專利名稱：存儲器中的寫入能量保存的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來說涉及電子存儲器。更特定來說，本發(fā)明涉及有效率地將數(shù)據(jù)寫入到電阻式存儲器，例如磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。
背景技術(shù)：
為了將數(shù)據(jù)寫入到任何基于電阻的存儲器中，直流一般流動通過所述存儲器歷時一時間周期。為了節(jié)省電力，(例如關(guān)于電池供電的裝置或“綠色”裝置)應(yīng)減少電流的量及/或電流流動的時間長度。電流必須足夠強(qiáng)以改變基于電阻的存儲器的存儲器單元的狀態(tài)。施加電流的時間長度控制著寫入成功的概率，較長的寫入操作增加成功寫入操作的概率。

發(fā)明內(nèi)容
寫入操作的較低電力由三階段寫入操作產(chǎn)生。具有短寫入脈沖的第一寫入信號將數(shù)據(jù)寫入到大多數(shù)位。接著發(fā)生讀取以確定在所述第一寫入信號期間是否有任何位未寫入。具有較長寫入脈沖的第二寫入信號寫入經(jīng)確定為在所述第一寫入脈沖期間未寫入的任何位。在一個實施例中，一種用于將數(shù)據(jù)寫入到存儲器的方法包括響應(yīng)于第一可編程寫入信號而將所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器的存儲器單元陣列。所述方法還包括在所述第一可編程寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)。所述方法進(jìn)一步包括比較所述所存儲數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所有所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述存儲器。所述方法還包括響應(yīng)于第二可編程寫入信號，將經(jīng)確定為在所述第一可編程寫入信號期間未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列。在另一實施例中，一種存儲器電路包括存儲器單元陣列、寫入驅(qū)動器、傳感器及比較器。所述寫入驅(qū)動器響應(yīng)于第一可編程寫入脈沖而產(chǎn)生第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)寫入到存儲器單元陣列。所述傳感器在所述第一可編程寫入脈沖產(chǎn)生之后感測來自所述所選擇單元陣列的所存儲數(shù)據(jù)。所述比較器比較所述所感測數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所有所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述所選擇存儲器單元陣列。所述寫入驅(qū)動器還響應(yīng)于第二可編程寫入信號而產(chǎn)生第二寫入信號，以將經(jīng)確定為在所述第一寫入信號期間未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述所選擇存儲器單元陣列。在又一實施例中，一種計算機(jī)可讀媒體有形地存儲用于將數(shù)據(jù)寫入到電阻式存儲器的指令。所述媒體包括用以產(chǎn)生第一可編程寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)寫入到所述電阻式存儲器的存儲器單元陣列的指令。所述媒體還存儲用以在所述第一可編程寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)的指令。所述媒體還存儲用以逐位地比較所述所讀取數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所有所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述電阻式存儲器的指令。所述媒體進(jìn)一步存儲用以產(chǎn)生可編程第二寫入信號以將經(jīng)確定為在所述第一可編程寫入信號期間未寫入的所接收數(shù)據(jù)位寫入到所述存儲器單元陣列的指令。
