本發(fā)明大體上涉及半導體存儲器裝置、方法和系統(tǒng)，且更特定來說，涉及用于調(diào)整裝置內(nèi)感測電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
存儲器裝置通常作為內(nèi)部電路、半導體電路、集成電路和/或外部可移除裝置而提供于計算機或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲器，尤其包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、相變隨機存取存儲器(PCRAM)，和快閃存儲器?？扉W存儲器裝置可作為易失性和非易失性存儲器而用于各種各樣的電子應用?？扉W存儲器裝置通常使用允許高存儲密度、高可靠性和低功率消耗的單晶體管存儲器單元。針對快閃存儲器的使用包含用于以下各者的存儲器：固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、個人計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機、蜂窩式電話、便攜式音樂播放器(例如，MP3播放器)，和電影播放器，以及其它電子裝置。例如程序代碼、用戶數(shù)據(jù)和/或系統(tǒng)數(shù)據(jù)(例如，基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS))等數(shù)據(jù)通常存儲于快閃存儲器裝置中。兩種普通類型的快閃存儲器陣列架構(gòu)為“NAND”架構(gòu)和“NOR”架構(gòu)(針對每一架構(gòu)的基本存儲器單元配置被布置的邏輯形式而如此稱呼)。NAND陣列架構(gòu)以矩陣來布置其存儲器單元陣列，使得所述陣列的“行”中每一存儲器單元的控制柵極耦合到(且在一些狀況下形成)存取線，存取線在此項技術(shù)中通常被稱作“字線”。然而，每一存儲器單元未通過其漏極直接耦合到數(shù)據(jù)線(其在此項技術(shù)中通常被稱作數(shù)字線，例如，位線)。取而代之，陣列的存儲器單元串聯(lián)地耦合在一起。NAND陣列架構(gòu)中的存儲器單元可經(jīng)編程到目標(例如，所要)狀態(tài)。舉例來說，可將電荷放置在存儲器單元的電荷存儲結(jié)構(gòu)上或可從存儲器單元的電荷存儲結(jié)構(gòu)移除電荷以將所述存儲器單元置于數(shù)個經(jīng)編程狀態(tài)中的一者。舉例來說，單層存儲器單元(SLC)可表示兩個狀態(tài)，例如，1或0。快閃存儲器單元也可存儲兩個以上狀態(tài)，例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、 0110和1110。這些存儲器單元可被稱作多層存儲器單元(MLC)。MLC可在不增加存儲器單元數(shù)目的情況下允許制造較高密度存儲器，這是因為每一存儲器單元可表示一個以上數(shù)字，例如，一個以上位。舉例來說，能夠表示四個數(shù)字的存儲器單元可具有十六個經(jīng)編程狀態(tài)。感測操作(例如，讀取和/或程序驗證操作)可使用感測電壓以確定快閃存儲器單元的狀態(tài)。然而，數(shù)個機制(例如，讀取干擾、程序干擾和/或電荷損失(例如，電荷泄漏))可造成存儲器單元的電荷存儲結(jié)構(gòu)上的所存儲電荷(例如，閾值電壓(Vt))改變。由于所存儲電荷的改變，先前所使用的感測電壓(例如，在發(fā)生所存儲電荷的改變之前所使用的感測電壓)可不再提供存儲器單元的準確和/或可靠的感測。也就是說，先前所使用的感測電壓在后續(xù)感測操作期間使用時可引起存儲器單元的錯誤感測。舉例來說，先前感測電壓的使用可引起存儲器單元處于不同于目標狀態(tài)的狀態(tài)(例如，不同于所述存儲器單元被編程到的目標狀態(tài)的狀態(tài))下的確定。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的一個方面涉及一種裝置，其包括：存儲器單元；以及控制器，其經(jīng)配置以：使用感測電壓而對所述存儲器單元執(zhí)行感測操作以確定具有大于所述感測電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲器單元的數(shù)量；且至少部分地基于存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：對數(shù)個存儲器單元執(zhí)行數(shù)個感測操作，其中使用不同感測電壓來執(zhí)行每一感測操作；對于所述不同感測電壓中的每一者，確定具有大于所述相應感測電壓的閾值電壓(Vt)的所述數(shù)個存儲器單元的數(shù)量；以及至少部分地基于存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述數(shù)個存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：確定具有大于第一感測電壓的閾值電壓(Vt)的存儲器單元的第一數(shù)量、具有大于第二感測電壓的Vt的存儲器單元的第二數(shù)量，和具有大于第三感測電壓的Vt的存儲器單元的第三數(shù)量；以及如果存儲器單元的所述第三數(shù)量與所述第二數(shù)量之間的差大于存儲器單元的所述第二數(shù)量與所述第一數(shù)量之間的差，那么將用以確定所述存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到在所述第一感測電壓與所述第二感測電壓之間的電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種裝置，其包括：存儲器單元；以及控制器，其經(jīng)配置以：對數(shù)個所述存儲器單元執(zhí)行數(shù)個感測操作，其中使用不同感測電壓來執(zhí)行每一感測操 