電阻式存儲器元件可通過應用編程能量（例如，電壓或者電流脈沖）編程為不同的電阻狀態(tài)。在電阻式存儲器元件被編程之后，元件狀態(tài)是可讀的，并且在規(guī)定時間段內(nèi)保持穩(wěn)定。電阻式存儲器元件可以被配置成大型陣列，以形成電阻式存儲器設備。電阻式存儲器設備可以用于各種各樣的應用中，諸如非易失性固態(tài)存儲器、可編程邏輯、信號處理、控制系統(tǒng)、模式識別設備等等。電阻式存儲器設備的一些示例包括憶阻器、相變式存儲器和自旋轉(zhuǎn)移矩（spin-transfertorque）。特別地，單個憶阻器是無源的二端元件，其維護在電流（即，電荷）的時間積分和電壓的時間積分之間的函數(shù)關(guān)系。憶阻器的電阻取決于材料、厚度、和設備狀態(tài)。每個狀態(tài)的電阻還取決于應用于其的電壓的大小和極性，并且取決于應用了電壓的時間長度。附圖說明通過參考以下詳細描述和附圖，本公開內(nèi)容的示例的特征和優(yōu)點將變得明顯，在附圖中，類似的參考數(shù)字對應于相似但可能不是完全相同的成分。出于簡明的目的，具有以前描述過的功能的參考數(shù)字或者特征可以或者可以不連同其出現(xiàn)的其它附圖一同描述。圖1A到1D是描繪了用于制造電阻式存儲器設備的示例的方法的示例的橫截面視圖；圖2是從在圖1A到1D中示出的方法形成的示例電阻式存儲器設備的透視圖；圖3A到3E是描繪了用于制造電阻式存儲器設備的另一示例的方法的另一示例的橫截面視圖；圖4是包括從圖3A到3E中示出的方法形成的電阻式存儲器設備的多個示例的陣列的示例的透視圖；圖5是電阻式存儲器設備的另一示例的橫截面視圖；圖6是電阻式存儲器設備的又一示例的透視圖；圖7是電阻式存儲器設備的再一示例的透視圖；圖8是集成到堆疊的交叉陣列中的電阻式存儲器設備的透視圖；以及圖9是使用垂直配置集成到陣列中的電阻式存儲器設備的透視圖。具體實施方式憶阻器和其它電阻式存儲器設備/單元包括在兩個導體之間夾著的切換區(qū)域。這些設備/單元可以以交叉配置或者以非交叉配置制備。在交叉配置的一個示例中，導體作為導電元件以（一個或者多個）行和（一個或者多個）列來放置，以便對位于交叉的導體的交點處的憶阻器切換區(qū)域進行電氣訪問/尋址（見例如圖8）。在交叉配置的另一示例中，切換區(qū)域被夾在一組平行水平導體和相交的一組垂直導體之間，其中該切換區(qū)域處于表面上（nominally）垂直于基板表面的平面上（見例如圖9）。在非交叉配置中，每個設備/單元使用對應的晶體管來集成，該晶體管能夠單獨地對每個設備/單元訪問/尋址。非交叉配置的示例是1-晶體管1或者n-憶阻器單元（即，1T1R或者1TnR）。非交叉配置可以包括堆疊/平面層，或者可以包括一些水平取向成分以及垂直取向的其它成分。在這些設備/單元中，切換單元可以包括堆疊或者以其它方式放置于兩個導體之間的富氧層和氧空位/離子源/層。在一些示例中，各層是彼此平行的，并且與導體平行。在這些設備中，電流在垂直于堆疊的層的方向上流動。電切換產(chǎn)生于在兩個導體之間的切換區(qū)域內(nèi)的電子和離子種類（例如，氧空位或者離子）的耦合運動。更特別地，促使離子種類移動通過切換區(qū)域來經(jīng)由在兩個導體之間的導電細絲和/或隧道結(jié)的調(diào)制創(chuàng)建導電性的局部改變，這導致低電阻的“接通（ON）”狀態(tài)、高電阻的“關(guān)斷（OFF）”狀態(tài)或者中間狀態(tài)。在一些實例中，離子種類的運動還可以導致與相鄰的（一個或者多個）導體的交互，這可能會貢獻于設備/單元的降級。在本文公開的示例中，（一個或者多個）多層成分電極代替于導體之一或者兩個導體使用，或者多層成分電極用作是除了導體之外的另一電極。多層成分電極使用薄層或者不連續(xù)納米島（nano-island）的形式并入了放置在另一基極上的惰性材料電極。如本文使用的，短語“惰性材料電極”意味著對氧化是惰性的導電金屬或者金屬化合物。而且，多成分電極（不論是用作導體還是除了導體之外使用）被配置成使得惰性材料電極處于與切換區(qū)域的直接接觸，并且基極可能或者可能沒有處于與切換區(qū)域的直接接觸。在一些實例中，惰性材料電極被放置在基極和切換區(qū)域之間，并且因此基極不接觸切換區(qū)域。在其它實例中，惰性材料電極和基極的氧化部分直接接觸切換區(qū)域。在這些其它實例中，通過多成分電極的傳導可以優(yōu)選地通過基極和惰性材料電極的導電部分發(fā)生，而同時可能存在通過基極的氧化部分的增大的電阻。多成分電極的各種配置可以為設備提供更穩(wěn)定的電氣性能。附加地，惰性材料電極有利地限制了基極或者基極的局部區(qū)域清除來自切換區(qū)域的氧（oxygen）并且變得氧化或者以其它方式負面影響切換操作的可逆性和持久性。惰性材料電極還限制了處于基極的切換區(qū)域/切換區(qū)域界面減少，以形成附加的氧空位/離子。至少限制或者阻止基極的氧化被認為會減少電切換的降級并且增大設備持久性?，F(xiàn)在參考圖1A到1D，示意性地描繪了用于制造電阻式存儲器設備（例如，單元）10（見圖1D）的示例的方法的示例。如在圖1A中示出的，在方法的這個示例中，基極12和層間電介質(zhì)16形成在第一導體14上。導體14可以由用作集成電路制備中的導體的任何適當導電材料（例如，鎢（W）、鋁（Al）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉭(Ta)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)等等）形成并且可以具有任何適當?shù)暮穸龋ɡ纾秶鷱拇蠹s5nm到大約1000nm）。導體14（以及以下討論并且在圖1D中示出的第二導體30）可以是具有單成分合成物的單層、具有多成分合成物的單層、或者在每層中具有不同材料的多層結(jié)構(gòu)。