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采用8T高性能單端口位單元的高性能雙端口SRAM架構(gòu)的制造方法與工藝

文檔序號:11407445閱讀:來源:國知局
采用8T高性能單端口位單元的高性能雙端口SRAM架構(gòu)的制造方法與工藝

技術(shù)特征:
1.一種用于連接以接收時鐘信號、讀地址信號和寫地址信號的8T存儲位單元,其包括:讀字線;寫字線;讀地址鎖存/時鐘電路,其接收所述時鐘信號和所述讀地址信號以在第一時鐘周期狀態(tài)期間開始讀操作;寫地址觸發(fā)/時鐘電路,其接收所述時鐘信號和所述寫地址信號以在第二時鐘周期狀態(tài)期間開始寫操作;和反相器,所述反相器用于接收和反相所述時鐘信號,以及將所述反相時鐘信號施加至所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路;其中在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間,所述讀地址鎖存/時鐘電路開始讀字線預(yù)充電操作,以及在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間,所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路開始寫字線預(yù)充電操作。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的8T存儲位單元,其中所述第一時鐘周期狀態(tài)是高位時鐘周期狀態(tài),并且所述第二時鐘周期狀態(tài)是低位時鐘周期狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的8T存儲位單元,其中所述高位時鐘周期狀態(tài)和低位時鐘周期狀態(tài)均發(fā)生于單個時鐘周期內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的8T存儲位單元,其中所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路包括自由自定時器,其中如果超過第一預(yù)定時間后所述低位時鐘周期狀態(tài)還在持續(xù),則所述自由自定時器在第二預(yù)定時間結(jié)束所述寫操作,所述第二預(yù)定時間小于所述第一預(yù)定時間。5.一種存儲陣列,包括:多個8T存儲位單元,每個所述8T存儲位單元用于連接以接收時鐘信號、讀地址信號和寫地址信號,每個所述8T存儲位單元包括:讀字線;寫字線;讀地址鎖存/時鐘電路,其接收所述時鐘信號和所述讀地址信號以在第一時鐘周期狀態(tài)期間開始讀操作;寫地址觸發(fā)/時鐘電路,其接收所述時鐘信號和所述寫地址信號以在第二時鐘周期狀態(tài)期間開始寫操作;和反相器,其用于接收和反相所述時鐘信號,并且將所述反相時鐘信號施加至所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路;其中在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間,所述讀地址鎖存/時鐘電路開始讀字線預(yù)充電操作,以及在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間,所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路開始寫字線預(yù)充電操作。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲陣列,其中所述第一時鐘周期狀態(tài)是高位...
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