專利名稱：磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤驅(qū)動器(HDD)等的磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置。本申請對于在2012年2月14日提出的日本國專利申請第2012-029693號要求優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引于本申請中。
背景技術(shù)：
近年，對HDD的大容量化的要求日益提高，其中作為可使現(xiàn)有的記錄容量飛躍性地提升的新一代的記錄方式，熱輔助記錄受到關(guān)注。該熱輔助記錄是對磁記錄介質(zhì)照射近場光，對其表面局部地加熱，使磁性層的矯頑力暫時降低來進(jìn)行寫入的記錄，可實現(xiàn)ITbit/英寸2等級的面記錄密度。作為用于這樣的熱輔助記錄的磁記錄介質(zhì)(熱輔助磁記錄介質(zhì))，可以列舉磁性層采用具有Lltl型晶體結(jié)構(gòu)的FePt合金、同樣具有Lltl型晶體結(jié)構(gòu)的CoPt合金等的有序合金的磁記錄介質(zhì)。這些具有Lltl型晶體結(jié)構(gòu)的有序合金，具有106J/m3程度的高的晶體磁各向異性(Ku)，因此可以在維持熱穩(wěn)定性的狀態(tài)下將磁性粒徑微細(xì)化到6nm左右以下。由此，可以在維持熱穩(wěn)定性的狀態(tài)下大幅降低介質(zhì)噪聲。另外，為了分隔由上述有序合金構(gòu)成的晶粒，向磁性層添加了作為晶界相材料的SiO2, TiO2等的氧化物或C、BN等。在熱輔助磁記錄介質(zhì)中，通過使用具有這樣的磁性晶粒被晶界相材料分離了的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層，可以降低磁性粒子間的交換耦合，得到高的介質(zhì) SNR0進(jìn)而，曾提出了在具有這樣的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層上層疊磁連續(xù)耦合了的磁性層形成為雙層結(jié)構(gòu)(參照專利文獻(xiàn)I 3)。例如，專利 文獻(xiàn)I中曾公開了在以FePt合金為主成分的粒狀磁性層上形成了由CoCrPtB或FePt合金構(gòu)成的蓋層(帽層；cap layer)的雙層結(jié)構(gòu)。另外,專利文獻(xiàn)2中曾公開了在由FePt合金構(gòu)成的粒狀磁性層上形成了由TbFeCo構(gòu)成的非晶磁性層的雙層結(jié)構(gòu)。另一方面，專利文獻(xiàn)3中曾公開了在粒狀磁性層上形成了非晶磁性層的雙層結(jié)構(gòu)。這些具有雙層結(jié)構(gòu)的磁性層，通過導(dǎo)入膜面水平方向的交換耦合，可降低反轉(zhuǎn)磁場分布(SFD)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-158053號公報專利文獻(xiàn)2:日本特開2008-159177號公報專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-154746號公報

發(fā)明內(nèi)容
上述的具有磁性晶粒被晶界相材料分離了的粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層，由于具有高的Ku，因此顯示良好的熱穩(wěn)定性。另一方面，由于SFD極大，因此變?yōu)榻橘|(zhì)SNR提高的阻礙。為降低SFD，需要在粒狀磁性層上層疊磁連續(xù)耦合了的磁性層，向FePt合金的粒子間導(dǎo)入均勻的交換耦合。本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有情況提出的，其目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)以及磁記錄再生裝置，該磁記錄介質(zhì)通過具有高的Ku，顯示良好的熱穩(wěn)定性，并且降低SFD，可得到高的介質(zhì)SNR的，該磁記錄再生裝置通過具備這樣的磁記錄介質(zhì)，可謀求誤碼率的降低，并且實現(xiàn)進(jìn)一步的大容量化。本發(fā)明提供以下的方案。