導體14可以使用任何適當技術(shù)制備，所述技術(shù)諸如平板印刷術(shù)（例如，照相平板印刷術(shù)、電子束平板印刷術(shù)、壓印平板印刷術(shù)等等）、熱或者電子束蒸發(fā)、濺射、原子層沉積（ALD）等等。雖然導體14使用矩形橫截面示出，但是要理解，導體14還可以具有梯形、圓形、橢圓形或者其它更復雜的橫截面。導體14還可以具有許多不同寬度或者直徑和高寬比或者離心率。在一個示例中，層間電介質(zhì)16被形成為相對于導體14的接觸表面13的平面薄膜。用于層間電介質(zhì)16的適當沉積技術(shù)包括常規(guī)物理和化學技術(shù)，其包括從諸如細絲或者克努森單元（Knudsencell）之類的加熱源蒸發(fā)、從坩堝的電子束（即，e-beam）蒸發(fā)、從目標的濺射、其它形式的蒸發(fā)、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、分子束沉積、原子層沉積、脈沖激光沉積、或者來自反應前體的各種其它形式的化學氣相或者束生長。可以選擇諸如速度和溫度之類的適當沉積或者生長條件，以實現(xiàn)合期望的化學組成和期望用于層間電介質(zhì)16的局部原子結(jié)構(gòu)。用于層間電介質(zhì)16的適當材料的示例包括二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、旋涂式玻璃、氧化鋁(Al2O3)。層間電介質(zhì)16的厚度可以在從5nm到大約1000nm范圍的任何地方。在一個示例中，層間電介質(zhì)的厚度大于或者等于要形成的堆疊32的厚度（見圖1C）。要理解，如果導體14形成在另一層（例如，基板或者基板和絕緣層）上，則層間電介質(zhì)16可以直接形成在基板或者絕緣層的表面上，或者還可以同樣接觸導體14的一個或者多個暴露側(cè)。這樣，如果多個導體14形成在基板上，則層間電介質(zhì)16可以填充在導體14之間的任何間隙，并且將導體14彼此電絕緣。要理解，多個導體14是可例如通過暴露端進行電氣尋址的。對于要形成在導體14上的每個多成分電極22（見圖1B），在層間電介質(zhì)16中形成對應的溝槽18。圖1B圖示了單個溝槽18，其適用于二端憶阻器。要理解，部分取決于導體14的尺度、對于堆疊32的s尺度等等，可以形成附加的溝槽18。（一個或者多個）溝槽18可以通過圖案化層間電介質(zhì)16使得在其中形成具有某種形狀的過孔而形成。溝槽18的形狀可以是圓柱體、矩形棱柱、立方體或者其它幾何形狀。在示例中，溝槽18的幾何形狀具有側(cè)壁，其基本垂直于導體14的接觸表面13。在該示例中，溝槽18具有矩形棱柱形狀（這樣，堆疊32也具有矩形棱柱形狀，其在圖2中的隱藏線中示出）。要理解，執(zhí)行溝槽18的圖案化使得導體14的接觸表面13被暴露。這樣，溝槽18的底部是接觸表面13?？梢允褂萌舾杉夹g(shù)來對溝槽18圖案化，該技術(shù)包括各向異性反應離子蝕刻、反應離子蝕刻、離子銑、聚焦離子束銑(FIB)、發(fā)射過程或者任何其它濕或者干化學蝕刻方法。底部的導體14可以充當蝕刻停止部（etchstop）。在一個示例中，各向異性反應離子蝕刻可能是特別合期望的，因為其允許對層間電介質(zhì)16的一部分的選擇性移除。要理解，圖案化可以使用掩膜或者不使用掩膜執(zhí)行，這取決于所使用的技術(shù)。如圖1A中示出的，基極12被形成在溝槽18的至少一部分中?；鶚O12可以是任何導電材料，其包括可能具有氧化傾向的那些。基極12的示例包括氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、鎢（W）、鋁（Al）、和銅（Cu）?；鶚O12可以由電化學沉積或者無電沉積來形成。這些是形成溝槽18中的基極12的生長過程。在圖1A中示出的示例中，基極12填充溝槽18的一部分，但是不填充整個溝槽18。在其它示例中，可能合期望的是，形成基極12使得其填充溝槽18。在形成了基極12之后，方法包括形成惰性材料電極20。如在圖1B中示出的，在該方法的示例中，惰性材料電極20是直接形成在基極12的暴露表面上的薄層。薄層具有10nm或者更小的厚度。在一個示例中，薄層具有5nm或者更小的厚度。惰性材料電極20可以由對氧化是惰性的任何導電金屬或者金屬化合物形成。導電性允許惰性材料電極20作為催化劑參與到最終設備/單元10的切換中。然而，惰性材料對氧化的電阻有助于保持氧化物不會形成在惰性材料電極20和之后在其上的切換區(qū)域24的金屬氧化物層26（注意，26和24兩者都在圖1C中示出和進一步描述）之間的界面處。用于惰性材料電極20的適當材料的示例包括諸如鉑和金之類的貴重金屬，諸如銥和釕之類的特殊金屬，諸如碳化鈦、碳化鉭、碳化鋁和碳化鎢之類的金屬碳化物，諸如硼化鈦、硼化鉭、硼化鋁和硼化鎢之類的金屬硼化物和其組合。惰性材料電極20可以通過從溶液中電鍍或者無電鍍惰性材料形成。電鍍或者無電鍍提供了對基極12的表面的惰性材料的選擇性附著。在電鍍或者無電鍍期間，基極12和層間電介質(zhì)16暴露于具有溶解陽離子形式的、包括惰性材料的溶液中。對于電鍍而言，溶液可以包括HCl中的H2PtCl6。對于無電鍍而言，溶液可以包括NaOH中的Na2Pt(OH)6、NaNO2中的(NH3)2Pt(NO2)2、或者NH4OH外加N2H2中的K2Pt((NO2)4。在電鍍時，電流用來減少溶解的惰性材料陽離子，使得其在基極12的暴露表面上形成連貫的、連續(xù)的金屬涂覆。電流不用于無電鍍。在這些示例中，連貫、連續(xù)的金屬涂覆是惰性材料電極20?；鶚O12和惰性材料電極20一同形成多成分電極22（其在圖1B和1C中以虛線勾勒）。如在圖1C中示出的，切換區(qū)域24然后形成在惰性材料電極20上。