專(zhuān)利名稱(chēng)：用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，且更特定來(lái)說(shuō)涉及用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)歷了已準(zhǔn)許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的密度及/或復(fù)雜性增加的技術(shù) 進(jìn)步。此外，所述技術(shù)進(jìn)步已允許各種類(lèi)型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的功率消耗及封裝大小減小。持續(xù)的趨勢(shì)是采用及/或制作使用改進(jìn)性能、減小泄漏電流且增強(qiáng)總體縮放的技術(shù)、材料及裝置的高級(jí)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。絕緣體上硅(SOI)襯底及塊體襯底為可用來(lái)制作此些半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的材料的實(shí)例。舉例來(lái)說(shuō)，此些半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包含部分耗盡(PD)型裝置、完全耗盡(FD)型裝置、多柵極裝置(例如，雙柵極、三柵極或環(huán)繞柵極)及鰭型FET
>j-U ρ α裝直。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可包含具有存儲(chǔ)器晶體管的存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器晶體管具有其中可存儲(chǔ)電荷的電浮動(dòng)主體區(qū)。當(dāng)過(guò)剩多數(shù)電荷載流子存儲(chǔ)于所述電浮動(dòng)主體區(qū)中時(shí)，存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))。當(dāng)使電浮動(dòng)主體區(qū)耗盡多數(shù)電荷載流子時(shí)，存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可制作于絕緣體上硅(SOI)襯底或塊體襯底(例如，實(shí)現(xiàn)主體隔離)上。舉例來(lái)說(shuō)，可將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置制作為三維(3-D)裝置(例如，多柵極裝置、鰭型FET裝置及垂直柱裝置)。在一種常規(guī)技術(shù)中，可通過(guò)將偏置信號(hào)施加到存儲(chǔ)器晶體管的源極/漏極區(qū)及柵極來(lái)讀取半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元。如此，常規(guī)讀取技術(shù)可涉及響應(yīng)于源極/漏極區(qū)及柵極偏置信號(hào)的施加來(lái)感測(cè)由存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)提供/在所述電浮動(dòng)主體區(qū)中產(chǎn)生的電流的量以確定所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元可具有對(duì)應(yīng)于兩個(gè)或兩個(gè)以上不同邏輯狀態(tài)的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同電流狀態(tài)(例如，對(duì)應(yīng)于兩個(gè)不同邏輯狀態(tài)的兩個(gè)不同電流條件/狀態(tài)二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài)及二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))。在另一常規(guī)技術(shù)中，可通過(guò)將偏置信號(hào)施加到存儲(chǔ)器晶體管的源極/漏極區(qū)及柵極來(lái)向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元寫(xiě)入。如此，常規(guī)寫(xiě)入技術(shù)可導(dǎo)致存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的增加/減少，多數(shù)電荷載流子的增加/減少又確定存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。多數(shù)電荷載流子的此過(guò)?？捎蓽系琅鲎搽婋x、帶間隧穿(柵極誘發(fā)的漏極泄漏“GIDL”)或直接注入而產(chǎn)生。可(例如)使用背柵脈沖經(jīng)由漏極區(qū)空穴移除、源極區(qū)空穴移除或漏極與源極區(qū)空穴移除來(lái)移除多數(shù)電荷載流子。通常，常規(guī)讀取及/或?qū)懭氩僮骺蓪?dǎo)致相對(duì)大的功率消耗及相對(duì)大的電壓電位擺幅，相對(duì)大的電壓電位擺幅可能導(dǎo)致對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置中的未選存儲(chǔ)器單元的干擾。此夕卜，在讀取與寫(xiě)入操作期間在正與負(fù)柵極偏置之間的脈沖可減少存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的凈數(shù)量，此減少又可導(dǎo)致存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)的不準(zhǔn)確確定。此外，在將具有低于存儲(chǔ)器晶體管的閾值電壓電位的電壓電位的偏置信號(hào)施加到存儲(chǔ)器晶體管的柵極的情況下，可消除在柵極下方的少數(shù)電荷載流子的溝道。然而，少數(shù)電荷載流子中的一些載流子可保持“陷獲”在界面缺陷中。所陷獲的少數(shù)電荷載流子中的一些載流子可與可能由于所施加的偏置信號(hào)而被吸引到柵極的多數(shù)電荷載流子組合。因此，可減少電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的凈數(shù)量。此現(xiàn)象(其通常表征為電荷抽運(yùn))是成問(wèn)題的，因?yàn)榭蓽p少存儲(chǔ)器單元的電浮動(dòng)主體區(qū)中的多數(shù)電荷載流子的凈數(shù)量，此減少又可導(dǎo)致存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)的不準(zhǔn)確確定。鑒于前文，可理解可存在與用于操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的常規(guī)技術(shù)相關(guān)聯(lián)的顯著問(wèn)題及缺點(diǎn)
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明揭示用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。在一個(gè)特定示范性實(shí)施例中，可將所述技術(shù)實(shí)現(xiàn)為一種用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法可包括將多個(gè)電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)器單元。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可包括經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)源極線(xiàn)將第一電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第一區(qū)。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元還可包括經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)局部位線(xiàn)及相應(yīng)選擇晶體管將第二電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第二區(qū)。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括將第三電壓電位施加到所述陣列的相應(yīng)字線(xiàn)，其中所述字線(xiàn)可與所述存儲(chǔ)器單元的主體區(qū)間隔開(kāi)且電容性地耦合到所述主體區(qū)，所述主體區(qū)可為電浮動(dòng)的且安置于所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)載流子注入線(xiàn)將第四電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第三區(qū)。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的其它方面，所述相應(yīng)局部位線(xiàn)可耦合到多路復(fù)用器。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的另外方面，所述多路復(fù)用器可耦合到全局位線(xiàn)。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的額外方面，所述多路復(fù)用器可包括耦合到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的至少一個(gè)屏蔽晶體管。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的又一方面，所述多路復(fù)用器可進(jìn)一步包括耦合到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的至少一個(gè)保持晶體管。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的其它方面，所述相應(yīng)選擇晶體管可耦合到所述至少一個(gè)屏蔽晶體管及所述至少一個(gè)保持晶體管。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的另外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的所述刷新期間經(jīng)由所述相應(yīng)源極線(xiàn)使施加到所述第一區(qū)的所述第一電壓電位維持在恒定電平。