(I) 一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上至少依次層疊有基底層、第I磁性層和第2磁性層的結(jié)構(gòu)，上述第I磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的合金作為主成分，上述第2磁性層由非晶合金構(gòu)成，上述非晶合金含有Co作為主成分，并且含有6 16原子％的Zr，還含有B、Ta之中的至少一種以上的元素。(2)根據(jù)前項(I)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2磁性層由CoZrB非晶合金構(gòu)成，并且該非晶合金中所含有的B為6 16原子％。(3)根據(jù)前項(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非晶合金中所含有的Zr和B的合計為16 28原子％。(4)根據(jù)前項(I)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第2磁性層由CoZrTa非晶合金構(gòu)成，并且該非晶合金中所含有的Ta為6 16原子％。(5)根據(jù)前項(4)所 述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非晶合金中所含有的Zr和Ta的合計為16 28原子％。(6)根據(jù)前項(I) (5)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第I磁性層含有具有LI。結(jié)構(gòu)的FePt或CoPt合金作為主成分，并且含有Si02、Ti02、Cr203、Al203、Ta205、ZrO2, Y2O3> Ce02、MnO、TiO、ZnO, C、B2O3, BN 之中的至少一種或多種。(7)根據(jù)前項(I) (6)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第I磁性層具有依次層疊了下部磁性層和上部磁性層的結(jié)構(gòu)，上述下部磁性層含有具有LlO結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有C，上述上部磁性層含有具有LlO結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有 Si02、Ti02、Cr2O3> Al2O3' Ta2O5' ZrO2, Y2O3> Ce02、MnO、TiO、ZnO, C、B2O3' BN 之中的至少一種或多種。(8) 一種磁記錄再生裝置，具備:前項(I) (7)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)；將上述磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動的介質(zhì)驅(qū)動部；針對上述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動作和再生動作的磁頭,其具有對上述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱的激光發(fā)生部、和將從上述激光發(fā)生部發(fā)生的激光引導(dǎo)到前端部的波導(dǎo)；使上述磁頭相對于上述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對移動的磁頭移動部；和進(jìn)行向上述磁頭輸入信號和從上述磁頭再生輸出信號的記錄再生信號處理系統(tǒng)。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，由于具有高的Ku，因此可以顯示良好的熱穩(wěn)定性，并且降低SFD，因此能夠得到高的介質(zhì)SNR。因此，在具備這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置中，能夠謀求誤碼率的降低，并且實現(xiàn)進(jìn)一步的大容量化。


圖1是表示在第I實施例中制作的磁記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的截面圖。圖2是表示在第I實施例中使用的磁記錄再生裝置的構(gòu)成的立體圖。圖3是模式地表示圖2所示的磁記錄再生裝置具備的磁頭的構(gòu)成的截面圖。圖4是表示在第4實施例中制作的磁記錄介質(zhì)的層構(gòu)成的截面圖。附圖標(biāo)記說明101...玻璃基板；102...第I基底層；103...第2基底層；104...第3基底層；105. 第I磁性層；106...第2磁性層；107...保護(hù)層；201...玻璃基板；202...接合層；