在圖1C中示出的示例中，切換區(qū)域24還形成在溝槽18中，使得其由層間電介質(zhì)16包圍。在另一個示例中（未示出），基極12可以填充溝槽18，并且切換區(qū)域24可以形成在基極12和層間電介質(zhì)16的暴露部分上。在一個示例中，切換區(qū)域24是金屬氧化物層26，其包括富氧部分O和缺氧部分OD（如圖1D中示出）。在另一個示例中，切換區(qū)域24包括金屬氧化物層26（其包括富氧部分O和缺氧部分OD）以及與金屬氧化物層26相接觸地形成的金屬層28。富氧部分O和缺氧部分OD沒有在圖1C中示出，部分是因為其可能在金屬氧化物層26的初始形成之后不存在。但是，富氧部分O和缺氧部分OD可以在形成設備10之后引入到切換區(qū)域24中。富氧部分O和缺氧部分OD的形成將在以下參考圖1D進一步討論。為了初始地形成切換區(qū)域24，金屬氧化物層26可以直接沉積在惰性金屬電極20的暴露表面21上。所使用的金屬氧化物可以取決于用于切換區(qū)域24的所期望的材料。作為示例，金屬氧化物可以是二氧化鈦(TiO2)、五氧化鉭(Ta2O5)、氧化鎳(II)(NiO2)、氧化鋯(ZrO2)或者氧化鉿(IV)(HfO2)。金屬氧化物層26的沉積可以通過生長惰性材料電極20的表面上的材料實現(xiàn)。適當?shù)纳L技術(shù)的示例包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、濺射、和原子層沉積(ALD)。如果執(zhí)行沉積使得金屬氧化物層26延伸到層間電介質(zhì)16的表面上，則可以執(zhí)行平面化和回蝕刻，使得由金屬氧化物層26和層間電介質(zhì)16形成平面的表面。沉積還可以停止，使得金屬氧化物不填充溝槽18。這可能例如在金屬層28要形成時是合期望的。在一些實例中，切換區(qū)域24的形成還涉及形成金屬氧化物層26上的金屬層28。如果缺氧部分OD是充分缺氧的話，則金屬層28可能不是合期望的。否則，金屬層28可能是合期望的，以提供金屬離子源，金屬離子在界面處靜電漂移（響應于在高電流切換期間生成的熱）到金屬氧化物層26，從而形成可參與切換的缺氧部分OD中的附加氧空位和/或離子。金屬層28還可以充當對于金屬氧化物層26的保護層。用于形成金屬層28的材料取決于所使用的金屬氧化物26。下表提供了金屬氧化物層26和金屬層28的適當組合的示例。金屬氧化物層/金屬層組合金屬氧化物層金屬層二氧化鈦(TiO2)鈦(Ti)五氧化鉭(Ta2O5)鉭(Ta)氧化鎳(II)(NiO2)鎳(Ni)氧化鋯(ZrO2)鋯(Zr)氧化鉿(IV)(HfO2)鉿(Hf)金屬層26可以使用任何選擇性的沉積過程（諸如蒸發(fā)、電鍍、濺射、PECVD、ALD等等）進行沉積。多成分電極22和切換區(qū)域24一同形成電阻式存儲器堆疊32。在電阻式存儲器堆疊32形成之后，方法進一步包括在堆疊32的切換區(qū)域24上形成第二導體30。第二導體30的一個示例在圖1D中描繪（橫截面視圖）并且第二導體30、30'的兩個示例在圖2中示出（透視圖）。導體30或者導體30'都可被使用。導體30或者導體30'可以形成使得其至少與切換區(qū)域24接觸。層間電介質(zhì)16還可以支持導體30、30'。導體30、30'可以由所述材料中的任何材料并且通過之前對于導體14討論的所述技術(shù)中的任何技術(shù)形成。要理解的是，當金屬層28未被包括在切換區(qū)域24中時，第二導體30、30'將與金屬氧化物層26直接接觸。要進一步理解的是，當金屬層28被包括時，第二導體30、30'將與金屬層28直接接觸。如圖2中描繪的，導體30相對于導體14以某個非零角度放置。非零角度的放置防止了（一個或者多個）所產(chǎn)生的設備/單元10的不足（例如，當多個設備/單元10以交叉配置形成在單個導體14上時）。當多個多成分電極22和切換區(qū)域24形成在單個導體14上時，要理解，相應的導體30被形成為i）與切換區(qū)域24的單個切換區(qū)域電接觸，以及ii）與彼此電氣隔離。這將形成交叉配置。如在圖2中的虛位（phantom）中示出的，導體30'可以被放置在切換區(qū)域24（以及層間電介質(zhì)16）上，使得其與導體14處于相同的角度或者位置。在該配置中，導體14、30不是交叉的。這種類型的設備/單元可以與單個晶體管集成。在一個示例中，單個晶體管可以是高性能的單個結(jié)晶硅晶體管或者某種其它適當?shù)木w管。在非交叉的配置中，設備/單元10包括處于設備/單元10的一端或者兩端的多成分電極22。在一個示例中，晶體管源/漏端可以起到導體14或者30'之一的功能。在另一個示例中，如果使用1晶體管1憶阻器（1T1R）安排，則導體14或者30'可以是在經(jīng)由過孔連接到晶體管端的層上的金屬導電跡線。例如，憶阻式切換區(qū)域24可以放置于電路結(jié)構(gòu)的不同層處，并且可以借助于過孔和金屬（即，導體）訪問。通過加入導體30、30'，形成電阻式存儲器設備/單元10。設備10具有單個接點34（具有一個電阻式存儲器堆疊32），其位于導體14、30之間（例如，位于其交點處）。接點34可由相應的交叉導體14、30或者操作地連接到和/或包括（一個或者多個）導體14、30'的切換晶體管單個地尋址。當設備10首先被制備時，整個切換區(qū)域24可以或者是非導電的，或者是處于初始高電阻狀態(tài)。這樣，形成過程或者初始切換過程可以用來形成在多成分電極22的惰性材料電極20和導體30、30'之間的金屬氧化物層26中的（一個或者多個）導電通道。在金屬氧化物層26內(nèi)的（一個或者多個）導電通道變成在導體14、30、或者30'之間的電流的主區(qū)域。電流路徑的剩余部分由多成分電極22構(gòu)成，其中惰性材料電極20直接與（一個或者多個）導電通道接觸，并且基極與惰性材料電極20直接接觸。