專利名稱：用于熱輔助記錄的通道-激光源-脈沖系統(tǒng)架構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器中的集成電路。尤其，本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)加熱元件幫助將數(shù)據(jù)寫入高矯頑性(Coercivity)介質(zhì)中的電路。
背景技術(shù)：
在諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器那樣的磁記錄系統(tǒng)中，沿著大致垂直或異面取向(而不是與記錄層的表面平行)將記錄位存儲(chǔ)在平面記錄層中的垂直磁記錄是朝著超高記錄密度的一條途徑。像在傳統(tǒng)磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器中那樣，垂直磁記錄層通常是盤基板上的連續(xù)層。但是，具有模式化(patterned)垂直磁記錄層的磁記錄盤驅(qū)動(dòng)器通過沿著垂直取向記錄位來(lái)增加數(shù)據(jù)密度。在模式化介質(zhì)中，將盤上的垂直磁記錄層組織成沿著同心數(shù)據(jù)軌道排列的小隔離數(shù)據(jù)島。為了產(chǎn)生模式化數(shù)據(jù)島的磁隔離，數(shù)據(jù)島之間的空間或區(qū)域的磁矩已不存在或顯著減小，使這些區(qū)域基本上無(wú)磁性?？商娲?，可以將介質(zhì)制造成在數(shù)據(jù)島之間的區(qū)域中不 存在磁性材料。與連續(xù)垂直磁記錄介質(zhì)有關(guān)的問題是記錄磁化模式的熱不穩(wěn)定性。在連續(xù)垂直磁記錄層中，盤上的記錄層的磁性材料(或介質(zhì))被選成具有足夠的矯頑性，以便磁化數(shù)據(jù)位被正確寫入并保持它們的磁化狀態(tài)，直到被新數(shù)據(jù)位改寫。隨著面數(shù)據(jù)密度(可以記錄在盤的單位表面積上的位數(shù))增加，構(gòu)成數(shù)據(jù)位的磁粒可以小到磁化位內(nèi)的熱不穩(wěn)定性或擾動(dòng)就可以簡(jiǎn)單地將它們?nèi)ゴ?所謂的“超順磁”效應(yīng))。為了避免存儲(chǔ)磁化的熱不穩(wěn)定性，可能需要具有高磁晶各向異性(Ku)的介質(zhì)。但是，在記錄介質(zhì)中增加Ku也使與比率KuZiMs成正比的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)Htl增強(qiáng)，其中Ms是飽和磁化強(qiáng)度(單位體積磁矩)。翻轉(zhuǎn)場(chǎng)Htl是當(dāng)磁性介質(zhì)受到短時(shí)間間隔影響時(shí)使磁化方向反向所需的磁場(chǎng)。對(duì)于現(xiàn)代的硬盤驅(qū)動(dòng)器，這個(gè)時(shí)間間隔是大約Ins。解決為高矮頑性介質(zhì)提供足夠強(qiáng)翻轉(zhuǎn)場(chǎng)Htl的問題的一種方法是使用像在轉(zhuǎn)讓給與本申請(qǐng)相同的受讓人的美國(guó)專利第6，834，026 B2號(hào)中描述的那種那樣的磁記錄盤的熱輔助記錄(TRA)。這種盤含有作為存儲(chǔ)或記錄層的、像FePt那樣的高矮頑性、高各向異性鐵磁材料、和作為“過渡”層的、像FeRh或Fe (RhX)(其中X是Ir、Pt、Ru、Re或Os)那樣材料的雙層介質(zhì)，該“過渡”層在比記錄層的高矮頑性、高各向異性鐵磁材料的居里(Curie)溫度低的過渡溫度上呈現(xiàn)從反鐵磁性到鐵磁性(AF-F)的過渡或翻轉(zhuǎn)。當(dāng)過渡層處在其鐵磁狀態(tài)下時(shí)，記錄層和過渡層鐵磁交換耦合。為了寫入數(shù)據(jù)，利用諸如激光器或電阻加熱器的分立熱源將雙層介質(zhì)加熱到過渡層的過渡溫度之上。當(dāng)過渡層變成鐵磁性時(shí)，雙層的總磁化強(qiáng)度增加，因此可以減弱使磁化位反向所需的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)而無(wú)需降低記錄層的各向異性。將磁性位模式記錄在記錄層和過渡層兩者中。當(dāng)介質(zhì)冷卻到過渡層的過渡溫度以下時(shí)，過渡層變成反鐵磁性，而位模式保留在高各向異性記錄層中。一般說來(lái)，可以將激光聚焦為磁盤的一個(gè)光斑(即，單個(gè)位)上，以加熱該光斑和降低磁性材料的矯頑性。然后寫頭通過加熱光斑投射所需磁場(chǎng)。然后光斑的磁性材料與磁場(chǎng)一致。隨著光斑冷卻，矯頑性增加，使高各向異性層的磁場(chǎng)達(dá)到穩(wěn)定。因此，讀桿(readpole)能夠從光斑上面經(jīng)過，檢測(cè)磁場(chǎng)，并解釋位模式。在理想情況下，激光只聚焦在寫頭改變磁取向的位上。加熱周圍位降低了它們的矯頑性，并且增加了寫頭改變它們的取向的風(fēng)險(xiǎn)。不幸的是，光衍射極限一般阻止透鏡把束斑聚焦成小于光波長(zhǎng)的一半。給定光學(xué)激光器的波長(zhǎng)，透鏡可以將光聚集到大約200nm。如果要達(dá)到ITb密度，則激光的光斑大小應(yīng)該非常接近位的寬度一S卩，數(shù)十納米。最近，不同的反射鏡和波導(dǎo)可能被用于將光聚焦成其波長(zhǎng)的四分之一。但是，這仍然產(chǎn)生不了唯獨(dú)聚焦在磁盤的單個(gè)位上的束斑。 所需要的是使激光束斑對(duì)周圍位模式的影響最小化的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一般涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器中的集成電路。尤其，本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)加熱元件幫助將數(shù)據(jù)寫入高矯頑性介質(zhì)中的電路。