在再一實施例中，一種電阻式存儲器電路具有存儲器單元陣列、產(chǎn)生裝置、讀取裝置及比較裝置。所述產(chǎn)生裝置產(chǎn)生第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)位寫入到所選擇存儲器單元陣列。所述讀取裝置在所述第一寫入信號之后從所述所選擇單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)。所述比較裝置比較所述所讀取數(shù)據(jù)的每一位與所述所接收數(shù)據(jù)位來確定所述所接收數(shù)據(jù)位中的每一者是否被寫入到所述所選擇存儲器單元陣列。所述產(chǎn)生裝置還產(chǎn)生相比于所述第一寫入信號具有更長脈沖寬度的第二寫入信號以將經(jīng)確定為在所述第一寫入信號期間未寫入的所接收數(shù)據(jù)位寫入到所述所選擇存儲器單元陣列。前述內(nèi)容已相當(dāng)廣泛地概括了本發(fā)明的特征及技術(shù)優(yōu)點，以便可更好地理解隨后的詳細(xì)描述。下文中將描述形成本發(fā)明的權(quán)利要求書的標(biāo)的的額外特征及優(yōu)點。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所揭示的概念及特定實施例可易于用作修改或設(shè)計用于執(zhí)行本發(fā)明的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識到，這些等效構(gòu)造不脫離如所附權(quán)利要求書中所闡述的本發(fā)明的技術(shù)。當(dāng)結(jié)合隨附圖式考慮時，將從以下描述更好地理解據(jù)信為本發(fā)明所特有的新穎特征(關(guān)于其組織及操作方法兩者)連同其它目標(biāo)及優(yōu)點。然而，應(yīng)明確理解，僅為說明及描述的目的而提供所述圖式中的每一者，且所述圖式中的每一者并不既定作為對本發(fā)明的限制的界定。


為了對本發(fā)明有更完整的理解，現(xiàn)參考結(jié)合隨附圖式所進(jìn)行的以下描述。圖I為展示可有利地使用本發(fā)明的實施例的示范性無線通信系統(tǒng)的框圖。圖2A到2C為展示三階段寫入操作的操作的框圖。圖3為展示示范性位單元的電路圖。圖4為展示示范性寫入驅(qū)動及讀出放大器的電路圖。圖5為在低時鐘頻率系統(tǒng)中的與入的時序圖。圖6為在高時鐘頻率系統(tǒng)中的寫入的時序圖。
具體實施例方式本發(fā)明涉及在將數(shù)據(jù)寫入到存儲器(例如，電阻式存儲器)時減少電力消耗。盡管以下描述涉及電阻式存儲器，但教示還適用于直流在一操作模式中流動的其它形式的存儲器。示范性類型的電阻式存儲器包括磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、相變(PC)存儲器及固體電解質(zhì)存儲器。這些類型的存儲器具有廣泛多種用途，包括并入到無線通信系統(tǒng)及裝置中…等等。圖I為說明可有利地使用此存儲器的示范性無線通信系統(tǒng)100的框圖。為說明的目的，圖I展示三個遠(yuǎn)程單元120、130及150與兩個基站140。應(yīng)認(rèn)識到，無線通信系統(tǒng)可具有更多的遠(yuǎn)程單元及基站。遠(yuǎn)程單元120、130及150分別包括改進(jìn)的電阻式存儲器125A、125B及125C，電阻式存儲器125AU25B及125C為如下文中進(jìn)一步論述的實施例。圖I展示從基站140及遠(yuǎn)程單元120、130及150的前向鏈路信號180，與從遠(yuǎn)程單元120、130及150到基站140的反向鏈路信號190。在圖I中，將遠(yuǎn)程單元120展示為移動電話，將遠(yuǎn)程單元130展示為便攜式計算機(jī)，且將遠(yuǎn)程單元150展示為無線本地回路系統(tǒng)中的計算機(jī)。盡管圖I中所描繪的實例實施例根據(jù)本發(fā)明的教示說明遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明并不限于這些示范性所說明單元。舉例來說，遠(yuǎn)程單元可為手機(jī)、手持型個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、例如個人數(shù)據(jù)助理等便攜式數(shù)據(jù)單元，或例如儀表讀取設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元?？蓪⒈景l(fā)明合適地用于包括改進(jìn)的電阻式存儲器的任何裝置中。改進(jìn)的電阻式存儲器有效率地執(zhí)行寫入操作。當(dāng)啟用寫入脈沖時，在所述寫入脈沖的持續(xù)時間內(nèi)，消耗直流(DC)電力。通過僅針對需要被寫入的那些位開放寫入線，可節(jié)省電力。現(xiàn)參看圖2A到2C，展示說明針對基于電阻的存儲器的示范性電力節(jié)省寫入操作的框圖的進(jìn)展?