形成過程的示例是電成形的，其包括跨導體14、30應用足夠高（閾值）的電壓達足夠的時間長度，以產(chǎn)生通過金屬氧化物層26的電子導電性的顯著的永久改變。形成過程所要求的閾值電壓和時間長度可以取決于層26或者26、28以及用于切換區(qū)域24的（一個或者多個）材料的類型、導體14、30和設備幾何形狀。在電成形過程期間，氧空位被創(chuàng)建，并且離子被移入和移出金屬氧化物層26。在該過程期間，氧離子從金屬氧化物層26移除和/或金屬離子被推入到金屬氧化物層26。這導致金屬氧化物層26的導電缺氧部分OD的形成。當氧離子從金屬氧化物層26移除，但其維持著晶格（crystallinelattice）完整時，氧離子之前占據(jù)的空間被稱為氧空位。作為示例，缺氧部分OD是低氧化物（sub-oxide），諸如TiO2-x、Ta2O5-x、NiO2-x、ZrO2-x、或者HfO2-x。金屬氧化物26的其它部分保持富氧，并且因此其被稱為富氧部分O。在應用于導體14的電場下，氧離子從導體14移除（即，其中創(chuàng)建氧空位）或者金屬離子向?qū)w14漂移。這形成了富氧部分O中的低氧化物的（一個或者多個）局部導電通道。低氧化物是缺氧導電細絲。形成（一個或者多個）導電通道的低氧化物的示例取決于金屬氧化物層26的構(gòu)成，包括TiO2-x、Ta2O5-x、NiO2-x、ZrO2-x、或者HfO2-x。在一些情況下，如所制備的設備將經(jīng)歷使用等于或者相似于在正常切換操作期間的那些電平的電壓和/或電流電平的電成形?？商鎿Q于電成形，熱退火可以在設備10的制備期間或者之后執(zhí)行。熱退火過程可引起具有以下程度的、在層26、28之間的金屬和氧原子的化學反應或者擴散，即：金屬氧化物層26變成在構(gòu)成上是金屬的，并且因此在任何應用的電應力（electricalstress）之前變成是電傳導的。這通常稱為“初始接通狀態(tài)”設備10，這可能是合期望的，因為其不要求高的形成電壓。在該情況下，應用負脈沖可以將設備切換到“關(guān)斷”或者高電阻狀態(tài)。要理解的是，設備10還可以是無成形（forming-free）的設備（例如，沒有使用電成形或者熱退火）。無成形的設備可以通過使用較薄的金屬氧化物層26、通過在金屬氧化物層26中包括預先形成的細絲或者類似細絲的特征（導電的納米突出物、導電的納米粒子）、或者其組合來實現(xiàn)。設備10可以至少在接通和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。在圖1D和2中示出的示例中，切換區(qū)域24的金屬氧化物層26的缺氧部分OD在接通切換期間生成氧空位或者將金屬離子提供給富氧部分O的低氧化物的（一個或者多個）導電通道，而在關(guān)斷切換期間，氧空位（通過將氧離子垂直地驅(qū)動到導電通道中）或者金屬離子被垂直地從（一個或者多個）導電通道驅(qū)動到缺氧部分26,OD中。在關(guān)斷切換期間，并且當轉(zhuǎn)變成其相關(guān)聯(lián)的高電阻狀態(tài)時，在富氧部分O中的氧使得低氧化物的（一個或者多個）導電通道氧化?，F(xiàn)在參考圖3A到3E，示意性地描繪了用于制造電阻式存儲器設備/單元50、60（見圖3D）的其它示例的方法的另一示例。圖3A與圖1A相似，除了在導體14上形成多個基極12、12'，以及僅形成了層間電介質(zhì)16的一部分A。在圖3A到3E中示出的方法也可以用來形成單個二端設備。要理解的是，用于形成參考圖1A到1D描述的導體14、層間電介質(zhì)16以及基極12的材料和方法中的任一項可以用來形成在該示例中的導體14、層間電介質(zhì)16的部分A以及基極12、12'。當形成了多個基極12、12'時，形成在部分A中的溝槽18、18'應該通過剩余的層間電介質(zhì)16,A與彼此分離，使得在相應溝槽18、18'中形成的基極12、12'也以相同方式與彼此分離。這貢獻于：所產(chǎn)生的設備50、60是可單獨尋址的并且在形成相應導體30、30'時與彼此電氣隔離（在圖3E和4中示出）。在形成了基極12、12'之后，方法的該示例包括形成至少接觸基極12、12'的暴露表面的不連續(xù)納米島36?？杀恍纬傻牟贿B續(xù)納米島36的兩個示例在圖3B中示出。如以下將描述的，不連續(xù)納米島36可以選擇性地單獨形成在基極12的暴露表面上。如將在以下描述的，不連續(xù)納米島36可以形成在基極12'的暴露表面上，以及形成在層間電介質(zhì)16的部分A的表面上。為了形成在基極12的暴露表面上的不連續(xù)納米島36（而不在層間電介質(zhì)16的表面上形成任何不連續(xù)納米島），可以使用選擇性的形成過程。選擇性形成在圖3B的左側(cè)示出。選擇形成過程的一個示例是伽伐尼置換（galvanicdisplacement）。在伽伐尼置換中，惰性材料的納米粒子從含有納米粒子的溶液選擇性地沉積在基極12上。在伽伐尼置換期間，納米粒子在基極12的暴露表面上形成惰性材料的分立的、不連續(xù)的島36。選擇性形成過程的其它示例包括原子層沉積（ALD）。在ALD期間，鉑納米粒子部分取決于基極12的材料，優(yōu)選地相對于層間電介質(zhì)16生長在基極12上。為了形成基極12'的暴露表面上的以及層間電介質(zhì)的部分A的表面上的不連續(xù)納米島36，可以使用非選擇性形成過程。在一個示例中，非選擇性形成過程包括惰性材料的沉積，隨后退火。作為示例，惰性材料可以沉積在基極12'的表面和包圍基極12'的層間電介質(zhì)16的表面上。適當沉積過程的示例包括濺射、電子束沉積等等。所沉積的惰性材料然后可以被暴露給退火。退火過程的溫度可以部分取決于所使用的惰性材料。