專利名稱：交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例總地涉及用于將硬盤驅(qū)動(dòng)器中的讀/寫頭電連接到讀/寫電子系統(tǒng)的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動(dòng)器一般包括旋轉(zhuǎn)剛性磁存儲(chǔ)盤和致動(dòng)器，致動(dòng)器用于將頭滑塊相對(duì)于盤的旋轉(zhuǎn)軸定位于不同徑向位置處，由此在盤的每個(gè)記錄表面上定義多個(gè)同心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)道。 盡管本領(lǐng)域已知多種致動(dòng)器結(jié)構(gòu)，但是現(xiàn)在最頻繁采用的是同軸旋轉(zhuǎn)音圈致動(dòng)器，因?yàn)樗鼈兒唵?、高性能，且它們能關(guān)于其旋轉(zhuǎn)軸質(zhì)量平衡，后者對(duì)于使致動(dòng)器少受擾動(dòng)影響而言是重要的。傳統(tǒng)上采用盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的閉環(huán)伺服系統(tǒng)來操作音圈致動(dòng)器且由此相對(duì)于盤表面定位頭。頭滑塊上的氣墊面支承頭滑塊以小的距離離開磁盤的表面。頭滑塊還包括用于寫數(shù)據(jù)到磁盤和從磁盤讀取數(shù)據(jù)的讀/寫頭。讀/寫頭通過電導(dǎo)線或?qū)w連接到相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器電子系統(tǒng)，例如位于附近的前置放大器芯片和通常(與其他電路一起)承載于貼附到頭/ 盤組件的電路板上的下游讀通道電路。單讀/寫頭設(shè)計(jì)通常需要兩條導(dǎo)線連接，而具有分開的讀元件和寫元件的雙讀/寫頭設(shè)計(jì)需要四條導(dǎo)線連接。特別地，磁致電阻頭一般需要四條導(dǎo)線。頭滑塊一般安裝到萬向彈性件結(jié)構(gòu)(gimbaled flexure structure)，該萬向彈性件結(jié)構(gòu)貼附到懸架的負(fù)載梁結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端，懸架又連接到致動(dòng)器。彈簧將負(fù)載梁和頭滑塊朝向盤偏置，而頭滑塊之下的氣壓將頭滑塊推離盤。平衡距離定義“氣墊”且定義頭滑塊的 “飛行高度”。盤驅(qū)動(dòng)器工業(yè)已經(jīng)逐漸降低了頭滑塊結(jié)構(gòu)的尺寸和質(zhì)量以減小致動(dòng)器組件的移動(dòng)質(zhì)量，且允許換能器(transducer)更靠近盤表面操作，前者導(dǎo)致改善的尋道性能，后者導(dǎo)致改善的換能器效率，改善的換能器效率又能獲得更高的面密度。更小的滑塊結(jié)構(gòu)一般需要更順應(yīng)的萬向架，因此連接到頭滑塊的導(dǎo)體線的固有剛度能導(dǎo)致顯著的不期望的偏置影響。為了減小導(dǎo)線固有剛度或偏置的影響，已經(jīng)提出了包括混合的不銹鋼彈性件和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。這樣的混合設(shè)計(jì)通常采用具有沉積的絕緣層和導(dǎo)電跡線層的不銹鋼彈性件， 導(dǎo)電跡線層用于頭到相關(guān)驅(qū)動(dòng)電子系統(tǒng)的電互連。與這些集成導(dǎo)體設(shè)計(jì)一起包括的是較短的柔性電子系統(tǒng)承載件(flex electronics carrier，F(xiàn)EC)。這些混合彈性件設(shè)計(jì)采用導(dǎo)體跡線對(duì)或四導(dǎo)線組的較長延伸，導(dǎo)體跡線對(duì)或四導(dǎo)線組從在彈性件的頭安裝遠(yuǎn)端處的焊盤延伸到彈性件的近端。這些跡線提供從讀/寫頭沿相關(guān)懸架結(jié)構(gòu)的長度到前置放大器或讀通道芯片(或多個(gè)芯片)的導(dǎo)電路徑。因?yàn)閷?dǎo)體跡線定位為非常靠近導(dǎo)電的不銹鋼彈性件結(jié)構(gòu)但是與其電隔離，而導(dǎo)電的不銹鋼彈性件結(jié)構(gòu)又接地到負(fù)載梁，且因?yàn)閭鬏數(shù)妮^高信號(hào)速率，所以導(dǎo)體跡線電感和互耦以及導(dǎo)體跡線電阻和跡線對(duì)地電容能導(dǎo)致不想要的信號(hào)損失、反射、失真和低效率信號(hào)/功率傳輸。不想要的信號(hào)損失和反射趨向于有害地影響讀/寫頭、互連結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)器/前置放大器電路的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總地提供一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于電連接硬盤驅(qū)動(dòng)器中的讀/寫頭。所公開的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)允許增大的特征阻抗范圍、更大的干擾屏蔽和減小的由損耗的導(dǎo)電基板導(dǎo)致的信號(hào)損失。在一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上。