在可編程元件不被信任的情況下的存儲器管芯的自禁用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于在存儲器管芯上的用于指示存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件不可信任的情況下將儲器管芯自動地自禁用的技術。給存儲器管芯提供了能夠禁用特定的存儲器管芯的芯片啟用電路系統(tǒng)。如果可編程元件可信任，那么將可編程元件的狀態(tài)提供給芯片啟用電路系統(tǒng)以基于該狀態(tài)啟用/禁用存儲器管芯。然而，如果可編程元件不可信任，那么芯片啟用電路系統(tǒng)可以自動地禁用存儲器管芯。因為具有不可信任的可編程元件的存儲器管芯的封裝仍然可以使用，所以這針對多芯片存儲器封裝提供了更高的產量。
【專利說明】在可編程元件不被信任的情況下的存儲器管芯的自禁用
【背景技術】
[0001]基于半導體的存儲器(包括易失性存儲器(例如動態(tài)隨機存取存儲器或者靜態(tài)隨機存取存儲器)以及非易失性存儲器(例如閃存存儲器))由于在各種電子設備中的使用而變得更受歡迎。例如，非易失性半導體存儲器被用于蜂窩電話、數(shù)碼相機、個人數(shù)字助理、移動計算設備、非移動計算設備以及其他設備中。電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)(包括閃存EEPROM以及電可編程只讀存儲器(EPROM))是最受歡迎的非易失性半導體存儲器之
一。[0002]如大多數(shù)存儲設備一樣，半導體存儲器設備可能存在有缺陷的組成部分或者存儲區(qū)域。例如，半導體存儲器陣列的單個存儲元件或者存儲單元可能有缺陷。另外，用于存儲器陣列的電路系統(tǒng)(包括字線、位線、解碼器等)可能有缺陷，同樣，與呈現(xiàn)(rendering)相關聯(lián)的存儲元件也可能有缺陷。
[0003]有些缺陷管理方案依賴于用冗余存儲單元來替換被確定為有缺陷的主存儲單元。在例如圖1中描繪的通常的半導體存儲器制造工藝過程中，在形成存儲器設備的封裝存儲器芯片之前進行晶片級測試12。晶片可以包括成百上千個存儲器芯片，其中每一個可以包括存儲器陣列和外圍組件，例如用于訪問陣列的存儲單元的控制電路和邏輯電路。在晶片級測試12的過程中，對存儲器芯片的功能性進行測試，以使得無需將有缺陷的組件集成到封裝的設備中。晶片級測試經常在升高和/或降低的溫度(例如85°C和/或_30°C)下進行，以確保極端條件下的功能性并且確保在電路受到應力之后的功能性?？梢杂脕碜孕酒娜哂啻鎯卧獊硖鎿Q未能通過功能性測試的存儲單元?？梢愿鶕圃斓拇鎯ζ鞯念愋筒捎貌煌娜哂喾桨?。例如，可以替換單個存儲單元，可以替換存儲單元的整個列或者整個位線，或者可以替換存儲單元的整個塊。
[0004]晶片級測試12之后，晶片被分成單個存儲器芯片并且一個或更多個存儲器芯片被封裝14以形成存儲器設備。接著，封裝的存儲器設備經過預燒(burn-1n)工藝16以對芯片的存儲器陣列和外圍電路系統(tǒng)施加應力。預燒通常在比晶片級測試還要高的溫度(例如125°C)下進行。對每個芯片的各種部分施加高電壓以對較弱的元件施加應力并且進行識別。預燒工藝的應力條件被設計成使較弱的設備故障，該故障可以之后在封裝級測試18的過程中檢測到。在某些制造工藝中，沒有進行預燒。
[0005]封裝級測試通常包括各種功能性測試以確定在預燒之后哪個單元有缺陷。近年來，將例如反熔絲的技術結合到制造工藝中，以使得可以用來自存儲器芯片的冗余存儲器來替換在預燒后被發(fā)現(xiàn)有缺陷的存儲單元。
[0006]在有些情況下，封裝級測試18導致將整個存儲器芯片識別為有缺陷。例如，陣列的有缺陷的存儲單元的數(shù)目可能超過針對管芯的冗余容量或者某個外圍電路系統(tǒng)可能失效，從而使管芯不可用。
[0007]可以拒絕20有缺陷的存儲器管芯。然而，需要克服當具有多個存儲器管芯的存儲器封裝中的一個存儲器管芯被拒絕時存在的問題。【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是描述制造存儲器的常規(guī)方法的流程圖。
[0009]圖2是根據一個實施方式的存儲器封裝的框圖。
[0010]圖3是描述根據一個實施方式制造半導體存儲器的方法的流程圖。
[0011]圖4是描述根據一個實施方式將存儲器管芯自禁用的方法的流程圖。
[0012]圖5是一個實施方式的可編程芯片啟用電路系統(tǒng)的一部分的電路圖。
[0013]圖6是用于存儲器管芯的選擇電路系統(tǒng)的框圖。
[0014]圖7是可編程芯片地址電路系統(tǒng)的一部分的電路圖。
[0015]圖8是描述根據一個實施方式生成用于將有缺陷的存儲器管芯自禁用的控制信號的方法的流程圖。
[0016]圖9是非易失性存儲器系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0017]如本文中提到的，測試(例如封裝級測試)可以識別多管芯封裝中有缺陷的存儲器管芯。例如，管芯上的存儲器陣列的有缺陷的存儲單元的數(shù)目可能超過冗余容量或者某個外圍電路系統(tǒng)可能失效，從而使管芯不可用。在一個實施方式中，多管芯封裝中的存儲器管芯上的可編程元件存儲了對存儲器管芯是否有缺陷的指示。然而，在某些情況下可編程元件不可信任。例如，缺陷的本質可以使包含該可編程元件的存儲器陣列的區(qū)域不可信任。然而，本文公開的技術使具有這種有缺陷的管芯的多管芯封裝無論如何可以使用。在一個實施方式中，如果可編程元件在使用過程中不可信任，那么在通電復位(POR)時將存儲器管芯自禁用。因為本來可能需要被丟棄的多管芯封裝也可以被使用，所以這允許更大的產量。