當鉑被用作是惰性材料時，退火可以以范圍從大約550°C到大約600°C的溫度執(zhí)行達大約30分鐘，并且當金被用作是惰性材料時，退火可以以范圍從大約450°C到大約480°C的溫度執(zhí)行達大約30分鐘。退火可以在空氣中、或者在真空下、或者在N2單獨存在或者與H2組合地存在時、或者Ar單獨存在或者與H2組合地存在時執(zhí)行。然而要理解，可以用作是合適退火的高溫可以顯著減少納米島的形成（例如，惰性金屬的連續(xù)層可以代替地形成）。這樣，基極12'和層間電介質(zhì)16可在沉積過程期間加熱，而不是執(zhí)行退火。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在沉積期間對基極12'和層間電介質(zhì)16進行加熱，鉑納米島可以以350°或者更低溫度形成，并且金納米島可以以300°或者更低溫度形成?；鶚O12'的預處理可以在沉積和退火過程或者加熱退火過程之前。在一個示例中，基極12'可以暴露于表面處理過程，其涉及在預定時間內(nèi)暴露于等離子體。等離子體可以是H2等離子體或者H2/Ar等離子體或者純Ar等離子體，并且預定時間可以部分取決于所使用的基極12'。在一個示例中，基極12'是TiN，等離子體是H2等離子體，并且預定時間是大約10分鐘。當被使用時，這個預處理過程之后是惰性材料沉積和退火，如之前描述的。不連續(xù)納米島36可以由適用于制造惰性材料電極20（例如，Pt、Au、Ir、Ru、金屬碳化物、金屬硼化物等等）的任何材料形成。直接接觸基極12、12'（并且因此與導體14間接地電接觸）的不連續(xù)納米島36形成多成分電極22'的惰性材料電極20'，并且構(gòu)成所產(chǎn)生的設備/單元50、60的電流路徑的一部分。任何接觸層間電介質(zhì)16的部分A并且不接觸基極12、12'的不連續(xù)納米島36不形成惰性材料電極20'。因為這些納米島36不接觸基極12、12'并且不連續(xù)，所以其不需要從設備60移除，至少部分是因為其與其它納米島（例如，36或者36、20'）物理和電氣隔離，并且沒有形成電流路徑的一部分。在一個示例中，不連續(xù)納米島36和36、20'的每一項具有范圍從大約1:5到大約1:1的高寬比（高度:寬度）。在另一示例中，高寬比（高度:寬度）范圍從大約1:3到大約1:1。在特定示例中，不連續(xù)納米島36和36、20'的每一項的高寬比（高度:寬度）大約是1:1。納米島尺度是基于納米度量的，并且一般范圍是從大約1nm到大約100nm。如在圖3B中示出的，（一個或者多個）多成分電極22'由基極12、12'和惰性材料電極20'（即，在基極12、12'上的不連續(xù)納米島36）構(gòu)成。在該方法的示例中，多成分電極22'暴露于氧化過程，使得基極12、12'的任何暴露表面38變成氧化的。氧化過程可以被控制為使得暴露表面38氧化，但是使得氧化不會通過基極12、12'的整個厚度或者深度發(fā)生。惰性材料電極20'在氧化期間充當掩膜。這樣，在惰性材料電極20'之間的基極12、12'的表面38被氧化，并且變得更絕緣，而同時惰性材料電極20'和由惰性材料電極20'掩膜的基極12、12'的（一個或者多個）部分保持導電?；鶚O12、12'的氧化部分分別被示出在圖3C中的參考數(shù)字40、40'處。在一個示例中，基極12、12'的暴露表面38的氧化可以通過以下實現(xiàn)，即：使用氧氣流或者等離子體氧化，在預定時間內(nèi)以室溫（大約18°C）或者更高溫度將表面38暴露于爐氧化（furnaceoxidation）。在表面38氧化之后，（一個或者多個）多成分電極22'的形狀可能會輕微改變。因為基極12、12'的氧化部分40、40'比基極12、12'的剩余導電部分更不導電，所以其可能不被認為是多成分電極22'的一部分。這些氧化部分40、40'展現(xiàn)了對于去往/來自切換區(qū)域24或24'的（一個或者多個）導電通道的電流的較高電阻。在另一個示例中，之前描述的氧化過程可以不被執(zhí)行，因為切換區(qū)域24或24'的沉積可以充當氧化步驟。如在圖3D中示出的，切換區(qū)域24或者24'然后形成在惰性材料電極20'和氧化部分40、40'上。要理解的是，用于形成參考圖1A到1D描述的金屬氧化物層26和金屬層28的材料和方法中的任一個可以用于形成金屬氧化物層26、26'，并且當合期望時，形成本示例中的金屬層28、28'。類似于圖1C，切換區(qū)域24、24'的富氧部分O和缺氧部分OD未在圖3D中示出，這部分是因為其可能在金屬氧化物層26、26'的初始形成之后不存在。但是，富氧部分O和缺氧部分OD可以在形成了設備50、60之后引入到切換區(qū)域24、24'中。富氧部分O和缺氧部分OD的形成將在以下參考圖3E進一步討論。為了初始地形成切換區(qū)域24（在圖3D的左側(cè)上示出），金屬氧化物可以沉積在惰性材料電極20'和氧化部分40上，以形成平面金屬氧化物層26。沉積可以如前所述地實現(xiàn)，并且可以在實現(xiàn)平面配置之前執(zhí)行?？商鎿Q地，金屬氧化物可以被沉積和平面化或者回蝕刻，以實現(xiàn)平面配置。在該示例中，惰性材料電極36、20'可以被認為是擴展到切換區(qū)域24中。為了在惰性材料電極20'和氧化部分40'上初始地形成切換區(qū)域24'(在圖3D的右側(cè)上示出)，金屬氧化物可以被沉積以形成層26'，其相對于底層的惰性材料電極20'是共形的。沉積可以使用任何共形涂覆過程（諸如濺射、ALD、CVD等等）實現(xiàn)。在該示例中，惰性材料電極20'可以被描述為被切換區(qū)域24'覆蓋。如在圖3D中示出的，切換區(qū)域24、24'的形成還可以涉及在金屬氧化物層26、26'上形成金屬層28、28'。用于分別形成金屬層28、28'的材料取決于所使用的金屬氧化物層26、26'。