專利名稱：磁盤以及信息記錄媒體用玻璃基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于磁盤、光盤等信息記錄媒體的玻璃基板的制造方法以及磁盤的制造方法，特別涉及在高溫下形成磁記錄層的磁盤的制造方法以及適用于該制造方法的玻璃基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著硬盤驅(qū)動(dòng)器的記錄容量的增加，快速推進(jìn)高記錄密度化。但是，隨著高記錄密度化，存在磁性粒子的微細(xì)化損害熱穩(wěn)定性、串?dāng)_以及再生信號(hào)的SN比降低的問(wèn)題。因此，作為光和磁的融合技術(shù)，熱輔助磁記錄技術(shù)備受矚目。該技術(shù)是在通過(guò)對(duì)磁記錄層照射激光或近場(chǎng)光而使得局部被加熱的部分的矯頑磁力降低的狀態(tài)下施加外部磁場(chǎng)并記錄、通過(guò)GMR元件等讀取記錄磁化的技術(shù)，能夠記錄在高保持力的媒體，因此能夠保持熱穩(wěn)定性的同時(shí)使磁性粒子微細(xì)化。但是，高保持力媒體為多層膜時(shí)進(jìn)行成膜的情況下，需要充分地加熱基板，要求高耐熱基板。另外，垂直磁記錄方式中也提出了滿足高記錄密度化要求的與以往的磁記錄層不同的磁記錄層，但是這樣的磁記錄層的形成通常需要在基板為高溫的情況下進(jìn)行。因此，提出了作為能夠滿足如前所述的熱輔助磁記錄技術(shù)的基板的硅基板(參照專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2009-199633號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題硅基板與玻璃基板相比通常存在強(qiáng)度方面的問(wèn)題。因此，基板為高溫的情況下形成磁記錄層的磁盤的制造方法中也優(yōu)選使用玻璃基板。本發(fā)明的目的在于提供如上所述的磁盤的制造方法以及適用于該制造方法的信息記錄媒體用玻璃基板的制造方法。解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案本發(fā)明提供一種磁盤的制造方法(以下，稱為第一方法)，該方法是具有在溫度為 550°C以上的玻璃基板上形成磁記錄層的步驟的磁盤的制造方法，以摩爾百分比表示時(shí)，玻璃基板含有62 74%的SiO2,6 18%的Al203、2 15%的B2O3、合計(jì)量為8 21 %的MgO、 Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分，所述7種成分的含量合計(jì)為95%以上，Li2CKNii2O 以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足1 %或者不含有這3種成分中的任一種成分。另外，還提供Al2O3的含量典型地為7摩爾％以上的上述玻璃基板，第一方法的典型的方式中，玻璃基板含有65 69%的Si02、9 12%的Al203、7 12%的化03以及合計(jì)量為10 16%的MgO、CaO、SrO以及BaO中的任一種以上的成分。
另外，本發(fā)明提供一種磁盤的制造方法(以下，稱為第二方法)，該方法是具有在溫度為550°C以上的玻璃基板上形成磁記錄層的步驟的磁盤的制造方法，以摩爾百分比表示時(shí)，玻璃基板含有67 72%的SiO2Ul 14%的A1203、0 不足2%的化03、4 9%的 MgO,4 6%的Ca0、l 6%的Sr0、0 5%的BaO，MgO、CaO, SrO以及BaO的合計(jì)含量為 14 18%，所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2CKNii2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分?！昂? 不足2%的化03” 表示化03的含量在0%以上且不足2%的含義。另外，提供以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的Si02、7 18%的Al203、2 15%的化03、合計(jì)含量為8 16%的MgO、CaO, SrO以及BaO中的任一種以上的成分，所述 7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2O, Na2O, K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分的信息記錄媒體用玻璃基板(以下，稱為玻璃基板 A)。另外，提供以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的Si02、7 18%的Al203、7 15%的化03、合計(jì)含量為8 21%的MgO、CaO, SrO以及BaO中的任一種以上的成分，所述 7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2O^Na2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足
或者不含有這3種成分中的任一種成分的信息記錄媒體用玻璃基板(以下，稱為玻璃基板B)。另外，提供以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的Si02、7 18%的Al203、2 15%的B2O3、合計(jì)含量為8 21%的Mg0、Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分，SrO以及BaO的合計(jì)含量與化03含量之比((SrO+BaO)/B2O3)在1.2以下且所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2CKNii2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這 3種成分中的任一種成分的信息記錄媒體用玻璃基板(以下，稱為玻璃板C)。本發(fā)明的涉及上述玻璃基板的發(fā)明的目的不僅在于能夠在形成磁記錄層的磁盤的制造中使基板處于高溫，而且如下所述使得玻璃基板不容易破裂。S卩，信息記錄媒體通常在移動(dòng)或使用等時(shí)因失誤而掉落在地面等，但是作為信息記錄媒體的基板使用玻璃基板時(shí)存在玻璃基板受到?jīng)_擊而被破壞的問(wèn)題。本發(fā)明人為了研究這個(gè)問(wèn)題，對(duì)由后述的例4，15，16的基板玻璃構(gòu)成的玻璃基板(其中，例15的玻璃基板為經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化的玻璃)，如后所述測(cè)定了破壞韌性St (單位 MPa ·πι1/2)以及裂紋發(fā)生率ρ (單位％ )。另外，將這些玻璃基板安裝在微型驅(qū)動(dòng)器(PC卡片型的超小型硬盤)上，測(cè)定了耐沖擊性指標(biāo)S15(I、S175。結(jié)果示于表1。[表1]
權(quán)利要求