[0018]在POR時，可以使用有缺陷的存儲器管芯上的電路系統(tǒng)來防止在現(xiàn)場使用有缺陷的存儲器管芯。例如，如果八個存儲器管芯中有七個存儲器管芯仍然可起作用，那么該存儲器封裝可以被裝運。然而，有缺陷的存儲器管芯可能包含通過將存儲器管芯自禁用而防止有缺陷的存儲器管芯被使用的電路系統(tǒng)。例如，有缺陷的存儲器管芯具有電路系統(tǒng)，該電路系統(tǒng)在POR時撤消其芯片啟用信號。電路系統(tǒng)可以對存儲了對存儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件進行讀取。這種可編程元件的一個示例是有缺陷的存儲器管芯上的閃存存儲器中的一個或更多個存儲單元。可起作用的存儲器管芯也可以具有該電路系統(tǒng)和可編程元件。然而，在那種情況下可編程元件被設定成指示存儲器管芯可起作用。
[0019]如上所述，在有些情況下，指示存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件不可信任。例如，正好包含了可編程元件的非易失性存儲的那一部分可能有缺陷。在有些實施方式中，在這種情況下，不是丟棄整個存儲器封裝，而是可以在POR時采取步驟以檢測可編程元件自身有缺陷并且在POR時將該存儲器管芯自動地禁用。這可以允許產量的實質增長。例如，相當大數(shù)目的存儲器封裝可能具有至少一個存儲器管芯，對該存儲器管芯正好是用于存儲對存儲器管芯有缺陷的指示的可編程元件不能被信任。然而，本文公開的實施方式卻能夠裝運這種存儲器封裝。
[0020]一個實施方式包括以下內容。在POR時(在現(xiàn)場)，確定用于指示存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件是否可信任。作為一個示例，對包含可編程元件的非易失性存儲的區(qū)域進行校驗和。然而，可以使用很多其他技術來確定可編程元件是否可信任。如果可編程元件不可信任，那么將提供給該存儲器管芯的“外部”芯片啟用信號撤消。因此，防止了該存儲器管芯在現(xiàn)場被使用。請注意，在有些實施方式中，外部芯片啟用信號對于封裝中的所有存儲器管芯是通用的。
[0021]另一方面，如果給定存儲器管芯上的可編程元件可信任，那么可以讀取可編程元件來確定是否使用該存儲器管芯。例如，如果可編程元件指示該存儲器管芯有缺陷，那么可以在POR時將存儲器管芯自禁用。在一個實施方式中，生成了將外部芯片啟用(在某種意義上，外部指可以給有缺陷的存儲器管芯提供)信號撤消的“內部”芯片啟用信號(在某種意義上，內部指可以在有缺陷的存儲器管芯內部生成)。如果可編程元件指示該存儲器管芯沒有缺陷，那么在POR時不禁用該存儲器管芯。請注意，“不禁用該存儲器管芯”將被理解為意味著允許外部芯片啟用信號啟用存儲器管芯。
[0022]圖2示意性地示出了具有若干個單個存儲器管芯202和控制器210的非易失性存儲器系統(tǒng)200的一個實施方式。每個存儲器管芯是安裝在襯底或者印刷電路板204上的集成電路存儲器芯片或者管芯?？刂破?10也是安裝在其自己的印刷電路板224上的集成電路芯片或者管芯。這兩個印刷電路板可以安裝到第三印刷電路板(未示出)。在其他實施方式中，控制器和存儲器管芯可以安裝在同一個印刷電路板上。
[0023]每個存儲器管芯202包括由單個非易失性存儲單元形成的非易失性存儲器陣列206。存儲器陣列可以包括但是不限于使用例如NAND和NOR架構等架構來布置的閃存存儲單元。存儲器管芯202分別包括用于尋址和控制其各自的存儲器陣列的外圍電路系統(tǒng)。存儲器系統(tǒng)中包括控制主機設備與單個存儲器管芯202之間的存儲器操作的控制器210?？刂破?10能夠地對系統(tǒng)的每個存儲器管芯獨立地尋址。存儲器系統(tǒng)中不必需要包括控制器。例如，有些實現(xiàn)可以使控制器功能性由主機設備(例如由基于標準處理器的計算系統(tǒng)的處理器)進行處理。此外，多個存儲器管芯202可以在沒有控制器的情況下被封裝在單個封裝中并且隨后可以與其他封裝和控制器合并以形成存儲器系統(tǒng)。
[0024]每個存儲器管芯202包括兩組外部引出線或者引腳。每個管芯的第一組引出線216是一組設備選擇引腳。設備選擇引腳為存儲器設備提供針對封裝的存儲器系統(tǒng)的唯一的芯片地址。每個管芯的設備選擇引腳連接到針對該管芯的一組接合焊盤214。在這個特定的配置中，每個存儲器管芯202具有連接到五個對應的焊盤214的五個設備選擇引出線216。通過選擇性地將針對存儲器管芯的特定的焊盤接地，通過地址對存儲器管芯進行配置成或者鍵合?？梢詾閱蝹€存儲器管芯提供針對焊盤的預定接地配置以向該單個存儲器管芯分配封裝內的唯一的芯片地址。襯底204可以包括具有預定焊盤配置的支座。當管芯被安裝到襯底時，從而將相應的芯片地址分配給管芯。每個存儲器管芯將從應用到焊盤的配置來確定其地址。設備選擇引腳將焊盤的接地配置提供給設備內的選擇電路系統(tǒng)。當設備被啟用時，選擇電路系統(tǒng)將控制器210提供的地址與接地配置進行比較來確定其是否應該選擇和處理請求。
[0025]在圖2中，假設接地表示邏輯‘0’并且圖中的‘X’描繪了接地焊盤，則給存儲器設備2分配了地址‘11’。給存儲器設備2分配了地址“10”，給存儲器設備3分配了地址“01”并且給存儲器設備4分配了地址“00”。如圖2所描繪的那樣，雖然示出了針對每個管芯的總共五個設備選擇引腳和接地焊盤，但是只需要由兩個焊盤對四個單個存儲器管芯進行尋址。[0026]第二組引出線218是用于將每個存儲器管芯連接到通用設備總線220的設備總線引出線。設備總線220的第一端連接到控制器210并且其他端連接到單個存儲器管芯202中的每一個。設備總線引出線218的數(shù)目根據實現(xiàn)特別是根據系統(tǒng)中的相應的總線的需求而變化。每個存儲器管芯連接到通用總線以接收并且響應由控制器210發(fā)出的各種控制和地址命令。這樣，每個芯片具有從存儲器管芯之外接收外部芯片啟用信號的芯片啟用輸入。雖然在各種實施方式中，可以將控制線222看作設備總線220的一部分，但是控制線222被描繪成與設備總線220分離?？刂凭€222是主芯片啟用線?？梢皂憫谟煽刂破?10提供的主芯片啟用信號來啟用每個存儲器設備。響應于該芯片啟用信號，每個設備將設備內的一組輸入寄存器啟用。然而，請注意，在有些實施方式中，可以將該主(或者外部，在某種意義上，外部是指它是存儲器管芯的外部提供的)芯片啟用線撤消來將有缺陷的存儲器管芯禁用。例如，在有缺陷的存儲器管芯上可以生成內部芯片啟用信號。
