139之間的距離D₃范圍可以從約60nm到約200nm。分別在第一部分514與表面212之間或第二部分516與表面141之間的距離D₄可以小于約100nm，諸如約45nm。第二部分512具有范圍自約0.5nm到約30nm的厚度。在一種實施方式中，第二部分512由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，第二部分512的厚度范圍從約0.5nm到約5nm。在另一種實施方式中，第二部分512由與用于第二部分209(圖2A)的合金相同的合金制成，且第二部分512的厚度范圍從約0.5nm到約30nm。在具有第二部分504、508、512作為嵌入在天線202中多個位置的層的情形，由于第二部分504、508、512的分別高于第一部分502、506、510的熔點，NFT140的變形被防止。

圖6A-6B是圖表，其示出具有第二部分的對天線202或NFT 140的溫度上升和驅(qū)動NFT 140所需的激光功率的影響。圖6A是顯示NFT 140溫度上升與用于天線202的材料之間的關(guān)系的圖表600。x軸中所示的材料是Au、AuNi(Au中1.4原子百分比的Ni)、AuCo(Au中1.7原子百分比的Co)和AuRh(Au中1.8原子百分比的Rh)。曲線602表示不包括第二部分的天線(即整個天線202由Au、AuNi、AuCo或AuRh制成)。曲線604表示如圖2A和2B中所示的天線202，其第一部分203由Au制成，第二部分209由Au、AuNi、AuCo或AuRh制成。第二部分209的厚度t₁為約15nm，長度L₁為約55nm。曲線606表示如圖3A和3B中所示的天線202，其第一部分302由Au制成，第二部分304由Au、AuNi、AuCo或AuRh制成。第二部分304的厚度t₂為約45nm，長度L₂為約70nm。曲線608表示如圖5C中所示的天線202，其第一部分510由Au制成，第二部分512由Rh制成。第二部分512具有約3nm的厚度并且距離D₄為約45nm。如圖6A所示，代表由Au制成的整個天線的數(shù)據(jù)點(曲線602、604和606的在x軸Au處的數(shù)據(jù)點)示出最低的NFT溫度上升，然而Au的低熔點導(dǎo)致NFT 140在操作過程中變形。當(dāng)將Au合金用于整個天線時，如曲線602中接下來三個數(shù)據(jù)點所示，NFT溫度上升高于曲線604和606中對應(yīng)的數(shù)據(jù)點，并且高于曲線608中的數(shù)據(jù)點。因而，具有第一部分和由比第一部分的材料有更高熔點的材料制成的第二部分的天線減小了NFT溫度上升。類似地，如圖6B中的圖表610所示，所需激光功率也被減小。

圖7A-7C是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭103的部分橫截面?zhèn)纫晥D。圖5A-5C中所示的天線202的第二部分可以被合并到圖2A/2B、3A/3B和4A/4B中示出的天線202中。如圖7A所示，天線202可以包括第一部分702、第二部分704和第三部分706。第一部分702可以是圖2B中所示的第一部分203，第二部分704可以是圖2B中所示的第二部分209，第三部分706可以是圖5A中所示的第二部分504。第一部分702可以由諸如Au、Ag或Al的金屬制成。第二部分704可以由諸如用于第二部分209的合金的合金制成。第三部分706可以由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成。第二部分704可以被布置在第三部分706與間隔層220之間。第三部分706可以被布置在第一部分702與第二部分704之間。

如圖7B所示，天線202可以包括第一部分708、第二部分710和第三部分712。第一部分708可以是圖4B中所示的第一部分402，第二部分710可以是圖4B中所示的第二部分404，第三部分712可以是圖5B中所示的第二部分508。第一部分708可以由諸如Au、Ag、Cu或Al的金屬制成。第二部分710可以由諸如用于第二部分209的合金的合金制成。第三部分712可以由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成。第二部分710可以被布置在第三部分712與MFS 139之間。第三部分712可以被布置在第一部分708與第二部分710之間。

如圖7C所示，天線202可以包括第一部分714、第二部分716和第三部分718。第一部分714可以是圖3B中所示的第一部分302，第二部分716可以是圖3B中所示的第二部分304，第三部分718可以是圖5C中所示的第二部分512。第一部分714可以由諸如Au、Ag或Al的金屬制成。第二部分716可以由諸如用于第二部分209的合金的合金制成。第三部分718可以由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成。第二部分716可以被布置在第三部分718與MFS 139之間、以及第三部分718與覆層材料222的一部分之間。第三部分718可以被布置在第一部分714與第二部分716之間。

圖8A-8C示出根據(jù)本文描述的多種實施方式的HAMR寫頭103。圖8A是根據(jù)本文描述的一種實施方式的HAMR寫頭103的部分透視圖。寫頭103可以包括布置在天線202與熱分流器204之間的層802。如圖8B所示，層802可以在間隔層220與熱分流器204之間以及在天線202與熱分流器204之間。層802可以由比天線202的材料具有更高熔點的材料制成，以防止金屬原子從天線202進入熱分流器204中的擴散。層802可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。層802可以結(jié)合包括如上所述的兩個或三個部分的天線202使用。圖8C示出與如圖5A中所示的天線202一起使用的層802。

圖9A和9B是根據(jù)多種實施方式的HAMR寫頭103的部分橫截面?zhèn)纫晥D。如圖9A所示，天線202包括第一部分902和第二部分904。第二部分904可以包括多個層906，所述多個層906由不能融合于第一部分902中的材料制成并且具有高于第一部分902的材料的熔點。第一部分902可以由與第一部分203(圖2A)相同的材料制成，第二部分904可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。所述多個層906被彼此間隔開，相鄰層906之間的間隔小于每個層906的厚度。因此，第一部分902的被布置在相鄰層906之間的間隔中的層具有小厚度，因而第一部分902的在相鄰層906之間的層的晶粒生長被減弱，這又防止了NFT 140的變形。每個層906可以具有范圍自約1nm到約30nm的厚度。在一種實施方式中，層906由諸如Rh、Co、Ni、Pt、Pd、Ru、B、Mo、W、Ti、Ir或Re的元素制成，且具有在約1nm到約5nm之間的厚度。在另一種實施方式中，層906由諸如第二部分209(圖2A)的合金的合金制成，其具有在約1nm到約30nm之間的厚度。

如圖9A所示，所述多個層906中的每個層906可以基本垂直于MFS139?？商鎿Q地，如圖9B所示，天線包括第一部分907和第二部分908。第二部分908可以包括多個層910。第一部分907可以由與第一部分202(圖2A)相同的材料制成，第二部分908可以由與第二部分209(圖2A)相同的材料制成。所述多個層910中的每個層910可以包括第一部分912和第二部分914。層910的第一部分912可以基本平行于表面214，層910的第二部分914可以基本平行于表面141。層910的厚度可以與層906的厚度相同。

總之，具有NFT的HAMR頭被公開，該NFT包括具有第一部分和第二部分的天線。第二部分由比第一部分的材料具有更高熔點的材料制成。第二部分可以位于具有最高溫度的區(qū)域處或附近，以減小NFT的溫度上升。作為NFT的減小的溫度上升的結(jié)果，HAMR頭的可靠性被提高。

盡管前文針對本公開的實施方式，但是其他及進一步的實施方式可以被設(shè)計而不背離其基本范圍，其范圍被所附權(quán)利要求確定。