203...熱沉層；204. 弟I基底層；205. 弟2基底層；206. 弟3基底層；207. 弟I磁性層；207a...下部磁性層；207b...上部磁性層；208. 第2磁性層；209...保護(hù)層；
301...磁記錄介質(zhì)；302...介質(zhì)驅(qū)動部；303...磁頭；304...磁頭移動部；305...記錄再生信號處理系統(tǒng)；401...主磁極；402...輔助磁極；403...線圈；404...激光二極管(LD);405...近場光發(fā)生部；406...波導(dǎo)；407...記錄磁頭；408...屏蔽件；409...再生元件；
410...再生磁頭；L...激光
具體實施例方式
·
以下，對于應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置，參照附圖詳細(xì)地說明。再者，為易于明白其特征，在以下的說明中使用的附圖有時為方便起見將成為特征的部分放大地表示，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實際相同。另外，在以下的說明中例示的材料、尺寸等是一例，本發(fā)明未必限定于這些例子，在不變更其要旨的范圍能夠適當(dāng)變更來實施。應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上至少依次層疊有基底層、第I磁性層和第2磁性層的結(jié)構(gòu)，第I磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的合金作為主成分，第2磁性層由含有Co作為主成分，并且含有Zr、以及B、Ta之中的至少一種以上的元素的非晶合金構(gòu)成。具體地講，基板優(yōu)選使用耐熱性的玻璃基板。在本發(fā)明中，在后述的磁記錄介質(zhì)的制造工藝中，需要進(jìn)行600°C以上的基板加熱。因此，優(yōu)選玻璃基板的轉(zhuǎn)變溫度為600°C以上。另外，如果轉(zhuǎn)變溫度為600°C以上，則對于使用的基板，可以是非晶玻璃基板也可以是晶化玻璃基板?；讓邮菫榱说玫骄哂懈叩木w磁各向異性Ku的磁記錄介質(zhì)，用于使在該基底層上形成的磁性層取得良好的(001)取向的層。另外，基底層優(yōu)選使用多個基底層層疊而成的層，例如，可以使用將第I基底層、第2基底層和第3基底層依次層疊而成的層。其中，優(yōu)選:第I基底層作為接合層，使用與上述玻璃板的密合性良好的非晶合金。通過該第I基底層使用非晶合金，可以使第2基底層取得(100)取向。作為可用于該第I基底層的具體的非晶合金，可以列舉例如NiTa、NiT1、CoT1、CrT1、TiAl等。另外，除此以外，如果是非晶合金就沒有特別的限制。另一方面，第2基底層可以使用具有B2結(jié)構(gòu)的NiAl或RuAl。形成該第2基底層時，優(yōu)選進(jìn)行基板溫度成為200°C以上的基板加熱。由此，可以使第2基底層取得良好的(100)取向。另外，通過使第2基底層取得(100)取向，可以使構(gòu)成后述的第I磁性層的LU型的FePt合金取得良好的(OOI)取向。另外，第2基底層可以使用Cr或含有Cr的BCC結(jié)構(gòu)的合金。并且，與使用上述NiAl或RuAl的情況同樣地優(yōu)選進(jìn)行基板溫度成為200°C以上的基板加熱。作為用于該第2基底層的BCC合金，可以列舉例如CrMn、CrRu、CrV、CrT1、CrMo、Crff等。另一方面，第3基底層可以使用TiN。通過在上述(100)取向了的第2基底層上形成TiN，可以使該TiN取得(100)取向。另外，第3基底層除了 TiN以外還可以使用例如TiC, MgO, MnO、NiO等具有NaCl結(jié)構(gòu)的材料。另外，第3基底層也可使用SrTiO3等的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的材料。第3基底層優(yōu)選熱導(dǎo)率較低。這是為了在記錄時利用由磁頭發(fā)出的近場光加熱磁性層時，防止由磁性層向基底層的熱擴(kuò)散，容易提高磁性層的溫度。但是，在磁頭的加熱能力充分高的情況下，也可以不特別地設(shè)置第3基底層。第I磁性層優(yōu)選為含有Lltl型的FePt合金作為主成分的層。