一種間距記錄裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開的一種間距記錄裝置包括平面基座、伸縮單元及平面承壓頭；伸縮單元的一端與平面基座連接，其另一端與平面承壓頭連接；伸縮單元包括第一腔體和嵌套于所述第一腔體內(nèi)的第二腔體；平面承壓頭第一表面與平面基座的第二表面平行，平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連，利用伸縮單元的伸縮性，使得在受到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除后，之前的收縮變形可以維持原狀；用游標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離來確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。避免氣相淀積制程的測距方法中，由于鋁箔球質(zhì)軟，易發(fā)生二次形變，使最終測量的距離精準度不高，淀積薄膜厚度不符合要求，影響產(chǎn)品良率的問題。
【專利說明】—種間距記錄裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種間距記錄裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的發(fā)展，對于每一制程的精準度要求都有所提高。在芯片制造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導(dǎo)體、半導(dǎo)體還是介電材料，都可以用化學(xué)氣相淀積(CVD)來制備，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等?；瘜W(xué)氣相淀積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑引入反應(yīng)室，在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成所需的固態(tài)薄膜并淀積在其表面。而晶圓表面淀積的薄膜厚度直接影響晶圓的性能，而在進行CVD工藝時，CVD反應(yīng)腔中的噴淋頭與加熱臺之間的距離會影響晶圓表面淀積的薄膜厚度，距離越遠，淀積的薄膜越薄。因此提高對于噴淋頭與加熱臺之間的距離測試的精準度具有重要的意義。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，測量噴淋頭與加熱臺之間的距離的方法為:通過使用鋁箔球，利用鋁箔球的形狀可塑性，將鋁箔球放置于噴淋頭下方的加熱臺的測試點位置；開啟CVD反應(yīng)腔，噴淋頭會下降到預(yù)設(shè)的高度，對鋁箔球進行擠壓變形；取出經(jīng)擠壓的鋁箔球，用游標卡尺測量鋁箔球擠壓 變形的兩個平行平面的距離，進而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。
[0004]但是，現(xiàn)有技術(shù)所設(shè)計的間距記錄方法，由于鋁箔球質(zhì)軟，在用游標卡尺確定距離時，容易在測量時發(fā)生二次形變，導(dǎo)致測量的距離有誤差，從而導(dǎo)致最終測量的距離精準度不高，使得淀積薄膜厚度不符合要求，進而影響產(chǎn)品的良率。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于提供一種間距記錄裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的氣相淀積制程的測距方法中，由于鋁箔球質(zhì)軟，容易在測量時發(fā)生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得淀積薄膜厚度不符合要求，影響產(chǎn)品的良率的問題。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種間距記錄裝置，所述間距記錄裝置，包括:一平面基座、一伸縮單元及一平面承壓頭；
[0007]所述伸縮單元的一端與所述平面基座連接；所述伸縮單元的另一端與所述平面承壓頭連接；其中，所述伸縮單元包括:第一腔體和嵌套于所述第一腔體內(nèi)的第二腔體；
[0008]所述平面承壓頭第一表面與所述平面基座的第二表面平行，所述平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連。
[0009]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述第一腔體與所述第二腔體之間的距離小于等于0.1mnin
[0010]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述第一腔體的體壁上設(shè)置有多個螺絲，所述多個螺絲貫穿所述第一腔體的體壁。
[0011]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面基座的側(cè)面設(shè)置有夾持單元。
[0012]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述夾持單元的形狀為長方體或者圓柱體。[0013]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面基座的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
[0014]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面承壓頭的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
[0015]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述間距記錄裝置的材質(zhì)為鋁鎂合金。