[0027]在設備啟用時，將芯片或者陣列地址從設備總線220上的控制器傳遞并且移位到每個設備處的寄存器中。每個設備中的選擇電路系統(tǒng)230將接收的陣列地址與由針對焊盤組214的接地的預定配置提供的唯一的地址進行比較以確定是否要選擇存儲器設備。如果選擇存儲器設備，那么針對存儲器管芯的控制電路系統(tǒng)將通過從陣列讀取數(shù)據或者將數(shù)據寫入陣列來處理請求。
[0028]每個存儲器管芯的設備總線引出線218在封裝內被內部地捆綁在一起。例如，弓丨出線可以分別連接到通用接合焊盤。當管芯被封裝在一起時，物理地改變內部線路來斷開壞的管芯可能就不可能或者不現(xiàn)實。另外，針對每個存儲器管芯的接合焊盤214可以在封裝時被固定。作為封裝工藝的一部分，應用焊盤的預定配置并且將存儲器管芯經由設備選擇引腳進行連接。一旦管芯被封裝，就不能改變用于固定的焊盤接合的配置。在有些情況下，在檢測管芯故障之前固定芯片啟用和設備選擇引腳。
[0029]在一個實施方式中，每個存儲器管芯202具有用于存儲對存儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件I。雖然可編程元件I可以位于存儲器陣列206的外部，但是在圖2的實施方式中，可編程元件I處在存儲器陣列206中。在一個實施方式中，可編程元件I處在用于存儲配置參數(shù)的存儲器陣列206的一部分中。例如，該區(qū)域可以存儲例如用于對存儲單元進行編程和讀取的電壓等參數(shù)。
[0030]而且，即使可編程元件I不可信任，也仍然可以裝運多管芯存儲器封裝。根據一個實施方式，如果在POR時確定可編程元件I不可信任，那么將存儲器管芯禁用。在一個實施方式中，如果可編程元件I不可信任，那么針對單個存儲器管芯的內部芯片啟用信號能夠將存儲器管芯自禁用。
[0031]圖2的實施方式中的每個存儲器管芯的控制電路系統(tǒng)包括將存儲器管芯與控制線222上提供的主(例如外部)芯片啟用信號進行隔離的電路242。圖2的實施方式中的每個存儲器管芯的控制電路系統(tǒng)也包括替換由接地焊盤組提供的唯一的地址或者對該唯一的地址重新編程的電路240。雖然電路240和電路242描繪成與每個存儲器管芯的相應的選擇電路系統(tǒng)230分離，但是可以將這些電路包括作為選擇電路系統(tǒng)的一部分。
[0032]可以使用多種類型的可編程元件來存儲對針對特定的存儲器管芯的芯片啟用信號重新編程所需要的數(shù)據。如以上所述的示例，可編程元件I可以是存儲器陣列206的一些區(qū)域。可編程元件I可以是一些類型的熔絲電路系統(tǒng)。因為熔絲電路系統(tǒng)是在設備封裝之后被編程，所以熔絲電路系統(tǒng)在其封裝的狀態(tài)下應該是可寫的。
[0033]ROM熔絲可以特別適于后封裝編程，因為它們在成型工藝和封裝工藝之后能夠被寫入。例如，一些電可編程熔絲利用傳統(tǒng)的可編程非易失性存儲器元件來存儲邏輯狀態(tài)下的數(shù)據。通常，在設備封裝之前和之后都可以對電可編程熔絲進行訪問和編程。在使用可編程熔絲的一個實施方式中，可以使用用于存儲器管芯的存儲單元的主陣列的一部分。這樣，指示存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件可以存儲在存儲器陣列206中的某處。
[0034]然而，請注意，可以將其他類型的設備用于可編程元件I。例如，可以使用包括包括未編程的、高電阻狀態(tài)或者編程的、低電阻狀態(tài)的兩個邏輯狀態(tài)之一的反熔絲元件的ROM熔絲。ROM陣列或者寄存器中的未編程的反熔絲鏈路可以具有數(shù)量級為千兆歐姆的電阻，并且編程的反熔絲鏈路可以具有數(shù)量級為幾百歐姆的電阻。為了對常規(guī)的反熔絲進行編程，施加高電壓信號以將鏈路從其初始的高電阻狀態(tài)轉換成其編程的、低電阻狀態(tài)。這用來存儲邏輯數(shù)據的單個位。
[0035]同樣，可以提供可編程芯片地址。當多芯片配置中的故障管芯在封裝之后被檢測到故障時可以將失效管芯隔離。在故障管芯將針對存儲器系統(tǒng)的連續(xù)的地址范圍中斷處，可以經由可編程芯片地址對封裝內的其他管芯重新尋址以提供除了失效管芯之外的連續(xù)的地址范圍。
[0036]針對可編程芯片地址電路系統(tǒng)240的一個或更多個熔絲可以針對其相應的存儲器管芯進行存儲和提供替換的唯一地址。在圖2中，每個唯一的芯片地址由單獨地對四個存儲器管芯尋址的兩個位組成，以使得可以使用兩個熔絲來分配替換地址?？梢允褂玫谌劢z來存儲指示是否應該使用由熔絲提供的地址來代替來自焊盤接合的標準地址的值。例如，可以通過對第三熔絲進行編程以激活用于代替芯片地址的芯片地址電路系統(tǒng)來對存儲器管芯芯片地址重新編程。響應于第三熔絲被設定成其編程狀態(tài)，可以將由前兩個熔絲存儲的邏輯值提供給選擇電路系統(tǒng)以代替來自焊盤接合的設備選擇引腳上提供的唯一的地址。例如，處于初始的狀態(tài)的熔絲可以對應于邏輯‘0’并且處于其編程狀態(tài)的熔絲可以對應于邏輯‘I’。如果設定第三熔絲，那么提供來自前兩個熔絲的值作為對選擇電路系統(tǒng)的輸入以代替焊盤接合地址。