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的額外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括將選擇控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以激活所述相應(yīng)選擇晶體管。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的又一方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括經(jīng)由所述經(jīng)激活的相應(yīng)選擇晶體管從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)源極線(xiàn)的所述第二電壓電位增加施加到所述相應(yīng)源極線(xiàn)的所述第二電壓電位。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的其它方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位增加施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的另外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括將解耦控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以去激活所述相應(yīng)選擇晶體管。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的額外方面，在所述相應(yīng)選擇晶體管被去激活之后，所述相應(yīng)局部位線(xiàn)可為電浮動(dòng)的。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的又一方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位增加施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位以便執(zhí)行讀取操作。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的其它方面，所述第三電壓電位的所述增加可激活所述·存儲(chǔ)器單元以減小施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的另外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯低操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位減小施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位以執(zhí)行寫(xiě)入邏輯高操作。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的額外方面，在所述寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位可高于在保持操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的又一方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括將耦合控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以激活所述相應(yīng)選擇晶體管以便執(zhí)行寫(xiě)入邏輯高操作的結(jié)束。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的其它方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括將施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位放電以正向偏置所述第二區(qū)與所述第三區(qū)之間的結(jié)。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的另外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位減小施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位以執(zhí)行保持操作。根據(jù)此特定示范性實(shí)施例的額外方面，將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位減小施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位以執(zhí)行保持操作?，F(xiàn)在將參考附圖中所展示的本發(fā)明示范性實(shí)施例來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明。盡管下文參考示范性實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明并不限于此。閱讀本文中的教示的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例以及其它使用領(lǐng)域，這些額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例以及其它使用領(lǐng)域均在本文中所描述的本發(fā)明范圍內(nèi)且本發(fā)明關(guān)于這些額外實(shí)施方案、修改及實(shí)施例以及其它使用領(lǐng)域可具有顯著實(shí)用性。


為了促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的更全面理解，現(xiàn)在參考附圖，在附圖中相似的元件用相似的編號(hào)指代。這些圖式不應(yīng)被視為限制本發(fā)明，而是打算僅為示范性。圖I展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含存儲(chǔ)器單元陣列、數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路以及存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的框圖。圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部分的不意圖。圖3展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖2中所展示的存儲(chǔ)器單元陣列的橫截面視圖。圖4展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有經(jīng)由分級(jí)位線(xiàn)配置耦合到多個(gè)感測(cè)放大器電路的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部分的示意圖。圖5展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分級(jí)位線(xiàn)配置的多路復(fù)用器的示意圖。圖6展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分級(jí)位線(xiàn)配置的源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器的示意圖。 圖7展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于執(zhí)行刷新操作的控制信號(hào)電壓波形。
具體實(shí)施例方式參考圖1，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器單元陣列20、數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36及存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10的框圖。存儲(chǔ)器單元陣列20可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元12，每一存儲(chǔ)器單元經(jīng)由字線(xiàn)(WL) 28及載流子注入線(xiàn)(EP)34耦合到存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38且經(jīng)由位線(xiàn)(CN) 30及源極線(xiàn)(EN)32耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36。可了解，位線(xiàn)(CN)30及源極線(xiàn)(EN) 32是用來(lái)在兩個(gè)信號(hào)線(xiàn)之間進(jìn)行區(qū)分的標(biāo)示且其可互換使用。數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36可從選定存儲(chǔ)器單元12讀取數(shù)據(jù)且可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到選定存儲(chǔ)器單元12。在示范性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36可包含多個(gè)數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。每一數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路可接收至少一個(gè)位線(xiàn)(CN) 30及電流或電壓參考信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，每一數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路可為交叉耦合型感測(cè)放大器以感測(cè)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36可包含可將數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路耦合到至少一個(gè)位線(xiàn)(CN) 30的至少一個(gè)多路復(fù)用器。