；陔娮璧拇鎯ζ?0包括多個存儲器單元陣列200，為了解釋的清晰起見僅描繪存儲器單兀陣列200中的一者。盡管圖2A到2C的框圖根據(jù)本教示的一個實施例呈現(xiàn)寫入程序的高級進(jìn)展，但關(guān)于存儲器單元陣列200的電路配置的一些細(xì)節(jié)對于解釋寫入過程的目的將為有益的。圖3為更詳細(xì)地說明存儲器單元陣列200的示范性位單元的電路圖。在此實例中，電阻式位單 元為自旋力矩轉(zhuǎn)移(STT)MRAM單元30。STT MRAM單元30包括耦合到磁性隧道結(jié)(MTJ) 32的位線bl。在此圖式中，將MTJ 32表示為電阻器。通過門34耦合于MTJ 32與源極線si之間。通過門34由字線wl控制。在所描繪的實施例中，通過門34為N溝道MOSFET(NMOS)。通過斷言字線wl來開放通過門34，將位線bl接地且將源極線Si連接到電源，將I寫入到MTJ 32并由此寫入到位單元。當(dāng)由字線wl開放通過門34時，將源極線Si接地且將位線bl連接到電源會將O寫入到MTJ 32。返回到圖2A，在寫入到存儲器單元陣列200中之前，將寫入輸入數(shù)據(jù)220預(yù)加載到寫入驅(qū)動器210中。一旦接收到地址信息且發(fā)出寫入命令，則寫入驅(qū)動器210將數(shù)據(jù)寫入到經(jīng)尋址的存儲器單元陣列200中。在此寫入期間，位單元中的每一者消耗電流。然而，在一個實施例中，寫入是使用低能量寫入脈沖來執(zhí)行，由此減少總電流消耗?？山?jīng)由縮短的脈沖或通過具有減小的電流的脈沖來實施低能量寫入脈沖。如圖2A中所展示，在低能量寫入之后在單元陣列200中的所存儲數(shù)據(jù)包括未經(jīng)恰當(dāng)寫入的位單元(即，從左邊起的第二個位保持為0，但其應(yīng)為I)?，F(xiàn)參看圖2B，系統(tǒng)辨識出所述位單元中的不恰當(dāng)數(shù)據(jù)。讀取是通過讀取讀出放大器及比較器230而發(fā)生。一旦從單元陣列200讀取數(shù)據(jù)，則讀取讀出放大器及比較器230逐位地比較讀取數(shù)據(jù)與寫入輸入數(shù)據(jù)220。作為比較的結(jié)果，認(rèn)識到，從左邊位單元起的第二個位單元包括不恰當(dāng)值。應(yīng)注意，在此系統(tǒng)中讀取電力顯著低于寫入電力，且由此讀取并不顯著影響總電力消耗。現(xiàn)參看圖2C，描述第二寫入。為了節(jié)省電力，在第二寫入中僅寫入經(jīng)確定為含有不正確數(shù)據(jù)的位單元。在一個實施例中，針對第二寫入停用含有正確位信息的多個列。因此，系統(tǒng)對源極線Si及位線bl施加零電流。當(dāng)啟用字線wl時，不對經(jīng)正確寫入的單元進(jìn)行寫入，這是因為所述經(jīng)正確寫入的單元從位線bl到源極線Si未看見電位。然而，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定源極線si及位線bl而對不正確寫入的位單元進(jìn)行重寫入。在一個實施例中，第二寫入具有較高能量寫入脈沖以確保此次寫入所述位單元?？墒褂幂^長的寫入脈沖或具有較高電流的脈沖來實施較高能量寫入脈沖。如圖2C中所見，此次將從左邊位單元起的第二位單元寫入為O?，F(xiàn)參看圖4，展示說明示范性寫入驅(qū)動器及讀出放大器電路的電路圖。在此實例中，源極線si處于高且位線bl接地會寫入I。讀出放大器/比較器230 (圖2A到2C)接收來自參考線ref的參考數(shù)據(jù)及來自位線bl的數(shù)據(jù)。參考數(shù)據(jù)為特定位單元的寫入輸入數(shù)據(jù)220 (圖2A到2C)。來自位線bl的數(shù)據(jù)為存儲于單元陣列200 (圖2A到2C)的所述位單元中的數(shù)據(jù)。如果讀出放大器/比較器230 (圖2A到2C)確定位線數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)相同，則不需要對正從其讀取的位單元進(jìn)行重寫入。即，在第一低能量寫入期間數(shù)據(jù)被正確地寫入。因此，讀出放大器/比較器230 (圖2A到2C)將O輸出到NAND (與非)門42、43。因此，反相器44、45接收I且將O輸出到位線bl及源極線Si。即使寫入啟用控制線WREN將I傳遞到NAND門42、43以啟用寫入，讀出放大器/比較器230 (圖2A到2C)也通過控制NAND門42、43而超馳寫入命令。即，讀出放大器/比較器230(圖2A到2C)辨識出數(shù)據(jù)被正確寫入，因此即使寫入啟用命令指示較高能量寫入，讀出放大器/比較器230也防止較高能量寫入，這是因為已確定不需要對所述位單元進(jìn)行寫入。在讀出放大器/比較器230 (圖2A到2C)未確定位線數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)相同的狀況下，讀出放大器/比較器230將I輸出到NAND門42、43?；趯懭雴⒂眯盘柤皩懭腧?qū)動器信號，較高能量寫入操作接著正常地進(jìn)行。
