本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法。

背景技術(shù)：

失效性分析是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品良率的重要手段，其原理通常為：在制作出的芯片有故障時，通過失效性分析，定位出失效單元（fail bit ）的所述位置，并分析得出是哪種缺陷導(dǎo)致該失效單元失效，以便于后續(xù)制作過程中進行改進，提高良率；在失效性分析過程中，電性地址與物理地址之間的對應(yīng)關(guān)系（scramble）具有關(guān)鍵的作用。

目前電性地址與物理地址之間的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法一般包括粗略驗證和精細驗證；粗略驗證為：首先提供scramble 文件，其次使用激光在芯片的特定位置（比如芯片的左上角）打個標記（mark）來破壞芯片（如左上角）的物理地址，然后利用測試芯片驗證對應(yīng)的電性地址是否有失效問題產(chǎn)生，且大致的方位一定要對。精細驗證為：選擇特定失效模式的樣品（（single bit CT open）的樣品）進行物理失效分析（Physical failure analysis，簡稱PFA）來精確地驗證電性地址與物理地址之間的對應(yīng)關(guān)系是否正確。但是由于失效模式必須是比較明顯的硬失效（hard fail），這樣在PFA過程中才比較容易觀察到，才能保證驗證的成功進行，例如單一數(shù)據(jù)存儲單元通孔斷開（single bit CT open）這類失效模式，因此可以選擇的失效模式很有限，且該PFA步驟包括SEM （scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡）看VC（voltage contrast，電壓對比），F(xiàn)IB (Focused Ion Beam，聚焦離子束) 樣品切割，甚至需要TEM（Transmission Electron Microscope，透射電子顯微鏡）觀測等步驟，步驟非常繁瑣，這些都是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望見到的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述存在的問題，本發(fā)明公開了一種電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，包括如下步驟：

提供待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系和一具有失效單元的樣品，且所述樣品設(shè)置有通孔；

獲取所述失效單元的電性地址；

根據(jù)所述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系將所述失效單元的電性地址轉(zhuǎn)換為物理地址；

將所述樣品研磨所述至通孔的水平面（CT level）；

于所述樣品上找出轉(zhuǎn)換的所述物理地址對應(yīng)的單元；

對所述轉(zhuǎn)換的所述物理地址對應(yīng)的單元和與該單元鄰近的單元進行閾值電壓（Vt）測試，并根據(jù)測試結(jié)果判斷所述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是否正確。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述方法中，若所述轉(zhuǎn)換的所述物理地址對應(yīng)的單元和與該單元鄰近的單元（bits）的閾值電壓不同，則判斷所述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是正確的。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述方法中，若所述轉(zhuǎn)換的所述物理地址對應(yīng)的單元和與該單元鄰近的單元的閾值電壓相同，則判斷所述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是錯誤的。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述方法中，利用納米探測器（nano-prober）對所述轉(zhuǎn)換的所述物理地址對應(yīng)的單元和與該單元鄰近的單元進行閾值電壓測試。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述失效單元為軟失效（soft fail）或硬失效（hard fail）。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述將所述樣品研磨至所述通孔的水平面的步驟具體為：采用研磨的方法將所述樣品表面覆蓋的氧化層和金屬層去除，直至將所述通孔予以暴露。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述方法中，利用手工研磨或機械研磨的方法將所述樣品研磨至所述通孔的水平面。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述樣品為存儲器芯片。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述樣品為數(shù)據(jù)保持（data retention）有異常的單一數(shù)據(jù)存儲單元（single bit）或鄰近雙數(shù)據(jù)存儲單元（two bits。

上述的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，其中，所述方法中，利用位圖系統(tǒng)獲取所述失效單元的電性地址。

上述發(fā)明具有如下優(yōu)點或者有益效果：

本發(fā)明公開了一種電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，通過對轉(zhuǎn)換的物理地址所對應(yīng)的單元和位于該單元周邊的單元的閾值電壓進行比較來驗證電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系正確與否，以實現(xiàn)對電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的精確驗證，該方法對失效模式?jīng)]有嚴格的限定，且操作方便，快捷，從而有效提高了驗證效率和成功率。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實施例中電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法流程圖；

圖2是本發(fā)明一具體的實施例中失效單元與鄰近單元的Id-Vg 曲線。

具體實施方式

如圖1所示，本實施例涉及一種電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系的驗證方法，具體的，該方法包括如下步驟：

步驟S1，提供待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系和一具有失效單元的樣品，該樣品可以是設(shè)置有任何一種類型的存儲單元的存儲器芯片（該存儲器芯片上設(shè)置有通孔）；該待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系為scramble 文件，該失效單元的樣品可以為數(shù)據(jù)保持有異常的單一數(shù)據(jù)存儲單元或鄰近雙數(shù)據(jù)存儲單元等；在本發(fā)明的實施例中，對失效單元的失效模式并無特別的限制，該失效單元可以為軟失效，也可以為硬失效，這并不影響本發(fā)明的目的。

步驟S2，獲取失效單元的電性地址。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，利用位圖系統(tǒng)獲取失效單元的電性地址。

步驟S3，根據(jù)待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系將失效單元的電性地址轉(zhuǎn)化為物理地址。

步驟S4，將樣品研磨至通孔的水平面。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，利用手工研磨或機械研磨將樣品研磨至通孔的水平面。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，將樣品研磨至通孔的水平面的步驟具體為：采用研磨的方法將樣品表面覆蓋的氧化層和金屬層去除，直至暴露出通孔后停止研磨。

步驟S5，于上述樣品上找出上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元。

步驟S6，對上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元及與該單元鄰近的單元進行閾值電壓（Vt）測試，并根據(jù)測試結(jié)果判斷待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是否正確；若上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元及與該單元鄰近的單元的閾值電壓不同，則判斷上述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是正確的，若上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元及與該單元鄰近的單元的閾值電壓相同，則判斷上述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是錯誤的。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，利用納米探測器對上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元及與該單元鄰近的單元進行閾值電壓測試。

具體的，如果上述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是正確的，上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元（即失效地址）的Id-Vg 曲線就會與位于該單元周邊的單元的Id-Vg 曲線不同，如圖2所示，其中，1為轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元的Id-Vg 曲線，2、3、4分別為位于轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元周邊的單元的Id-Vg 曲線，顯而易見的，上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元的Id-Vg 曲線1就會與位于該單元周邊的單元的Id-Vg 曲線2、3、4不同；如果上述待驗證的電性地址與物理地址的對應(yīng)關(guān)系是錯誤的，上述步驟S3中轉(zhuǎn)換得到的物理地址在該樣品上所對應(yīng)的單元的Id-Vg 曲線就會與位于該單元周邊的單元的Id-Vg 曲線基本一致。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實施例可以實現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對本發(fā)明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。