1.磁盤的制造方法，該方法是具有在溫度為550°C以上的玻璃基板上形成磁記錄層的步驟的磁盤的制造方法，其特征在于，以摩爾百分比表示時(shí)，玻璃基板含有62 74%的 SiO2,6 18%的Al203、2 15%的B2O3、合計(jì)量為8 21 %的Mg0、Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分，所述7種成分的含量合計(jì)為95%以上，Li2O, Na2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有7%以上的Al2O315
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有合計(jì)量為3 18%的MgO以及CaO中的任一種以上的成分。
4.如權(quán)利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有合計(jì)量為 16%&T&Mg0、Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分。
5.如權(quán)利要求4所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有合計(jì)量為3%以上的MgO以及CaO中的任一種以上的成分。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有7% 以上的化03。
7.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板含有 65 69%的 Si02、9 12%的 Al203、7 12%的 B2O3、合計(jì)量為 10 16%的 Mg0、Ca0、Sr0 以及BaO中的任一種以上的成分。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板中的SrO 以及BaO的合計(jì)含量與化03的含量之比((Sr0+Ba0)/B203)為1. 2以下。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，以質(zhì)量百分比表示時(shí)，玻璃基板含有超過(guò)8 %的化03。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板的密度在 2. 57g/cm3 以下。
11.磁盤的制造方法，該方法是具有在溫度為550°C以上的玻璃基板上形成磁記錄層的步驟的磁盤的制造方法，其特征在于，以摩爾百分比表示時(shí)，玻璃基板含有67 72%的 SiO2Ul 14%的A1203、0以上且不足2%的化03、4 9%的Mg0、4 6%的Ca0、l 6% 的Sr0、0 5%的BaO，MgO、CaO, SrO以及BaO的合計(jì)含量為14 18%，所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2CKNii2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分。
12.如權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，玻璃基板的退火點(diǎn)在650°C以上。
13.信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的 SiO2,7 18%的Al203、2 15%的B2O3、合計(jì)含量為8 16%的MgO、CaO、SrO以及BaO中的任一種以上的成分，所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2O, Na2O, K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分。
14.如權(quán)利要求13所述的信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，含有7%以上的化03。
15.信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的 SiO2,7 18%的Al203、7 15%的化03、合計(jì)含量為8 21 %的Mg0、Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分，所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li20、Na2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分。
16.如權(quán)利要求13、14或15所述的信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，SrO以及 BaO的合計(jì)含量與化03含量之比((SrO+BaO)/B2O3)在1. 2以下。
17.信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，以摩爾百分比表示時(shí)，含有62 74%的 SiO2,7 18%的Al203、2 15%的化03、合計(jì)含量為8 21 %的Mg0、Ca0、Sr0以及BaO中的任一種以上的成分，SrO以及BaO的合計(jì)含量與化03含量之比((SrO+BaO)/B2O3)在1. 2 以下且所述7種成分的合計(jì)含量為95%以上，Li2CKNii2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足或者不含有這3種成分中的任一種成分。
18.如權(quán)利要求13 17中任一項(xiàng)所述的信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，以質(zhì)量百分比表示時(shí)，B2O3的含量超過(guò)8%。
19.如權(quán)利要求13 18中任一項(xiàng)所述的信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，密度在 2. 57g/cm3 以下。
20.如權(quán)利要求13 19中任一項(xiàng)所述的信息記錄媒體用玻璃基板，其特征在于，所述信息記錄媒體為磁盤。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠在高溫下形成磁記錄層的磁盤的制造方法。所述磁盤的制造方法是具有在溫度為550℃以上的玻璃基板上形成磁記錄層的步驟的磁盤的制造方法，以摩爾百分比表示時(shí)，玻璃基板含有62～74％的SiO2、6～18％的Al2O3、2～15％的B2O3、合計(jì)量為8～21％的MgO、CaO、SrO以及BaO中的任一種以上的成分，所述7種成分的含量合計(jì)為95％以上，Li2O、Na2O以及K2O中的任一種以上的成分的合計(jì)量不足1％或者不含有這3種成分中的任一種成分。
文檔編號(hào)G11B5/73GK102473426SQ201180003205
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者中島哲也 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社