作；確定具有大于在所述相應感測操作中所使用的所述相應感測電壓的閾值電壓(Vt)的所述數(shù)個存儲器單元的數(shù)量；比較存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量與所存儲值，其中所述所存儲值對應于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的所述數(shù)個存儲器單元的數(shù)量；且至少部分地基于所述比較而調(diào)整用以確定所述數(shù)個存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于操作裝置的方法，其包括：使用感測電壓來執(zhí)行感測操作以確定具有大于所述感測電壓的閾值電壓(Vt)的存儲器單元的數(shù)量；比較存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量與所存儲值；以及如果存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量處于所述所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么將用以確定所述存儲器單元的狀態(tài)的先前感測電壓調(diào)整到所述感測電壓。附圖說明圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的非易失性存儲器陣列的部分的示意圖。圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的數(shù)個閾值電壓分布和感測電壓的圖式。圖3說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的數(shù)個閾值電壓分布和感測電壓的圖式。圖4說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的數(shù)個閾值電壓分布和感測電壓的圖式。圖5說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器裝置的框圖。具體實施方式本發(fā)明包含用于調(diào)整裝置內(nèi)感測電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。一個或一個以上實施例包含存儲器單元和控制器，所述控制器經(jīng)配置以使用感測電壓而對所述存儲器單元執(zhí)行感測操作以確定具有大于所述感測電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲器單元的數(shù)量，且至少部分地基于存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。本發(fā)明的實施例可用以跟蹤和/或補償存儲器裝置和/或系統(tǒng)中的閾值電壓(Vt)改變(例如，偏移)。跟蹤和/或補償Vt改變可提供益處，例如，增加準確性和/或可靠性(例如，減小錯誤率)，和/或增加存儲器裝置和/或系統(tǒng)壽命，以及其它益處。在本發(fā)明的以下詳細描述中，參看附圖，附圖形成本發(fā)明的部分，且其中通過說明 來展示可如何實踐本發(fā)明的數(shù)個實施例。足夠詳細地描述這些實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的實施例，且應理解，可利用其它實施例，且可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進行過程改變、電改變和/或結(jié)構(gòu)改變。如本文所使用，“數(shù)個”某物可指代一個或一個以上此類事物。舉例來說，數(shù)個存儲器裝置可指代一個或一個以上存儲器裝置。本文的諸圖遵循一編號慣例，其中第一數(shù)字對應于圖號且剩余數(shù)字識別圖式中的元件或組件?？赏ㄟ^使用相似數(shù)字來識別不同圖之間的相似元件或組件。舉例來說，100可參考圖1中的元件“00”，且圖4中可將相似元件參考為400。應了解，可添加、交換和/或消除本文的各種實施例所示的元件，以便提供本發(fā)明的數(shù)個額外實施例。此外，應了解，諸圖所提供的元件的比例和相對尺度既定說明本發(fā)明的實施例，且不應被視為限制性意義。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的非易失性存儲器陣列100的部分的示意圖。圖1的實施例說明NAND架構(gòu)非易失性存儲器陣列。然而，本文所描述的實施例不限于此實例。如圖1所示，存儲器陣列100包含存取線(例如，字線105-1、…、105-N)和相交數(shù)據(jù)線(例如，局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M)。出于在數(shù)字環(huán)境中尋址的簡易性起見，字線105-1、…、105-N的數(shù)目和局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M的數(shù)目可為二的某個冪，例如，256個字線乘4,096個位線。存儲器陣列100包含NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M。每一NAND串包含非易失性存儲器單元111-1、…、111-N，每一非易失性存儲器單元以通信方式耦合到相應字線105-1、…、105-N。