為了可以詳細(xì)地了解本發(fā)明的上面所列特征，可以參考其中一些例示在附圖中的實(shí)施例給出上面扼要概括的發(fā)明的更具體描述。但是，應(yīng)該注意到，附圖只例示了本發(fā)明的典型例子，因此不應(yīng)該認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可以允許其它等效實(shí)施例。圖I例示了按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器；圖2示出了按照本發(fā)明實(shí)施例驅(qū)動(dòng)加熱元件的低頻信號(hào)；圖3是按照本發(fā)明實(shí)施例調(diào)制加熱元件的低頻和高頻信號(hào)的組合；圖4A-B例示了按照本發(fā)明實(shí)施例的寫入信號(hào)和相應(yīng)加熱元件信號(hào)；圖5是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器的圖；圖6是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器的框圖；以及圖7是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器的框圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，介紹本發(fā)明實(shí)施例。但是，應(yīng)該明白，本發(fā)明不局限于特定所描述的實(shí)施例。而是，無(wú)論是否與不同實(shí)施例有關(guān)，如下特征和元件的任何組合都預(yù)期實(shí)現(xiàn)和實(shí)施本發(fā)明。而且，盡管本發(fā)明的實(shí)施例可能獲得超過其它可能解決方案和/或超過現(xiàn)有技術(shù)的好處，但是否通過給定實(shí)施例獲得特定好處不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。因此，如下方面、特征、實(shí)施例和好處僅僅是例示性的，而不應(yīng)該被認(rèn)為是所附權(quán)利要求書的要素或限制，除非在權(quán)利要求書中明確指出。同樣，提到“本發(fā)明”不應(yīng)該理解為本文公開的任何發(fā)明主題的推廣，也不應(yīng)該認(rèn)為是所附權(quán)利要求書的要素或限制，除非在權(quán)利要求書中明確指出。本發(fā)明一般涉及提供驅(qū)動(dòng)允許熱輔助記錄(TAR)或熱輔助磁記錄(HAMR)盤存儲(chǔ)系統(tǒng)中的加熱元件的信號(hào)的電路。該電路生成包含使加熱元件對(duì)磁性介質(zhì)的相鄰位和軌道的影響最小的高頻分量的信號(hào)。該電路也可以為了加熱元件的附加控制而將DC-偏移加入信號(hào)中。圖I例示了體現(xiàn)本發(fā)明的盤驅(qū)動(dòng)器100。如圖所示，至少一個(gè)可旋轉(zhuǎn)磁盤112被支承在轉(zhuǎn)軸114上，并通過盤驅(qū)動(dòng)電機(jī)118旋轉(zhuǎn)起來(lái)。每個(gè)盤上的磁記錄以磁盤112上的同心數(shù)據(jù)軌道(未示出)的環(huán)形模式的形式進(jìn)行。至少一個(gè)滑塊113處在磁盤112的附近，每個(gè)滑塊113支承著可以包括加熱盤表面122的輻射源(例如，激光器和電阻加熱器)的一個(gè)或多個(gè)磁頭組件121。隨著磁盤旋轉(zhuǎn)，滑塊113在盤表面122上向內(nèi)和向外徑向移動(dòng)，以便磁頭組件121可以訪問寫入所希望數(shù)據(jù)的磁盤的不同軌道。每個(gè)滑塊113通過懸桿115附在致動(dòng)臂119上。懸桿115提供偏置滑塊113靠在盤表面122上的輕微彈簧力。每條致動(dòng)臂119附在致動(dòng)部件127上。如圖I所示的致動(dòng)部件127可以是音圈電機(jī)(VCM)。VCM包含可在固定磁場(chǎng)內(nèi)移動(dòng)的線圈，線圈移動(dòng)的方向和速度受控制單元129供應(yīng)的電機(jī)電流信號(hào)控制。在允許TAR或HAMR盤存儲(chǔ)系統(tǒng)操作期間，磁盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113與盤表面122之間生成對(duì)滑塊113施加向上力或舉力的氣墊。氣墊因此抗衡懸桿115的輕微彈簧力，在正常工作期間，脫離盤112的表面和比盤112的表面稍高很小、基本恒定間距地支承著滑塊113。輻射源加熱高矯頑性數(shù)據(jù)位，以便磁頭組件121的元件可以正確地磁化數(shù)據(jù)位。盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各種構(gòu)件在工作時(shí)通過控制單元129生成的諸如訪問控制信號(hào)和 內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的控制信號(hào)來(lái)控制。通常，控制單元129包含邏輯控制電路、存儲(chǔ)部件和微處理器?？刂茊卧?29生成像線123上的驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制信號(hào)和線128上的磁頭定位和尋找控制信號(hào)那樣的，控制各種系統(tǒng)操作的控制信號(hào)。線128上的控制信號(hào)提供最佳地將滑塊113移動(dòng)和定位到盤112上的所希望數(shù)據(jù)軌道上的所需電流分布(profle)。寫入和讀取信號(hào)通過記錄通道125傳入讀/寫頭121中和從讀/寫頭121傳出。上面對(duì)典型磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的描述和圖I的伴隨例示只是為了展示的目的。應(yīng)該懂得，盤存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包含大量的盤和致動(dòng)器，以及每個(gè)致動(dòng)器可以支持大量滑塊。激光器調(diào)制在TAR或HAMR中使用的激光器可以通過DC信號(hào)、AC信號(hào)、或兩者的某種組合供電。只使用DC信號(hào)(或低頻模式)驅(qū)動(dòng)激光器將恒熱提供給磁盤112。只使用AC信號(hào)驅(qū)動(dòng)激光器提供諸如改變信號(hào)的占空比(在一系列高頻脈沖的情況下)或相對(duì)于寫入信號(hào)的相位改變驅(qū)動(dòng)激光器的信號(hào)的相位那樣的更大靈活性。盡管這些圖形和伴隨的描述將激光器用作加熱元件來(lái)具體討論，但本發(fā)明不局限于此。這里討論的原理可以同樣應(yīng)用于用于加熱盤存儲(chǔ)系統(tǒng)中的磁性介質(zhì)的一部分的任何設(shè)備。圖2是按照本發(fā)明實(shí)施例加熱磁性介質(zhì)的低頻手段。如圖所示，在時(shí)間O上，激光器是關(guān)閉的。