[0037]圖3中示出了制造非易失性半導體存儲器設備的工藝，由此將存儲器管芯配置成在某個條件下在通電復位時自動地將自身禁用?？梢赃M行將對存儲器管芯是否有缺陷的指示存儲在可編程元件中的嘗試。然而，存儲器管芯可以被配置成如果可編程元件不可信任，那么在POR時將自身禁用。而且，存儲器管芯也可以被配置成假如可編程元件可信任，那么響應于可編程元件的狀態(tài)，在POR時將自身禁用。
[0038]在步驟302針對半導體晶片組進行晶片級測試，每個半導體晶片組通常具有若干個不可分割的存儲器陣列管芯，該若干個不可分割的存儲器陣列管芯包括存儲器陣列和用于控制存儲器陣列的外圍電路系統(tǒng)。在晶片級測試之后，在步驟304，晶片的單個存儲器管芯被分割并且被封裝。在步驟304，可以封裝單個芯片封裝、多芯片封裝(在二者具有控制器芯片的情況下以及在二者不具有控制器芯片的情況下)。可以使用各種各樣的封裝配置。管芯通常安裝在具有單面或者雙面蝕刻的導電層的襯底上。在管芯和一個或更多個導電層之間形成電連接，一個或更多個導電層提供用于將管芯集成到電子系統(tǒng)中的電引線結構。
[0039]在步驟306，作為在管芯和一個或更多個導電層之間形成電連接的一部分，將每個存儲器陣列的芯片啟用引腳連接到主芯片啟用線或者通用總線，以從控制器或者主機設備接收外部芯片啟用信號。在步驟308，對針對每個芯片的設備選擇引腳的連結焊盤組應用預定配置，由此向每個芯片分配其自己的唯一的芯片地址。如圖3的示例所示，所選擇的引腳可以被配置成接地焊盤以定義地址。給一些管芯提供了例如可以連接到引線框的電引線的管芯上的連結焊盤以定義唯一的芯片地址。一旦管芯和襯底之間的電連接形成，則該組件通常被包裹在模制化合物中以提供保護性封裝。
[0040]在步驟310可以進行先前針對圖1所描述的可選的預燒工藝以對封裝(包括一個或更多個存儲器陣列、外圍電路系統(tǒng)、控制器等)施加應力。在步驟312，預燒之后，對封裝進行測試?？梢詰枚喾N類型的封裝級測試，包括通過例如檢測失效、短路等的位線和字線測試，針對讀、寫和數(shù)據保留的存儲單元測試，外圍電路系統(tǒng)測試等。在有些實施方式中，在步驟312，在封裝之后，單獨地或者按單個存儲器管芯的塊或者列等，使用冗余存儲單元來替換有缺陷的存儲單元。
[0041]如果沒有存儲器管芯被確定為有缺陷，那么在步驟316，處理結束并且封裝的設備以全容量輸送。如果一個或更多個存儲器管芯有缺陷，那么在步驟318，進行將對可編程元件I中有缺陷的指示進行存儲的嘗試。如上所述，雖然可編程元件I也可以在存儲器陣列206的外部，但是可編程元件I可以是存儲器陣列206的一些區(qū)域。
[0042]在一個實施方式中，作為將設備參數(shù)寫入非易失性存儲器(例如閃存存儲器陣列)的某些部分的一部分進行步驟318。例如，存儲器陣列206的區(qū)域可以專用于存儲各種設備參數(shù)(例如存儲單元應該被寫入、被編程的電壓等)。因此存儲器陣列的這個區(qū)域不能由用戶寫入。這樣，可編程元件I可以是該區(qū)域中可編程元件I沒有被用戶重寫的機會的部分。
[0043]在一個實施方式中，在步驟318中，校驗和或者散列和被寫入存儲器區(qū)域?？梢允褂萌魏涡ｒ灪秃瘮?shù)或者算法來生成校驗和。在一個實施方式中，數(shù)據被再讀取以確定是否成功地將存儲器陣列的區(qū)域編程。在一個實施方式中，對于所寫入的實際數(shù)據的每個字節(jié)，寫入了實際數(shù)據的補充。每個字節(jié)及其補充可以被再次讀取并且被比較以確定存儲器是否被正確編程。
[0044]如果步驟318成功地將指示存儲到可編程元件中，那么在步驟322中，基于可編程元件的狀態(tài)對自禁用的電路系統(tǒng)進行測試。請注意，可以使用步驟322來確定電路242是否正確地工作。在一個實施方式中，針對將可編程元件I成功地寫入的每個存儲器管芯進行POR復位。在一個實施方式中，被標記為有缺陷的存儲器管芯應該在POR時自動地自禁用。例如，這些存儲器管芯應該撤消外部芯片啟用信號。另一方面，沒有被標記為有缺陷的存儲器管芯不應該在POR時自禁用。
[0045]請注意，在圖3的工藝之前，電路系統(tǒng)242可能已經被添加到了每個存儲器管芯。例如，在用于制造每個存儲器管芯上的存儲器陣列和外圍電路的同一半導體制造工藝的過程中可能已經添加了這種電路系統(tǒng)242。從而，在半導體制造工藝過程中，至少可以部分進行對存儲器管芯上的電路系統(tǒng)242的配置以使得如果可編程元件不可信任則在POR時禁用存儲器管芯的步驟。
[0046]即使步驟318不能成功地對可編程元件I進行寫入，工藝也仍將嘗試使用存儲器封裝。在步驟324中，可以進行測試來驗證在POR時存儲器管芯自禁用。在一個實施方式中，期望存儲器管芯檢查存儲各種參數(shù)的存儲器陣列的區(qū)域以及可編程元件的有效性。如果該檢查指示該區(qū)域不可信任，那么期望存儲器管芯自禁用。因此，步驟324可以驗證存儲器管芯正確地將自身進行自禁用。請注意，可以使用步驟324來確定電路242是否正確地工作。
[0047]在使用過程中，每當將存儲器封裝被通電，都可以經過POR測試。POR測試的一部分可以確定應該禁用哪個存儲器管芯。圖4是在POR時將有缺陷的存儲器管芯自禁用的工藝的一個實施方式的流程圖。請注意，具有用于存儲對管芯是否有缺陷的指示的不可信任的可編程元件I的存儲器管芯可以在POR時自禁用。因此，包含具有這種不可信任的可編程元件I的一個或更多個存儲器管芯的存儲器封裝仍然可以使用。因為否則可能需要被丟棄的存儲器封裝仍然可以使用，所以這增加產量。
[0048]在步驟702中，將存儲器封裝的POR初始化。在一個實施方式中，每個存儲器管芯經過單獨的POR測試。將針對一個存儲器管芯對工藝進行描述。