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舉例來說，當(dāng)寫入啟用線WREN上的寫入啟用信號為I時，寫入驅(qū)動器線WD上的寫入驅(qū)動器信號及寫入驅(qū)動器條線bWD上的寫入驅(qū)動器條信號控制施加到位線bl及源極線Si的電流。如果寫入驅(qū)動器信號為高(寫入驅(qū)動器條信號為低)，則源極線Si連接到電源且位線bl接地，從而導(dǎo)致I寫入到位單元。如果寫入驅(qū)動器信號為低(寫入驅(qū)動器條信號為高)，則源極線Si接地且位線bl連接到電源，從而導(dǎo)致O寫入到位單元。如果寫入啟用信號為0，那么將不會發(fā)生寫入，其中位線BL及源極線SL兩者接地。前面的描述是參考只要從單元陣列讀出位便比較數(shù)據(jù)路徑自身中的數(shù)據(jù)的電路。可易于在局部數(shù)據(jù)路徑中獲得比較的兩個操作數(shù)。此局部比較使用較少動態(tài)電力，這是因為將切換較小的電容。在另一實施例中，為了比較而將讀取數(shù)據(jù)引出存儲器。在一些實施例中，第一低能量寫入為任選的。即，首先發(fā)生讀取來確定每一位單元當(dāng)前存儲何內(nèi)容，且接著針對需要更新的位單元發(fā)生較高能量寫入。在其它實施例中，僅發(fā)生第二個較高能量寫入。即，不發(fā)生讀取，而僅發(fā)生單一可靠寫入。可基于系統(tǒng)的時鐘頻率及所要的電力優(yōu)化來確定前兩個階段是否為任選的。舉例來說，如果某一技術(shù)一般需要40ns來可靠地寫入數(shù)據(jù)，則添加第一個IOns寫入脈沖將存在極少益處。因此，在此狀況下，將不會出現(xiàn)第一脈沖。另一方面，如果所述技術(shù)導(dǎo)致以較短的脈沖寫入大多數(shù)位單元的高概率，則認(rèn)為第一寫入為有益的且將被包括在內(nèi)。在一些實施例中，所述三個階段出現(xiàn)于單一時鐘循環(huán)中。在其它實施例中，不同階段出現(xiàn)于不同循環(huán)中。圖5為展示低時鐘頻率系統(tǒng)中的操作的時序圖。寫入命令出現(xiàn)于第一時鐘循環(huán)的上升沿50處。響應(yīng)于所述寫入命令，啟用字線wl且斷言內(nèi)部寫入信號write_int。內(nèi)部寫入信號write_int觸發(fā)用于第一寫入的短寫入脈沖。在第一寫入之后，內(nèi)部讀取信號read_int觸發(fā)讀取操作。比較(未圖示)也在此時發(fā)生。在所述讀取及比較之后，另一內(nèi)部寫入信號write_int觸發(fā)長寫入。長寫入的完成觸發(fā)字線wl的撤銷斷言。注意，所有事件發(fā)生于單一時鐘循環(huán)內(nèi)。在下一時鐘循環(huán)的上升沿52處，另一寫入命令發(fā)出且相同事件跟著發(fā)生。
盡管圖5展示字線wl在所述讀取及比較期間保持為啟用的，但其它實施例在所述讀取及比較期間撤銷斷言字線wl且在所述讀取及比較之后再斷言字線《I。圖6為展示高時鐘頻率系統(tǒng)中的操作的時序圖。在此狀況下,歸因于高頻率,所有事件不可發(fā)生于單一時鐘循環(huán)中。因此，在讀取與第二寫入的持續(xù)時間內(nèi)發(fā)出不操作信號NOP。通過最初以短脈沖寫入，系統(tǒng)試圖對易于寫入的所有單元進(jìn)行寫入。由于過程變化等等，一些單元相比于其它單元更易于寫入。第一寫入試圖以短脈沖涵蓋所有弱單元。所花費的能量得以減少，這是因為時間長度減少。因此，在第一寫入的情況下，以比正常長度脈沖少的能量捕獲大多數(shù)位單元。接著發(fā)生讀取，并比較所存儲數(shù)據(jù)與寫入輸入數(shù)據(jù)。消耗更多能量的第二讀取僅針對在第一寫入期間未恰當(dāng)寫入的位單元而發(fā)生。盡管前述揭示內(nèi)容涉及節(jié)省電力，但除了減少的電力外或替代于減少的電力，可實現(xiàn)改善的可靠性。舉例來說，兩種寫入可為相同的長度，其中第二寫入是用于確?？煽康?寫入數(shù)據(jù)的目的。盡管已闡述特定電路，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，并不需要所有所揭示電路來實踐本發(fā)明。此外，為了將焦點維持于本發(fā)明，未描述某些眾所周知的電路。