該多條第二電跡線中的每條電跡線具有與該第一寬度不同的第二寬度。該多條第一電跡線和該多條第二電跡線每個(gè)都包括負(fù)相跡線和正相跡線，且該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上。該多條第二電跡線中的每條電跡線具有與所述第一寬度不同的第二寬度。該多條第一電跡線和該多條第二電跡線每個(gè)都包括負(fù)相跡線和正相跡線。該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插。該結(jié)構(gòu)還包括第三電絕緣層， 設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及頂導(dǎo)電屏蔽層，設(shè)置在該第三電絕緣層上。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上。該多條第二電跡線中的每條電跡線具有與所述第一寬度不同的第二寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第三電絕緣層，設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及多條第三電跡線，設(shè)置在該第三電絕緣層上。該多條第三電跡線中的每條電跡線具有第三寬度，該第三寬度不同于該第一寬度和該第二寬度中的至少一個(gè)。該多條第一電跡線、該多條第二電跡線和該多條第三電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線。該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插且該多條第二電跡線關(guān)于該多條第三電跡線交插。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且間隔開第一距離。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且間隔開基本等于該第一距離的第二距離。該多條第二電跡線中的每條電跡線具有第二寬度，其中該多條第二電跡線中的各條電跡線從該多條第一電跡線中的各條電跡線偏移。該多條第一電跡線和該多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且間隔開第一距離。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且間隔開基本等于該第一距離的第二距離。該多條第二電跡線中的各條電跡線從該多條第一電跡線中的各條電跡線偏
6移。該多條第一電跡線和該多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插。該結(jié)構(gòu)還包括第三電絕緣層，設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及頂導(dǎo)電屏蔽層，設(shè)置在該第三電絕緣層上。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層，具有穿過其延伸的至少一個(gè)開口 ；第一導(dǎo)電層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層上；第一電絕緣層，設(shè)置在該第一導(dǎo)電層上；以及多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且間隔開第一距離。該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且間隔開基本等于該第一距離的第二距離。該多條第二電跡線中的各條電跡線從該多條第一電跡線中的各條電跡線偏移。該多條第一電跡線和該多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且該多條第一電跡線關(guān)于該多條第二電跡線交插。該結(jié)構(gòu)還包括第三電絕緣層，設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及頂導(dǎo)電屏蔽層，設(shè)置在該第三電絕緣層上。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層上；第一正相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第一末端和第二末端；以及第一負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第三末端和第四末端且與該第一正相電跡線間隔開。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該第一正相電跡線和第一負(fù)相電跡線上。 該結(jié)構(gòu)還包括第二正相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上，與該第一負(fù)相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第五末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第六末端。該結(jié)構(gòu)還包括第二負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且具有第七末端和第八末端并與該第二正相電跡線間隔開。