技術(shù)總結(jié)
一種電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備，其包括導(dǎo)體和與導(dǎo)體接觸的電阻式存儲(chǔ)器堆疊。該電阻式存儲(chǔ)器堆疊包括多成分電極和切換區(qū)域。該多成分電極包括具有表面的基極和在該基極表面上、采用i）薄層，或者ii）不連續(xù)納米島的形式的惰性材料電極。當(dāng)惰性材料電極采用薄層形式時(shí)，切換區(qū)域與導(dǎo)體并且與惰性材料電極接觸；或者當(dāng)惰性材料電極采用不連續(xù)納米島形式時(shí)，切換區(qū)域與導(dǎo)體、與惰性材料電極并且與基極的氧化部分接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：盛夏;Y.耶安;楊建華;H.S.喬;R.H.亨澤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：慧與發(fā)展有限責(zé)任合伙企業(yè)
文檔號(hào)碼：201480078047
技術(shù)研發(fā)日：2014.04.30
技術(shù)公布日：2017.03.22