當(dāng)盤驅(qū)動(dòng)器100從磁盤112中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，或當(dāng)寫頭到達(dá)盤112不需要改變下面位的磁取向的部分時(shí)可能就是這種情況。在任一種情況下，當(dāng)不將數(shù)據(jù)寫入盤中時(shí)，激光器信號(hào)最好是零。這樣就可以防止激光器可能使位的磁取向不穩(wěn)定地加熱磁盤112。在時(shí)間I上，電路(例如，控制單元129)開始將電流供應(yīng)給激光器。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“激光器電流”可與“激光器信號(hào)”交換使用，不同之處在于激光器信號(hào)可能是預(yù)放大電壓，然后將預(yù)放大電壓傳送給驅(qū)動(dòng)激光器的電流源。在一個(gè)實(shí)施例中，時(shí)間I與發(fā)送給寫頭的寫入信號(hào)一致。在另一個(gè)實(shí)施例中，可能相對(duì)于激光器信號(hào)延遲寫入信號(hào)(未示出)，以便激光器在試圖將數(shù)據(jù)寫入磁盤的一部分中之前首先加熱那個(gè)部分。一旦激光器被打開，DC信號(hào)在指數(shù)減小之前可能變成尖峰脈沖。這種快速上升迅速加熱磁盤的一部分，以便在時(shí)間I可以同時(shí)發(fā)生寫入。此外，激光器可能需要時(shí)間“熱身”，并且因此需要尖峰脈沖提供的額外電流，以便在寫入數(shù)據(jù)的初始階段充分加熱磁盤112。在時(shí)間I與時(shí)間2之間，使激光器信號(hào)減小，以便來(lái)自激光器的熱量不會(huì)影響同心數(shù)據(jù)軌道上的相鄰位。例如，在實(shí)際應(yīng)用中，激光光斑的強(qiáng)度分布為正態(tài)分布(即，鐘形曲線)，而不是均勻分布。優(yōu)選的是，激光光斑只影響要改變磁取向的位(即，均勻分布)。但是，對(duì)于正態(tài)分布，激光光斑的一部分將與單獨(dú)位接觸，并且加熱相關(guān)磁性材料。減小供應(yīng)給激光器的電流減少了散發(fā)到相鄰數(shù)據(jù)軌道的熱量。在時(shí)間2上，激光器信號(hào)再次開始增加。在一個(gè)實(shí)施例中，盤驅(qū)動(dòng)器100包括溫度傳感器或激光器功率檢測(cè)器，以便測(cè)量從激光器傳遞到磁盤112的能量。這樣，傳感器或檢測(cè)器可以指示激光器信號(hào)已經(jīng)過度補(bǔ)償了在時(shí)間I上使信號(hào)變成尖峰脈沖的影響。于是，在時(shí)間2與時(shí)間3之間，激光器信號(hào)逐漸增大一即，驅(qū)動(dòng)電流的DC信號(hào)增大。傳感器或檢測(cè)器提供使激光器能夠?qū)⒆罴褵崃刻峁┙o位的反饋環(huán)路。在時(shí)間3上，得出穩(wěn)態(tài)解，例如，當(dāng)盤驅(qū)動(dòng)器100中的溫度已經(jīng)穩(wěn)定時(shí)。注意，硬盤驅(qū)動(dòng)器100可能響應(yīng)變化的環(huán)境狀況繼續(xù)調(diào)整DC信號(hào)。圖3例示了按照本發(fā)明實(shí)施例，將低頻信號(hào)與高頻信號(hào)組合來(lái)調(diào)制激光器的激光 器信號(hào)。在圖3中重復(fù)了在圖2中生成的低頻信號(hào)。但是，將高頻信號(hào)或AC信號(hào)加入低頻信號(hào)中。也就是說，圖3例示了具有DC偏移的AC信號(hào)。加入AC信號(hào)通過不允許如果只通過高功率DC偏置驅(qū)動(dòng)激光器則可能出現(xiàn)的激光器加熱擴(kuò)展，有利地使激光器加熱如沿著磁盤112的徑向定義的寬度較窄的數(shù)據(jù)軌道。圖4A-B例示了按照本發(fā)明實(shí)施例的寫入信號(hào)和相應(yīng)激光器信號(hào)。如圖所示，寫入信號(hào)包括在與調(diào)制激光器信號(hào)相同的曲線圖上。寫入信號(hào)被調(diào)制成與從特定軌道中的數(shù)據(jù)位上面經(jīng)過的寫頭相對(duì)應(yīng)。具有正電壓的寫入信號(hào)生成在寫頭中具有第一極性的磁場(chǎng)和相應(yīng)數(shù)據(jù)位，而負(fù)電壓生成在數(shù)據(jù)位中具有第二極性的磁場(chǎng)。這樣，沿著數(shù)據(jù)軌道將數(shù)據(jù)寫入每個(gè)數(shù)據(jù)位中。激光器信號(hào)對(duì)應(yīng)于寫入信號(hào)，并且包括低頻和高頻信號(hào)分量二者。低頻信號(hào)分量一即，DC偏置一在較短時(shí)段(即，小于一微秒)內(nèi)只改變一點(diǎn)點(diǎn)，而高頻分量(或脈沖)在數(shù)據(jù)時(shí)鐘速率上具有限定振幅、頻率、相位、和占空比。此外，高頻分量的頻率可以從硬盤驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)中的時(shí)鐘發(fā)生電路生成的時(shí)鐘信號(hào)中導(dǎo)出，或與其相同。在一些實(shí)施例中，激光器信號(hào)的高頻信號(hào)分量的頻率獨(dú)立于寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的頻率，但并不要求這樣。高頻信號(hào)可能不是方波或一系列脈沖，而可能是正弦、三角形或鋸齒波。如圖3所示，可以不干擾脈沖的振幅或占空比地改變DC偏移。類似地，振幅、頻率、相位和占空比可以不影響DC偏移地變化。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可以將激光器信號(hào)的頻率和相位調(diào)整成與寫入信號(hào)的頻率和相位匹配，而不是與時(shí)鐘信號(hào)的頻率和相位匹配。高頻信號(hào)的范圍可以從幾百Hz到幾十GHz。在一個(gè)實(shí)施例中，高頻信號(hào)對(duì)應(yīng)于硬盤驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)速率一即，1-2GHZ。隨著硬盤驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)速率增大，高頻分量可能以相同增量增大。此外，高頻信號(hào)可能在大于數(shù)據(jù)速率(例如，2-6GHZ)的速度上起作用。圖4B例示了圖4A從時(shí)間O到時(shí)間I的放大版本。