[0049]在步驟704中，確定用于存儲存對儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件I是否可信任。在一個實施方式中，可編程元件I是非易失性存儲中的一些區(qū)域。例如，可編程元件I可以是存儲器陣列206中的一個或更多個閃存存儲單元。閃存存儲器可以是NAND、NOR等。然而，不要求可編程元件I是閃存存儲器。
[0050]在一個實施方式中，步驟704包括確定存儲器管芯上的存儲器的非易失性存儲器區(qū)域是否通過功能性測試。在一個實施方式中，步驟704包括對存儲器陣列的區(qū)域進行校驗和測試。作為一個示例，對存儲操作參數(shù)(例如讀取電壓、編程電壓等)以及包含用于指示存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件的區(qū)域進行校驗和測試。
[0051]如果可編程元件不可信任，那么在步驟706中，將存儲器管芯禁用。在一個實施方式中，通過撤消芯片啟用信號來禁用存儲器管芯。步驟706可以包括生成在存儲器管芯的內部并且將提供給如本文提到的存儲器管芯的“外部芯片啟用信號”撤消的“內部芯片啟用信號”，外部芯片啟用信號對于存儲器管芯中的每一個存儲器管芯可以通用。圖5中描繪了用于生成將芯片啟用信號撤消的信號的示例電路。
[0052]如果可編程元件I可以信任，那么在步驟708中，讀取可編程元件以確定存儲器管芯是否被標記為有缺陷。如果存儲器管芯被標記為有缺陷，那么在步驟710中，將存儲器管芯禁用。例如，將外部芯片啟用信號撤消。
[0053]另一方面，如果可編程元件I指示存儲器管芯沒有缺陷，那么在步驟712中，不將存儲器管芯禁用。例如，允許外部芯片啟用信號通過從而可以啟用存儲器管芯。
[0054]圖5是根據一個實施方式的可編程芯片啟用電路242的示意圖。通常，CE是主芯片啟用信號或者外部芯片啟用信號。主芯片啟用信號對于所有的存儲器管芯可以是通用的。在可編程元件I指示存儲器管芯有缺陷的情況下，生成信號CE_f0rce以撤消CE。然而，如本文中提到的，存儲標記的可編程元件I有時不可信任。例如，存儲器陣列中的存儲芯片參數(shù)(并且包含可編程元件)的區(qū)域不可信任。在這種情況下，信號CE_f0rce不可信任。因此，在可編程元件I不可信任的情況下，可以生成信號CE_failsafe以撤消CE。元件408的輸出是內部生成的芯片啟用信號CE_internal。
[0055]ROMRD定時信號被提供作為對門402的第一輸入。來自可編程元件I的數(shù)據信號(CE_R0M)被提供作為第二輸入。如果可編程元件I處于第一狀態(tài)，那么響應于定時信號R0MRD，不啟用門402。也就是說，第一狀態(tài)指示存儲器管芯沒有缺陷。在各種實施方式中，可以在通電或者斷電時維護定時信號，例如，以使來自可編程元件I的數(shù)據被讀取。如果門402沒有被可編程元件I啟用，那么門輸出保持低電平(LOW)并且輸出CE_force保持低電平。例如，主(或者外部)芯片啟用信號被傳遞給如在下文中將要描述的圖6中的選擇電路系統(tǒng)。
[0056]如果可編程元件I處于第二狀態(tài)，那么當發(fā)出ROMRD定時信號并且門402的輸出是高電平(HIGH)時，CE_R0M將是高電平。也就是說，第二狀態(tài)指示存儲器管芯有缺陷。當門402的輸出成為高電平時，或(OR)門404的輸出成為高電平。響應于定時信號i_RRD和o_RRD,觸發(fā)器406對來自或門的輸出的高電平值進行采樣。接著，將采樣的高電平值提供作為輸出CE_force。
[0057]將輸出CE_force提供給具有來自芯片啟用引腳的外部芯片啟用信號CE的采樣值的或非(NOR)門408?？梢詫⑤斎刖彺鎱^(qū)(buffer)(未示出)用于采樣值。如果作為可編程元件I的狀態(tài)的結果CE_force成為高電平，那么或非門408的輸出是低電平。輸出被反相器410反相并且被提供作為內部芯片啟用信號CE_internal。將高電平CE_internal輸出提供給反相器368,反相器368將低電平輸出提供給門362 (圖6)。這樣,將移位寄存器352禁用，從而導致將存儲器管芯禁用。
[0058]如上所述，在有些情況下，可編程元件I不可信任。在這種情況下，這意味著信號CE_force不可信任。因此，可以將信號CE_failsafe提供給或非門408以撤消外部芯片啟用信號CE。這樣，只要可編程元件I可信任，信號CE_failsafe就具有不影響或非門408的輸出的狀態(tài)。然而，如果可編程元件I不可信任，那么CE_failsafe的狀態(tài)就可以將外部芯片啟用信號CE撤消。作為一個示例，如果作為可編程元件I不可信任的結果，CE_failsafe成為高電平，那么或非門408的輸出是低電平。輸出被反相器410反相并且被提供作為內部芯片啟用信號CE_internal。高電平的CE_interanl的輸出將被提供給反相器368,反相器368向門362提供低電平的輸出(圖6)。這樣，將移位寄存器352禁用，從而導致將存儲器管芯禁用。
[0059]請注意，在有些實施方式中，存儲器管芯可以接收新的地址。圖6示意性地示出了 Iv實施方式中的選擇電路系統(tǒng)230。在圖6中，將可編程電路系統(tǒng)描繪成了選擇電路系
統(tǒng)230的一部分，但是不需要在所有的實現(xiàn)中都這樣。選擇電路系統(tǒng)通常包括移位寄存器352、比較器354、地址匹配鎖存器356以及S-R寄存器358。選擇電路系統(tǒng)具有來自設備選擇引腳216和包括芯片啟用線222的設備總線220的輸入。選擇電路系統(tǒng)具有對將它控制的設備(存儲器管芯)進行選擇或者取消選擇的輸出DS。