在示范性實(shí)施例中，所述多路復(fù)用器可將多個(gè)位線(xiàn)(CN) 30耦合到數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。每一數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路可采用電壓及/或電流感測(cè)電路及/或技術(shù)。在示范性實(shí)施例中，每一數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路可采用電流感測(cè)電路及/或技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，電流感測(cè)放大器可將來(lái)自選定存儲(chǔ)器單元12的電流與參考電流(例如，一個(gè)或一個(gè)以上參考單元的電流)進(jìn)行比較。根據(jù)所述比較，可確定選定存儲(chǔ)器單元12是存儲(chǔ)邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))還是邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解，可采用各種類(lèi)型或形式的數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36 (包含使用電壓或電流感測(cè)技術(shù)來(lái)感測(cè)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)的一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)放大器)來(lái)讀取存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可通過(guò)在一個(gè)或一個(gè)以上字線(xiàn)(WL) 28及/或載流子注入線(xiàn)(EP) 34上施加控制信號(hào)來(lái)選擇及/或啟用一個(gè)或一個(gè)以上預(yù)定存儲(chǔ)器單元12以促進(jìn)從所述預(yù)定存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可根據(jù)地址信號(hào)(舉例來(lái)說(shuō)，行地址信號(hào))來(lái)產(chǎn)生此些控制信號(hào)。此外，存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可包含字線(xiàn)解碼器及/或驅(qū)動(dòng)器。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元選擇與控制電路38可包含一種或一種以上不同控制/選擇技術(shù)(及所述技術(shù)的電路)以選擇及/或啟用一個(gè)或一個(gè)以上預(yù)定存儲(chǔ)器單元12。明顯地，所有此些控制/選擇技術(shù)及所述技術(shù)的電路(無(wú)論是現(xiàn)在已知還是稍后開(kāi)發(fā)的)均打算歸屬于本發(fā)明的范圍。在示范性實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10可實(shí)施兩步寫(xiě)入操作，借此可通過(guò)首先執(zhí)行“清零”或邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))寫(xiě)入操作將一行存儲(chǔ)器單元12中的所有存儲(chǔ)器單元12寫(xiě)入到預(yù)定數(shù)據(jù)狀態(tài)，借此所述行存儲(chǔ)器單元12中的所有存儲(chǔ)器單元12被寫(xiě)入到邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。此后，可將所述行存儲(chǔ)器單元12中的選定存儲(chǔ)器單元12選擇性地寫(xiě)入到預(yù)定數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯高(二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài)))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10還可實(shí)施單步寫(xiě)入操作，借此可在不首先實(shí)施“清零”操作的情況下將一行存儲(chǔ)器單元12中的選定存儲(chǔ)器單元12選擇性地寫(xiě)入到邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))或邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置10可采用本文中所描述的示范性寫(xiě)入、準(zhǔn)備、保持、刷新及/或讀取技術(shù)中的任一者。存儲(chǔ)器單元12可包括N型、P型及/或兩種類(lèi)型的晶體管。在存儲(chǔ)器單元陣列20 外圍的電路(舉例來(lái)說(shuō)，感測(cè)放大器或比較器、行及列地址解碼器以及線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器(本文中未圖解說(shuō)明))也可包含P型及/或N型晶體管。不管在存儲(chǔ)器單元陣列20中的存儲(chǔ)器單元12中是采用P型晶體管還是N型晶體管，本文中均將進(jìn)一步描述用于從存儲(chǔ)器單元12讀取的適合電壓電位(舉例來(lái)說(shuō)，正或負(fù)電壓電位)。參考圖2，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20。存儲(chǔ)器單元12中的每一者可包括彼此耦合的第一雙極晶體管14a及第二雙極晶體管14b。舉例來(lái)說(shuō),第一雙極晶體管14a及/或第二雙極晶體管14b可為NPN雙極晶體管或PNP雙極晶體管。如圖2中所圖解說(shuō)明，第一雙極晶體管14a可為NPN雙極晶體管且第二雙極晶體管14b可為PNP雙極晶體管。在另一示范性實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器晶體管14a可為PNP雙極晶體管且第二存儲(chǔ)器晶體管14b可為NPN雙極晶體管。在另一示范性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元12中的每一者可包括第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 14a及第二雙極晶體管14b。舉例來(lái)說(shuō)，第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 14a可為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)。存儲(chǔ)器單元12可耦合到相應(yīng)字線(xiàn)(WL) 28、相應(yīng)位線(xiàn)(CN) 30、相應(yīng)源極線(xiàn)(EN) 32及/或相應(yīng)載流子注入線(xiàn)(EP) 34?？赏ㄟ^(guò)將適合控制信號(hào)施加到選定字線(xiàn)(WL) 28、選定位線(xiàn)(CN) 30、選定源極線(xiàn)(EN) 32及/或選定載流子注入線(xiàn)(EP) 34來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到選定存儲(chǔ)器單元12或從選定存儲(chǔ)器單元12讀取數(shù)據(jù)。在示范性實(shí)施例中，字線(xiàn)(WL) 28可平行于載流子注入線(xiàn)(EP)34水平延伸。在另一示范性實(shí)施例中，位線(xiàn)(CN) 30可平行于源極線(xiàn)(EN) 32垂直延伸。在示范性實(shí)施例中，一個(gè)或一個(gè)以上相應(yīng)位線(xiàn)(CN)30可耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。舉例來(lái)說(shuō)，可經(jīng)由選定字線(xiàn)(WL) 28、選定位線(xiàn)(CN) 30、選定源極線(xiàn)(EN) 32及/或選定載流子注入線(xiàn)(EP) 34將一個(gè)或一個(gè)以上控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12?？捎梢粋€(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12產(chǎn)生電壓電位及/或電流且經(jīng)由對(duì)應(yīng)位線(xiàn)(CN) 30將其輸出到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。此外，可通過(guò)經(jīng)由一個(gè)或一個(gè)以上對(duì)應(yīng)位線(xiàn)(CN) 30施加一個(gè)或一個(gè)以上控制信號(hào)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入到一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12。經(jīng)由對(duì)應(yīng)位線(xiàn)(CN)30施加的一個(gè)或一個(gè)以上控制信號(hào)可控制存儲(chǔ)器單元12的第二雙極晶體管14b以便將所要數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元12。在經(jīng)由位線(xiàn)(CN) 30從存儲(chǔ)器單元12讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)及/或?qū)?shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元12的情況下，則位線(xiàn)(CN) 30可耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路同時(shí)源極線(xiàn)(EN)32可經(jīng)由數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的電壓/電流源(例如，電壓/電流驅(qū)動(dòng)器)單獨(dú)地控制。在示范性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路與數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的電壓/電流源可配置于存儲(chǔ)器單元陣列20的相對(duì)側(cè)上。