每一NAND串(和其組成存儲器單元)也與局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M相關(guān)聯(lián)。每一NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M的非易失性存儲器單元111-1、…、111-N從源極到漏極串聯(lián)地連接在源極選擇柵極(SGS)(例如，場效應晶體管(FET)113)與漏極選擇柵極(SGD)(例如，F(xiàn)ET119)之間。如圖1所說明的實施例所示，源極選擇柵極113的源極連接到共同源極線123。源極選擇柵極113的漏極連接到對應NAND串109-1的存儲器單元111-1的源極。漏極選擇柵極119的漏極在漏極接點121-1處連接到對應NAND串109-1的位線107-1。漏極選擇柵極119的源極連接到對應NAND串109-1的最后存儲器單元111-N(例如，浮動柵極晶體管)的漏極。在一個或一個以上實施例中，非易失性存儲器單元111-1、…、111-N的構(gòu)造包含源極、漏極、浮動柵極或其它電荷存儲結(jié)構(gòu)，和控制柵極。非易失性存儲器單元111-1、…、111-N使其控制柵極分別耦合到字線105-1、…、105-N。非易失性存儲器單元111-1、…、 111-N的“列”分別構(gòu)成NAND串109-1、109-2、109-3、…、109-M，且分別耦合到給定局部位線107-1、107-2、107-3、…、107-M。非易失性存儲器單元的“行”為共同地耦合到給定字線105-1、…、105-N的那些存儲器單元。術(shù)語“列”和“行”的使用不希望暗示非易失性存儲器單元的特定線性(例如，垂直和/或水平)定向。除了存儲器單元串將并聯(lián)地耦合在選擇柵極之間以外，將相似地布置NOR陣列架構(gòu)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，耦合到選定字線(例如，105-1、…、105-N)的存儲器單元子集可作為群組而被一起編程和/或感測(例如，讀取)。編程操作(例如，寫入操作)可包含將數(shù)個程序脈沖(例如，16V到20V)施加到選定字線，以便將耦合到那個選定存取線的選定存儲器單元的閾值電壓(Vt)增加到對應于目標程序狀態(tài)的所要程序電壓電平。例如讀取或程序驗證操作等感測操作可包含感測位線的電壓和/或電流改變。感測選定存儲器單元的狀態(tài)可包含將數(shù)個感測電壓(例如，讀取電壓)提供到選定字線，同時將數(shù)個電壓(例如，讀取通過電壓)提供到耦合到串的未選定存儲器單元的字線，所述數(shù)個電壓足以獨立于所述未選定存儲器單元的閾值電壓而將所述未選定存儲器單元置于傳導狀態(tài)下?？筛袦y對應于所讀取和/或驗證的選定存儲器單元的位線以確定所述選定存儲器單元是否響應于施加到選定字線的特定感測電壓而傳導。舉例來說，可通過字線電壓來確定選定存儲器單元的狀態(tài)，位線電流在所述字線電壓下達到與特定狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的特定參考電流。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，在對NAND串中的選定存儲器單元所執(zhí)行的感測操作中，加偏壓于所述串的未選定存儲器單元，以便使其處于傳導狀態(tài)下。在此感測操作中，可基于在對應于串的位線上所感測的電流和/或電壓而確定選定存儲器單元的狀態(tài)。舉例來說，可基于在給定時間周期內(nèi)位線電流改變是否達特定量或達到特定電平而確定選定存儲器單元的狀態(tài)。當選定存儲器單元處于傳導狀態(tài)下時，電流在串的一個末端處的源極線接點與串的另一末端處的位線接點之間流動。因而，與感測選定存儲器單元相關(guān)聯(lián)的電流經(jīng)載運通過串中的其它存儲器單元中的每一者、存儲器單元堆疊之間的擴散區(qū)域，和選擇晶體管。圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的數(shù)個閾值電壓分布和感測電壓的圖式201。圖2所示的實例可表示(例如)存儲器單元111-1、…、111-N。如圖2所示，閾值電壓(Vt)分布225-0、225-1、225-2和225-3分別表示存儲器單元可被編程到的四個目標狀態(tài)，例如，L0、L1、L2和L3。在圖2所說明的實例中，Vt分布225-3可被稱作存儲器單元可被編程到的最大Vt(例如，“Vtmax”)，這是因為其為 包含具有最大量值的Vt的范圍。在操作中，可一起擦除選定塊中的存儲器單元，使得所述存儲器單元在經(jīng)編程之前具有在Vt分布225-0內(nèi)的Vt電平。因而，分布225-0可被稱作經(jīng)擦除狀態(tài)且可表示特定所存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)(目標狀態(tài)L0)，例如，例如二進制“11”等所存儲數(shù)據(jù)。目標狀態(tài)L1可對應于數(shù)據(jù)01，目標狀態(tài)L2可對應于數(shù)據(jù)00，且目標狀態(tài)L3可對應于數(shù)據(jù)10。然而，實施例不限于這些數(shù)據(jù)指派。Vt分布225-0、225-1、225-2和225-3可表示編程到對應目標狀態(tài)的存儲器單元的數(shù)目，其中平均起來，Vt分布曲線的高度指示編程到在Vt分布內(nèi)的特定電壓的存儲器單元的數(shù)目。Vt分布曲線的寬度227指示表示特定目標狀態(tài)的電壓的范圍，例如，針對L2的Vt分布曲線225-2的寬度表示對應于數(shù)據(jù)00的電壓的范圍。圖2中說明數(shù)個感測電壓。這些感測電壓可包含程序驗證電壓和/或讀取電壓，以及其它感測電壓。