激光器調(diào)制電路圖5是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器的圖。硬盤驅(qū)動(dòng)器500包括在圖I的硬盤驅(qū)動(dòng)器100中找到的許多相同特征，如具有磁盤表面112的磁盤、磁寫頭組件121、和將寫頭121定位在特定數(shù)據(jù)軌道上的滑塊113。硬盤驅(qū)動(dòng)器500還包括通過通道互連線504與讀/寫電路耦合的通道506。在一個(gè)實(shí)施例中，通道506是具有分立輸入端和輸出端的獨(dú)立集成電路。在另一個(gè)實(shí)施例中，通道506是像盤電子卡片或片上系統(tǒng)(SOC)那樣的較大集成電路的一部分。也就是說，通道506可能只是控制硬盤驅(qū)動(dòng)器500的其它功能的SOC的一部分。通道互連線504是由一條或多條電線組成的，在通道506與讀/寫電路502之間傳送數(shù)據(jù)的電纜。讀/寫電路502是將寫入信號(hào)和激光器信號(hào)發(fā)送給寫頭組件121的集成電路。此外，讀/寫電路502可以從磁盤表面112讀取已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)發(fā)送給通道506。圖6是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器500的框圖。圖6包括通道部分506通過通道互連線504與讀/寫電路502連接的SOC 602。具體地說，通道互連線504被顯示成具有實(shí)線所例示的三條指定數(shù)據(jù)路徑。通道互連線504可以具有傳送脈沖數(shù)據(jù)一例如，激光器信號(hào)的高頻或低頻分量的可選數(shù)據(jù)路徑。如本文所使用，脈沖數(shù)據(jù)可以只包括激光器信號(hào)的高頻或低頻分量之一或兩者。數(shù)據(jù)路徑可以包括串行或并行地發(fā)送數(shù)據(jù)的多條導(dǎo)線或電線。讀/寫電路502使用通道506接收的寫入數(shù)據(jù)生成在圖4A-4B中所示的寫入信號(hào)。 讀/寫電路502將從磁盤112中讀取的讀取數(shù)據(jù)發(fā)送到SOC 602。串行數(shù)據(jù)路徑將在下面作更詳細(xì)討論。在一個(gè)實(shí)施例中，讀取數(shù)據(jù)和脈沖數(shù)據(jù)共享同一條數(shù)據(jù)路徑。這樣就可以使通道506與以前的SOC 602設(shè)計(jì)和通道互連線504兼容。在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)被訪問時(shí)，硬盤驅(qū)動(dòng)器500將數(shù)據(jù)寫入磁盤112中或從磁盤112中讀取數(shù)據(jù)，但兩者決不會(huì)同時(shí)進(jìn)行。磁頭組件121包含檢測(cè)數(shù)據(jù)位的磁場(chǎng)的讀桿以及變更數(shù)據(jù)位的磁場(chǎng)的寫桿兩者。如果兩者同時(shí)有效，則讀桿可能檢測(cè)寫桿發(fā)出的磁場(chǎng)，而不是下面數(shù)據(jù)位的磁場(chǎng)。串?dāng)_和電涌也可能干擾兩種分立功能。于是，當(dāng)通道506將寫入數(shù)據(jù)發(fā)送給讀/寫電路502時(shí)，讀/寫電路502不向通道506發(fā)送讀取數(shù)據(jù)(假設(shè)沒有數(shù)據(jù)緩沖)。也就是說，當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入磁盤113中時(shí)，不使用讀取數(shù)據(jù)路徑。僅僅當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入磁盤113中時(shí)可以發(fā)送驅(qū)動(dòng)激光器電流的脈沖數(shù)據(jù)，以防止磁性介質(zhì)被不必要加熱。于是，可以在讀取數(shù)據(jù)路徑上將脈沖數(shù)據(jù)與讀取數(shù)據(jù)多路復(fù)用。換言之，脈沖數(shù)據(jù)(或激光器信號(hào))與讀取數(shù)據(jù)共享相同指定數(shù)據(jù)路徑。這種設(shè)計(jì)允許現(xiàn)有技術(shù)的通道互連線的使用，以及避免了將與通道互連線504耦合的通道506和讀/寫電路502的接口重新設(shè)計(jì)成接納分立脈沖數(shù)據(jù)路徑。由于這個(gè)原因，用虛線畫出通道互連線504中的脈沖數(shù)據(jù)路徑，以表示指定數(shù)據(jù)路徑是可選的。通道集成電路圖7是按照本發(fā)明實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器500的框圖。圖7詳細(xì)地示出了構(gòu)成SOC602、通道506和/或讀/寫電路502的不同電路構(gòu)件。通道506包括寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702、時(shí)鐘信號(hào)模塊704、通道相位控制器706、脈沖發(fā)生器708、脈沖寬度和相位控制寄存器710、DC偏置/成形寄存器712。寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702從包括在SOC 602中的其它構(gòu)件，或從與硬盤驅(qū)動(dòng)器500相關(guān)聯(lián)的計(jì)算系統(tǒng)接收寫入數(shù)據(jù)。具體地說，寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702生成寫入信號(hào)，然后經(jīng)由通道互連線504的寫入數(shù)據(jù)路徑將寫入信號(hào)發(fā)送給讀/寫電路502。例如，寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702允許使用更強(qiáng)磁場(chǎng)將數(shù)據(jù)寫入可能比外扇區(qū)更緊密地堆放數(shù)據(jù)、與磁盤的中心較接近的扇區(qū)中。此外，寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702可以相移某些接收的位模式。寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702將位模式轉(zhuǎn)換成像在圖4A中所示的那種那樣的寫入信號(hào)。