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用于存儲(chǔ)頻率的裝置和用于存儲(chǔ)和讀取頻率的方法與流程

文檔序號(hào):11407441閱讀:268來源:國知局
用于存儲(chǔ)頻率的裝置和用于存儲(chǔ)和讀取頻率的方法與流程
本發(fā)明涉及一種用于存儲(chǔ)頻率的裝置,一種用于將頻率存儲(chǔ)在所述裝置中的方法,此外還涉及一種用于從所述裝置讀取所存儲(chǔ)的頻率的方法,以及一種用于運(yùn)行用于存儲(chǔ)的裝置的方法和相應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

背景技術(shù):
憶阻器(Memristor)是一種無源電器件,其中可以借助直流信號(hào)引起其電阻的變化。而在臨界頻率之上的交流信號(hào)情況下,電阻保持恒定。YuriyV.Pershin和MassimilianoDiVentra在其公開物“PracticalApproachtoProgrammableAnalogCircuitswithMemristors”,IEEETransactionsonCircuitsandSystemsI:RegularPapers,第57卷,No.8,2010年8月中介紹了在電路中的憶阻器的不同使用可能性。在電路中,憶阻器分別通過自給自足的供給裝置來提供直流信號(hào),以便改變憶阻器的電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
在此背景下,借助本發(fā)明介紹了根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的一種用于存儲(chǔ)頻率的裝置、一種用于在所述裝置中存儲(chǔ)頻率的方法,此外還介紹了一種用于從所述裝置讀取所存儲(chǔ)的頻率的方法,以及一種用于運(yùn)行用于存儲(chǔ)的裝置的方法,以及最后提出一種相應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。有利的擴(kuò)展方案從相應(yīng)的從屬權(quán)利要求和后面的描述中得出。本發(fā)明基于的認(rèn)識(shí)是,憶阻器作為能夠振蕩的電路的確定振蕩頻率的環(huán)節(jié)借助從外部對該電路施加的頻率信號(hào)而經(jīng)歷變化,該變化將電路的振蕩頻率與所施加的頻率信號(hào)匹配。這樣改變的電路的振蕩頻率在所施加的頻率信號(hào)中斷之后變化,并且在電路的供電電壓中斷之后不變。在憶阻器中,由此可以存儲(chǔ)關(guān)于振蕩頻率的信息。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種用于存儲(chǔ)頻率的裝置,其中所述裝置具有以下特征:帶有輸入端和輸出端、以及供電電壓輸入端和供電電壓輸出端的比較器;以及憶阻器,其連接在比較器的輸入端和比較器的輸出端之間。比較器可以理解為比較兩個(gè)電壓的電子電路。當(dāng)?shù)谝浑妷焊哂诘诙妷簳r(shí),在比較器的輸出端上存在第一信號(hào),在相反情況中在該輸出端上存在第二信號(hào)。憶阻器可以理解為一種器件,其具有歐姆電阻,該電阻在恒定饋流情況下改變。在用高頻交流電流運(yùn)行的情況下,電阻無直流部分地保持恒定。比較器可以具有第二輸入端,并且電阻連接在比較器的第二輸入端和輸出端之間。電阻可以理解為歐姆電阻。該裝置可以具有電容,其連接在比較器的兩個(gè)輸入端之一和電勢端子之間。電容可以理解為電容器。該裝置可以具有另外的電阻,其連接在比較器的輸入端和另外的電勢端子之間。通過另外的器件,可以將所述裝置改建為能夠獨(dú)立振蕩的振蕩回路。比較器可以在兩個(gè)電壓狀態(tài)之間來回切換。電容結(jié)合電阻用作延遲裝置,以便調(diào)節(jié)最終的振蕩頻率。通過改變延遲元件,可以實(shí)現(xiàn)在兩個(gè)狀態(tài)的變換之間的不同的時(shí)間常數(shù)。脈沖源可以連接在比較器的輸入端和/或另外的電阻和另外的電勢端子之間。脈沖源可以構(gòu)建用于提供具有預(yù)先確定的頻率的振蕩信號(hào)。振蕩信號(hào)可以影響能夠振蕩的振蕩回路。能夠振蕩的振蕩回路的振蕩和振蕩信號(hào)可以疊加為混合信號(hào)。混合信號(hào)可以具有直流部分,其可以改變關(guān)于憶阻器中存儲(chǔ)的頻率的信息。該信息可以改變,直到該裝置的振蕩以振蕩信號(hào)的頻率來振蕩。本發(fā)明此外實(shí)現(xiàn)了一種根據(jù)這里提出的方式的用于將頻率存儲(chǔ)在用于存儲(chǔ)的裝置中的方法,其中所述方法具有以下步驟:對所述裝置施加(Beaufschlagen)以具有要存儲(chǔ)的頻率的寫入信號(hào),以便將與該頻率對應(yīng)的信息存儲(chǔ)在憶阻器中。寫入信號(hào)可以理解為頻率穩(wěn)定的信號(hào),其由信號(hào)源提供。在所述裝置的能夠振蕩的電路中,輸出振蕩可以在通過寫入信號(hào)施加之前改變?yōu)榫哂休敵稣袷幒蛯懭胄盘?hào)的信號(hào)疊加的混合振蕩?;旌险袷幙梢跃哂兄绷鞑糠?。直流部分可以改變關(guān)于憶阻器中存儲(chǔ)的頻率的信息,直到電路以寫入信號(hào)的節(jié)拍振蕩。此外,本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種根據(jù)這里介紹的方式的用于從用于存儲(chǔ)的裝置中讀取存儲(chǔ)的頻率的方法,其中該方法具有以下步驟:借助供電電壓輸入端和供電電壓輸出端來對比較器饋送供電電壓,以便截取讀取信號(hào),以讀取與頻率對應(yīng)的信息。讀取信號(hào)可以理解為所述裝置的由憶阻器限定的固有振蕩。