本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)讀寫(xiě)
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路。
背景技術(shù)：
：存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備，根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不可缺少的一部分，計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器電路如圖1所示，當(dāng)讀寫(xiě)開(kāi)始時(shí)，信號(hào)BLPB＝1，關(guān)斷預(yù)充電電路101對(duì)BL0/BLB0的充電。寫(xiě)操作時(shí)，YW＝1，打開(kāi)MN0和MN1，使WBL連接到BL0，WBLB連接到BLB0。YRB＝1，保持MP0和MP1的關(guān)斷。當(dāng)DI＝0時(shí)，BL0為0，BLB0＝VD-Vth，把數(shù)據(jù)0寫(xiě)到存儲(chǔ)陣列的單元中。當(dāng)DI＝1時(shí)，BL0為VD-Vth，BLB0為0，把數(shù)據(jù)1寫(xiě)到存儲(chǔ)陣列的單元中，寫(xiě)操作時(shí)預(yù)充電電路101需要關(guān)閉。讀操作時(shí)，YW＝0，關(guān)斷MN0和MN1。YRB＝0，打開(kāi)MP0和MP1，使BL0連接到RBL，BLB0連接到RBLB。RBLPB＝1，關(guān)斷預(yù)充電電路102。相應(yīng)存儲(chǔ)陣列的單元通過(guò)下拉BL0或者BLB0，將下拉的電壓傳輸?shù)絉BL或者RBLB，最終通過(guò)SenseAmplifier(靈敏放大器)放大輸出到DO，讀操作時(shí)預(yù)充電電路101也需要關(guān)閉。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器電路設(shè)置了兩路預(yù)充電電路，以及四根信號(hào)線YW、YRB、BLPB、RBLPB，存儲(chǔ)器需要中央管控電路的邏輯處理和大驅(qū)動(dòng)電路的使用才能實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)傳輸門的管控控制，導(dǎo)致存儲(chǔ)器的面積大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種可減小存儲(chǔ)器面積的存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路。一種存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路，包括數(shù)據(jù)輸入電路、第一開(kāi)關(guān)組件、第二開(kāi)關(guān)組件、靈敏放大器和預(yù)充電電路，所述數(shù)據(jù)輸入電路連接所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件，所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件連接所述靈敏放大器，并分別用于連接存儲(chǔ)器的第一讀寫(xiě)端口和第二讀寫(xiě)端口；所述預(yù)充電電路連接所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件；所述數(shù)據(jù)輸入電路用于接收讀寫(xiě)使能信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)，并在所述讀寫(xiě)使能信號(hào)和所述數(shù)據(jù)信號(hào)均為第一類型電平時(shí)，輸出第一電平信號(hào)至所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件；在所述讀寫(xiě)使能信號(hào)為第一類型電平且所述數(shù)據(jù)信號(hào)為第二類型電平時(shí)，輸出第二電平信號(hào)至所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件；以及在所述讀寫(xiě)使能信號(hào)為第二類型電平時(shí)輸出第三電平信號(hào)至所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件；所述預(yù)充電電路用于接收充電使能信號(hào)，并在所述充電使能信號(hào)為第一類型電平時(shí)接入外部電源，并輸出電壓至所述第一開(kāi)關(guān)組件和所述第二開(kāi)關(guān)組件；所述第一開(kāi)關(guān)組件在接收到所述第一電平信號(hào)時(shí)使所述第一讀寫(xiě)端口接地或者虛擬地；以及在接收到所述第二電平信號(hào)和所述第三電平信號(hào)時(shí)，使所述第一讀寫(xiě)端口與所述靈敏放大器和所述預(yù)充電電路連通；所述第二開(kāi)關(guān)組件在接收到所述第二電平信號(hào)時(shí)使所述第二讀寫(xiě)端口接地或者虛擬地；以及在接收到所述第一電平信號(hào)和所述第三電平信號(hào)時(shí)，使所述第二讀寫(xiě)端口與所述靈敏放大器和所述預(yù)充電電路連通；所述靈敏放大器用于對(duì)接收的信號(hào)進(jìn)行放大后輸出。