也就是說，寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702的輸出包括從正值轉(zhuǎn)變到負(fù)值的信號(hào)。按照該值，在磁頭組件113的寫桿上形成具有某種極性的磁場(chǎng)。時(shí)鐘信號(hào)模塊704為硬盤驅(qū)動(dòng)器500生成時(shí)鐘信號(hào)或從硬盤驅(qū)動(dòng)器中的時(shí)鐘發(fā)生電路接收主時(shí)鐘信號(hào)。例如，時(shí)鐘信號(hào)模塊704可以包括生成適當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)的振蕩器。然后，時(shí)鐘信號(hào)模塊704將時(shí)鐘信號(hào)發(fā)送給寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702和脈沖發(fā)生器708兩者。時(shí)鐘信號(hào)可以被各自構(gòu)件用于生成激光器信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)之一或兩者。時(shí)鐘信號(hào)的范圍可以是與l_2Gb/s (吉位每秒)的數(shù)據(jù)速率相對(duì)應(yīng)的l-2GHz，但頻率可以與數(shù)據(jù)速率一起增大。也就是說，時(shí)鐘 目號(hào)可以超過2GHz。在一個(gè)實(shí)施例中，用于生成激光器信號(hào)的高頻分量的時(shí)鐘信號(hào)不是根據(jù)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)生成。也就是說，時(shí)鐘信號(hào)模塊704不接受寫入數(shù)據(jù)信號(hào)作為輸入，而是獨(dú)立于寫入數(shù)據(jù)信號(hào)地生成用于生成激光器信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)。這樣，時(shí)鐘信號(hào)可以用于生成激光器信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)兩者。
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脈沖發(fā)生器708生成驅(qū)動(dòng)激光器的激光器信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，脈沖發(fā)生器708只生成具有一種信號(hào)分量的激光器信號(hào)。也就是說，以后可以在不同集成電路中將低頻或高頻分量加入激光器信號(hào)中。不過，然后可以使用用于低頻分量的直接連接，和用于高頻分量的AC耦合(電容器)把激光器信號(hào)的低頻和高頻分量耦合在一起。在一個(gè)實(shí)施例中，通道506上的脈沖發(fā)生器708只生成激光器信號(hào)的高頻分量。脈沖發(fā)生器708接收來(lái)自脈沖寬度/脈沖控制(PW/PC)寄存器710的輸入。PW/PC寄存器710可以通過諸如ROM、閃速存儲(chǔ)器、MRAM、DRAM或SRAM那樣的任何形式易失性或非易失性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。并且，PW/PC寄存器710可以處在SOC的不同部分中或存放在與硬盤驅(qū)動(dòng)器500分開的設(shè)備中。一般來(lái)說，存儲(chǔ)在PW/PC寄存器710中的設(shè)置決定脈沖的寬度(即，占空比)，以及高頻信號(hào)相對(duì)于寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的初始相位。如圖4A-B所示，激光器信號(hào)一即，脈沖發(fā)生器708生成的信號(hào)的占空比大約是50%。也就是說，PW/PC寄存器710的設(shè)置當(dāng)被發(fā)送給脈沖發(fā)生器708時(shí)，產(chǎn)生具有半個(gè)周期接通和半個(gè)周期斷開的高頻脈沖的信號(hào)。PW/PC寄存器710中的設(shè)置可以在制造時(shí)裝載(即，預(yù)定)或使用下面討論的反饋環(huán)路動(dòng)態(tài)改變。有利的是，可以將PW/PC寄存器710中的設(shè)置改變成達(dá)到降低激光對(duì)相鄰數(shù)據(jù)軌道的影響(即，相比只通過DC信號(hào)供電的激光器縮小激光的光斑大小的擴(kuò)展)的任何占空比。此外，PW/PC寄存器710可以控制脈沖發(fā)生器708生成的高頻信號(hào)的振幅。除了控制高頻脈沖的振幅、頻率、和脈沖寬度(S卩，占空比)之外，通道相位控制器706使寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702和脈沖發(fā)生器708生成的寫入信號(hào)的各自相位同步。通道相位控制器706接收脈沖發(fā)生器706的高頻信號(hào)以及寫入信號(hào)作為輸入，并通過將高頻信號(hào)的相位與寫入信號(hào)的相位相比較調(diào)整高頻信號(hào)的相位。例如，相位控制器706可以是鎖相環(huán)(PLL)。一般說來(lái)，寫入數(shù)據(jù)信號(hào)和激光器信號(hào)的高頻分量的相位檢測(cè)器是PLL的輸入端，然后PLL用于控制兩個(gè)信號(hào)之間的相位。在一個(gè)實(shí)施例中，將來(lái)自寫入數(shù)據(jù)預(yù)補(bǔ)償模塊702的寫入信號(hào)用作將寫入信號(hào)與脈沖發(fā)生器708的高頻分量相比較的參考信號(hào)。PLL調(diào)整反饋環(huán)路中的振蕩器的頻率以便使兩個(gè)信號(hào)的相位同步。然后使相位調(diào)整激光器信號(hào)返回到脈沖發(fā)生器708。圖4A-B示出了使寫入信號(hào)和激光器信號(hào)兩者通過使它們的相位得到鎖定的相位控制器706的效果。在一個(gè)實(shí)施例中，通道相位控制器706從PW/PC寄存器710接收預(yù)定相移。例如，該相移可以是零，在這種情況下寫入信號(hào)和激光器信號(hào)的相位彼此相同，即，匹配?？商娲氖?，相移可以使一個(gè)信號(hào)相對(duì)于另一個(gè)信號(hào)延遲。