任何適當金屬沉積技術(shù)可以被使用，并且所產(chǎn)生的金屬層28可以是平面的或者可以與底層成分（金屬層28'）的幾何形狀共形。金屬層28、28'可以被沉積和平面化或者回蝕刻，以實現(xiàn)平面配置。在另一示例中，金屬氧化物層26、26'和金屬層28、28'可以被沉積并且然后一同圖案化。多成分電極22'和切換區(qū)域24、24'一同形成電阻式存儲器堆疊32'的示例。在圖3A到3D中示出的示例方法還可以在不對層間電介質(zhì)16和基極12、12'預先圖案化的情況下執(zhí)行。而是，整個電阻式堆疊32'可以被形成在導體14上（例如，通過沉積在每一層上的覆蓋層（blanket）），并且然后在單個蝕刻步驟中將各層一起圖案化。在該示例中，層間電介質(zhì)16在蝕刻之后可以或者可以不被沉積，使得其包圍每個堆疊32'。在圖3A到3E示出的示例中，在形成了電阻式存儲器堆疊32'之后，該方法進一步包括形成層間電介質(zhì)16的另一部分B，并且在堆疊32'的切換部分24、24'上形成第二導體30、30'。部分B,16和第二導體30、30'兩者在圖3E中描繪出。部分B可以是與部分A相同的材料，并且可以使用之前描述的用于層間電介質(zhì)16的技術(shù)中的任何技術(shù)來沉積。在一個示例中，層間電介質(zhì)16被沉積（例如，通過旋轉(zhuǎn)涂覆、涂布涂覆（barcoating）等等），以覆蓋部分A和電阻式存儲器堆疊32'。部分B然后可以使用常規(guī)化學機械平面化（CMP）或者蝕刻過程來平面化。移除部分B可以在電阻式存儲器堆疊32'的上表面被暴露（即，使得切換區(qū)域24、24'的最外層被暴露）之前發(fā)生。導體30、30''可以被形成使得其分別與（一個或者多個）切換區(qū)域24、24'進行電接觸。在圖3E的示例中，導體30接觸切換區(qū)域24，并且導體30''接觸切換區(qū)域24'。因為多個切換區(qū)域24、24'形成在單個導體14上，所以要理解，導體30、30''被形成為與切換區(qū)域24、24''中的單個切換區(qū)域進行電接觸，并且與彼此電氣隔離。此外，相應材料堆疊32'可以支持導體30、30''。導體30、30''還可以由之前針對導體14討論的任一材料和任一技術(shù)形成。要理解的是，當金屬層28、28'不被包括在切換區(qū)域24、24'中時，導體30、30''將分別與金屬氧化物層26、26'直接接觸。要進一步理解的是，當金屬層28、28''被包括時，導體30、30''將分別與金屬層28、28'直接接觸。通過加入導體30、30''，形成了電阻式存儲器設備50、60。每個設備50、60具有位于導體14、30和14、30''之間（與一個電阻式存儲器堆疊32'）的單個接點34'、34''。每個接點34、34'可由相應的導體14、30和14、30''單獨尋址。要理解的是，導體14、30可以以交叉配置或者以非交叉配置（例如，以用于與單個晶體管集成）來形成。當設備/單元50、60被首次制備時，整個切換區(qū)域24、24'可以或是非導電的，或是處于初始高電阻狀態(tài)。這樣，形成過程或者初始切換過程可以用來在多成分電極22'的至少惰性材料電極20'和相應導體30、30''之間的金屬氧化物層26、26'中形成至少某個（某些）導電通道。在金屬氧化物層26、26'內(nèi)的（一個或者多個）導電通道形成在導體14、30和14、30''之間的電流路徑的一部分。電流路徑的剩余部分由多成分電極22'構(gòu)成，其中導電路徑優(yōu)選地通過惰性材料電極20'。當設備/單元是初始導電時，形成過程可以使用如之前描述的電成形或者熱退火來實現(xiàn)。在其它示例中，設備/單元50、60是無成形的設備/單元50、60。設備/單元50、60可以至少在接通和關(guān)斷狀態(tài)之間獨立切換。在圖3E中示出的示例中，切換區(qū)域24、24'的金屬氧化物層26、26'的缺氧部分OD在接通切換期間創(chuàng)建了氧空位，或者將金屬離子供應給富氧部分26,O和26',O的低氧化物的（一個或者多個）導電通道，而在關(guān)斷切換期間，氧空位被用盡（通過將氧離子垂直驅(qū)動到導電通道中），或者金屬離子被垂直地從（一個或者多個）導電通道驅(qū)動到缺氧部分26,OD和26',OD中。在關(guān)斷切換期間，并且當轉(zhuǎn)變到其相關(guān)聯(lián)的高電阻狀態(tài)時，在富氧部分26,O和26',O中的氧對低氧化物的（一個或者多個）導電通道進行氧化。設備10、50、60中的任何設備可以被包括在交叉陣列100中，如在圖4中示出的。在該示例中，交叉陣列100包括設備50中的四個設備，即50A、50B、50C、50D。一般地，交叉陣列100是切換裝置的陣列，其中處于一組平行的底部導體中的導體14、14'與處于一組平行的頂部導體中的導體30、30''以非零角交叉。在許多實例中，兩組導體14、14'和30、30''是彼此垂直的。然而，這不是必需的條件，并且兩組導體14、14'和30、30''可以以任何非零角偏移。在交叉陣列100中，設備50A、50B、50C、50D形成在任何兩個導體14、14'和30、30''的交點處。每個設備50A、50B、50C、50D包括相應接點34'A、34'B、34'C、34'D，其包括相應的切換區(qū)域24A、24B、24C、24D。要理解，各種層26（包括部分OD和O）和28為了清楚起見而沒有示出。處于每個接點34'A、34'B、34'C、34'D的切換區(qū)域24A、24B、24C、24D在初始制備（在一些示例中，其包括電成形或者熱退火）之后，憑借相應導體14、14'和30、30''與切換區(qū)域24A、24B、24C、24D電接觸，而可單獨尋址。