類似地，盡管描述在某些位置提及邏輯“O”及邏輯“ I ”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員了解可切換邏輯值，其中相應(yīng)地調(diào)整電路的剩余部分而不影響本發(fā)明的操作。盡管已詳細(xì)描述本發(fā)明及其優(yōu)點，但應(yīng)理解，在不脫離如由所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的技術(shù)的情況下，可在本文中作出各種改變、取代及變更。此外，本申請案的范圍并不既定限于本說明書中所描述的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟的特定實施例。如一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于從本發(fā)明了解，可根據(jù)本發(fā)明利用當(dāng)前存在或日后待開發(fā)的執(zhí)行與本文中所描述的對應(yīng)實施例實質(zhì)上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)實質(zhì)上相同的結(jié)果的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求書既定將這些過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包括于其范圍內(nèi)。取決于本申請案，可通過各種組件實施本文中所描述的方法。舉例來說，這些方法可以硬件、固件、軟件或其任何組合實施。對于硬件實施方案，可在一個或一個以上專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、數(shù)字信號處理裝置(DSPD)、可編程邏輯裝置(PLD)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、處理器、控制器、微控制器、微處理器、電子裝置、經(jīng)設(shè)計以執(zhí)行本文中所描述的功能的其它電子單元或其組合內(nèi)實施處理單元。對于固件及/或軟件實施方案，可通過執(zhí)行本文中所描述的功能的模塊(例如，過程、函數(shù)等等)來實施所述方法。在實施本文中所描述的方法時，可使用有形地體現(xiàn)指令的任何機(jī)器可讀媒體。舉例來說，軟件代碼可存儲于存儲器中并由處理器單元執(zhí)行?？稍谔幚砥鲉卧獌?nèi)或處理器單元外部實施存儲器。如本文中所使用，術(shù)語“存儲器”指代任何類型的長期存儲器、短期存儲器、易失性存儲器、非易失性存儲器或其它存儲器，且術(shù)語“存儲器”限于任何特定存儲器類型或存儲器數(shù)目，或存儲器存儲于其上的媒體類型。如果以固件及/或軟件來實施，則功能可作為一個或一個以上指令或代碼而存儲于計算機(jī)可讀媒體上。實例包括以數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)編碼的計算機(jī)可讀媒體及以計算機(jī)程序編碼的計算機(jī)可讀媒體。計算機(jī)可讀媒體包括物理計算機(jī)存儲媒體。存儲媒體可為可由計算機(jī)存取的任何可用媒體。作為實例且非限制，這些計算機(jī)可讀媒體可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或可用以存儲呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的所要程序代碼且可由計算機(jī)存取的任何其它媒體。如本文中所使用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再生數(shù)據(jù)，而光盤通過激光以光學(xué)方式再生數(shù)據(jù)。上述內(nèi)容的組合也應(yīng)包括于計算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。除了存儲于計算機(jī)可讀媒體上外，指令及/或數(shù)據(jù)還可作為信號提供于包括于通 信設(shè)備內(nèi)的傳輸媒體上。舉例來說，通信設(shè)備可包括具有指示指令及數(shù)據(jù)的信號的收發(fā)器。所述指令及數(shù)據(jù)經(jīng)配置以使一個或一個以上處理器實施權(quán)利要求書中所概括的功能。
權(quán)利要求