在另一示范性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36可包含配置于存儲(chǔ)器單元陣列20的相對(duì)側(cè)上的多個(gè)數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。在源極線(xiàn)(EN)32耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路的情況下，由一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12產(chǎn)生的電壓電位及/或電流可經(jīng)由對(duì)應(yīng)源極線(xiàn)(EN) 32輸出到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路。此外，可通過(guò)經(jīng)由一個(gè)或一 個(gè)以上對(duì)應(yīng)位線(xiàn)(CN) 30施加一個(gè)或一個(gè)以上控制信號(hào)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入到一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12。經(jīng)由對(duì)應(yīng)位線(xiàn)(CN) 30施加的一個(gè)或一個(gè)以上控制信號(hào)可控制存儲(chǔ)器單元12的第二雙極晶體管14b以便將所要數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，位線(xiàn)(CN) 30及源極線(xiàn)(EN) 32可耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的配置于存儲(chǔ)器單元陣列20的相對(duì)側(cè)上的全異分支電路(例如，驅(qū)動(dòng)器及/或感測(cè)放大器)。在示范性實(shí)施例中，位線(xiàn)(CN) 30可耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的一驅(qū)動(dòng)器及/或一感測(cè)放大器電路，而源極線(xiàn)(EN) 32可耦合到數(shù)據(jù)寫(xiě)入與感測(cè)電路36的一驅(qū)動(dòng)器及/或一感測(cè)放大器電路。此外，耦合到位線(xiàn)(CN) 30的驅(qū)動(dòng)器及/或數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路與耦合到源極線(xiàn)(EN) 32的驅(qū)動(dòng)器及/或數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路可配置于存儲(chǔ)器單元陣列20的相對(duì)側(cè)上。通過(guò)經(jīng)由源極線(xiàn)(EN) 32讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)并經(jīng)由位線(xiàn)(CN) 30寫(xiě)入數(shù)據(jù)狀態(tài)，可減小存儲(chǔ)器單元12的電阻，因?yàn)樵礃O線(xiàn)(EN) 32及位線(xiàn)(CN) 30是從存儲(chǔ)器單元陣列20的相對(duì)側(cè)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的。參考圖3，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖I中所展示的存儲(chǔ)器單元12的橫截面視圖。如上文所論述，存儲(chǔ)器單元12可包括兩個(gè)雙極晶體管。在示范性實(shí)施例中，第一雙極晶體管14a可為NPN雙極晶體管且第二雙極晶體管14b可為PNP雙極晶體管。在示范性實(shí)施例中，第一雙極晶體管14a與第二雙極晶體管14b可共享一個(gè)或一個(gè)以上共同區(qū)。第一 NPN雙極晶體管14a可包括N+射極區(qū)120、P_基極區(qū)122及N+集電極區(qū)124。第二 PNP雙極晶體管14b可包括P-集電極區(qū)122、N+基極區(qū)124及P+射極區(qū)126。N+區(qū)120、P-區(qū)122、N+區(qū)124及/或P+區(qū)126可以順序相連關(guān)系安置于柱形或鰭形配置內(nèi)，所述柱形或鰭形配置可垂直或正交于由N-阱區(qū)128及/或P-襯底130界定的平面延伸。在示范性實(shí)施例中，P-區(qū)122可為存儲(chǔ)器單元12的經(jīng)配置以積累/存儲(chǔ)電荷的電浮動(dòng)主體區(qū)，所述電浮動(dòng)主體區(qū)可與字線(xiàn)(WL) 28間隔開(kāi)且電容性地耦合到字線(xiàn)(WL) 28。第一雙極晶體管14a的N+射極區(qū)120可耦合到由金屬層形成的源極線(xiàn)(EN) 32。此外，第一雙極晶體管14a的P-基極區(qū)122及/或第二雙極晶體管14b的P-集電極區(qū)122可電容性地耦合到由金屬層形成的字線(xiàn)(WL) 28。在另一示范性實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元12的N+區(qū)124可耦合到由金屬層形成的位線(xiàn)(CN) 30。位線(xiàn)(CN) 30可沿圓周環(huán)繞存儲(chǔ)器單元12的N+區(qū)124。在另一示范性實(shí)施例中，位線(xiàn)(CN) 30可在N+區(qū)124的一個(gè)或一個(gè)以上側(cè)區(qū)(例如，一個(gè)側(cè)區(qū)或兩個(gè)側(cè)區(qū))上耦合到N+區(qū)124。位線(xiàn)(CN) 30可減少對(duì)存儲(chǔ)器單元12的干擾。特定來(lái)說(shuō)，位線(xiàn)(CN) 30可由金屬層形成且因此可減少對(duì)存儲(chǔ)器單元12的空穴干擾。位線(xiàn)(CN) 30可平行于耦合到多個(gè)存儲(chǔ)器單元12 (例如，一列存儲(chǔ)器單元12)的源極線(xiàn)(EN)32水平延伸。舉例來(lái)說(shuō)，位線(xiàn)(CN) 30與源極線(xiàn)(EN) 32可布置于不同平面中且經(jīng)配置以彼此平行。源極線(xiàn)(EN) 32可提供用于尋址或存取存儲(chǔ)器單元12的替代構(gòu)件?？山?jīng)由位線(xiàn)(CN) 30或源極線(xiàn)(EN) 32或者位線(xiàn)(CN) 30與源極線(xiàn)(EN) 32的組合來(lái)尋址或存取存儲(chǔ)器單元12。參考圖4，其展示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有經(jīng)由分級(jí)位線(xiàn)配置耦合到多個(gè)感測(cè)放大器電路402的多個(gè)存儲(chǔ)器單元12的存儲(chǔ)器單元陣列20的至少一部分的示意圖。存儲(chǔ)器單元陣列20的存儲(chǔ)器單元12中的每一者可經(jīng)由分級(jí)位線(xiàn)配置耦合到數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路402。所述分級(jí)位線(xiàn)配置可包含直接耦合到相應(yīng)存儲(chǔ)器單元12的局部位線(xiàn)(LCN) 404 (例如，位線(xiàn)(CN) 30)。每一局部位線(xiàn)(LCN) 404可經(jīng)由多路復(fù)用器(MUX) 408耦合到全局位線(xiàn)(GCN)406。所述分級(jí)位線(xiàn)配置可減小位線(xiàn)電容及電阻且可在對(duì)存儲(chǔ)器單元12的各種操作期間導(dǎo)致較少的信號(hào)衰減。此外，位線(xiàn)電容的減小可導(dǎo)致選定列的存儲(chǔ)器單元12上的較低功率消耗。此外，所述分級(jí)位線(xiàn)配置可減少對(duì)未選存儲(chǔ)器單元12的干擾量，因 為僅鄰近于選定局部位線(xiàn)(LCN)404的未選局部位線(xiàn)(LCN)404可能經(jīng)歷干擾。另外，可通過(guò)僅向鄰近于選定局部位線(xiàn)(LCN)404的未選局部位線(xiàn)(LCN)404施加屏蔽控制信號(hào)而減少功率消耗。所述分級(jí)位線(xiàn)配置可包含耦合到相應(yīng)多路復(fù)用器(MUX)408的多個(gè)局部位線(xiàn)(LCN) 404。在示范性實(shí)施例中，4個(gè)局部位線(xiàn)(LCN) 404可耦合到相應(yīng)多路復(fù)用器(MUX) 408。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解，耦合到相應(yīng)多路復(fù)用器(MUX)408的局部位線(xiàn)(LCN)404的數(shù)目可變化。舉例來(lái)說(shuō)，8個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404、16個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404、32個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404、64個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404等可耦合到相應(yīng)多路復(fù)用器(MUX)408。所述分級(jí)位線(xiàn)配置可包含耦合到多個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408的全局位線(xiàn)(GCN)4060在示范性實(shí)施例中，全局位線(xiàn)(GCN)406可耦合到4個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解，耦合到全局位線(xiàn)(GCN)406的多路復(fù)用器(MUX)408的數(shù)目可變化。舉例來(lái)說(shuō)，8個(gè)多路復(fù)用器(MUX) 408、16個(gè)多路復(fù)用器(MUX) 408、32個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408、64個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408等可耦合到全局位線(xiàn)(GCN)406。