技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種Nand?Flash的編程方法，包括：對(duì)編程頁(yè)施加編程電壓；當(dāng)滿足第1狀態(tài)編程驗(yàn)證啟動(dòng)條件后啟動(dòng)第1狀態(tài)編程驗(yàn)證；設(shè)置m＝1，m為所述Nand?Flash的編程狀態(tài)序號(hào)，1≤m≤M，M＝2n-1，n為Nand?Flash存儲(chǔ)單元具有的比特位；基于第m狀態(tài)的掃描結(jié)果判定是否啟動(dòng)第m+1狀態(tài)編程驗(yàn)證，如果滿足則啟動(dòng)第m+1狀態(tài)的編程驗(yàn)證并掃描處于第m+1狀態(tài)的存儲(chǔ)單元；然后依據(jù)上述步驟循環(huán)判定是否啟動(dòng)相應(yīng)編程狀態(tài)的編程驗(yàn)證，直至m≥2n-1且第m狀態(tài)達(dá)到最大驗(yàn)證次數(shù)，停止編程驗(yàn)證的判定并結(jié)束編程操作。利用該方法，可以大大降低整個(gè)編程操作的時(shí)間消耗，很大程度的提高編程速度，同時(shí)也避免了編程操作時(shí)峰值電流和功耗產(chǎn)生影響。

技術(shù)研發(fā)人員：劉會(huì)娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2017.07.04