在一個(gè)實(shí)施例中，相位控制器706可以具有將激光器信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位調(diào)整成對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的轉(zhuǎn)變的預(yù)定設(shè)置。例如，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)正在轉(zhuǎn)變時(shí)(即，當(dāng)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)正在改變下面磁性介質(zhì)的取向時(shí))，相位控制器106可以使信號(hào)的相位同步，以便激光器信號(hào)的脈沖或高頻分量也同時(shí)上升或處在峰位上。更強(qiáng)的激光器信號(hào)加熱磁性介質(zhì)并降低矯頑性。在圖7中，可以將脈沖發(fā)生器708產(chǎn)生的脈沖數(shù)據(jù)(B卩，高頻信號(hào))饋入放大器中并發(fā)送給讀/寫電路502?？商娲氖牵缣摼€所表示，可以將脈沖數(shù)據(jù)多路復(fù)用到通道互連線504的讀取數(shù)據(jù)路徑中。類似地，通過通道互連線504中的數(shù)據(jù)路徑將寫入數(shù)據(jù)，即，寫 入信號(hào)發(fā)送到讀/寫電路502。在一個(gè)實(shí)施例中，通道506可以只生成激光器信號(hào)的高頻分量,但仍然可以將低頻信號(hào)的設(shè)置存儲(chǔ)在DC偏置/成形寄存器712中，DC偏置/成形寄存器712可以通過諸如ROM、閃速存儲(chǔ)器、MRAM、DRAM或SRAM那樣的任何形式易失性或非易失性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。如下面更詳細(xì)討論，DC偏置/成形寄存器712包括根據(jù)在硬盤驅(qū)動(dòng)器500中測(cè)量的環(huán)境參數(shù)調(diào)整激光器信號(hào)的DC偏置或低頻信號(hào)的必要信息。這樣的參數(shù)包括硬盤驅(qū)動(dòng)器中的溫度或磁盤的溫度。此外，DC偏置/成形寄存器712可以包括在發(fā)生特定事件期間，諸如，當(dāng)激光器第一次通電時(shí)預(yù)定激光器的DC偏置的設(shè)置。例如，如圖2所示，在時(shí)間I與時(shí)間2之間，DC偏置可能變成尖峰脈沖，但隨指數(shù)減小，以便迅速加熱磁性材料。于是，存儲(chǔ)在DC偏置/成形寄存器712中的設(shè)置可以支配低頻信號(hào)。相反，測(cè)量環(huán)境數(shù)據(jù)可以在啟動(dòng)結(jié)束一例如，圖2的時(shí)間2到時(shí)間3之后控制低頻信號(hào)。在這樣情況下，DC偏置/成形寄存器712可以包含按照磁盤112的測(cè)量溫度確定DC偏置的查找表。再次參照?qǐng)D7，通道互連線504經(jīng)由串行數(shù)據(jù)路徑將DC偏置/成形寄存器712與讀/寫電路502耦合。讀/寫集成電路圖7例示了經(jīng)由通道互連線傳遞給讀/寫電路502的寫入數(shù)據(jù)、脈沖數(shù)據(jù)、和串行數(shù)據(jù)。然后可以將寫入數(shù)據(jù)(即，寫入信號(hào))放大，并發(fā)送給處在，例如，磁頭組件121上的寫頭桿。讀/寫電路502包括脈沖緩沖器716、讀/寫(R/W)相位控制器714、脈沖成形寄存器718和DC偏置寄存器720。脈沖緩沖器716從通道互連線504接收激光器信號(hào)的高頻分量-即，激光器信號(hào)是一系列脈沖或方波時(shí)的脈沖數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，脈沖緩沖器716將接收的激光器信號(hào)發(fā)送給R/W相位控制器714。R/W相位控制器714可以通過類似于通道相位控制器706的PLL實(shí)現(xiàn)。R/W相位控制器714可以用于校正因諸如溫度那樣的環(huán)境參數(shù)而出現(xiàn)的寫入信號(hào)與激光器信號(hào)之間的相移。也就是說，R/W相位控制器714按照上面討論過的實(shí)施例使寫入信號(hào)和激光器信號(hào)的相位重新同步。脈沖緩沖器716還從耦合低頻信號(hào)分量(即，DC激光器信號(hào))和高頻信號(hào)分量(即，激光器脈沖信號(hào))的脈沖成形緩沖器718接收脈沖成形設(shè)置。通常，傳送高頻信號(hào)分量的高速信號(hào)路徑需要差分配置，以便可以良好控制來(lái)自AMP緩沖器的傳輸線影響。脈沖緩沖器716可以用于抵消傳輸線影響和保護(hù)信號(hào)保真度。如圖所示，通道互連線504的串行數(shù)據(jù)路徑將脈沖成形設(shè)置從處在通道506上的DC偏置/成形寄存器712發(fā)送到處在R/W電路502上的脈沖成形寄存器718。脈沖成形寄存器718可以通過諸如ROM、閃速存儲(chǔ)器、MRAM、DRAM或SRAM那樣的任何形式易失性或非易失性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，脈沖成形偏置可以不使用脈沖成形寄存器718地直接發(fā)送給脈沖緩沖器。在另一個(gè)實(shí)施例中，脈沖成形偏置可以發(fā)送給通道506上的脈沖發(fā)生器708，而不是發(fā)送給讀/寫電路502。然后，脈沖成形偏置被脈沖緩沖器716用于過濾和成形脈沖發(fā)生器708產(chǎn)生的信號(hào)(例如，一系列高頻脈沖)。這樣就可以使信號(hào)能夠在帶寬受限通信信道中發(fā)送激光器信號(hào)時(shí)與指定頻帶匹配。在R/W相位控制器714使寫入信號(hào)和激光器信號(hào)重新同步以及將脈沖成形設(shè)置應(yīng)用于激光器信號(hào)之后，脈沖緩沖器716將激光器信號(hào)發(fā)送給加法器722,加法器722將DC偏移或偏置加入高頻脈沖中。DC偏置寄存器720為離開脈沖緩沖器716的激光器信號(hào)提供DC偏移(S卩，低頻分量)，它可以通過諸如ROM、閃速存儲(chǔ)器、MRAM、DRAM或SRAM那樣的任何形式易失性或非易失性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)。如前所述，DC偏置寄存器720可以提供在發(fā)生特定事件期間，諸如，當(dāng)激光器第一次通電時(shí)預(yù)定激光器的DC偏置的設(shè)置。在離開加法器722之后，激光器信號(hào)可能看起來(lái)基本上與在圖4A-4B中所示的激光器信號(hào)相同。