[0060]比較器354和地址匹配鎖存器356實現(xiàn)對存儲器管芯的地址匹配。在圖6的示例中，將兩位地址從設備總線220的串行線路SO和SI移位到移位寄存器352中。在控制線P/D上攜帶了時鐘信號，控制線P/D通過由反相器368反相的主芯片啟用線222上的低電平信號被門啟用。在圖6中，主芯片啟用線222被示出為設備總線220的一部分。接著，將兩位唯一的芯片地址從移位寄存器352傳遞給比較器354。
[0061]在可編程芯片地址電路系統(tǒng)處于其初始狀態(tài)的情況下，比較器將從設備選擇引出線216獲得的唯一的芯片地址接收作為第二輸入。如前所述，由接地配置或者接合焊盤214的“鍵合”定義了針對陣列內的每個位置的地址。例如，由于連接到板上的特定支座的存儲器管芯，由支座的焊盤定義的地址經由設備選擇引出線被傳遞到存儲器設備上。[0062]比較器將串行線路SO和SI上接收的地址與設備選擇引腳上獲得的地址進行比較。如果地址匹配，那么比較器輸出360成為高電平。該輸出通過芯片啟用線CE222上的芯片啟用信號的下降沿(未示出連接)被記時在地址匹配寄存器356中。這導致S-R寄存器358被設定成高電平，以使得輸出DS也是高電平并且設備被選擇。當?shù)刂凡黄ヅ鋾r，DS將會是低電平并且設備沒有被選擇。
[0063]可以利用芯片啟用電路系統(tǒng)242將特定的存儲器管芯與封裝隔離。這可以通過將管芯與主芯片啟用線隔離以禁用存儲器管芯來完成，從而其保持未被選擇。在不禁用存儲器管芯的情況下，芯片啟用電路系統(tǒng)242簡單地將經由主芯片啟用線222接收的外部芯片啟用信號直接傳遞給反相器368以控制門362。選擇電路系統(tǒng)在其正常模式下工作，以使得芯片啟用信號啟用時鐘信號P/D來將串行線路SO和SI上的地址移位到移位寄存器352中。
[0064]如果可編程元件I不可信任或者可編程元件I指示存儲器管芯有缺陷，那么將相應的存儲器管芯與芯片啟用線222隔離。門362被成為低電平的主芯片啟用信號啟用。相應地，電路系統(tǒng)242可以在線370上驅動高電平信號來代替通常將在其上被傳遞的芯片啟用信號。如上所述，如果存儲器管芯確定可編程元件I不可信任，那么電路系統(tǒng)242也可以在線370上驅動高電平信號來代替通常在其上被傳遞的芯片啟用信號。以這種方式，不管由芯片啟用線上的主機還是控制器提供的外部芯片啟用信號如何，門都將保持關閉并且時鐘信號都將不能啟用移位寄存器352來接收串行線路SO和SI上的唯一的芯片地址。通過禁用輸入移位寄存器352，將相應的存儲器管芯禁用，并且將獨立于芯片啟用信號而維持該狀況。
[0065]可以利用可編程設備選擇電路系統(tǒng)240來對針對封裝中的特定的存儲器管芯的唯一的芯片地址重新編程。當可編程電路系統(tǒng)處于其初始的工作狀態(tài)時，將設備選擇輸入引腳連接到在其上直接將信號傳遞給比較器240的可編程設備選擇電路系統(tǒng)。第一熔絲可以存儲單個位以指示在設備選擇引腳上接收的芯片地址將要被撤消。當維護該位時，可編程設備選擇電路系統(tǒng)向比較器354提供不同的唯一的地址，由此撤消由物理接合提供的芯片地址。使用與唯一的芯片地址中的位的數(shù)目對應的若干個熔絲來提供不同的地址。例如，熔絲的初始電阻狀態(tài)可以對應于邏輯‘0’并且編程的低電阻狀態(tài)可以對應于邏輯‘1’，或者熔絲的初始電阻狀態(tài)可以對應于邏輯‘I’并且編程的低電阻狀態(tài)可以對應于邏輯‘O’?？梢赃x擇性地調節(jié)地址熔絲以存儲新的芯片地址。接著可編程電路系統(tǒng)會將總線364上的該地址提供給比較器。同樣，在封裝之后將用新的唯一的芯片地址給存儲器管芯重新編程。
[0066]圖7是一個實施方式中的可編程設備選擇電路系統(tǒng)240的示意圖。ROMRD定時信號和第一 ROM熔絲(被稱為選擇熔絲)的輸出被提供給門420。當定時信號ROMRD成為高電平時，將來自可編程元件I的數(shù)據提供給門。在圖7中，如果可編程元件I不可信任或者如果指示存儲器管芯有缺陷，那么信號CADD_R0M可以是高電平。如果CADD_R0M是低電平，那么門420的輸出保持低電平并且觸發(fā)器424的輸出是低電平。如果CADD_R0M是高電平，那么門420的輸出成為高電平并且或門輸出422成為高電平。接著，響應于定時信號i_RRD和o_RRD，觸發(fā)器424的輸出CADD_SEL成為高電平。
[0067]使用圖7中的電路系統(tǒng)的下面部分來選擇由焊盤接合提供的原始的芯片地址或者由可編程電路系統(tǒng)提供的編程的地址。第一復用器MUX1426接收針對芯片地址的第一位的兩個輸入CADDO_ori和CADDO_ROM。CADDO_ori是來自接合焊盤的針對芯片地址的第一位的信號。CADDO_ROM是來自第一 ROM熔絲的針對第一地址位的信號。第二復用器MUX2428接收針對芯片地址的第二位的兩個輸入CADDl_ori和CADD1_R0M。CADDl_ori是來自接合焊盤的針對芯片地址的第二位的信號。CADD1_R0M是來自第二 ROM熔絲的針對第二地址位的信號。如果對應于用于可編程設備選擇電路系統(tǒng)的未編程的選擇ROM熔絲，CADD_SEL是低電平，那么從復用器提供原始的芯片地址。MUXl根據焊盤接合(CADD0_ori)提供對于芯片地址的第一位的輸出CADDO，MUX2根據焊盤接合(CADD2_ori)提供對于芯片地址的第二位的輸出CADD1。如果CADD_SEL是高電平，從而對應于編程的元件I不可信任或者指示存儲器管芯有缺陷，那么提供來自ROM熔絲中的每一個ROM熔絲的編程的芯片地址。MUXl在輸出CADDO上提供來自第一地址ROM熔絲的CADD0_R0M值，MUX2在輸出CADDl上提供來自第二地址ROM熔絲的CADD1_R0M值。
[0068]圖5至圖7的示例性的實施方式利用兩位地址。相應地，復用器接收兩個輸入,并且使用兩個ROM熔絲來替換芯片地址。如果針對芯片地址使用更多的位，那么可以使用附加的ROM熔絲用于附加的地址位。
