本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種電腦固態(tài)硬盤裝置。

背景技術(shù)：

隨著互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展，人們對數(shù)據(jù)信息的存儲需求也在不斷提升，現(xiàn)在多家存儲廠商推出了自己的便攜式固態(tài)硬盤，固態(tài)硬盤的快絕不僅僅體現(xiàn)在持續(xù)讀寫上，隨機讀寫速度快才是固態(tài)硬盤的終極奧義，這最直接體現(xiàn)在絕大部分的日常操作中。與之相關(guān)的還有極低的存取時間，最常見的7200轉(zhuǎn)機械硬盤的尋道時間一般為12-14毫秒，而固態(tài)硬盤可以輕易達(dá)到0.1毫秒甚至更低。2、物理特性，低功耗、無噪音、抗震動、低熱量、體積小、工作溫度范圍大。固態(tài)硬盤沒有機械馬達(dá)和風(fēng)扇，工作時噪音值為0分貝?；陂W存的固態(tài)硬盤在工作狀態(tài)下能耗和發(fā)熱量較低（但高端或大容量產(chǎn)品能耗會較高）。內(nèi)部不存在任何機械活動部件，不會發(fā)生機械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動。典型的硬盤驅(qū)動器只能在5到55攝氏度范圍內(nèi)工作。而大多數(shù)固態(tài)硬盤可在-10~70攝氏度工作。固態(tài)硬盤比同容量機械硬盤體積小、重量輕。這些優(yōu)勢機械硬盤都不具備，固態(tài)硬盤比機械硬盤還要耐用，更低溫、更抗震、更便攜。因此固體硬盤才能廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工業(yè)、醫(yī)療、航空等領(lǐng)域。

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，固態(tài)硬盤的存儲量不斷提高，數(shù)據(jù)的處理量巨大，這樣對固態(tài)硬盤的運行速度提出了挑戰(zhàn)，目前的固態(tài)硬盤存在數(shù)據(jù)處理量小，處理速度慢，同時由于固態(tài)硬盤上電子元器件各自的正常工作的溫度范圍不同，所以在超低溫的外部環(huán)境下，外部的環(huán)境溫度超過的很多電子元器件正常工作的溫度范圍，部分器件失效或不穩(wěn)定，使得固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存儲安全性得不到保障，從而導(dǎo)致固態(tài)硬盤無法應(yīng)用在苛刻的超低溫環(huán)境下，使用壽命短的缺點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種電腦固態(tài)硬盤裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種電腦固態(tài)硬盤裝置，包括主體，所述主體包括殼體和位于所述殼體內(nèi)部的PCB板，所述PCB板通過螺釘固定在所述殼體的內(nèi)部，所述PCB板上設(shè)置控制芯片、緩存芯片和NAND Flash閃存芯片，所述控制芯片包括主控芯片和輔控芯片，所述PCB板的上方設(shè)有PCI、FC接口，所述主體的內(nèi)部具有加熱系統(tǒng)，所述加熱系統(tǒng)包括加熱裝置和溫度傳感器，所述加熱裝置和溫度傳感器與所述控制芯片電性連接。

優(yōu)選的，所述PCI、FC接口分別與主機或者服務(wù)器連接。

優(yōu)選的，所述NAND Flash閃存芯片又分為SLC單層單元、MLC多層單元以及TLC三層單元NAND閃存。

優(yōu)選的，所述主控芯片采用 PC29AS21AA0，所述輔控芯片采用PC29AS21BA0。

優(yōu)選的，所述殼體鎂鋁合金制成，且表面采用金屬拉絲處理。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過在PCB板上設(shè)置主控芯片和輔控芯片，主控芯片采用 PC29AS21AA0，輔控芯片采用PC29AS21BA0，從而提高了固態(tài)硬盤的讀寫速度，提高了數(shù)據(jù)的處理量，通過電熱提高固態(tài)硬盤的工作環(huán)境溫度。同時，固態(tài)硬盤內(nèi)還設(shè)置有加熱裝置和溫度傳感器，用以控制加熱裝置的發(fā)熱，使固態(tài)硬盤的溫度維持在工作環(huán)境溫度范圍內(nèi)，借此使固態(tài)硬盤可以超低溫環(huán)境下正常工作，從而提高了使用壽命短，具有使用方便、使用效果好等優(yōu)點。

附圖說明

圖1為本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-主體；2-PCB板；21-控制芯片；211-主控芯片；212-輔控芯片；22-緩存芯片；23-NAND Flash閃存芯片；24-PCI、FC接口；3-殼體。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種電腦固態(tài)硬盤裝置，包括主體1，所述主體1包括殼體3和位于所述殼體3內(nèi)部的PCB板2，所述PCB板2通過螺釘固定在所述殼體3的內(nèi)部，所述PCB板2上設(shè)置控制芯片21、緩存芯片22和NAND Flash閃存芯片23，所述控制芯片21包括主控芯片211和輔控芯片212，所述PCB板2的上方設(shè)有PCI、FC接口24，所述主體的內(nèi)部具有加熱系統(tǒng)，所述加熱系統(tǒng)包括加熱裝置和溫度傳感器，所述加熱裝置和溫度傳感器與所述控制芯片21電性連接。

所述PCI、FC接口24分別與主機或者服務(wù)器連接；所述NAND Flash閃存芯片23又分為SLC單層單元、MLC多層單元以及TLC三層單元NAND閃存；所述主控芯片211采用 PC29AS21AA0，所述輔控芯片212采用PC29AS21BA0；所述殼體3鎂鋁合金制成，且表面采用金屬拉絲處理。

工作原理：該發(fā)明通過在PCB板2上設(shè)置主控芯片211和輔控芯片212，主控芯片211采用 PC29AS21AA0，輔控芯片212采用PC29AS21BA0，從而提高了固態(tài)硬盤的讀寫速度，提高了數(shù)據(jù)的處理量，通過電熱提高固態(tài)硬盤的工作環(huán)境溫度。同時，固態(tài)硬盤內(nèi)還設(shè)置有加熱裝置和溫度傳感器，用以控制加熱裝置的發(fā)熱，使固態(tài)硬盤的溫度維持在工作環(huán)境溫度范圍內(nèi)，借此使固態(tài)硬盤可以超低溫環(huán)境下正常工作，從而提高了使用壽命短，具有使用方便、使用效果好等優(yōu)點。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。