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采用8T高性能單端口位單元的高性能雙端口SRAM架構(gòu)的制造方法與工藝

文檔序號:11407445閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
一種8T存儲位單元(90),其接收時(shí)鐘信號(42),讀地址信號(40)和寫地址信號(48)。讀地址鎖存/時(shí)鐘電路(44)接收時(shí)鐘信號(42)和讀地址信號(40),且在第一時(shí)鐘周期狀態(tài)(104)期間開始讀操作。寫地址觸發(fā)/時(shí)鐘電路(50’)接收時(shí)鐘信號(42)和寫地址信號(48),且在第二時(shí)鐘周期狀態(tài)(110)期間開始寫操作。反相器(92)接收并反相時(shí)鐘信號(42),并且將該反相時(shí)鐘信號施加至寫地址觸發(fā)/時(shí)鐘電路(50’)。讀地址鎖存/時(shí)鐘電路(44)在第二時(shí)鐘周期狀態(tài)(106)期間開始讀字線預(yù)充電操作,并在第一時(shí)鐘周期狀態(tài)(108)期間開始寫字線預(yù)充電操作。寫地址觸發(fā)/時(shí)鐘電路(50’)還包括自由自定時(shí)器(1oose?self?timer)(154),如果超過預(yù)定時(shí)間后時(shí)鐘信號(142)還在持續(xù),該自由自定時(shí)器結(jié)束寫周期。

技術(shù)研發(fā)人員:M·C·喬希;P·K·熱娜;L·V·霍蘭
受保護(hù)的技術(shù)使用者:德克薩斯儀器股份有限公司
文檔號碼:201310128640
技術(shù)研發(fā)日:2013.02.22
技術(shù)公布日:2017.09.22

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