[0069]圖8是生成啟用/禁用存儲器管芯的控制信號的工藝的一個實施方式的流程圖。工藝可以在POR時由每個存儲器管芯進行。在步驟802中，進行校驗和測試。這是圖4的步驟704的一個實施方式。校驗和測試可以在存儲器管芯的存儲器陣列206的一些區(qū)域進行。這可以是閃存存儲器陣列，例如NAND、N0R等。存儲器區(qū)域可以用于存儲操作參數(shù)。請注意，存儲器陣列的這個區(qū)域包含可編程元件I。因此，可編程元件I可以是一個或更多個閃存存儲單元。
[0070]在一個實施方式中，校驗和測試按如下進行。請注意，在該示例中，針對所寫入的實際數(shù)據的每個字節(jié)，寫了一個字節(jié)的補充。這樣，可以讀取用于存儲操作參數(shù)的存儲器陣列的區(qū)域中的每個字節(jié)的數(shù)據。接著，將實際數(shù)據的每個字節(jié)與存儲其補充的字節(jié)進行比較。請注意，可以進行很多其他類型的校驗和測試。如果存儲器陣列的區(qū)域通過了校驗和測試，那么可編程元件I可信任。否則，可編程元件I不可信任。請注意，在其他實施方式中，進行了其他測試以確定可編程元件I是否可信任。
[0071]如果校驗和測試失敗，那么確定可編程元件I不可信任。因此，在步驟806中生成了控制信號CE_f ail safe。例如，CE_failsafe被設定成高電平。參考圖5的電路對這個信號進行過討論。請注意，CE_failsafe會撤消外部芯片啟用信號(CE)。這將有效地禁用存儲器管芯。在一個實施方式中，信號CADD_R0M也被設定成高電平(參見圖7)。
[0072]如果通過了校驗和測試，那么在步驟808中，確定可編程元件I是否指示存儲器管芯是否有缺陷。如上所述，在該實施方式中，可編程元件I可以處在被執(zhí)行了校驗和測試的存儲器區(qū)域內。請注意，在其他實施方式中，不要求可編程元件I是閃存存儲單元。
[0073]如果可編程元件I指示存儲器管芯有缺陷，那么在步驟810中生成控制信號CE_force0參考圖5對該信號進行過討論。如上所述，信號CE_forCe將有效地撤消外部芯片啟用信號CE。還需要注意的是,在這種情況下不生成信號CE_failsafe。在一個實施方式中，信號CADD_R0M也被設定成高電平(參見圖7 )。
[0074]如果可編程元件I指示存儲器管芯沒有缺陷，那么在步驟812中不生成信號CE_force ο例如，將CE_force設定成低電平。還需要注意的是，在步驟812中不生成信號CE_fail safe ο例如，將CE_failsafe設定成低電平。因此，沒有撤消外部芯片啟用信號CE。因此，允許外部芯片啟用信號CE啟用存儲器管芯。在本文中，這被稱為“不禁用存儲器管芯”。也就是說，應該理解的是通過不禁用存儲器管芯，外部芯片啟用信號CE控制存儲器管芯是否被啟用。在一個實施方式中，在步驟812中將信號CADD_ROM設定成低電平(參見圖7)。
[0075]圖9是如圖3中描繪的非易失性存儲器系統(tǒng)的另一視圖，圖9示出了一些實現(xiàn)中可以包括的附加的組成部分。存儲器設備510包括一個或更多個存儲器管芯或者芯片512。存儲器管芯512包括存儲單元206的二維陣列、控制電路系統(tǒng)520以及讀/寫電路530A和讀/寫電路530B。在一個實施方式中，各種外圍電路對存儲器陣列206的訪問以對稱的方式在陣列的相對側上實現(xiàn)，以使得每個側上的訪問線和電路系統(tǒng)的密度減少了一半。讀/寫電路530A和讀/寫電路530B包括允許存儲單元頁被并行地讀取或者編程的多個感應塊550。存儲器陣列206可以通過字線經由行解碼器540A和行解碼器540B以及通過位線經由列解碼器542A和列解碼器542B進行尋址。在通常的實施方式中，控制器544被包括在與一個或更多個存儲器管芯512相同的存儲器設備510 (例如可移動存儲卡或者封裝)中。命令和數(shù)據經由線532在主機與控制器544之間進行傳送以及經由可以是設備總線220的線534在控制器與一個或更多個存儲器管芯512之間進行傳送。
[0076]控制電路系統(tǒng)520與讀/寫電路530A和讀/寫電路530B協(xié)同工作以在存儲器陣列206上進行存儲器操作?？刂齐娐废到y(tǒng)210包括狀態(tài)機522、片上地址解碼器524以及電源控制模塊526。狀態(tài)機522提供存儲器操作的芯片級控制。片上地址解碼器524提供主機或者存儲器控制器使用的地址與解碼器540A、解碼器540B、解碼器542A和解碼器542B使用的硬件地址之間的地址接口。電源控制模塊526控制存儲器操作過程中對字線和位線的電源和電壓供應。
[0077]在一個實施方式中，選擇電路系統(tǒng)230是控制電路系統(tǒng)520的一部分?？刂齐娐废到y(tǒng)可以形成狀態(tài)機的一部分或者可以是獨立的電路組成部分。同樣，電路系統(tǒng)240和電路系統(tǒng)242也可以包括在控制電路系統(tǒng)和狀態(tài)機中。請注意，存儲器陣列206可以包含可編程兀件I。
[0078]—個實施方式包括一種方法，該方法包括確定存儲器管芯上的用于指不存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件是否可信任，并且如果可編程元件不可信任，那么將提供給該存儲器管芯的芯片啟用信號撤消。該存儲器管芯是存儲器封裝中的多個存儲器管芯中的第一存儲器管芯。
[0079]—個實施方式包括一種非易失性存儲設備，該非易失性存儲設備包括多個存儲器管芯。每個存儲器管芯具有從存儲器管芯之外接收外部芯片啟用信號的芯片啟用輸入、用于存儲對存儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件以及與芯片啟用輸入進行通信的電路。如果可編程元件不可信任，那么電路撤消外部芯片啟用信號。