1.一種用于將數(shù)據(jù)寫入到存儲器的方法，其包含 響應(yīng)于第一可編程寫入信號而將所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器的存儲器單元陣列； 在所述第一可編程寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)； 比較所述所存儲數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所有所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述存儲器 '及 響應(yīng)于第二可編程寫入信號，將被確定為在所述第一可編程寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述存儲器為電阻式存儲器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一可編程寫入信號相比于所述第二可編程 寫入信號具有較短的持續(xù)時間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一可編程寫入信號相比于所述第二可編程寫入信號具有較長的持續(xù)時間或相等的持續(xù)時間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包含產(chǎn)生所述第一可編程寫入信號且在同一時鐘循環(huán)中產(chǎn)生所述第二可編程寫入信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將被確定為在所述第一可編程寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列包含將對應(yīng)于被確定為在所述第一可編程寫入信號期間尚未寫入的每一存儲器單元的源極線及位線接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述比較局部地發(fā)生。
8.一種存儲器電路，其包含 多個存儲器單元陣列； 寫入驅(qū)動器，其響應(yīng)于第一可編程寫入信號而產(chǎn)生第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)寫入到至少一個存儲器單元陣列； 傳感器，其響應(yīng)于所述第一寫入信號而感測來自所述存儲器單元陣列的所存儲數(shù)據(jù)；及 比較器，其比較所述所存儲數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述存儲器單元陣列，所述寫入驅(qū)動器響應(yīng)于第二可編程寫入信號而產(chǎn)生第二寫入信號以將被確定為在所述第一寫入信號期間尚未寫入的數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器電路，其中所述第一可編程寫入信號比所述第二可編程寫入信號的持續(xù)時間短。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器電路，其中每一存儲器單元包含磁性隧道結(jié)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器電路，其中每一存儲器單元進(jìn)一步包含耦合到所述磁性隧道結(jié)的位線及選擇性地耦合到所述磁性隧道結(jié)的源極線。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器電路，其集成到至少一個半導(dǎo)體裸片中。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器電路，其進(jìn)一步包含選自由下列各物組成的群組的裝置機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計算機(jī)，所述電阻式存儲器電路集成到所述裝置中。
14.一種計算機(jī)可讀媒體，其有形地存儲用于將數(shù)據(jù)寫入到電阻式存儲器的指令，所述計算機(jī)可讀媒體包含 用以產(chǎn)生可編程第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)寫入到所述電阻式存儲器的存儲器單元陣列的指令； 用以在所述第一可編程寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)的指令； 用以逐位地比較所述所讀取數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所述所接收數(shù)據(jù)中的每一者是否被寫入到所述電阻式存儲器的指令；及 用以產(chǎn)生可編程第二寫入信號以將被確定為在所述第一可編程寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列的指令。