上述存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路，利用輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)和讀寫(xiě)使能信號(hào)的邏輯進(jìn)行管控處理，只需接收讀寫(xiě)使能信號(hào)和充電使能信號(hào)兩路外部信號(hào)，同時(shí)還可以減少預(yù)充電電路的數(shù)量，能有效節(jié)省存儲(chǔ)器的中央管控電路的邏輯處理和大驅(qū)動(dòng)電路的使用，減小了存儲(chǔ)器面積。附圖說(shuō)明圖1為傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器電路的原理圖；圖2為一實(shí)施例中存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為一實(shí)施例中存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路的原理圖；圖4為一實(shí)施例中存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路部分信號(hào)的波形圖。具體實(shí)施方式在一個(gè)實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路，可適用于SRAM(StaticRandomAccessMemory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、EDRAM(enhanceddynamicrandomaccessmemory，增強(qiáng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等存儲(chǔ)器。如圖2所示，該電路包括數(shù)據(jù)輸入電路110、第一開(kāi)關(guān)組件120、第二開(kāi)關(guān)組件130、靈敏放大器140和預(yù)充電電路150，數(shù)據(jù)輸入電路110連接第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130，第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130連接靈敏放大器140，并分別用于連接存儲(chǔ)器的第一讀寫(xiě)端口BL0和第二讀寫(xiě)端口BLB0；預(yù)充電電路150連接第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。數(shù)據(jù)輸入電路110用于接收讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB和數(shù)據(jù)信號(hào)DI，并在讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB和數(shù)據(jù)信號(hào)DI均為第一類型電平時(shí)，輸出第一電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130；在讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB為第一類型電平且數(shù)據(jù)信號(hào)DI為第二類型電平時(shí)，輸出第二電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130；以及在讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB為第二類型電平時(shí)輸出第三電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。數(shù)據(jù)輸入電路110根據(jù)讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB和數(shù)據(jù)信號(hào)DI的不同類型進(jìn)行邏輯處理，輸出不同的電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130，以用作進(jìn)行讀寫(xiě)傳輸門管控操作。電平的類型包括高電平和低電平兩種，本實(shí)施例中，第一類型電平為低電平，第二類型電平為高電平?？梢岳斫猓谄渌麑?shí)施例中，可以是第一類型電平為高電平，第二類型電平為低電平。第一開(kāi)關(guān)組件120在接收到第一電平信號(hào)時(shí)使第一讀寫(xiě)端口BL0接地或者虛擬地；以及在接收到第二電平信號(hào)和第三電平信號(hào)時(shí)，使第一讀寫(xiě)端口BL0與靈敏放大器140和預(yù)充電電路連通150。