[0080]一個實施方式包括制造非易失性存儲的方法，該方法包括以下步驟。將多個非易失性存儲器管芯封裝在存儲器封裝中。每個存儲器管芯具有用于存儲對存儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件。確定存儲器封裝中的每個存儲器管芯是否有缺陷。該確定是在將多個非易失性存儲器管芯封裝在存儲器封裝中之后進行的。確定針對每個單個存儲器管芯的可編程元件是否可信任。將對存儲器管芯是否有缺陷的指示存儲在可編程元件可信任的每個存儲器管芯的可編程元件中。存儲器管芯上的電路系統(tǒng)被配置成對于可編程元件不可信任的任何存儲器管芯，在通電復位時將該存儲器管芯禁用。請注意，該電路系統(tǒng)的配置可以在封裝之前進行。存儲器管芯上的電路系統(tǒng)被配置成可編程元件可信任并且指示存儲器管芯有缺陷的任何存儲器管芯，在通電復位時撤消對存儲器管芯的芯片啟用信號。請注意，該電路系統(tǒng)的配置可以在封裝之前進行。
[0081]一個實施方式包括非易失性存儲設備，該非易失性存儲設備包括多個存儲器管芯。單個存儲器管芯具有一個或更多個閃存存儲器陣列、從存儲器管芯之外接收外部芯片啟用信號的芯片啟用輸入以及用于存儲對存儲器管芯是否有缺陷的指示的閃存存儲器區(qū)域。單個存儲器管芯也具有與芯片啟用輸入進行通信的電路，該電路被配置成如果閃存存儲器區(qū)域未能通過功能性測試，那么在通電復位時撤消外部芯片啟用信號以禁用存儲器管
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[0082]出于例示和描述目的，已經呈現(xiàn)了在前的實施方式的詳細描述。不是意在窮舉或將本發(fā)明限制為所公開的實施方式的精確形式。鑒于上面的教導，許多更改和變化是可能的。選擇所描述的實施方式，以最好地說明原則和其實際應用，從而使得本領域其他技術人員最好地利用多種實施方式并且考慮適用于具體應用的各種更改。本發(fā)明的范圍意在由所附權利要求限定。`
【權利要求】
1.一種方法，包括: 確定存儲器管芯上的用于指示所述存儲器管芯是否有缺陷的可編程元件是否能夠被信任(704)，所述存儲器管芯是存儲器封裝中的多個存儲器管芯中的第一存儲器管芯；以及 如果所述可編程元件不能夠被信任，則撤消提供給所述第一存儲器管芯的芯片啟用信號(706)。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括: 如果所述可編程元件能夠被信任并且如果所述可編程元件指示所述存儲器管芯有缺陷，則撤消對所述第一存儲器管芯的所述芯片啟用信號。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述可編程元件是所述第一存儲器管芯上的存儲器區(qū)域，所述確定所述可編程元件是否能夠被信任包括: 確定所述第一存儲器管芯上的所述存儲器區(qū)域是否通過了功能性測試。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述確定所述第一存儲器管芯上的所述存儲器區(qū)域是否通過了功能性測試包括: 確定所述第一存儲器管芯上的所述存儲器區(qū)域是否通過了校驗和測試。
5.根據權利要求3或4所述的方法，其中，所述確定所述第一存儲器管芯上的所述存儲器區(qū)域是否通過了功能性測試是在通電復位時進行的。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中，所述撤消所述芯片啟用信號包括生成在所述第一存儲器管芯內部的內部芯片啟用信號，所述內部芯片啟用信號將提供給所述第一存儲器管芯的外部芯片啟用信號撤消。
7.根據權利要求6所述的方法，還包括給所述多個存儲器管芯中的每一個存儲器管芯提供所述外部芯片啟用信號。
8.一種非易失性存儲設備，包括: 多個存儲器管芯(202)，每個所述存儲器管芯具有: 從所述存儲器管芯之外接收外部芯片啟用信號的芯片啟用輸入(222); 用于存儲對所述存儲器管芯是否有缺陷的指示的可編程元件(I);以及 與所述芯片啟用輸入進行通信的電路(242)，如果所述可編程元件不被信任，則所述電路撤消所述外部芯片啟用信號。
9.根據權利要求8所述的非易失性存儲設備，其中，如果所述可編程元件被信任并且所述可編程元件指示所述存儲器管芯有缺陷，則所述電路撤消所述外部芯片啟用信號。
10.根據權利要求8或9所述的非易失性存儲設備，其中，所述多個存儲器管芯的芯片啟用輸入被電連接。
11.根據權利要求8至10中任一項所述的非易失性存儲設備，其中，所述可編程元件是在成型工藝和封裝工藝之后能夠被寫入的ROM熔絲。
12.根據權利要求8至10中任一項所述的非易失性存儲設備，其中，所述可編程元件是非易失性存儲區(qū)域。
13.根據權利要求12所述的非易失性存儲設備，其中，所述電路能夠通過確定所述非易失性存儲區(qū)域是否通過了功能性測試來確定所述可編程元件是否能夠被信任。
14.根據權利要求12所述的非易失性存儲設備，其中，所述電路能夠通過確定所述非易失性存儲區(qū)域是否通過了校驗和測試來確定所述可編程元件是否能夠被信任。
15.一種非易失性存儲設備，包括: 多個存儲器管芯(202)，每個所述存儲器管芯具有: 從所述存儲器管芯之外接收外部芯片啟用信號的芯片啟用輸入(222); 裝置(I )，用于存儲對所述存儲器管芯是否有缺陷的指示；以及 裝置(242)，用于如果所述可`編程元件不被信任，則撤消所述外部芯片啟用信號。
【文檔編號】G11C29/00GK103782345SQ201280038236
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年7月30日 優(yōu)先權日:2011年8月4日
【發(fā)明者】洛克·圖, 查爾斯·莫阿納·胡克, 尼·尼·泰因 申請人:桑迪士克技術有限公司