通過將該第I磁性層在上述(100)取向了的第3基底層上形成，可以使LI。型的FePt合金取得良好的(001)取向。另外，形成第I磁性層時，優(yōu)選進(jìn)行基板溫度成為600°C以上的基板加熱。由此，可以得到有序度高的LI。型的FePt合金。另外，為了降低有序化溫度，也可以向FePt合金中添加Ag、Cu等。另一方面，上述第I磁性層，也可以是替代上述Lltl型的FePt合金，含有Lltl型的CoPt合金作為主成分的層。該情況下，也可以與LI。型的FePt合金同樣地使CoPt合金取得良好的Lltl有序度和(001 )取向性。另外，第I磁性層優(yōu)選含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的FePt或CoPt合金作為主成分，并具有磁性晶粒被晶界相材料分離了的粒狀結(jié)構(gòu)，為了將該第I磁性層中的磁性晶粒磁性分隔，優(yōu)選使第 I 磁性層還含有 Si02、Ti02、Cr2O3> Al2O3' Ta2O5' ZrO2, Y2O3> Ce02、MnO、TiO、ZnO、C、B203、BN之中的至少一種或多種。另外，為了充分地降低磁性粒子間的交換耦合，它們的含量優(yōu)選為20體積％以上。另外，第I磁性層也可以形成為依次層疊了下部磁性層和上部磁性層的雙層結(jié)構(gòu)，該下部磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有C，該上部磁性層含有具有LI。結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有Si02、Ti02、Cr203、Al203、Ta205、Zr02、Y203、CeO2, MnO、TiO、ZnO、C、B2O3, BN之中的至少一種或多種。通過第I磁性層形成為這樣的雙層結(jié)構(gòu)，可以降低粒徑分散，得到高的SNR。第2磁性層可以使用含有Co作為主成分，并且含有6 16原子％的Zr，還含有B、Ta之中的至少一種以上的元素的非晶合金。通過將這樣的第2磁性層形成于上述第I磁性層上，可以降低反轉(zhuǎn)磁場分布SFD。具體地講，為了降低該SFD，使介質(zhì)SNR提高，優(yōu)選第2磁性層具有高的磁化，并且具有非晶結(jié)構(gòu)。在此，第2磁性層在剛形成了上述第I磁性層后就形成，因此認(rèn)為基板沒有充分地冷卻，維持約500 550°C以上的高的基板溫度。因此，第2磁性層需要使用在大致上述基板溫度下不結(jié)晶化的材料。為滿足此要求,第2磁性層優(yōu)選使用由CoZrB非晶合金構(gòu)成,該CoZrB非晶合金中所含有的Zr為6 16原子％、B為6 16原子％的范圍的層。如果Zr和B的含量低于6原子％，則即使為550°C左右也會引起CoZrB合金的結(jié)晶化，因此不優(yōu)選。另一方面，如果Zr和B的含量高于16原子％，則磁化下降，SFD的降低效果變?nèi)?，因此不?yōu)選。進(jìn)而，為了兼具抑制結(jié)晶化和抑制磁化下降，優(yōu)選該CoZrB非晶合金中所含有的Zr和B的合計設(shè)定為16 28原子％的范圍。另外,第2磁性層也可以替代上述CoZrB非晶合金,使用CoZrTa非晶合金。該情況下，優(yōu)選與上述CoZrB非晶合金的情況同樣地將CoZrTa非晶合金中所含有的Zr設(shè)定為6 16原子％、Ta設(shè)定為6 16原子％的范圍。進(jìn)而，優(yōu)選將該CoZrTa非晶合金中所含有的Zr和Ta的合計設(shè)定為16 28原子％的范圍。另外，也可以使用同時含有B和Ta的CoZrBTa非晶合金。該情況下，優(yōu)選將Zr濃度設(shè)定為6 16原子％、將B和Ta的合計濃度設(shè)定為6 16原子％的范圍。如果脫離上述組成范圍，則難以兼具抑制結(jié)晶化和抑制磁化下降，因此不優(yōu)選。再者，由于第2磁性層需要設(shè)為磁連續(xù)膜，因此與上述第I磁性層不同，不需要添加氧化物、氮化物使其粒狀結(jié)構(gòu)化。在上述第2磁性層上形成保護(hù)層，該保護(hù)膜優(yōu)選使用DLC膜。DLC膜可采用CVD法、離子束法等形成。另外，保護(hù)層的厚度優(yōu)選為lnnT6nm。保護(hù)層的厚度低于Inm時，磁頭的上浮特性劣化，因此不優(yōu)選。另一方面，保護(hù)層的厚度高于6nm時，磁間距變大，SNR惡化，因此不優(yōu)選。在熱輔助記錄中，如果記錄時被加熱了的磁性層的冷卻速度慢，則磁化遷移寬度變大SNR劣化，因此磁性層需要快速地冷卻。