第二開(kāi)關(guān)組件130在接收到第二電平信號(hào)時(shí)使第二讀寫(xiě)端口BLB0接地或者虛擬地；以及在接收到第一電平信號(hào)和第三電平信號(hào)時(shí)，使第二讀寫(xiě)端口BLB0與靈敏放大器140和預(yù)充電電路150連通。靈敏放大器140用于對(duì)接收的信號(hào)進(jìn)行放大后輸出。預(yù)充電電路150用于接收充電使能信號(hào)RBLPB，并在充電使能信號(hào)RBLPB為第一類型電平時(shí)接入外部電源VD，并輸出電壓至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。同樣以第一類型電平為低電平為為例，預(yù)充電電路150在充電使能信號(hào)RBLPB為低電平時(shí)輸出電壓，在充電使能信號(hào)RBLPB為高電平時(shí)關(guān)斷，不輸出電壓。具體地，用0表示低電平，用1表示高電平。進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB＝0，充電使能信號(hào)RBLPB＝0。假如數(shù)據(jù)信號(hào)DI＝0，數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第一電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。第一讀寫(xiě)端口BL0通過(guò)第一開(kāi)關(guān)組件120接地或者虛擬地，預(yù)充電電路150通過(guò)第二開(kāi)關(guān)組件130連接第二讀寫(xiě)端口BLB0，使第一讀寫(xiě)端口BL0的電平被下拉到0，第二讀寫(xiě)端口BLB0保持為高電平，這就使得存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入0。當(dāng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)信號(hào)DI＝1時(shí)，數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第二電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。第二讀寫(xiě)端口BLB0通過(guò)第二開(kāi)關(guān)組件130接地，預(yù)充電電路150通過(guò)第一開(kāi)關(guān)組件120連接第一讀寫(xiě)端口BL0，使第二讀寫(xiě)端口BLB0的電平被下拉到0，第一讀寫(xiě)端口BL0保持為高電平，這就使得存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元會(huì)寫(xiě)入1。進(jìn)行讀操作時(shí)，讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB＝1，數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第三電平信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130，同時(shí)充電使能信號(hào)RBLPB＝1，預(yù)充電電路150關(guān)斷。第一讀寫(xiě)端口BL0和第二讀寫(xiě)端口BLB0分別通過(guò)第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130與靈敏放大器140連通，存儲(chǔ)器相應(yīng)存儲(chǔ)單元就會(huì)下拉第一讀寫(xiě)端口BL0或者第二讀寫(xiě)端口BLB0的電平，并通過(guò)第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130傳輸電壓差，最終通過(guò)靈敏放大器140進(jìn)行信號(hào)放大得到輸出信號(hào)DO并輸出。上述存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路，利用輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)DI和讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB的邏輯進(jìn)行管控處理，只需接收讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB和充電使能信號(hào)RBLPB兩路外部信號(hào)，同時(shí)還可以減少預(yù)充電電路150的數(shù)量，能有效節(jié)省存儲(chǔ)器的中央管控電路的邏輯處理和大驅(qū)動(dòng)電路的使用，節(jié)省芯片面積，減小了存儲(chǔ)器面積。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，數(shù)據(jù)輸入電路110包括第一或非門器件NOR0、第二或非門器件NOR1和反相器INV0，第一或非門器件NOR0的第一輸入端與反相器INV0的輸入端連接，用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)DI，反相器INV0的輸出端連接第二或非門器件NOR1的第一輸入端。