1.一種存儲(chǔ)器管理方法，用于一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)器管理方法包括：
獲得該些存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓分布；
將該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布分組成多個(gè)第一臨界電壓群組；
獲得該些存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓分布；
將該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布分組成多個(gè)第二臨界電壓群組，其中該些第一臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第二臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓；
若該些存儲(chǔ)單元中的一第一存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第一群組和該些第二臨界電壓群組中的一第一群組，將所述第一存儲(chǔ)單元分配到一第一虛擬區(qū)塊，使得所述第一存儲(chǔ)單元操作在一M階存儲(chǔ)單元模式；以及
若該些存儲(chǔ)單元中的一第二存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第二群組和該些第二臨界電壓群組中的一第二群組，將所述第二存儲(chǔ)單元分配到一第二虛擬區(qū)塊，使得所述第二存儲(chǔ)單元操作在一N階存儲(chǔ)單元模式；
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中M和N皆為大于1的正整數(shù)，并且N大于M。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓分布，
其中該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布的步驟包括：
抹除該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被抹除的存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓，
其中獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布的步驟包括：
程序化該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被程序化的存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元是位于所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第一實(shí)體單元，
其中所述存儲(chǔ)器管理方法還包括：
將對(duì)應(yīng)于該些存儲(chǔ)單元的至少一地址的分組信息儲(chǔ)存在所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第二實(shí)體單元，
其中所述至少一第二實(shí)體單元的一可靠度高于所述至少一第一實(shí)體單元的一可靠度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，還包括：
若該些存儲(chǔ)單元中的一第三存儲(chǔ)單元的一第三臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第三群組和該些第二臨界電壓群組中的一第三群組，則將所述第三存儲(chǔ)單元分配到一第三虛擬區(qū)塊，使得所述第三存儲(chǔ)單元操作在一Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于或等于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中，Q是小于N并且大于M的正整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，還包括：
若該些存儲(chǔ)單元中的一第四存儲(chǔ)單元的一第四臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第四群組和該些第二臨界電壓群組中的一第四群組，則將所述第四存儲(chǔ)單元分配到所述第三虛擬區(qū)塊，使得所述第四存儲(chǔ)單元操作在所述Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于或等于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，還包括：
分析該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布以及該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布；以及
根據(jù)一分析結(jié)果來(lái)決定該些第一臨界電壓群組的一第一數(shù)量以及該些第二臨界電壓群組的一第二數(shù)量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器管理方法，其特征在于，所述第一數(shù)量為J，其中所述第二數(shù)量為K，其中J和K皆為大于1的整數(shù)，
其中N等于M+J+K-2。
9.一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，包括：
一連接接口單元，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；
一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及
一存儲(chǔ)器控制電路單元，電性連接至所述連接接口單元以及所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元用以獲得該些存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布分組成多個(gè)第一臨界電壓群組，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以獲得該些存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布分組成多個(gè)第二臨界電壓群組，其中該些第一臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第二臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中若該些存儲(chǔ)單元中的一第一存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第一群組以及該些第二臨界電壓群組中的一第一群組，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一存儲(chǔ)單元分配到一第一虛擬區(qū)塊，使得所述第一存儲(chǔ)單元操作在一M階存儲(chǔ)單元模式，
其中若該些存儲(chǔ)單元中的一第二存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第二群組以及該些第二臨界電壓群組中的一第二群 組，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第二存儲(chǔ)單元分配到一第二虛擬區(qū)塊，使得所述第二存儲(chǔ)單元操作在一N階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中M和N皆為大于1的正整數(shù)，并且N大于M。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓分布，
其中該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓分布。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布的操作包括：
抹除該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被抹除的存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布的操作包括：
程序化該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被程序化的存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元是位于所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第一實(shí)體單元，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將對(duì)應(yīng)于該些存儲(chǔ)單元的至少一地址的分組信息儲(chǔ)存在所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第二實(shí)體單元，