然后，經(jīng)由激光 器驅(qū)動(dòng)器(LD)端口將激光器信號(hào)發(fā)送給激光器驅(qū)動(dòng)器以便轉(zhuǎn)換成調(diào)制電流。在一個(gè)實(shí)施例中，硬盤驅(qū)動(dòng)器500包括測(cè)量諸如磁盤112或硬盤驅(qū)動(dòng)器500本身的溫度那樣的環(huán)境參數(shù)的傳感器或檢測(cè)器。如圖7所示，來(lái)自傳感器或檢測(cè)器的輸出形成調(diào)整激光器信號(hào)的DC偏置的反饋。來(lái)自傳感器的輸出被讀/寫電路502的熱傳感器(TS)端口接收，放大，并發(fā)送給電路元件724。電路元件724取出傳感器的輸出和DC偏置寄存器720的輸出，并且確定調(diào)制DC偏移。然后，電路元件724將調(diào)整DC偏移發(fā)送給加法器722，以便加入激光器信號(hào)的高頻分量中。參照?qǐng)D2，在時(shí)間2與時(shí)間3之間，傳感器可以檢測(cè)到磁盤的溫度太低，難以顯著降低數(shù)據(jù)位的磁性介質(zhì)的矯頑性。于是，電路元件724接收傳感器的輸出，增加DC偏移，將更大的電流提供給激光器，以便提高磁性介質(zhì)上的束斑的強(qiáng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，電路元件724、DC偏置寄存器720、加法器722、和TS端口可以處在通道506上。這樣，通過將電路元件724、加法器722、和TS端口放置在通道506中，可以組合激光器信號(hào)的高頻和低頻分量?jī)烧?。有利的是，這防止了必須將DC偏置設(shè)置從處在通道506上的DC偏置/成形寄存器712發(fā)送到處在讀/寫電路502上的DC偏置寄存器720。取而代之，DC偏置/成形寄存器712直接與電路元件724耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，硬盤驅(qū)動(dòng)器500可以不包括監(jiān)測(cè)環(huán)境參數(shù)的傳感器或檢測(cè)器。把DC偏移反饋環(huán)路(即，DC偏置寄存器720、電路元件724、和TS端口)放置在讀/寫電路506上可以將這些環(huán)路元件移動(dòng)成與可以處在磁盤112附近的傳感器較接近。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將通道502和讀/寫電路506組合成單個(gè)集成電路。這樣就可以省略兩者之間通道互連線504。另外，由于在通道506與讀/寫電路502之間發(fā)送寫入信號(hào)和激光器信號(hào)時(shí)，溫度不再顯著地改變它們的同步相位，所以讀/寫相位控制器714可能是不必要的。此外，脈沖形成寄存器718和DC偏置寄存器720的功能可以由DC偏置/成形寄存器712完成。通過提供產(chǎn)生調(diào)制激光器的高頻信號(hào)的電路，使束斑對(duì)未寫入的周圍數(shù)據(jù)軌道的影響達(dá)到最小。此外，該電路可以將高頻信號(hào)與DC偏置組合，以便進(jìn)一步控制激光器和傳遞給高矯頑性介質(zhì)的熱量。附加相位控制器使電路可以將高頻信號(hào)和寫入信號(hào)的各自相位同步。 雖然上文針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例，但可以不偏離本發(fā)明的基本范圍地設(shè)想出本發(fā)明 的其它和進(jìn)一步實(shí)施例，本發(fā)明的范圍由如下權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種硬盤驅(qū)動(dòng)器中的集成電路，其包含 用于生成驅(qū)動(dòng)加熱元件的高頻信號(hào)的部件，所述加熱元件加熱磁盤中的磁性介質(zhì)；以及 用于按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位同步的部件，所述寫入數(shù)據(jù)信號(hào)控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入。
2.如權(quán)利要求I所述的集成電路，進(jìn)一步包含用于生成寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的部件，所述寫入數(shù)據(jù)信號(hào)基于要寫入磁盤中的接收數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成生成時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器，其中所述時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器獨(dú)立于寫入數(shù)據(jù)信號(hào)地生成時(shí)鐘信號(hào)。
4.如權(quán)利要求I所述的集成電路，其中預(yù)定設(shè)置指示相位控制器(i)將高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位匹配，或(ii)相對(duì)于高頻信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)之一改變另一個(gè)的相位，以便當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)使磁性介質(zhì)的磁取向反向時(shí)，高頻信號(hào)正在上升和處在最大值上的至少一個(gè)。
5.如權(quán)利要求I所述的集成電路，其中高頻信號(hào)是方波或一系列脈沖。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中生成高頻信號(hào)的部件被配置成按照預(yù)定設(shè)置改變方波或一系列脈沖的占空比，以便影響加熱元件加熱磁性介質(zhì)的能力。
7.如權(quán)利要求6所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成存儲(chǔ)預(yù)定設(shè)置的存儲(chǔ)器。
8.如權(quán)利要求6所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成將信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的高頻信號(hào)與DC偏置組合的加法器電路。
