技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施方式提供一種能夠抑制存儲單元晶體管的劣化的半導(dǎo)體存儲裝置及存儲器系統(tǒng)。實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具有第1及第2動作模式，且具備存儲單元晶體管與字線。對于存儲單元晶體管，在刪除數(shù)據(jù)的情況下，施加刪除脈沖，在寫入數(shù)據(jù)的情況下，施加編程脈沖。在處于第1動作模式時，施加第1期間的刪除脈沖或編程脈沖。在處于第2動作模式時，施加比第1期間長的第2期間的刪除脈沖或編程脈沖。

技術(shù)研發(fā)人員：小玉枝梨華;巖井?dāng)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社東芝
文檔號碼：201610133579
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.09
技術(shù)公布日：2017.03.15