每一全局位線(xiàn)(GCN)406可經(jīng)由多個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408耦合到多個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404。在示范性實(shí)施例中，每一全局位線(xiàn)(GCN)406可經(jīng)由4個(gè)多路復(fù)用器(MUX)408耦合到16個(gè)局部位線(xiàn)(LCN)404。每一存儲(chǔ)器單元12可由相應(yīng)源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412偏置。每一源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412可經(jīng)由多個(gè)局部源極線(xiàn)(LEN)410耦合到多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。在示范性實(shí)施例中，每一源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412可耦合到4個(gè)存儲(chǔ)器單元12。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解，耦合到源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412的存儲(chǔ)器單元12的數(shù)目可變化。舉例來(lái)說(shuō)，8個(gè)局部源極線(xiàn)(LEN)410、16個(gè)局部源極線(xiàn)(LEN) 410、32個(gè)局部源極線(xiàn)(LEN) 410、64個(gè)局部源極線(xiàn)(LEN) 410等可耦合到源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412。在示范性實(shí)施例中，耦合到源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器412的存儲(chǔ)器單元12的數(shù)目可等于耦合到多路復(fù)用器(MUX) 408的存儲(chǔ)器單元12的數(shù)目。參考圖5，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分級(jí)位線(xiàn)配置的多路復(fù)用器508的示意圖。如圖5中所展示，全局位線(xiàn)(GCN)506可經(jīng)由多路復(fù)用器508耦合到多個(gè)局部位線(xiàn)(LCN) 504。在示范性實(shí)施例中，多路復(fù)用器508可包含耦合到多個(gè)局部位線(xiàn)(LCN) 504及全局位線(xiàn)(GCN) 506的多個(gè)選擇晶體管(SEL)514。舉例來(lái)說(shuō)，每一選擇晶體管514可為N型或P型雙極結(jié)晶體管或者N溝道或P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。多個(gè)選擇晶體管(SEL)514中的每一者可經(jīng)偏置以將局部位線(xiàn)(LCN) 504選擇性地耦合到全局位線(xiàn)(GCN)506。在示范性實(shí)施例中，選擇晶體管(SEL〈0>)504可經(jīng)偏置以將局部位線(xiàn)(LCN<0>) 504耦合到全局位線(xiàn)(GCN) 506，而選擇晶體管(SEL〈1>、SEL〈2>及SEL〈3>)可經(jīng)偏置以將局部位線(xiàn)(LCN〈1>、LCN<2>及LCN〈3>) 504與全局位線(xiàn)(GCN) 506解耦。多路復(fù)用器508還可包含多個(gè)偏置晶體管對(duì)516。舉例來(lái)說(shuō)，每一偏置晶體管對(duì)516可包含N型或P型雙極結(jié)晶體管及/或N溝道或P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。每一偏置晶體管對(duì)516可耦合到全局保持線(xiàn)(GHL) 510及/或全局屏蔽線(xiàn)(GML) 512。每一偏置晶體管對(duì)516可包含保持晶體管(HD) 518及屏蔽晶體管(MSK) 520。在 示范性實(shí)施例中，每一保持晶體管(HD) 518可耦合到全局保持線(xiàn)(GHL) 510且每一屏蔽晶體管(MSK) 520可耦合到全局屏蔽線(xiàn)(GML) 512?？山?jīng)由局部位線(xiàn)(LCN) 504將控制信號(hào)施加到保持晶體管(HD) 518的柵極以偏置保持晶體管(HD) 518以便在保持操作期間將保持電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)將控制信號(hào)施加到保持晶體管(HD)518的柵極時(shí)，所述控制信號(hào)可致使多個(gè)保持晶體管(HD〈0>、HD〈1>、HD〈2>及HD〈3>)518呈現(xiàn)“接通”狀態(tài)。隨后，多個(gè)保持晶體管(HD〈0>、HD〈1>、HD〈2>及HD〈3>)518可經(jīng)由局部位線(xiàn)(LCN〈0>、LCN〈1>、LCN〈2及LCN〈3>)504將保持電壓電位輸出到對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。此外，可經(jīng)由局部位線(xiàn)(LCN) 504將控制信號(hào)施加到屏蔽晶體管(MSK) 520的柵極以偏置屏蔽晶體管(MSK)520以便在讀取及/或?qū)懭氩僮髌陂g將屏蔽電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)將控制信號(hào)施加到屏蔽晶體管(MSK) 520的柵極時(shí)，所述控制信號(hào)可致使與未選存儲(chǔ)器單元12相關(guān)聯(lián)的多個(gè)屏蔽晶體管(MSK〈0>、MSK〈1>、MSK<2>及/或MSK〈3>)520呈現(xiàn)“接通”狀態(tài)。隨后，多個(gè)屏蔽晶體管(MSK〈0>、MSK〈1>、MSK〈2>&/*MSK〈3>)518可經(jīng)由與未選存儲(chǔ)器單元12相關(guān)聯(lián)的局部位線(xiàn)(LCN〈0>、LCN〈1>、LCN〈2>及/或LCN〈3>) 504將屏蔽電壓電位輸出到對(duì)應(yīng)的多個(gè)未選存儲(chǔ)器單元12。參考圖6，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的分級(jí)位線(xiàn)配置的源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器608的示意圖。源極線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器608可包含多個(gè)偏置晶體管對(duì)616。舉例來(lái)說(shuō)，每一偏置晶體管對(duì)616可包含N型或P型雙極結(jié)晶體管及/或N溝道或P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。每一偏置晶體管對(duì)616可耦合到全局保持線(xiàn)(GHL)610及/或全局屏蔽線(xiàn)(GML)612。每一偏置晶體管對(duì)616可包含保持晶體管(HD)618及屏蔽晶體管(MSK)620。在示范性實(shí)施例中，每一保持晶體管(HD) 618可耦合到全局保持線(xiàn)(GHL) 610且每一屏蔽晶體管(MSK) 620可耦合到全局屏蔽線(xiàn)(GML) 612。可經(jīng)由局部源極線(xiàn)(LEN) 604將控制信號(hào)施加到保持晶體管(HD)618的柵極以偏置保持晶體管(HD)618以便在保持操作期間將保持電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)將控制信號(hào)施加到保持晶體管(HD) 618的柵極時(shí)，所述控制信號(hào)可致使多個(gè)保持晶體管(HD〈0>、HD〈1>、HD〈2>及HD〈3>)618呈現(xiàn)“接通”狀態(tài)。隨后，多個(gè)保持晶體管(HD〈0>、HD〈1>、HD〈2>及HD〈3>)618可經(jīng)由局部源極線(xiàn)(LEN〈0>、LEN〈1>、LEN〈2>及LEN〈3>)604將保持電壓電位輸出到對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元12。此外，可經(jīng)由局部源極線(xiàn)(LEN)604將控制信號(hào)施加到屏蔽晶體管(MSK)620的柵極以偏置屏蔽晶體管(MSK)620以便在讀取及/或?qū)懭氩僮髌陂g將屏蔽電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)將控制信號(hào)施加到屏蔽晶體管(MSK)620的柵極時(shí)，所述控制信號(hào)可致使與未選存儲(chǔ)器單元12相關(guān)聯(lián)的多個(gè)屏蔽晶體管(MSK〈0>、MSK〈1>、MSK<2>及/或MSK〈3>)620呈現(xiàn)“接通”狀態(tài)。隨后，多個(gè)屏蔽晶體管(MSK〈0>、MSK〈1>、MSK〈2>&/*MSK<3 618可經(jīng)由與未選存儲(chǔ)器單元12相關(guān)聯(lián)的局部源極線(xiàn)(LEN〈0>、LEN〈1>、LEN〈2>及/或LEN〈3>)604將屏蔽電壓電位輸出到對(duì)應(yīng)的多個(gè)未選存儲(chǔ)器單元12。參考圖7，其展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于執(zhí)行刷新操作的控制信號(hào)電壓波形。舉例來(lái)說(shuō)，所述刷新操作可包含一個(gè)或一個(gè)以上步驟。所述刷新操作可由于可不執(zhí)行讀取操作(例如，不激活數(shù)據(jù)感測(cè)放大器電路)而減少功率消耗量。此外，刷新操作可通過(guò)同時(shí)刷新耦合到選定局部位線(xiàn)(LCN) 30且耦合到選定字線(xiàn)(WL) 28的所有存儲(chǔ)器單元12而減少功率消耗量。此外，刷新操作可由于施加到源極線(xiàn)(EN) 32的電壓電位可在整個(gè)刷新操作期間保持恒定而減少功率消耗量。此外，通過(guò)使施加到源極線(xiàn)(EN) 32的電壓電位在整個(gè)刷新操作期間維持恒定，可減少對(duì)存儲(chǔ)器單元12的干擾量。所述刷新操作可包含經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上步驟的控制信號(hào)。