舉例來說，說明程序驗證電壓PV1、PV2和PV3，以及讀取電壓R1、R2和R3。可在一個或一個以上編程脈沖之后執(zhí)行程序驗證操作以幫助確定存儲器單元是否已經(jīng)編程于所要Vt范圍內(nèi)，以幫助防止存儲器單元接收其它編程脈沖(例如，“過度編程”所述存儲器單元)。舉例來說，可用電壓PV1來對待編程到L1目標狀態(tài)的存儲器單元進行程序驗證。在圖2所說明的實例中，電壓電平R1、R2和R3表示可用以在感測操作期間區(qū)分狀態(tài)L0、L1、L2和L3的感測電壓(例如，讀取電壓)。在對NAND串中的選定存儲器單元所執(zhí)行的感測操作中，可用通過電壓“Vpass”229來加偏壓于所述串的未選定存儲器單元，以便使其處于傳導狀態(tài)下。存儲器單元的Vt可歸因于數(shù)個機制而隨時間而改變(例如，偏移)。舉例來說，存儲器單元的電荷存儲結(jié)構(gòu)(例如，浮動柵極)可隨時間而損失電荷。此電荷損失可造成存儲器單元的Vt改變(例如，降低)。另外，隨著存儲器單元隨時間而經(jīng)歷編程和/或感測操作，程序干擾和/或讀取干擾機制可造成所述存儲器單元的Vt改變(例如，增加)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，其它機制也可造成存儲器單元的Vt隨時間而改變。在一些例子中，此Vt改變可變更存儲器單元的狀態(tài)。舉例來說，如果存儲器單元經(jīng)編程到目標狀態(tài)L2(例如，數(shù)據(jù)00)，那么電荷損失可造成存儲器單元的Vt降低到小于R2的電平，或可能降低到在對應于狀態(tài)L1的Vt225-1內(nèi)的電平(例如，數(shù)據(jù)01)。因此，此Vt改變可引起在使用圖2所說明的感測電壓(例如，讀取電壓R1、R2和R3，和/或程序驗證電壓PV1、PV2和PV3)而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作期間感測錯誤數(shù)據(jù)。舉例來說，使用圖2所說明的感測電壓來執(zhí)行感測操作可引起存儲器單元表示不同于所述存儲器單元被編程到的目標狀態(tài)的狀態(tài)的確定。舉例來說，對編程到目標 狀態(tài)L2且已經(jīng)歷電荷損失的存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定所述存儲器單元表示狀態(tài)L1(如果在所述感測操作中使用讀取電壓R2)。也就是說，使用讀取電壓R2可引起經(jīng)編程以存儲數(shù)據(jù)00的存儲器單元被錯誤地感測為存儲數(shù)據(jù)01。圖3說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的閾值電壓(Vt)分布325-1和325-2以及感測電壓S0(327-0)、S1(327-1)、S2(327-2)、S3(327-3)和S4(327-4)的圖式301。舉例來說，圖3所示的實例可表示已歸因于例如電荷損失、程序干擾和/或讀取干擾等機制而經(jīng)歷Vt改變(例如，偏移)的存儲器單元。在通過Vt分布225-1和225-2表示的存儲器單元已經(jīng)歷Vt改變之后，Vt分布325-1和325-2可分別對應于如先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-1和225-2。另外，盡管圖3中出于簡單性起見而未圖示，但圖式301也可包含在通過Vt分布225-0和/或225-3表示的存儲器單元已經(jīng)歷Vt改變之后對應于先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-0和/或225-3的額外Vt分布。如圖3所示，Vt分布325-1和325-2已相對于圖2所示的Vt分布225-1和225-2而偏移，例如，歸因于在Vt分布325-1和325-2中所表示的存儲器單元的Vt偏移。舉例來說，如圖3所示，Vt分布325-1和325-2的部分重疊。因此，如本文中先前所描述，用以確定在發(fā)生Vt改變之前存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓(例如，圖2所說明的感測電壓)可不再提供存儲器單元的準確和/或可靠的感測。舉例來說，編程到目標狀態(tài)L2的存儲器單元可被感測為處于狀態(tài)L1下。然而，將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到不同感測電壓(例如，到不同于圖2所說明的感測電壓的感測電壓)可用以跟蹤和/或補償Vt改變，進而提供準確和/或可靠的感測。將提供存儲器單元的準確和/或可靠的感測的感測電壓(例如，將感測最少量錯誤數(shù)據(jù)的感測電壓)可至少部分地基于具有大于所述感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量而確定。也就是說，用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于所述感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量。舉例來說，可使用數(shù)個不同感測電壓(例如，感測電壓S0、S1、S2、S3和/或S4)而對存儲器單元執(zhí)行數(shù)個感測操作(例如，五)以確定具有大于每一感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量?？山又辽俨糠值鼗诖鎯ζ鲉卧慕?jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓(例如，先前結(jié)合圖2所描述的讀取電壓R2)。