[0016]在本實用新型所提供的間距記錄裝置中，通過對平面基座、伸縮單元及平面承壓頭的結(jié)構(gòu)設(shè)計，其中，利用伸縮單元的伸縮性，使得在收到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除后，之前的收縮變形可以維持原狀；通過用游標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離，從而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。進而避免了現(xiàn)有技術(shù)的氣相淀積制程的測距方法中，由于鋁箔球質(zhì)軟，容易在測量時發(fā)生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得淀積薄膜厚度不符合要求，影響產(chǎn)品的良率的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型間距記錄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的間距記錄裝置作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0019]請參考圖1，其為本實用新型實施例的間距記錄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述間距記錄裝置包括:一平面基座1、一伸縮單元2及一平面承壓頭3 ;所述伸縮單元2的一端與所述平面基座I連接；所述伸縮單元2的另一端與所述平面承壓頭3連接；其中，所述伸縮單元2包括:第一腔體20和嵌套于所述第一腔體20內(nèi)的第二腔體21 ;所述平面承壓頭3第一表面與所述平面基座3的第二表面平行，所述平面承壓頭3第二表面與所述第二腔體21相連。
[0020]本實用新型的間距記錄裝置應(yīng)用的原理:
[0021]第一步，手動將平面承壓頭3向一側(cè)拉動，使得第二腔體21較大程度的脫離第一腔體20 ;第二步，將間距記錄裝置放置于加熱臺上，并開啟CVD (化學(xué)氣相淀積)反應(yīng)腔，SP開始進行實地的測距；第三步，取下間距記錄裝置，用游標卡尺測量平面承壓頭3的第一表面與平面基座I的第二表面之間的距離。
[0022]優(yōu)選的，所述第一腔體20與所述第二腔體21之間的距離小于等于0.1mm0確保在摩擦力的作用下，所述第二腔體21與所述第一腔體20能夠維持之前的收縮形變的狀態(tài)不變。進一步，確保了測距的精確度。
[0023]優(yōu)選的，所述第一腔體20的體壁上設(shè)置有多個螺絲200，所述多個螺絲200貫穿所述第一腔體20的體壁。在所述第二腔體21與所述第一腔體20摩擦力不足以維持之前的收縮變形狀態(tài)時，可以通過扭動第一腔體20的體壁上的螺絲200，對第二腔體21進行固定。進一步，提聞了測量距尚的精準度。
[0024]優(yōu)選的，所述平面基座I的側(cè)面設(shè)置有夾持單元10，并且所述夾持單元10的形狀為長方體或者圓柱體。由于間距記錄裝置放置于加熱臺上，溫度高時可達400攝氏度，出于對安全及便捷的考慮，在間距記錄裝置測量完間距之后，可以用尖嘴鉗或者鑷子等夾取夾持單元10將間距記錄裝置從加熱臺夾下來。
[0025]優(yōu)選的，所述間距記錄裝置的材質(zhì)為鋁鎂合金。進一步，使得間距記錄裝置適用于較高溫度的環(huán)境下，具有較高的穩(wěn)定性。
[0026]優(yōu)選的，所述平面基座I的形狀為圓柱體、長方體或者正方體，并且所述平面承壓頭3的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。進一步，確保所述平面基座I的第二表面及所述平面承壓頭3的第一表面是平面，有利于最后游標卡尺對間距的測量。
[0027]綜上，在本實用新型所提供的間距記錄裝置中，通過對平面基座、伸縮單元及平面承壓頭的結(jié)構(gòu)設(shè)計，其中，利用伸縮單元的伸縮性，使得在收到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除后，之前的收縮變形可以維持原狀；通過用游標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離，從而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。進而避免了現(xiàn)有技術(shù)的氣相淀積制程的測距方法中，由于鋁箔球質(zhì)軟，容易在測量時發(fā)生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得淀積薄膜厚度不符合要求，影響產(chǎn)品的良率的問題。
[0028]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包括這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種間距記錄裝置，其特征在于，包括:一平面基座、一伸縮單元及一平面承壓頭； 所述伸縮單元的一端與所述平面基座連接；所述伸縮單元的另一端與所述平面承壓頭連接；其中，所述伸縮單元包括:第一腔體和嵌套于所述第一腔體內(nèi)的第二腔體； 所述平面承壓頭第一表面與所述平面基座的第二表面平行，所述平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連。
2.如權(quán)利要求1所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述第一腔體與所述第二腔體之間的距離小于等于0.1mm。
3.如權(quán)利要求1所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述第一腔體的體壁上設(shè)置有多個螺絲，所述多個螺絲貫穿所述第一腔體的體壁。
4.如權(quán)利要求1所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述平面基座的側(cè)面設(shè)置有夾持單元。
5.如權(quán)利要求4所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述夾持單元的形狀為長方體或者圓柱體。
6.如權(quán)利要求1所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述平面基座的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述平面承壓頭的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
8.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的間距記錄裝置，其特征在于，所述間距記錄裝置的材質(zhì)為鋁鎂合金。
【文檔編號】G11B5/265GK203773940SQ201420103778
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】封偉博, 陳雄博, 吉成偉, 王昕昕, 羅光林 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司