固有振蕩可以通過比較器的供電電壓來激勵(lì)。此外,本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種根據(jù)這里介紹的方式的用于運(yùn)行用于存儲(chǔ)的裝置的方法,其中該方法至少具有以下步驟:根據(jù)這里介紹的方式的、用于存儲(chǔ)頻率的方法步驟;以及根據(jù)這里介紹的方式的、用于讀取頻率的方法步驟。該方法可以具有靜止的步驟,其在存儲(chǔ)步驟和讀取步驟之間進(jìn)行,其中所述裝置在靜止的步驟中未被施加并且未被饋電,并且與頻率對應(yīng)的信息保持。在靜止步驟之后,所述裝置可以重新用存儲(chǔ)的頻率運(yùn)行。由此,所述裝置可以沒有能量需求地存儲(chǔ)關(guān)于頻率的信息。有利的還有一種具有程序代碼的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,其可以存儲(chǔ)在機(jī)器可讀的載體如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、硬盤存儲(chǔ)器或者光學(xué)存儲(chǔ)器上,并且當(dāng)所述程序在計(jì)算機(jī)或者裝置上運(yùn)行時(shí),用于執(zhí)行或者控制根據(jù)前述實(shí)施形式之一所述的方法步驟。附圖說明下面借助附圖示例性地進(jìn)一步闡述本發(fā)明。其中:圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的電路圖;圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的電路圖;圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于運(yùn)行用于存儲(chǔ)的裝置的方法的流程圖;圖4示出了在初始狀態(tài)中的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的振蕩信號(hào)圖;圖5示出了在存儲(chǔ)器的開始階段中的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的振蕩信號(hào)圖;圖6示出了在存儲(chǔ)器的最終狀態(tài)中的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的振蕩信號(hào)圖;圖7示出了在憶阻器中存入關(guān)于頻率的信息的情況下在最終狀態(tài)中的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置的振蕩信號(hào)圖。具體實(shí)施方式在下面對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的描述中,對于在不同圖中示出的并且作用相似的元件使用相同或者相似的附圖標(biāo)記,其中省去了對所述元件的重復(fù)描述。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于存儲(chǔ)頻率的裝置100的電路圖。該裝置100具有比較器102、憶阻器104、電阻106、電容108以及另外的電阻110。比較器102具有反相的輸入端-、非反相的輸入端+以及輸出端。此外,比較器具有負(fù)端子和正端子用于供電電壓。憶阻器104具有兩個(gè)端子。憶阻器104的第一端子與比較器102的非反相輸入端+連接。憶阻器104的第二端子與比較器102的輸出端連接。電阻106同樣具有兩個(gè)端子。電阻106的第一端子與比較器102的反相輸入端-連接。電阻106的第二端子與比較器102的輸出端以及憶阻器104的第二端子連接。電容108、電容器具有兩個(gè)端子。電容108的第一端子與所述裝置100的第一電勢端子112連接。電容108的第二端子與比較器102的反相輸入端-以及電阻106的第一端子連接。所述另外的電阻110具有兩個(gè)端子。所述另外的電阻110的第一端子與所述裝置100的第二電勢端子112連接。所述另外的電阻110的第二端子與比較器102的非反相輸入端+以及憶阻器104的第一端子連接。在工作中,比較器102的負(fù)端子和正端子與未示出的供電電壓的電壓源連接。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于存儲(chǔ)的裝置100的電路圖。該裝置100對應(yīng)于如圖1中所示的裝置。附加地,在圖2中在所述裝置100的第二電勢端子112和另外的電阻110之間設(shè)置有脈沖源200。換而言之,圖1和圖2示出了帶有憶阻器104的頻率存儲(chǔ)器100。憶阻器是一種新型的電阻。憶阻器的電阻并不恒定,而是可以可變地被編程入。憶阻器是其值取決于其歷史的電阻。如果具有高于確定的臨界頻率的頻率的交流電流流過,則其值并不變化。如果電流的頻率小于臨界頻率,則電阻改變。由此,憶阻器104例如可以用作存儲(chǔ)器。憶阻器的尺寸可以在數(shù)納米的范圍中。由此,比傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)更高的存儲(chǔ)器密度是可能的。對于該器件,其他的應(yīng)用在電路技術(shù)上是可能的。在這里介紹的方式中,介紹了一種可能的電路:憶阻器104如何可以用于存儲(chǔ)“頻率”??删幊痰念l率發(fā)生器(PLL,鎖相環(huán))是可編程的分頻器或者頻率乘法器,其可以將參考頻率用任意的因子來相乘/相除。結(jié)合時(shí)鐘發(fā)生器,可以產(chǎn)生任意的頻率或者構(gòu)建跟隨頻率發(fā)生器。不同于這里所介紹的頻率...
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