9.一種包含如下的系統(tǒng) 第一集成電路，其包含 生成驅(qū)動(dòng)加熱元件的高頻信號(hào)的部件，所述加熱元件加熱磁盤中的磁性介質(zhì)；以及按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位同步的部件，所述寫入數(shù)據(jù)信號(hào)控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入； 第二集成電路，其包含 配置成接收高頻信號(hào)和將高頻信號(hào)與DC偏置組合的加法器電路；以及 互連線，其包含耦合第一和第二集成電路的多種數(shù)據(jù)路徑。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位同步的第二部件，其中所述用于同步的第二部件處在第二集成電路上。
11.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成存儲(chǔ)預(yù)定DC偏置設(shè)置、在所述第二集成電路上的第一存儲(chǔ)器，其中DC偏置通過預(yù)定DC偏置設(shè)置確定。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成存儲(chǔ)預(yù)定DC偏置設(shè)置、在所述第一集成電路上的第二存儲(chǔ)器，所述第二存儲(chǔ)器被配置成經(jīng)由互連線將預(yù)定DC偏置設(shè)置發(fā)送給所述第一存儲(chǔ)器。
13.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成接收基于系統(tǒng)的環(huán)境參數(shù)的信息、在所述第二集成電路上的反饋控制器，所述反饋控制器被配置成將所述信息用于調(diào)整DC偏置。
14.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述互連線包括指定給寫入數(shù)據(jù)信號(hào)和讀取數(shù)據(jù)信號(hào)每一個(gè)的至少一條數(shù)據(jù)路徑，所述讀取數(shù)據(jù)信號(hào)代表從磁盤中讀取的數(shù)據(jù)位。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述第一集成電路被配置成只使用指定給讀取數(shù)據(jù)信號(hào)的互連線的至少一條數(shù)據(jù)路徑將高頻信號(hào)發(fā)送給所述第二集成電路。
16.—種生成驅(qū)動(dòng)加熱元件的信號(hào)的方法，所述加熱元件加熱硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤中的磁性介質(zhì)，所述方法包含 接收寫入數(shù)據(jù)信號(hào)，所述寫入數(shù)據(jù)信號(hào)控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入。
根據(jù)硬盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的時(shí)鐘信號(hào)生成驅(qū)動(dòng)加熱元件的高頻信號(hào)；以及 按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位同步。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中高頻信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)兩者都基于時(shí)鐘信號(hào)。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中預(yù)定設(shè)置指示相位控制器(i)將高頻信號(hào)的相位與寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的相位匹配，或(ii)相對(duì)于高頻信號(hào)和寫入數(shù)據(jù)信號(hào)之一改變另一個(gè)的相位，以便當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)使磁性介質(zhì)的磁取向反向時(shí)，高頻信號(hào)是正在上升和處在最大值上的至少一個(gè)。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中高頻信號(hào)是方波或一系列脈沖。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包含按照預(yù)定設(shè)置改變方波或一系列脈沖的占空比，以便影響加熱元件加熱磁性介質(zhì)的能力。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包含將高頻信號(hào)與DC偏置組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及生成驅(qū)動(dòng)用在熱輔助記錄中的激光器的激光器信號(hào)的方法和裝置。硬盤驅(qū)動(dòng)器的通道生成激光器信號(hào)的高頻分量，例如，周期波或一系列脈沖，并且使激光器信號(hào)的相位與控制硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁盤內(nèi)的數(shù)據(jù)位的磁化的相應(yīng)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)同步。該通道可以經(jīng)由通道互連線與讀/寫集成電路連接。該讀/寫電路可以包括補(bǔ)償任何相移的第二相位控制器、和將發(fā)送高頻信號(hào)與DC偏置組合的加法電路。并且，該讀/寫電路可以包括根據(jù)像溫度那樣的硬盤驅(qū)動(dòng)器的環(huán)境參數(shù)調(diào)整DC偏置的反饋環(huán)路。
文檔編號(hào)G11B5/127GK102800327SQ201210169428
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者J.康特雷拉斯, W.漢森, B.C.斯蒂普, R.扎凱 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司