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層上；第一正相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第一末端和第二末端；以及第一負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第三末端和第四末端且與該第一正相電跡線間隔開。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該第一正相電跡線和第一負(fù)相電跡線上。 該結(jié)構(gòu)還包括第二正相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上，與該第一負(fù)相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第五末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第六末端。該結(jié)構(gòu)還包括第二負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且具有第七末端和第八末端并與該第二正相電跡線間隔開；第三電絕緣層，設(shè)置在該第二正相電跡線和該第二負(fù)相電跡線上；以及第三正相電跡線，設(shè)置在該第三電絕緣層上，與該第一正相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第九末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第十末端。該結(jié)構(gòu)還包括第三負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第三電絕緣層上且具有第十一末端和第十二末端并與該第三正相電跡線間隔開。在另一實(shí)施例中，一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層上；第一正相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第一末端和第二末端；以及第一負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上，具有第三末端和第四末端且與該第一正相電跡線間隔開。該結(jié)構(gòu)還包括第二電絕緣層，設(shè)置在該第一正相電跡線和第一負(fù)相電跡線上。 該結(jié)構(gòu)還包括第二正相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上，與該第一負(fù)相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第五末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第六末端。該結(jié)構(gòu)還包括第二負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且具有第七末端和第八末端并與該第二正相電跡線間隔開；以及第三電絕緣層，設(shè)置在該第二正相電跡線和該第二負(fù)相電跡線上。 該結(jié)構(gòu)還包括第三正相電跡線，設(shè)置在該第三電絕緣層上，與該第一正相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第九末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第十末端。該結(jié)構(gòu)還包括第三負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第三電絕緣層上且具有第十一末端和第十二末端并與該第三正相電跡線間隔開；第四電絕緣層，設(shè)置在該第三正相電跡線和該第三負(fù)相電跡線上；以及第四正相電跡線，設(shè)置在該第四電絕緣層上，與該第三負(fù)相電跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有與該第一末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第十三末端和與該第二末端垂直對(duì)準(zhǔn)的第十四末端。該結(jié)構(gòu)還包括第四負(fù)相電跡線，設(shè)置在該第四電絕緣層上且具有第十五末端和第十六末端并與該第四正相電跡線間隔開。