因此，在應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中優(yōu)選設(shè)置由熱導(dǎo)率高的材料構(gòu)成的熱沉層。作為該熱沉層可以使用例如Cu、Ag、Al、Au或以這些元素為主成分的合金，例 如CuZr、AgPd等。另外，應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)除了上述熱沉層以外，為了改善寫入特性，還可以設(shè)置軟磁性基底層(SUL)、以取向控制、粒徑控制等為目的的多個基底層。熱沉層和軟磁性基底層優(yōu)選在基板和第I基底層之間形成，但只要不使磁性層的(001)取向發(fā)生大的劣化，就沒有特別限制。另外，對于熱沉層和軟磁性基底層的形成順序沒有特別限制。在形成軟磁性基底層的情況下，為了使該軟磁性基底層和磁性層的距離盡量變窄提高磁場梯度，優(yōu)選在熱沉層的上側(cè)(磁性層側(cè))形成軟磁性基底層。但是，在熱沉層的膜厚薄(大約50nm以下)的情況下，也可以在熱沉層的下側(cè)(基板側(cè))形成SUL。在將SUL形成于熱沉層的上側(cè)的情況下，優(yōu)選在該軟磁性基底層和磁性層之間形成I 30nm左右的中間層，使磁場梯度和磁場強(qiáng)度最佳化。另外，軟磁性基底層可以使用例如CoTaZr、CoTaNb, CoFeB, CoFeTaB, CoFeTaSi,CoFeTaZr等的非晶合金、FeTaC、FeTaB、FeTaN等的微晶合金、NiFe等的多晶合金等。軟磁性基底層可以是由上述合金構(gòu)成的單層膜，也可以是夾持適當(dāng)膜厚的Ru層反鐵磁性耦合了的疊層膜。如以上那樣，應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，具有高的Ku，因此顯示良好的熱穩(wěn)定性，并且可以降低SFD，因此能夠得到高的介質(zhì)SNR。因此，使用這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置，能夠謀求降低誤碼率，實現(xiàn)進(jìn)一步的大容量化。另外，針對該磁記錄介質(zhì)進(jìn)行熱輔助記錄時，對其表面局部地加熱，使磁性層的矯頑力暫時降低來進(jìn)行寫入。該情況下，能夠降低磁性層的各向異性磁場，因此利用現(xiàn)有的磁頭磁場也可以容易地進(jìn)行記錄。再者，應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)不限于熱輔助記錄。例如，也可以作為通過由磁頭所搭載的高頻發(fā)生元件產(chǎn)生的高頻施加進(jìn)行記錄的高頻輔助磁記錄介質(zhì)使用。在該高頻輔助記錄的情況下，通過高頻施加可以大幅地降低磁性層的反轉(zhuǎn)磁場，因此與熱輔助記錄的情況同樣地，可以使用熱穩(wěn)定性優(yōu)異的高Ku介質(zhì)。實施例以下，通過實施例使本發(fā)明的效果更加明確。再者，本發(fā)明不限定于以下的實施例，在不變更其要旨的范圍可以適當(dāng)變更地實施。[第I實施例](實施例1-1 1-8)將第I實施例中制作的磁記錄介質(zhì)的層構(gòu)成示于圖1。制作該圖1所示的磁記錄介質(zhì)時，首先，在2.5英寸的玻璃基板101上形成層厚為35nm的由Ni_50原子％ (at%)Ta構(gòu)成的第I基底層102。其后，進(jìn)行220°C的基板加熱，依次形成了層厚為20nm的由Ru-50原子％A1構(gòu)成的第2基底層103和層厚為3nm的由TiN構(gòu)成的第3基底層104。接著，進(jìn)行600°C的基板加熱后，形成了層厚為12nm的由(Fe45原子％Pt_10原子％Ag) -15摩爾％ (mol%) SiO2構(gòu)成的第I磁性層105和層厚為3nm的由CoZrB構(gòu)成的第2磁性層106。在此，對于第2磁性層106,在Zr為6 16原子％、B為6 16原子％的范圍(本發(fā)明的數(shù)值范圍)，分別改變CoZrB的組成比來進(jìn)行形成。接著，在第2磁性層106上，形成層厚為3nm的由DLC構(gòu)成的保護(hù)層107，由此制作出實施例1-1 1-8的磁記錄介質(zhì)。(比較例1-1 1-6)在比較例1-1 1-5中，對上述第2磁性層106，如下述表I所示，分別改變CoZrB的組成比，以使得成為上述本發(fā)明的數(shù)值范圍外來進(jìn)行形成。另外，在比較例1-6中，不進(jìn)行上述第2磁性層106的形成。除此以外，制作出與實施例1-1 1-8同樣的磁記錄介質(zhì)。然后，對這些實施例1-1 1-8和比較例1-1 1-6的磁記錄介質(zhì)，進(jìn)行矯頑力He和標(biāo)準(zhǔn)化矯頑力分散AHc/Hc的測定。將其測定結(jié)果示于表I。表I