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的媒體，其中所述第一可編程寫入信號比所述第二可編程寫入信號的持續(xù)時間短。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的媒體，其進(jìn)一步包含用以產(chǎn)生所述第一可編程寫入信號且在不同的時鐘循環(huán)中產(chǎn)生所述第二可編程寫入信號的指令。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的媒體，其進(jìn)一步包含用以將對應(yīng)于被確定為在所述第一寫入脈沖期間尚未寫入的每一存儲器單元的源極線及位線接地的指令。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的媒體，其集成到選自由下列各物組成的群組的裝置中機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計算機(jī)。
19.一種用于將數(shù)據(jù)寫入到存儲器的方法，其包含以下步驟 產(chǎn)生可編程第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器的存儲器單元陣列； 在所述第一可編程寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)； 比較所述所讀取數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)來確定所有所述所接收數(shù)據(jù)是否被寫入到所述存儲器 '及 產(chǎn)生可編程第二寫入信號以將被確定為在所述第一可編程寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器單元陣列，所述第一可編程寫入信號比所述第二可編程寫入信號的持續(xù)時間短。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進(jìn)一步包含將所述產(chǎn)生步驟、所述讀取步驟及所述比較步驟集成到選自由下列各物組成的群組的裝置中的步驟機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元及計算機(jī)。
21.一種電阻式存儲器電路，其包含 多個存儲器單元陣列； 用于產(chǎn)生第一寫入信號以將所接收數(shù)據(jù)位寫入到所選擇存儲器單元陣列的裝置； 用于在所述第一寫入信號之后從所述所選擇單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)的裝置；及 用于比較所述所讀取數(shù)據(jù)的每一位與所述所接收數(shù)據(jù)位來確定所述所接收數(shù)據(jù)位中的每一者是否被寫入到所述所選擇存儲器單元陣列的裝置，所述產(chǎn)生裝置產(chǎn)生相比于所述第一寫入信號具有更長脈沖寬度的第二寫入信號來將被確定為在所述第一寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)位寫入到所述所選擇存儲器單元陣列。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電阻式存儲器電路，其集成到至少一個自旋力矩轉(zhuǎn)移STT磁性隨機(jī)存取存儲器MRAM半導(dǎo)體裸片中。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種將數(shù)據(jù)寫入到例如自旋力矩轉(zhuǎn)移磁性隨機(jī)存取存儲器STT-MRAM等電阻式存儲器的方法。所述方法響應(yīng)于第一寫入信號而將所接收數(shù)據(jù)位寫入到存儲器單元陣列。所述方法還在所述第一寫入信號產(chǎn)生之后從所述存儲器單元陣列讀取所存儲數(shù)據(jù)，且接著比較所述所存儲數(shù)據(jù)與所述所接收數(shù)據(jù)位來確定所述所接收數(shù)據(jù)位中的每一者是否被寫入到所述存儲器。響應(yīng)于第二寫入信號，寫入被確定為在所述第一寫入信號期間尚未寫入的所接收數(shù)據(jù)位。
文檔編號G11C11/16GK102884581SQ201180022892
公開日2013年1月16日 申請日期2011年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者哈里·M·拉奧, 金正丕, 金太賢, 朱曉春, 李康浩, 郝武揚 申請人:高通股份有限公司