其中所述至少一第二實(shí)體單元的一可靠度高于所述至少一第一實(shí)體單元的一可靠度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，若該些存儲(chǔ)單元中的一第三存儲(chǔ)單元的一第三臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第三群組和該些第二臨界電壓群組中的一第三群組，所述存儲(chǔ)器控制電路 單元還用以將所述第三存儲(chǔ)單元分配到一第三虛擬區(qū)塊，使得所述第三存儲(chǔ)單元操作在一Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于或等于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中Q是小于N并且大于M的正整數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，若該些存儲(chǔ)單元中的一第四存儲(chǔ)單元的一第四臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第四群組和該些第二臨界電壓群組中的一第四群組，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第四存儲(chǔ)單元分配到所述第三虛擬區(qū)塊，使得所述第四存儲(chǔ)單元操作在所述Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于或等于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以分析該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布以及該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以根據(jù)一分析結(jié)果來(lái)決定該些第一臨界電壓群組的一第一數(shù)量以及該些第二臨界電壓群組的一第二數(shù)量。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述第一數(shù)量為J，其中所述第二數(shù)量為K，其中J和K皆為大于1的整數(shù)，
其中N等于M+J+K-2。
17.一種存儲(chǔ)器控制電路單元，用以控制一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其特征在于，所述存儲(chǔ)器控制電路單元包括：
一主機(jī)接口，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；
一存儲(chǔ)器接口，用以電性連接至所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及
一存儲(chǔ)器管理電路，電性連接至所述主機(jī)接口以及所述存儲(chǔ)器接口，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路用以獲得該些存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布分組成多個(gè)第一臨界電壓群組，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以獲得該些存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布分組成多個(gè)第二臨界電壓群組，其中該些第一臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第二臨界電壓群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中若該些存儲(chǔ)單元中的一第一存儲(chǔ)單元的一第一臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第一群組以及該些第二臨界電壓群組中的一第一群組，所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將所述第一存儲(chǔ)單元分配到一第一虛擬區(qū)塊，使得所述第一存儲(chǔ)單元操作在一M階存儲(chǔ)單元模式，
其中若該些存儲(chǔ)單元中的一第二存儲(chǔ)單元的一第二臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第二群組以及該些第二臨界電壓群組中的一第二群組，所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將所述第二存儲(chǔ)單元分配到一第二虛擬區(qū)塊，使得所述第二存儲(chǔ)單元操作在一N階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第二群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的一端點(diǎn)臨界電壓，
其中M和N皆為大于1的正整數(shù)，并且N大于M。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓分布，
其中該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布是該些存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓分布。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)器管理電路獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布的操作包括：
抹除該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被抹除的存儲(chǔ)單元的一最抹除臨界電壓，
其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲得該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布的操作包括：
程序化該些存儲(chǔ)單元并且記錄每一個(gè)被程序化的存儲(chǔ)單元的一最程序化臨界電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，該些存儲(chǔ)單元位于所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第一實(shí)體單元，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將對(duì)應(yīng)于該些存儲(chǔ)單元的至少一地址的分組信息儲(chǔ)存在所述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模塊中的至少一第二實(shí)體單元，
其中所述至少一第二實(shí)體單元的一可靠度高于所述至少一第一實(shí)體單元的一可靠度。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，若該些存儲(chǔ)單元中的一第三存儲(chǔ)單元的一第三臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第三群組和該些第二臨界電壓群組中的一第三群組，所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將所述第三存儲(chǔ)單元分配到一第三虛擬區(qū)塊，使得所述第三存儲(chǔ)單元操作在一Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第三群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于或等于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中Q是小于N并且大于M的正整數(shù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，若該些存儲(chǔ)單元中的一第四存儲(chǔ)單元的一第四臨界電壓對(duì)屬于該些第一臨界電壓群組中的一第四群組和該些第二臨界電壓群組中的一第四群組，所述存儲(chǔ)器管理電路還用以將所述第四存儲(chǔ)單元分配到所述第三虛擬區(qū)塊，使得所述第四存儲(chǔ)單元操作在所述Q階存儲(chǔ)單元模式，
其中該些第一臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓低于或等于該些第一臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓，
其中該些第二臨界電壓群組中的所述第四群組的一端點(diǎn)臨界電壓高于該些第二臨界電壓群組中的所述第一群組的所述端點(diǎn)臨界電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)器管理電路還用以分析該些存儲(chǔ)單元的所述第一臨界電壓分布以及該些存儲(chǔ)單元的所述第二臨界電壓分布，
其中所述存儲(chǔ)器管理電路還用以根據(jù)一分析結(jié)果來(lái)決定該些第一臨界電壓群組的一第一數(shù)量以及該些第二臨界電壓群組的一第二數(shù)量。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器控制電路單元，其特征在于，所述第一數(shù)量為J，其中所述第二數(shù)量為K，其中J和K皆為大于1的整數(shù)，
其中，N等于M+J+K-2。