在執(zhí)行刷新操作之前，所述控制信號(hào)可經(jīng)配置以執(zhí)行保持操作以便維持存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯高(二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))或邏輯低(二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài)))。特定 來(lái)說(shuō)，所述控制信號(hào)可經(jīng)配置以執(zhí)行保持操作以便最大化存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯低(二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))及/或邏輯高(二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài)))的保留時(shí)間。此外，用于保持操作的控制信號(hào)可經(jīng)配置以消除或減少存儲(chǔ)器單元12內(nèi)的活動(dòng)或場(chǎng)(例如，結(jié)之間的可能導(dǎo)致電荷泄漏的電場(chǎng))。在示范性實(shí)施例中，在保持操作期間，可將負(fù)電壓電位施加到可電容性地耦合到存儲(chǔ)器單元12的P-區(qū)122的字線(xiàn)(WL) 28，同時(shí)可使施加到其它區(qū)(例如，N+區(qū)120、N+區(qū)124及/或P+區(qū)126)的電壓電位維持在0V。舉例來(lái)說(shuō)，施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到存儲(chǔ)器單元12的P-區(qū)122)的負(fù)電壓電位可為-1.8V。在保持操作期間，可反向偏置N+區(qū)124與P-區(qū)122之間的結(jié)及N+區(qū)120與P-區(qū)122之間的結(jié)以便保留存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯高(二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))或邏輯低(二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài)))。在示范性實(shí)施例中，刷新操作的第一步驟可包含用以執(zhí)行開(kāi)始操作的準(zhǔn)備的控制信號(hào)，其中可將所述控制信號(hào)施加到存儲(chǔ)器單元12以便針對(duì)一個(gè)或一個(gè)以上后續(xù)步驟來(lái)準(zhǔn)備存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，可將預(yù)充電控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選定局部位線(xiàn)(LCN) 30以達(dá)到預(yù)定電壓電位?？山?jīng)由多路復(fù)用器(MUX) 408將預(yù)充電控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選定局部位線(xiàn)(LCN) 30。可將選擇控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL) 514以激活一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514。所述選擇控制信號(hào)可使一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)以便將所述預(yù)充電控制信號(hào)耦合到一個(gè)或一個(gè)以上對(duì)應(yīng)局部位線(xiàn)(LCN) 30。在示范性實(shí)施例中，所述預(yù)充電控制信號(hào)可將一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30預(yù)充電到O. 7V。刷新操作的第二步驟可包含用以施加到一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)器單元12以執(zhí)行開(kāi)始操作的準(zhǔn)備的控制信號(hào)，其中可將所述控制信號(hào)施加到存儲(chǔ)器單元12?？山?jīng)由載流子注入線(xiàn)(EP) 34將控制信號(hào)施加到存儲(chǔ)器單元12的P+區(qū)126。所述控制信號(hào)可經(jīng)由載流子注入線(xiàn)(EP) 34將預(yù)定電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元12的P+區(qū)126。在示范性實(shí)施例中，所述控制信號(hào)可經(jīng)由載流子注入線(xiàn)(EP) 34將大約I. OV到I. 2V施加到存儲(chǔ)器單元12的P+區(qū)126。施加到存儲(chǔ)器單元12的P+區(qū)126的控制信號(hào)將不致使第二雙極晶體管14b變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)。在示范性實(shí)施例中，刷新操作的第二步驟可與刷新操作的第一步驟同時(shí)執(zhí)行。在另一示范性實(shí)施例中，刷新操作的第二步驟可在刷新操作的第一步驟之后執(zhí)行。刷新操作的第三步驟可包含用以執(zhí)行開(kāi)始操作的準(zhǔn)備的控制信號(hào)，其中可將所述控制信號(hào)施加到存儲(chǔ)器單元12。舉例來(lái)說(shuō)，在將一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN)30預(yù)充電到預(yù)定電壓電位之后，可將解耦控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514且其使一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL) 514變?yōu)椤瓣P(guān)斷”狀態(tài)。在另一示范性實(shí)施例中，在將一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30預(yù)充電到預(yù)定電壓電位之后，可從一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514撤回選擇控制信號(hào)以便使一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514變?yōu)椤瓣P(guān)斷”狀態(tài)。一個(gè)或一個(gè)以上變?yōu)椤瓣P(guān)斷”的選擇晶體管(SEL) 514可將一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30與預(yù)充電控制信號(hào)解耦。在示范性實(shí)施例中，一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30可為電浮動(dòng)的。
刷新操作的第四步驟可包含經(jīng)配置以執(zhí)行讀取操作的控制信號(hào)。所述讀取操作可包含經(jīng)配置以對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列20的一個(gè)或一個(gè)以上選定行的一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上寫(xiě)入操作的控制信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，可對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列20的一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12及一個(gè)或一個(gè)以上選定行執(zhí)行讀取操作。舉例來(lái)說(shuō)，施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位的增加可比施加到局部位線(xiàn)(LCN)30及/或源極線(xiàn)(EN)32的電壓電位高預(yù)定電壓電位。所述預(yù)定電壓電位可為第一雙極晶體管14a及/或第二雙極晶體管14b的閾值電壓電位或正向偏置電壓電位。舉例來(lái)說(shuō)，所述預(yù)定電壓電位可為大約O. 7V。在示范性實(shí)施例中，可將施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位從-1.8V提升到0V。在邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的情況下，可使第一雙極晶體管14a變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，可正向偏置N+區(qū)120與P-區(qū)122之間的結(jié)且可反向偏置P-區(qū)122與N+區(qū)124之間的結(jié)，且可使第一雙極晶體管14a變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)。當(dāng)?shù)谝浑p極晶體管14a變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)時(shí)，可將N+區(qū)124 (例如，電浮動(dòng))放電到大約O. 2V以便使第二雙極晶體管14b變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)。通過(guò)使第二雙極晶體管14b變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)，可將多數(shù)電荷載流子注入到P-區(qū)122中以便刷新存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))。在邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的情況下，第一雙極晶體管14a可保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，N+區(qū)120與P-區(qū)122之間的結(jié)可不被正向偏置或可被弱正向偏置且P-區(qū)122與N+區(qū)124之間的結(jié)可或可不被正向偏置或者可被弱正向偏置，使得第一雙極晶體管14a可保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝浑p極晶體管14a保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)，N+區(qū)124(例如，電浮動(dòng))可不被放電且可保持于預(yù)定電壓電位(例如，預(yù)充電電壓電位)。