作為實例，使用感測電壓S0而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定7,000個存儲器單元具有大于感測電壓S0的Vt，使用感測電壓S1而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定7,200個存儲器單元具有大于感測電壓S1的Vt，使用感測電壓S2所執(zhí)行的感測 操作可確定7,300個存儲器單元具有大于感測電壓S2的Vt，使用感測電壓S3所執(zhí)行的感測操作可確定7,400個存儲器單元具有大于感測電壓S3的Vt，且使用感測電壓S4所執(zhí)行的感測操作可確定7,600個存儲器單元具有大于感測電壓S4的Vt。可接著至少部分地基于具有大于每一感測電壓的Vt的存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，可確定具有大于每一感測電壓的Vt的存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量之間的差。作為實例，可確定具有大于感測電壓S1的Vt的存儲器單元的數(shù)量與具有大于感測電壓S0的Vt的存儲器單元的數(shù)量之間的差，可確定具有大于感測電壓S2的Vt的存儲器單元的數(shù)量與具有大于感測電壓S1的Vt的存儲器單元的數(shù)量之間的差，可確定具有大于感測電壓S3的Vt的存儲器單元的數(shù)量與具有大于感測電壓S2的Vt的存儲器單元的數(shù)量之間的差，和/或可確定具有大于感測電壓S4的Vt的存儲器單元的數(shù)量與具有大于感測電壓S3的Vt的存儲器單元的數(shù)量之間的差。在此實例中，這些差分別為200、100、100和200?？山又辽俨糠值鼗诮?jīng)確定差而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，可確定與經(jīng)確定差相關(guān)聯(lián)的趨勢，且可接著至少部分地基于所述趨勢而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。可接著至少部分地基于最小經(jīng)確定差交叉的點而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。也就是說，可接著至少部分地基于經(jīng)確定最小差而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到在如下感測電壓之間的電壓：在所述感測電壓之間，最小經(jīng)確定差交叉。也就是說，可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到在與經(jīng)確定最小差相關(guān)聯(lián)的感測電壓之間的電壓。在先前實例中，可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到在感測電壓S1與S3之間的電壓，例如，感測電壓S2。作為額外實例，可使用第一感測電壓(例如，感測電壓S0)而對存儲器單元執(zhí)行第一感測操作以確定具有大于第一感測電壓的Vt的存儲器單元的第一數(shù)量。也可使用小于第一感測電壓的第二感測電壓(例如，感測電壓S1)而對存儲器單元執(zhí)行第二感測操作以確定具有大于第二感測電壓的Vt的存儲器單元的第二數(shù)量。也可使用小于第二感測電壓的第三感測電壓(例如，感測電壓S2)而對存儲器單元執(zhí)行第三感測操作以確定具有大于第三感測電壓的Vt的存儲器單元的第三數(shù)量。可接著確定和比較存儲器單元的第三數(shù)量和第二數(shù)量之間的差與存儲器單元的第二數(shù)量和第一數(shù)量之間的差。如果存儲器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差大于存儲器單元的第二數(shù)量與第 一數(shù)量之間的差，那么可使用大于第一感測電壓的第四感測電壓而對存儲器單元執(zhí)行第四感測操作以確定具有大于第四感測電壓的Vt的存儲器單元的第四數(shù)量。可接著確定存儲器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差且將其與存儲器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差相比較。如果存儲器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差等于存儲器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓(例如，讀取電壓R2)調(diào)整到第一感測電壓，例如，從讀取電壓R2調(diào)整到感測電壓S0。如果存儲器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差大于存儲器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到在第一感測電壓與第二感測電壓之間的電壓。作為實例，可執(zhí)行一個或一個以上額外感測操作以確定在第一感測電壓與第二感測電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓，例如，以使在第一感測電壓與第二感測電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓進一步精確。舉例來說，可使用在第一感測電壓與第二感測電壓中間的感測電壓(例如，第五感測電壓)而對存儲器單元執(zhí)行第五感測操作以確定具有大于第五感測電壓的Vt的存儲器單元的第五數(shù)量?？山又_定和比較存儲器單元的第二數(shù)量和第五數(shù)量之間的差與存儲器單元的第五數(shù)量和第一數(shù)量之間的差。