第一或非門器件NOR0的第二輸入端連接第二或非門器件NOR1的第二輸入端，用于接收讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB。第一或非門器件INV0和第二或非門器件NOR1的輸出端分別連接第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130。第一或非門器件NOR0和第二或非門器件NOR1分別輸出信號(hào)BLPG和信號(hào)BLBPG。具體地，當(dāng)讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB＝0時(shí)，若數(shù)據(jù)信號(hào)DI＝0時(shí)，信號(hào)BLPG＝1，信號(hào)BLBPG＝0，即數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第一電平信號(hào)具體為，第一或非門器件NOR0輸出高電平和第二或非門器件NOR1輸出低電平；若數(shù)據(jù)信號(hào)DI＝1，則信號(hào)BLPG＝0，信號(hào)BLBPG＝1，即數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第二電平信號(hào)為，第一或非門器件NOR0輸出低電平，第二或非門器件NOR1輸出高電平。當(dāng)讀寫(xiě)使能信號(hào)WENB＝1時(shí)，不管數(shù)據(jù)信號(hào)DI是0還是1，信號(hào)BLPG和信號(hào)BLBPG都為0，即數(shù)據(jù)輸入電路110輸出第三電平信號(hào)為，第一或非門器件NOR0和第二或非門器件NOR1均輸出低電平。在一個(gè)實(shí)施例中，繼續(xù)參照?qǐng)D3，第一開(kāi)關(guān)組件120包括第一開(kāi)關(guān)管MN0和第二開(kāi)關(guān)管MP0，第一開(kāi)關(guān)管MN0和第二開(kāi)關(guān)管MP0的控制端均連接數(shù)據(jù)輸入電路110，具體連接第一或非門器件NOR0的輸出端，接收信號(hào)BLPG。第一開(kāi)關(guān)管MN0和第二開(kāi)關(guān)管MP0的第一端均連接第一讀寫(xiě)端口BL0，第一開(kāi)關(guān)管MN0的第二端連接接地端GND，第二開(kāi)關(guān)管MP0的第二端連接靈敏放大器140和預(yù)充電電路150。第一開(kāi)關(guān)管MN0和第二開(kāi)關(guān)管MP0的具體類型并不唯一，本實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)管MN0為N溝道MOS管，柵極作為第一開(kāi)關(guān)管MN0的控制端，漏極作為第一開(kāi)關(guān)管MN0的第一端，源極作為第一開(kāi)關(guān)管MN0的第二端。第二開(kāi)關(guān)管MP0為P溝道MOS管，柵極作為第二開(kāi)關(guān)管MP0的控制端，漏極作為第二開(kāi)關(guān)管MP0的第一端，源極作為第二開(kāi)關(guān)管MP0的第二端。進(jìn)一步地，在一個(gè)實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)組件130包括第三開(kāi)關(guān)管MN1和第四開(kāi)關(guān)管MP1，第三開(kāi)關(guān)管MN1和第四開(kāi)關(guān)管MP1的控制端均連接數(shù)據(jù)輸入電路110，具體連接第二或非門器件NOR1的輸出端，接收信號(hào)BLBPG。第三開(kāi)關(guān)管MN1和第四開(kāi)關(guān)管MP1的第一端均連接第二讀寫(xiě)端口BLB0，第三開(kāi)關(guān)管MN1的第二端連接接地端GND，第四開(kāi)關(guān)管MP1的第二端連接靈敏放大器140和預(yù)充電電路150。第三開(kāi)關(guān)管MN1和第四開(kāi)關(guān)管MP1的具體類型并不唯一，本實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)管MN1為N溝道MOS管，柵極作為第三開(kāi)關(guān)管MN1的控制端，漏極作為第三開(kāi)關(guān)管MN1的第一端，源極作為第三開(kāi)關(guān)管MN1的第二端。第四開(kāi)關(guān)管MP1為P溝道MOS管，柵極作為第四開(kāi)關(guān)管MP1的控制端，漏極作為第四開(kāi)關(guān)管MP1的第一端，源極作為第四開(kāi)關(guān)管MP1的第二端。當(dāng)信號(hào)BLPG＝1，信號(hào)BLBPG＝0時(shí)，第一開(kāi)關(guān)管MN0和第四開(kāi)關(guān)管MP1導(dǎo)通，第二開(kāi)關(guān)管MP0和第三開(kāi)關(guān)管MN1關(guān)斷，第一讀寫(xiě)端口BL0通過(guò)第一開(kāi)關(guān)管MN0接地，預(yù)充電電路150通過(guò)第四開(kāi)關(guān)管MP1連接到第二讀寫(xiě)端口BLB0。