當(dāng)N+區(qū)未被放電時(shí)，第二雙極晶體管14b可保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙p極晶體管14b保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)，多數(shù)電荷載流子可不注入到P-區(qū)122中以便不刷新存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。在示范性實(shí)施例中，當(dāng)P-區(qū)122中未積累電荷或積累少量的電荷以指示邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))時(shí)，P-區(qū)122與N+區(qū)124之間的結(jié)未被正向偏置且N+區(qū)124可不被放電(例如，維持經(jīng)預(yù)充電的電壓電位)。第二雙極晶體管14b可在N+區(qū)124未被放電時(shí)保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)且邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))可維持在存儲(chǔ)器單元12中。然而，當(dāng)P-區(qū)122中積累較大量的電荷以指示邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中時(shí)，P-區(qū)122與N+區(qū)124之間的結(jié)可經(jīng)弱正向偏置以耗盡存儲(chǔ)于P-區(qū)122中的多余電荷或?qū)⑵浞烹娨跃S持存儲(chǔ)器單元12中的邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。刷新操作的第五步驟可包含經(jīng)配置以對(duì)可能已使N+區(qū)124處的電壓電位放電(例如，到大約O. 2V)的存儲(chǔ)器單元12執(zhí)行寫(xiě)入邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))操作的控制信號(hào)。寫(xiě)入邏輯高操作可包含經(jīng)配置以將邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))寫(xiě)入到一個(gè)或一個(gè)以上選定存儲(chǔ)器單元12的控制信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，可將預(yù)定電壓電位施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)。在示范性實(shí)施例中，可將施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位從OV降低到-I. OV。在此偏置下，由于可在步驟四中變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)的第二雙極晶體管14b，多數(shù)電荷載流子可繼續(xù)注入到P-區(qū)122中。甚至在通過(guò)字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)施加的電壓電位從OV切換到-I. OV時(shí)，多數(shù)電荷載流子也可繼續(xù)注入到P-區(qū)122中。 舉例來(lái)說(shuō)，N+區(qū)124與P+區(qū)126之間的結(jié)可變得被正向偏置且多數(shù)電荷載流子(例如，空穴)可注入到P-區(qū)122中。P-區(qū)122可積累/存儲(chǔ)可表示高于N+區(qū)120處的電壓電位的預(yù)定電壓電位的電荷載流子量。在示范性實(shí)施例中，所述預(yù)定電壓電位可為高于N+區(qū)120處的電壓電位的O. 7V。在邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的情況下，第二雙極晶體管14b可保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)且多數(shù)電荷載流子可不注入到P-區(qū)122中。當(dāng)通過(guò)字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)施加的電壓電位從OV切換到-I. OV時(shí)，第二雙極晶體管14b可保持處于“關(guān)斷”狀態(tài)且多數(shù)電荷載流子可不注入到P-區(qū)122中。當(dāng)多數(shù)電荷載流子未注入到P-區(qū)122中時(shí)，可在存儲(chǔ)器單元12中維持邏輯低(例如，二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))。刷新操作的第六步驟可包含用以終止寫(xiě)入邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))操作的控制信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，可將耦合控制信號(hào)施加到一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL)514且其使一個(gè)或一個(gè)以上選擇晶體管(SEL) 514變?yōu)椤敖油ā睜顟B(tài)。一個(gè)或一個(gè)以上變?yōu)椤敖油ā钡倪x擇晶體管(SEL) 514可將預(yù)定電壓電位耦合到一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30以便使第二雙極晶體管14b變?yōu)椤瓣P(guān)斷”狀態(tài)且結(jié)束選定存儲(chǔ)器單元12中的寫(xiě)入邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))?？芍辽俨糠值鼗陂撝惦妷弘娢粊?lái)確定施加到一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30以結(jié)束寫(xiě)入邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))操作的預(yù)定電壓電位，低于所述閾值電壓電位，穿過(guò)N+區(qū)124與P+區(qū)126之間的結(jié)注入的多數(shù)電荷載流子即可為微不足道的。舉例來(lái)說(shuō)，施加到一個(gè)或一個(gè)以上局部位線(xiàn)(LCN) 30的預(yù)定電壓電位可為大約O. 7V。如上文所論述，可將施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位從OV降低到-I. OV且可將施加到局部位線(xiàn)(LCN) 30的電壓電位放電到大約O. 2V，同時(shí)可使經(jīng)由載流子注入線(xiàn)(EP) 34施加到P+區(qū)126的電壓電位維持在I. 0V。在此偏置下，P-區(qū)122與N+區(qū)124之間的結(jié)可變得被正向偏置使得可將邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))寫(xiě)入到P-區(qū)122 (例如，從P+區(qū)126到P-區(qū)122中的電荷注入)。刷新操作的第七步驟還可包含經(jīng)配置以執(zhí)行結(jié)束操作的準(zhǔn)備的控制信號(hào)。在刷新操作的第七步驟期間，施加到存儲(chǔ)器單元12的電壓電位可調(diào)整存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12中的電荷量(例如，數(shù)據(jù)狀態(tài)的指示)。在示范性實(shí)施例中，可將經(jīng)由載流子注入線(xiàn)(EP)34施加到P+區(qū)126的電壓電位降低到0V。可在寫(xiě)入邏輯高(例如，二進(jìn)制“I”數(shù)據(jù)狀態(tài))操作期間充電到高于N+區(qū)124處的電壓電位的大約O. 7V的P-區(qū)122可通過(guò)施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位低耦合到大約0V。施加到字線(xiàn)(WL) 28 (例如，電容性地耦合到P-區(qū)122)的電壓電位可降低到-I. 8V且可確定存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器單元12的P-區(qū)122中的電荷量(例如,數(shù)據(jù)狀態(tài)的指示)。此外,經(jīng)由位線(xiàn)(CN) 30施加到N+區(qū)124的電壓電位可降低到OV以返回到保持操作以便保留數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯低(二進(jìn)制“O”數(shù)據(jù)狀態(tài))或邏輯高( 二進(jìn)制“ I ”數(shù)據(jù)狀態(tài)))。此時(shí)，應(yīng)注意，提供用于刷新如上文所描述的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)通常涉及處理輸入數(shù)據(jù)及在某一程度上產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)。可以硬件或軟件來(lái)實(shí)施此輸入數(shù)據(jù)處理及輸出數(shù)據(jù)產(chǎn)生。舉例來(lái)說(shuō)，可在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置或用于實(shí)施與刷新如上文所描述的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的功能的類(lèi)似或相關(guān)電路中采用特定電子組件?；蛘撸鶕?jù)指令操作的一個(gè)或一個(gè)以上處理器可實(shí)施與刷新如上文所描述的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的功能。如果情況如此，那么以下在本發(fā)明的范圍內(nèi)此些指令可存儲(chǔ)于一個(gè)或一個(gè)以上處理器可讀媒體(例如，磁盤(pán)或其它存儲(chǔ)媒體)上或者經(jīng)由包含于一個(gè)或一個(gè)以上載波中的一個(gè)或一個(gè)以上信號(hào)發(fā)射到一個(gè)或一個(gè)以上處理器。本發(fā)明在范圍上并不受本文中所描述的特定實(shí)施例限制。確實(shí)，根據(jù)前文描述及附圖，除本文中所描述的那些實(shí)施例以外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還將明了本發(fā)明的其它各種實(shí)施例及對(duì)本發(fā)明的修改。因此，此些其它實(shí)施例及修改打算歸屬于本發(fā)明的范圍。此夕卜，雖然本文中已出于特定目的在特定環(huán)境中的特定實(shí)施方案的背景下描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到其使用性并不限于此且可出于任何數(shù)目的目的在任何數(shù)目的環(huán)境中來(lái)有益地實(shí)施本發(fā)明。因此，應(yīng)依照本文中所描述的本發(fā)明的完全廣度及精神來(lái)解釋上文所闡述的權(quán)利要求書(shū)。