如果存儲器單元的第二數(shù)量與第五數(shù)量之間的差大于存儲器單元的第五數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。如果存儲器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差小于存儲器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可使用大于第四感測電壓的第六感測電壓而對存儲器單元執(zhí)行第六感測操作以確定具有大于第六感測電壓的Vt的存儲器單元的第六數(shù)量。以類似于本文中先前所描述的方式，可接著確定存儲器單元的第四數(shù)量與第六數(shù)量之間的差且將其與存儲器單元的第一數(shù)量與第四數(shù)量之間的差相比較，且可調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。如果存儲器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差小于存儲器單元的第二數(shù)量與第一數(shù)量之間的差，那么可使用小于第三感測電壓的第四感測電壓(例如，感測電壓S3)而對存儲器單元執(zhí)行第四感測操作以確定具有大于第四感測電壓的Vt的存儲器單元的第四數(shù)量?？山又_定存儲器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差且將其與存儲器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差相比較。如果存儲器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差大于存儲器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓(例如，讀取電壓R2)調(diào)整到在第二感測電壓與第三感測電壓之間的電壓。作為實例，以類似于本文中先前所描述的方式的方式，可使用一個或一個以上額外感測電壓(例如，在第二感測電壓與第三 感測電壓中間的感測電壓)來執(zhí)行一個或一個以上額外感測操作以確定在第二感測電壓與第三感測電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓，例如，以使在第二感測電壓與第三感測電壓之間的經(jīng)調(diào)整電壓進一步精確。如果存儲器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差小于存儲器單元的第三數(shù)量與第二數(shù)量之間的差，那么可使用小于第四感測電壓的第五感測電壓(例如，感測電壓S4)而對存儲器單元執(zhí)行第五感測操作以確定具有大于第五感測電壓的Vt的存儲器單元的第五數(shù)量。以類似于本文中先前所描述的方式的方式，可接著確定存儲器單元的第五數(shù)量與第四數(shù)量之間的差且將其與存儲器單元的第四數(shù)量與第三數(shù)量之間的差相比較，且可調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。圖4說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的閾值電壓(Vt)分布425-1和425-2以及感測電壓S0(457-0)、S1(457-1)和S2(457-2)的圖式401。舉例來說，以類似于先前結(jié)合圖3所描述的方式的方式，圖4所示的實例可表示已歸因于例如電荷損失、程序干擾和/或讀取干擾等機制而經(jīng)歷Vt改變(例如，偏移)的存儲器單元。也就是說，在通過Vt分布225-1和225-2表示的存儲器單元已經(jīng)歷Vt改變之后，Vt分布425-1和425-2可分別對應于先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-1和225-2。然而，如本文中先前所描述，將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到不同感測電壓(例如，到不同于圖2所說明的感測電壓的感測電壓)可用以跟蹤和/或補償Vt改變，進而提供存儲器單元的準確和/或可靠的感測。將提供存儲器單元的準確和/或可靠的感測的感測電壓(例如，將感測最少量錯誤數(shù)據(jù)的感測電壓)可至少部分地基于具有大于所述感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量而確定。也就是說，用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于所述感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量。舉例來說，可使用數(shù)個不同感測電壓(例如，感測電壓S0、S1和/或S2)而對存儲器單元執(zhí)行數(shù)個感測操作(例如，三)以確定具有大于每一感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量?？山又辽俨糠值鼗诖鎯ζ鲉卧慕?jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓，例如，先前結(jié)合圖2所描述的讀取電壓R2。作為實例，使用感測電壓S0而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定7,000個存儲器單元具有大于感測電壓S0的Vt，使用感測電壓S1而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定7,400個存儲器單元具有大于感測電壓S1的Vt，且使用感測電壓S2而對存儲器單元所執(zhí)行的感測操作可確定7,300個存儲器單元具有大于感測電壓S2的Vt。