例如，如果使用適當電壓和極性對導體14'和30''尋址，則設備50D被激活，并且被切換到接通狀態(tài)或者關(guān)斷狀態(tài)，并且如果使用適當電壓和極性對導體14和30尋址，則設備50A被激活并且切換到接通狀態(tài)或者關(guān)斷狀態(tài)。在交叉陣列100中，要理解，當一個或者多個單個設備50A、50B、50C、50D被尋址時，放置在被尋址的接點34'A、34'B、34'C、34'D外側(cè)的切換區(qū)域24A、24B、24C、24D可以處于某種偏壓下，該偏壓不足以在接點34'A、34'B、34'C、34'D外側(cè)的該切換區(qū)域24A、24B、24C、24D的電阻狀態(tài)中呈現(xiàn)轉(zhuǎn)變?，F(xiàn)在參考圖5，描繪了設備/單元50'的再一個示例。在該示例中，兩個設備50'形成在單個導體14上。設備50'相似于設備50，除了層間電介質(zhì)16不包圍相應的設備50'。在該示例中，基極12不形成在層間電介質(zhì)16的溝槽18中。而是，基極12使用類似柱體的幾何形狀形成，該幾何形狀從導體14的接觸表面13向外突出，而不具有任何包圍材料。類似柱體的幾何形狀可以是圓柱體、矩形棱鏡、立方體或者另一適當?shù)膸缀蔚男螤?。基極12可以由之前描述的任一材料形成。在該示例中，基極12可以使用任何適當技術(shù)制備，該技術(shù)諸如照相平板印刷術(shù)、電子束平板印刷術(shù)、壓印平板印刷術(shù)、熱或者電子束蒸發(fā)、濺射、原子層沉積（ALD）等等。堆疊32'的各種其它層可以如之前參考圖3B到3E描述的那樣形成。要理解，在該示例中，部分B將不形成，并且導體30、30''將由多成分電極22'（例如，包括12和20'）和切換區(qū)域24支持。圖6描繪了電阻式存儲器設備70的再一個示例。在圖6中示出的設備70相似于圖2中示出的設備10，除了基極12起到導體14的功能，并且因此導體14不存在。在該示例中，基極12可以經(jīng)由之前針對導體14描述的任一技術(shù)來形成。在該示例中，惰性材料電極20和（一個或者多個）切換區(qū)域?qū)?6或者26和28可以被沉積為在基極12的表面上的層，并然后可以被蝕刻、開槽(mill)、發(fā)射或者以其它方式移除，以形成堆疊32''。在該示例中，堆疊32''包括惰性材料電極20和切換區(qū)域24。這樣，堆疊32''的形成可以使用一個平板印刷術(shù)的步驟來實現(xiàn)?？商鎿Q地，惰性材料電極20和切換區(qū)域?qū)?6或者26和28可以選擇性地沉積，使得在不合期望區(qū)域的移除不是必需的，并且堆疊32''憑借選擇性沉積形成在合期望位置中。在這些示例中，層間電介質(zhì)16然后可以形成在基極12、14的表面的暴露部分上。層間電介質(zhì)16可以由本文之前描述的任一技術(shù)形成（例如，被沉積并且回蝕刻，以便相對于切換區(qū)域24是平面的）。在圖6中示出的設備70還可以通過首先沉積層間電介質(zhì)16作為在基極12、14上的層而形成。過孔的孔（相似于溝槽18但是未在圖6中示出）可以通過層間電介質(zhì)16形成，以暴露要在其中形成堆疊32''的基極12、14的表面。惰性材料電極20和切換區(qū)域?qū)?6或者26和28可以選擇性地沉積在過孔的孔中。如果所產(chǎn)生的堆疊32''相對于層間電介質(zhì)16并不是平面的，則層間電介質(zhì)16可以被回蝕刻。不考慮用于形成堆疊32''的技術(shù)，導體30然后可以以交叉（圖6中示出）或者非交叉配置形成和放置。設備70可以暴露于如之前描述的電成形或者熱退火（如果其不是初始導電的話）。要理解，設備70可以或者可以不包括層間電介質(zhì)16。如在圖6中示出的，當被包括時，層間電介質(zhì)16可相鄰于堆疊32''的周界，并且堆疊32''的頂部可以接觸導體30。在其它實例中（例如，當使用基板時），層間電介質(zhì)16可以包圍整個堆疊32''的周界，并且如果合期望的話，包圍基極12、14的暴露側(cè)。圖7描繪了電阻式存儲器設備80的又一示例。在圖7中示出的設備80相似于圖3E中示出的設備60，除了基極12'起到導體14的功能（并且因此導體14不存在），不使用層間電介質(zhì)16以及包括了切換區(qū)域24（代替于24'）。在該示例中，基極12'可以經(jīng)由之前針對導體14描述的任一技術(shù)形成。要理解，納米島36可以通過本文描述的選擇性或者非選擇性沉積過程中的任何過程形成，并且將跨電極12'的暴露表面沉積。在該示例中，基極12'的整個表面可以被暴露于氧化過程，如本文中之前描述的。納米島36全部都充當氧化（其可能在形成切換區(qū)域24期間發(fā)生）期間的掩膜。這樣，在納米島36之間的基極12'的暴露表面氧化并且變得更絕緣，而納米島36和由納米島36掩膜的基極12'的（一個或者多個）部分保持導電?；鶚O12'的氧化部分在參考數(shù)字40'處示出。氧化延伸到基極12'中的深度的程度部分取決于過程執(zhí)行了多久。在該示例中，切換區(qū)域?qū)?6或者26和28可以選擇性地沉積在基極12'上的期望位置處，并且使得（一個或者多個）層26或者26和28覆蓋將起到惰性材料電極20'的功能的那些納米島36。（一個或者多個）層26或者26和28的選擇性沉積形成堆疊32'''，其包括惰性材料電極20'和切換區(qū)域24?？商鎿Q地，（一個或者多個）切換區(qū)域?qū)?6或者26和28可以沉積為基極12'的氧化部分40'上并且在所有納米島36上的層。（一個或者多個）層26或者26和28然后可以被蝕刻、開槽、發(fā)射或者以其它方式移除，以形成堆疊32'''。該過程還可以移除置于要形成堆疊32'''的區(qū)域之外的納米島36。導體30然后可以被形成，并且被放置為以任何非零角與基極12'、14'交叉。