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有在基板上至少依次層疊有基底層、第I磁性層和第2磁性層的結(jié)構(gòu)， 所述第I磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的合金作為主成分， 所述第2磁性層由非晶合金構(gòu)成，所述非晶合金含有Co作為主成分，并且含有6 16原子％的Zr，還含有B、Ta之中的至少一種以上的元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第2磁性層由CoZrB非晶合金構(gòu)成，并且該非晶合金中所含有的B為6 16原子％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述非晶合金中所含有的Zr和B的合計為16 28原子％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第2磁性層由CoZrTa非晶合金構(gòu)成，并且該非晶合金中所含有的Ta為6 16原子％。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述非晶合金中所含有的Zr和Ta的合計為16 28原子％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第I磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的 FePt 或 CoPt 合金作為主成分，并且含有 Si02、TiO2, Cr2O3> A1203、Ta2O5, ZrO2, Y2O3> CeO2,MnO, TiO、ZnO, C、B2O3> BN之中的至少一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第I磁性層具有依次層疊了下部磁性層和上部磁性層的結(jié)構(gòu)，所述下部磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有C，所述上部磁性層含有具有Lltl結(jié)構(gòu)的FePt合金作為主成分，并且含有Si02、TiO2、Cr2O3> Al2O3> Ta2O5> ZrO2、Y2O3、Ce02、MnO、TiO、ZnO> C、B2O3、BN 之中的至少一種或多種。
8.一種磁記錄再生裝置，具備: 權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)； 將所述磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動的介質(zhì)驅(qū)動部； 針對所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動作和再生動作的磁頭，其具有對所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱的激光發(fā)生部、和將從所述激光發(fā)生部發(fā)生的激光引導(dǎo)到前端部的波導(dǎo)； 使所述磁頭相對于所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行相對移動的磁頭移動部；和 進(jìn)行向所述磁頭輸入信號和從所述磁頭再生輸出信號的記錄再生信號處理系統(tǒng)。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)，具有在基板上至少依次層疊有基底層、第1磁性層和第2磁性層的結(jié)構(gòu)，所述第1磁性層含有具有L10結(jié)構(gòu)的合金作為主成分，所述第2磁性層由非晶合金構(gòu)成，所述非晶合金含有Co作為主成分，并且含有6～16原子%的Zr，還含有B、Ta之中的至少一種以上的元素。
文檔編號G11B5/82GK103247303SQ20131005069
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者神邊哲也, 丹羽和也, 村上雄二, 張磊 申請人:昭和電工株式會社