具有大于感測電壓的Vt的經(jīng)確定數(shù)量的存儲器單元可包含(例如)具有位于感測電 壓右側(cè)的Vt的所有存儲器單元，例如，在圖式401中Vt電平位于感測電壓右側(cè)的所有存儲器單元。可至少部分地基于存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，可將存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量各自與所存儲值相比較。所存儲值可對應于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲器單元的數(shù)量。經(jīng)界定Vt區(qū)域可為(例如)對應于存儲器單元的經(jīng)編程狀態(tài)的Vt分布(例如，先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-2和/或225-3)、對應于存儲器單元的經(jīng)編程狀態(tài)的Vt分布的一部分，或?qū)诖鎯ζ鲉卧亩鄠€經(jīng)編程狀態(tài)的多個Vt分布。作為實例，所存儲值可為7,315，例如，7,315個存儲器單元可能已經(jīng)編程到在先前結(jié)合圖2所描述的Vt分布225-2或Vt分布225-3內(nèi)的Vt?？山又辽俨糠值鼗谒霰容^而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，如果存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量處于所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到用以執(zhí)行確定處于所存儲值的特定范圍內(nèi)的存儲器單元的數(shù)量的感測操作的感測電壓。所存儲值的特定范圍可為(例如)與錯誤校正操作(例如，將要對隨后使用經(jīng)調(diào)整感測電壓所感測的數(shù)據(jù)執(zhí)行的后續(xù)錯誤校正操作)的通過相關(guān)聯(lián)的范圍。也就是說，所存儲值的特定范圍可對應于位的數(shù)量(例如，60)。在先前實例中，具有大于S0的Vt的存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,000)和具有大于S1的Vt的存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,400)不處于所存儲值(例如，7,315)的特定范圍(例如，60)內(nèi)。然而，具有大于S2的Vt的存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量(例如，7,300)處于所存儲值的特定范圍內(nèi)。因此，可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到感測電壓S2。作為額外實例，可使用第一感測電壓(例如，感測電壓S0)而對存儲器單元執(zhí)行第一感測操作以確定具有大于第一感測電壓的Vt的存儲器單元的第一數(shù)量?？山又容^存儲器單元的第一數(shù)量與所存儲值。如本文中先前所描述，所存儲值可對應于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲器單元的數(shù)量。如果存儲器單元的第一數(shù)量處于所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到第一感測電壓。如本文中先前所描述，所存儲值的特定范圍可為(例如)與錯誤校正操作的通過相關(guān)聯(lián)的范圍。如果存儲器單元的第一數(shù)量不處于所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么可使用第二感測電壓(例如，感測電壓S1)而對存儲器單元執(zhí)行第二感測操作以確定具有大于第二感測電壓的Vt的存儲器單元的第二數(shù)量。如果存儲器單元的第一數(shù)量大于所存儲值，那么第二 感測電壓可大于第一感測電壓，且如果存儲器單元的第一數(shù)量小于所存儲值，那么第二感測電壓可小于第一感測電壓。另外，第二感測電壓與第一感測電壓被隔開所達的電壓量可至少部分地基于存儲器單元的第一數(shù)量處于所存儲值的特定范圍外所達的量?？山又容^存儲器單元的第二數(shù)量與所存儲值。如果存儲器單元的第二數(shù)量處于所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么可將用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓調(diào)整到第二感測電壓。如果存儲器單元的第二數(shù)量不處于所存儲值的特定范圍內(nèi)，那么可使用一個或一個以上感測電壓(例如，感測電壓S3)來重復此過程。圖5說明根據(jù)本發(fā)明的一個或一個以上實施例的存儲器裝置503的框圖。如圖5所示，存儲器裝置503包含存儲器陣列500，和耦合到存儲器陣列500的控制器562。如圖5所示，存儲器陣列500可任選地包含計數(shù)器564。計數(shù)器564可位于(例如)存儲器陣列500中的一個或一個以上字線的末端處。存儲器陣列500可為(例如)先前結(jié)合圖1所描述的存儲器陣列100。盡管圖5中展示一個存儲器陣列，但本發(fā)明的實施例不受此限制，例如，存儲器裝置503可包含耦合到控制器562的一個以上存儲器陣列?？