第一讀寫(xiě)端口BL0被很強(qiáng)的下拉到0，而第二讀寫(xiě)端口BLB0通過(guò)第四開(kāi)關(guān)管MP1的連接，很強(qiáng)地保持在電壓VD，使得對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元寫(xiě)入0。當(dāng)信號(hào)BLPG＝0，信號(hào)BLBPG＝1時(shí)，第一開(kāi)關(guān)管MN0和第四開(kāi)關(guān)管MP1關(guān)斷，第二開(kāi)關(guān)管MP0和第三開(kāi)關(guān)管MN1導(dǎo)通，第二讀寫(xiě)端口BLB0通過(guò)第三開(kāi)關(guān)管MN1接地，預(yù)充電電路150通過(guò)第二開(kāi)關(guān)管MP0連接到第一讀寫(xiě)端口BL0。第二讀寫(xiě)端口BLB0被很強(qiáng)的下拉到0，而第一讀寫(xiě)端口BL0通過(guò)第二開(kāi)關(guān)管MP0的連接，很強(qiáng)地保持在電壓VD，使得對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元寫(xiě)入1。由于使用電源地直接驅(qū)動(dòng)第一讀寫(xiě)端口BL0和第二讀寫(xiě)端口BLB0，不需要使用多個(gè)串聯(lián)串聯(lián)的N溝道MOS驅(qū)動(dòng)，第一讀寫(xiě)端口BL0和第二讀寫(xiě)端口BLB0可進(jìn)行強(qiáng)低電平和強(qiáng)高電平的寫(xiě)入，寫(xiě)能力更強(qiáng)，存儲(chǔ)器無(wú)需使用大驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，更有效節(jié)省了芯片面積。當(dāng)信號(hào)BLPG和信號(hào)BLBPG都等于0時(shí)，第一開(kāi)關(guān)管MN0和第三開(kāi)關(guān)管MN1關(guān)斷，第二開(kāi)關(guān)管MP0和第四開(kāi)關(guān)管MP1導(dǎo)通，同時(shí)由于充電使能信號(hào)RBLPB＝1，150預(yù)充電電路關(guān)斷。存儲(chǔ)器的相應(yīng)存儲(chǔ)單元下拉第一讀寫(xiě)端口BL0或者第二讀寫(xiě)端口BLB0，通過(guò)第二開(kāi)關(guān)管MP0和第四開(kāi)關(guān)管MP1將電壓差傳輸?shù)降诙_(kāi)關(guān)管MP0的第二端RBL和第四開(kāi)關(guān)管MP1的第二端RBLB，最終通過(guò)靈敏放大器140放大得到輸出信號(hào)DO并輸出。存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路的相關(guān)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)如表1所示。圖4所示為一實(shí)施例中存儲(chǔ)器讀寫(xiě)傳輸門管控電路進(jìn)行寫(xiě)讀寫(xiě)三個(gè)周期操作時(shí)，相關(guān)信號(hào)的波形圖。ReadWrite0Write1StandbyMN0關(guān)開(kāi)關(guān)關(guān)MP0開(kāi)關(guān)開(kāi)開(kāi)MN1關(guān)關(guān)開(kāi)關(guān)MP1開(kāi)開(kāi)關(guān)開(kāi)表1在一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，預(yù)充電電路150包括第五開(kāi)關(guān)管、第六開(kāi)關(guān)管和第七開(kāi)關(guān)管，第五開(kāi)關(guān)管、第六開(kāi)關(guān)管和第七開(kāi)關(guān)管的控制端均用于接收充電使能信號(hào)RBLPB，第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管的第一端連接電源接入端，接入電壓VD，第五開(kāi)關(guān)管的第二端連接第一開(kāi)關(guān)組件120，具體連接第二開(kāi)關(guān)管MP0的第二端，第六開(kāi)關(guān)管的第二端連接第二開(kāi)關(guān)組件130，具體連接第四開(kāi)關(guān)管MP1的第二端。第七開(kāi)關(guān)管的第一端和第二端分別連接第一開(kāi)關(guān)組件120和第二開(kāi)關(guān)組件130，具體分別連接第二開(kāi)關(guān)管MP0的第二端和第四開(kāi)關(guān)管MP1的第二端。第五開(kāi)關(guān)管、第六開(kāi)關(guān)管和第七開(kāi)關(guān)管的具體類型并不唯一，本實(shí)施例中，第五開(kāi)關(guān)管、第六開(kāi)關(guān)管和第七開(kāi)關(guān)管均為P溝道MOS管，且均柵極作為控制端，源極作為第一端，漏極作為第二端。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3