設備80(如果初始是非導電的)可以暴露于如之前描述的電成形或者熱退火。雖然沒有在圖7中示出，但是要理解，層間電介質(zhì)16可以形成在剩余的暴露氧化部分40'上并且在形成導體30之前不是堆疊32'''一部分的任何納米島36上。層間電介質(zhì)16可以通過本文之前描述的任一技術(shù)形成（例如，沉積和回蝕刻，以相對于切換區(qū)域24是平面的）。當被包括時，層間電介質(zhì)16可以相鄰于某個堆疊32'''。在其它實例中（例如，當使用基板時），層間電介質(zhì)16可以包圍整個堆疊32'''的周界，并且如果合期望的話包圍基極12'、14的暴露側(cè)。在該示例設備80中，接觸基極12'但是不接觸切換區(qū)域24的任何不連續(xù)納米島36不形成惰性材料電極20'。因為這些納米島36不接觸切換區(qū)域24并且不連續(xù)，所以其不需要從設備80移除，這至少部分因為其與其它納米島（例如，36或者36、20'）物理和電氣隔離，并且不形成電流路徑的一部分。圖8圖示了又一個交叉陣列100'。該陣列100'是堆疊的，其包括處于每對交叉導體的交點處（例如，在30A和12、14，在12、14和30B等等處）的設備/單元。在每個交點是惰性材料電極20（多成分電極22的一部分，未在此處標出）和切換區(qū)域24A、24B。作為示例，導體30A、30B可以是位線，并且導體12、14可以是字線，并且每個設備/單元可以選擇性地尋址，如之前所述的。圖9圖示了包括多個設備/單元的垂直或者3D配置1000。該配置類似于3DNAND閃速存儲器，并且可以合期望地用于ReRAM/憶阻器。在該示例中，導體30A、30B中的一些是垂直取向的（例如，相對于可以在其上形成3D配置1000的基板平面），并且其它導體12、14是水平取向的（例如，也相對于可以在其上形成3D配置1000的基板平面）。在該示例中，導體12、14和惰性材料電極20構(gòu)成多成分電極22（未標出）。要理解，納米島36也可以用于該3D配置1000中，作為惰性材料電極20'而代替薄膜惰性材料電極20。在圖9中，切換區(qū)域24A、24B位于每個垂直導體30A、30B和每個水平導體12、14的交點處。垂直或者3D配置1000的層和成分可以使用本文公開的技術(shù)中的許多技術(shù)形成，該技術(shù)諸如電鍍和無電鍍（具有或者不具有退火）。又一個適當制備方法可以包括平板印刷術(shù)和沉積技術(shù)。在本文公開的示例中的任何示例中，電連接器可以接觸導體，以便以特定方式對導體進行電氣尋址。在圖9中，跳線42連接到水平導體12、14的每一個，并且對于垂直導體30A、30B的電連接器未示出。雖然沒有在本文公開的示例中示出，但是要理解，設備10、50、50'、60、70、80（無論是以單個設備/單元的形式、還是以陣列100、100'或者配置1000的形式）可以被支持在絕緣層上。絕緣層可以單獨使用，或者與另一基板組合使用。適當絕緣層的示例是二氧化硅（SiO2）并且適當基板的示例是硅（Si）晶片。作為示例，設備10、50、50'、60、70、80可以直接制備在由基板支持的絕緣層上。例如，導體14或者基極12可以在絕緣層上形成和圖案化，并且然后其它設備成分可以按照本文描述的方法中的任何方法制備在其上。另外，雖然沒有在本文公開的示例中示出，但是要理解，導體30或30'可以使用多成分電極22、22'代替，只要惰性材料電極20或者惰性材料電極20'和氧化部分40、40'與切換區(qū)域24、24'接觸。在該示例中，基極12將起到導體30或者30'的功能，并且將與切換區(qū)域24、24'通過至少惰性材料電極20、20'電接觸。此外，當多個導體14、30被包括時，多成分電極22、22'(即，基極12和惰性材料電極20或20')可以形成為與導體14、30或者30'的每一個接觸。例如，在圖2中示出的設備10可以包括在切換區(qū)域24和導體30之間的第二多成分電極，只要惰性材料電極20接觸切換區(qū)域24并且基極12接觸導體30。要理解的是，本文公開的示例的成分可以放置在許多不同取向，或者相關(guān)于成分取向使用的任何方向性術(shù)語出于說明的目的使用，并且絕非是限制的，除非以其它方式規(guī)定。方向術(shù)語包括諸如“頂部”、“底部”、“水平”、“垂直”等等的詞語。作為示例，設備中的任何設備可以被取向，其中導體30作為底部導體，而導體14或者14、12作為頂部導體。貫穿本說明書對“一個示例”、“另一示例”、“示例”等等的引用意味著連同示例描述的特定元素（例如，特征、結(jié)構(gòu)和/或特性）被包括在本文描述的至少一個示例中，并且可以或者可以不存在于其它示例中。附加地，要理解，用于任何示例的所描述的元素可以在各種示例中以任何適當方式組合，除非上下文以其它方式明確指明。要理解的是，本文提供的范圍包括所說明的范圍和在所說明范圍內(nèi)的任何值或者子范圍。例如，5nm或者更小的范圍應該被解釋為不僅包括明確記載的5nm或者更小的限制，而且也包括諸如3nm、4.25nm、0.5nm等等的單個值和諸如從大約1nm到大約4.8nm、從大約2nm到大約4nm等等的子范圍。此外，當“大約”或者“基本上”用于描述值時，這意味著涵蓋與所說明的值的較小變化（最多+/-10%）。然而，在不連續(xù)納米島36的情況下，要理解，在納米島的寬度和直徑方面的小變化可能不被包括，如果該變化將導致不連續(xù)的消除的話。在描述和要求保護本文公開的示例時，單數(shù)形式“一”、“一個”和“那個”包括多個引用，除非上下文以其它方式明確指明。雖然已經(jīng)詳細描述了若干示例，但是將對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，所公開的示例可以被修改。因此，前述描述被認為是非限制的。當前第1頁1 2 3