通過參照實(shí)施例對(duì)上面簡單概述的本發(fā)明進(jìn)行更具體的描述，可以詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征，一些實(shí)施例示于附圖中。然而將注意，附圖僅示出本發(fā)明的典型實(shí)施例，因此不視為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可以允許其他等效實(shí)施例。圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有磁盤和頭滑塊的盤驅(qū)動(dòng)器，頭滑塊具有安裝在致動(dòng)器上的磁讀/寫頭。圖2A、2B、2C、2D、2E是根據(jù)各種實(shí)施例的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的橫截面立體圖。圖3A、3B、3C、3D、3E是立體圖，示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖3F和3G是交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的示意性橫截面圖，示出相鄰跡線之間的間距。圖4A和4B是立體圖，示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖5A和5B是根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的跡線布局圖案的示意圖。為了便于理解，在可行的地方使用了相同的附圖標(biāo)記來指示附圖公有的相同元件。預(yù)期的是，一個(gè)實(shí)施例的元件和特征可以有益地合并在其他實(shí)施例中而無需進(jìn)一步的描述。
具體實(shí)施例方式下面將參考本發(fā)明的實(shí)施例。然而應(yīng)理解，本發(fā)明不限于具體描述的實(shí)施例。而是，下面的特征和元件的任意組合，不論是否涉及不同的實(shí)施例，被構(gòu)思來實(shí)施和實(shí)踐本發(fā)明。此外，盡管本發(fā)明的實(shí)施例與其他可行方案相比和/或與現(xiàn)有技術(shù)相比可以具有優(yōu)點(diǎn)， 但是本發(fā)明不限于給定實(shí)施例是否實(shí)現(xiàn)特定優(yōu)點(diǎn)。因此，下面各方面、特征、實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的，不視為所附權(quán)利要求的要素或限制，除非明確地描述于權(quán)利要求(或多個(gè)權(quán)利要求)中。類似地，對(duì)“本發(fā)明”的提及不應(yīng)解釋為這里公開的發(fā)明主題的概括且不應(yīng)視為所附權(quán)利要求的要素或限制，除非清楚地描述于權(quán)利要求(或多個(gè)權(quán)利要求)中。本發(fā)明提供一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于電連接硬盤驅(qū)動(dòng)器中的讀/寫頭。在一些實(shí)施例中，所公開的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)允許結(jié)構(gòu)的堆疊層的對(duì)準(zhǔn)的制造公差增大。此外，周期性偏移提供更寬的特征阻抗范圍。跡線的周期性偏移允許確定最終設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)最終阻抗的更多控制。為了保持比較相同的傳播速度，跡線的偏移是周期性的。圖1示出磁硬盤驅(qū)動(dòng)器10的一個(gè)實(shí)施例，磁硬盤驅(qū)動(dòng)器10包括外殼12，在外殼 12內(nèi)，磁盤14通過夾具固定到主軸馬達(dá)(SPM)。SPM驅(qū)動(dòng)磁盤14以特定速度旋轉(zhuǎn)。頭滑塊18包括訪問磁盤14的記錄區(qū)域的頭元件11和頭元件11固定到其上的滑塊。頭滑塊18具有飛行高度控制，其調(diào)節(jié)頭在磁盤14上的飛行高度。致動(dòng)器16攜載頭滑塊18且包括細(xì)長的導(dǎo)電懸架構(gòu)件1%。細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b是彈性的從而為致動(dòng)器16提供彈性作用，且在一實(shí)施例中由非腐蝕性金屬諸如不銹鋼形成。在圖1中，致動(dòng)器16被樞軸樞轉(zhuǎn)地保持， 且通過作為驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的音圈馬達(dá)(VCM) 17的驅(qū)動(dòng)力繞樞軸樞轉(zhuǎn)。致動(dòng)器16沿磁盤14的徑向樞轉(zhuǎn)以移動(dòng)頭滑塊18到期望位置。由于旋轉(zhuǎn)磁盤14與頭滑塊的面對(duì)磁盤14的氣墊面 (ABS)之間的空氣的粘滯性，壓力作用在頭滑塊18上。由于空氣與細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b 施加的朝向磁盤的力之間的壓力平衡，頭滑塊18低飛于磁盤14上方。如圖1所示，細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件1%用作電連接組件15的提供結(jié)構(gòu)支承的集成導(dǎo)電下層。導(dǎo)電下層也可構(gòu)造以導(dǎo)電材料諸如鋁、銅或金的剛性層。在一些情況下，導(dǎo)電下層可包括連接到細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b的導(dǎo)電材料的剛性層的組合。這里涉及作為“交插結(jié)構(gòu)”或“交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”的導(dǎo)電下層19和電連接組件15的全部描述應(yīng)理解為涵蓋使用導(dǎo)電材料的剛性層、集成的細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件1%、或者連接到細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b的導(dǎo)電材料的剛性層兩者。