權(quán)利要求
1.一種用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，其包括以下步驟 將多個(gè)電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)器單元，其中將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元包括 經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)源極線(xiàn)將第一電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第一區(qū)； 經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)局部位線(xiàn)及相應(yīng)選擇晶體管將第二電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第二區(qū)； 將第三電壓電位施加到所述陣列的相應(yīng)字線(xiàn)，其中所述字線(xiàn)與所述存儲(chǔ)器單元的主體區(qū)間隔開(kāi)且電容性地耦合到所述主體區(qū)，所述主體區(qū)為電浮動(dòng)的且安置于所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間 '及 經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)載流子注入線(xiàn)將第四電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第三區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述相應(yīng)局部位線(xiàn)耦合到多路復(fù)用器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述多路復(fù)用器耦合到全局位線(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述多路復(fù)用器包括耦合到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的至少一個(gè)屏蔽晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述多路復(fù)用器進(jìn)一步包括耦合到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的至少一個(gè)保持晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述相應(yīng)選擇晶體管耦合到所述至少一個(gè)屏蔽晶體管及所述至少一個(gè)保持晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的所述刷新期間經(jīng)由所述相應(yīng)源極線(xiàn)使施加到所述第一區(qū)的所述第一電壓電位維持在恒定電平。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括將選擇控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以激活所述相應(yīng)選擇晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其進(jìn)一步包括經(jīng)由所述經(jīng)激活的相應(yīng)選擇晶體管從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)源極線(xiàn)的所述第二電壓電位增加施加到所述相應(yīng)源極線(xiàn)的所述第二電壓電位。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位增加施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括將解耦控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以去激活所述相應(yīng)選擇晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，在所述相應(yīng)選擇晶體管被去激活之后，所述相應(yīng)局部位線(xiàn)為電浮動(dòng)的。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括從在保持操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位增加施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位以便執(zhí)行讀取操作。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第三電壓電位的所述增加激活所述存儲(chǔ)器單元以減小施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯低操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位減小施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位以執(zhí)行寫(xiě)入邏輯高操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位高于在保持操作期間施加到所述相應(yīng)字線(xiàn)的所述第三電壓電位。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括將耦合控制信號(hào)施加到所述相應(yīng)選擇晶體管以激活所述相應(yīng)選擇晶體管以便執(zhí)行寫(xiě)入邏輯高操作的結(jié)束。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括將施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位放電以正向偏置所述第二區(qū)與所述第三區(qū)之間的結(jié)。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位減小施加到所述相應(yīng)載流子注入線(xiàn)的所述第四電壓電位以執(zhí)行保持操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其進(jìn)一步包括從在寫(xiě)入邏輯高操作期間施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位減小施加到所述相應(yīng)局部位線(xiàn)的所述第二電壓電位以執(zhí)行保持操作。
全文摘要
本發(fā)明揭示用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的技術(shù)。在一個(gè)特定示范性實(shí)施例中，可將所述技術(shù)實(shí)現(xiàn)為一種用于刷新半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法可包含將多個(gè)電壓電位施加到存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)器單元。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可包含經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)源極線(xiàn)將第一電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第一區(qū)。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元還可包含經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)局部位線(xiàn)及相應(yīng)選擇晶體管將第二電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第二區(qū)。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包含將第三電壓電位施加到所述陣列的相應(yīng)字線(xiàn)，其中所述字線(xiàn)可與所述存儲(chǔ)器單元的主體區(qū)間隔開(kāi)且電容性地耦合到所述主體區(qū)，所述主體區(qū)可為電浮動(dòng)的且安置于所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間。將多個(gè)電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元可進(jìn)一步包含經(jīng)由所述陣列的相應(yīng)載流子注入線(xiàn)將第四電壓電位施加到所述存儲(chǔ)器單元的第三區(qū)。
文檔編號(hào)G11C11/406GK102884582SQ201180022749
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月6日
發(fā)明者埃里克·卡曼 申請(qǐng)人:美光科技公司