刂破?62可包含(例如)控制電路和/或固件，且可包含于與存儲器陣列500相同的物理裝置(例如，相同的裸片)上，或可包含于以通信方式耦合到包含存儲器陣列500的物理裝置的單獨物理裝置上?？刂破?62可通過調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓(例如，讀取電壓)來跟蹤和/或補償存儲器陣列500中的存儲器單元中的閾值電壓(Vt)改變(例如，偏移)。如本文中先前所描述，用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓的調(diào)整可至少部分地基于具有大于數(shù)個感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量。舉例來說，控制器562可使用數(shù)個不同感測電壓而對存儲器陣列500中的數(shù)個存儲器單元執(zhí)行數(shù)個感測操作以確定具有大于每一相應感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量。以類似于先前結(jié)合圖3和/或4所描述的方式，控制器562可接著至少部分地基于存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。舉例來說，控制器562可確定存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量之間的差，且至少部分地基于經(jīng)確定差而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓?；蛘吆?或另外，控制器562可比較存儲器單元的經(jīng)確定數(shù)量與所存儲值，且至少部分地基于所述比較而調(diào)整用以確定存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。如先前結(jié)合圖4所描述，所存儲值可對應于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲器單元的數(shù)量?？赏ㄟ^位于存儲器陣列500中的計數(shù)器564來確定編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲器單元的數(shù)量。舉例來說，計數(shù)器564可隨著編程到在經(jīng)界定Vt區(qū) 域內(nèi)的Vt的存儲器單元被編程而計數(shù)所述存儲器單元的數(shù)量。另外，所存儲值可存儲于存儲器陣列500中。也就是說，存儲器陣列500中的一個或一個以上存儲器單元可存儲對應于編程到在經(jīng)界定Vt區(qū)域內(nèi)的Vt的存儲器單元的數(shù)量的數(shù)據(jù)?？刂破?62可使用經(jīng)調(diào)整感測電壓來確定存儲器陣列500中的數(shù)個存儲器單元的狀態(tài)。舉例來說，控制器562可使用經(jīng)調(diào)整感測電壓而對存儲器單元執(zhí)行感測操作以感測存儲器單元的狀態(tài)?？刂破?62可響應于對與存儲器單元的經(jīng)確定(例如，經(jīng)感測)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)所執(zhí)行的錯誤校正操作的失敗而執(zhí)行(例如，自動地)數(shù)個感測操作以確定具有大于每一感測電壓的Vt的存儲器單元的數(shù)量。如本文中先前所描述，錯誤校正操作的失敗可由(例如)存儲器單元的Vt偏移造成。圖5所說明的實施例可包含未經(jīng)說明以便不混淆本發(fā)明的實施例的額外電路。舉例來說，存儲器裝置503可包含用以鎖存通過I/O電路在I/O連接器上提供的地址信號的地址電路?？赏ㄟ^行解碼器和列解碼器來接收和解碼地址信號以存取存儲器陣列500。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，地址輸入連接器的數(shù)目可取決于存儲器裝置503和/或存儲器陣列500的密度和架構(gòu)。結(jié)論本發(fā)明包含用于調(diào)整裝置內(nèi)感測電壓的方法、裝置和系統(tǒng)。一個或一個以上實施例包含存儲器單元和控制器，所述控制器經(jīng)配置以使用感測電壓而對所述存儲器單元執(zhí)行感測操作以確定具有大于所述感測電壓的閾值電壓(Vt)的所述存儲器單元的數(shù)量，且至少部分地基于存儲器單元的所述經(jīng)確定數(shù)量而調(diào)整用以確定所述存儲器單元的狀態(tài)的感測電壓。盡管本文已說明和描述特定實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應了解，可用經(jīng)計算以達成相同結(jié)果的布置來取代所示的特定實施例。本發(fā)明希望涵蓋本發(fā)明的數(shù)個實施例的調(diào)適或變化。應理解，已以說明性方式而非以限制性方式進行以上描述。在審閱以上描述后，以上實施例的組合和本文中未特定地描述的其它實施例對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見。本發(fā)明的數(shù)個實施例的范圍包含供使用以上結(jié)構(gòu)和方法的其它應用。在前述詳細描述中，出于使本發(fā)明流暢的目的而在單一實施例中將一些特征分組在一起。本發(fā)明的此方法不應被解釋為反映本發(fā)明的所揭示實施例必須使用比每一權(quán)利要求中明確地敘述的特征多的特征的意圖。相反地，如所附權(quán)利要求書所反映，本發(fā)明的標的在于比單一所揭示實施例的所有特征少的特征。因此，所附權(quán)利要求特此并入到詳 細描述中，其中每一權(quán)利要求作為單獨實施例而獨自地有效。