電連接組件15設(shè)置在細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b上且將頭11 (寫頭、讀頭等)的各種部件電連接到遠(yuǎn)離頭11定位的相關(guān)電路13。電連接組件15和細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b 形成交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其將頭11和頭滑塊18支承得與磁記錄盤14相鄰且將頭11電連接到相關(guān)電路13。將理解，有多種機(jī)制用于跡線在讀/寫頭處終結(jié)，諸如(i)沿彈性件的側(cè)面，如美國專利No. 6351348所示，其通過引用合并于此；(ii)繞外側(cè)，如美國專利申請(qǐng)公開 No. 2009/0M4786所示，其通過引用合并于此；或者(iii)沿彈性件的中部，如圖1所示。圖2A示出交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)214的一部分的橫截面立體圖，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)214包括作為電連接組件15的支承基板的導(dǎo)電下層19。導(dǎo)電下層19具有底表面202(面向磁盤14)、 頂表面204(背對(duì)磁盤14)和沿致動(dòng)器16的橫向延伸的寬度W。導(dǎo)電下層19的圖2A-2E所示的部分具有沿致動(dòng)器16的縱向延伸的單位長度L。在該實(shí)施例中，電連接組件15包括設(shè)置于導(dǎo)電下層19的頂表面204上的電絕緣層206。多條(在該實(shí)施例中為二)電跡線208 設(shè)置在電絕緣層206上。在一些實(shí)施例中，多條電跡線208包括至少一條正相跡線(標(biāo)為 P)和至少一條負(fù)相跡線(標(biāo)為N)。寫和讀信號(hào)作為P和N跡線之間的電信號(hào)耦合到及耦合自讀/寫頭11。多條電跡線208通常由高導(dǎo)電材料諸如金(Au)或銅(Cu)形成。電絕緣層206將多條電跡線208與導(dǎo)電下層19電隔離且由電介質(zhì)材料形成，在一些實(shí)施例中該電介質(zhì)材料是聚合物諸如聚酰亞胺。在圖2A的實(shí)施例中，導(dǎo)電下層19包括從底表面202到頂表面204貫穿形成的多個(gè)開口或窗212。穿過導(dǎo)電下層19形成的多個(gè)開口 212減少了緊鄰電連接組件15的損耗材料的量，且由此減少了導(dǎo)電下層19的材料導(dǎo)致的信號(hào)損失量。雖然開口 212示為完全延伸穿過導(dǎo)電下層19，但是在一些實(shí)施例中，它們可以僅部分地穿過導(dǎo)電下層19延伸(類似于盲孔)。在任一實(shí)施例中，減少的損耗材料量減少了信號(hào)損失量。圖2A-2E的導(dǎo)電下層19具有由其單位長度L和沿單位長度L的其平均寬度W定義的單位面積。在一些實(shí)施例中，寬度可以在導(dǎo)電下層19的長度上變化，如圖1所示，其中細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件19b朝向頭11變細(xì)。多個(gè)開口 212的在單元區(qū)域內(nèi)的部分形成開口區(qū)域，該開口區(qū)域具有在單位面積內(nèi)的第二面積(開口的組合面積)。在一實(shí)施例中，單位面積內(nèi)的開口面積對(duì)導(dǎo)電下層19的總單位面積的比在約1 1和約1 500之間。在多個(gè)開口 212具有直的側(cè)壁(如圖所示)的實(shí)施例中，該比表示從導(dǎo)電下層19去除的材料的百分比。從導(dǎo)電下層19去除損耗材料允許將特征阻抗調(diào)節(jié)到期望水平且減小了損耗材料導(dǎo)致的信號(hào)損失?？諝?材料比不必沿導(dǎo)電下層19的整個(gè)長度均勻，且在一些實(shí)施例中可以變化以沿導(dǎo)電下層19的長度在不同的點(diǎn)提供不同的特征阻抗。此外，開口 212的形狀不需為所示的矩形，可以構(gòu)思各種形狀諸如圓形、卵形、方形等。還應(yīng)注意，設(shè)置在導(dǎo)電下層19 的頂表面204上的電連接組件15和電絕緣層206不必如圖所示在導(dǎo)電下層19的中心，而是可以更靠近導(dǎo)電下層19的一條縱邊或者另一條縱邊。開口 212也可以不必在導(dǎo)電下層 19中居中，在一些實(shí)施例中僅在導(dǎo)電下層19的損耗材料的去除是有利的那些區(qū)域中延伸， 特別地，在電連接組件15下面或附近。亦在圖2A的實(shí)施例中，電連接組件15是雙層交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(BICS)的形式。BICS 電連接組件15包括電絕緣層206，電絕緣層206將多條第一電跡線208與導(dǎo)電下層19電隔離。在多條第一電跡線208之上的是第二電絕緣層216和多條第二電跡線218，使得第二電絕緣層216的部分220位于相鄰跡線之間。多條第二電跡線218包括至少一條正相跡線 (標(biāo)為P)和至少一條負(fù)相跡線(標(biāo)為N)。多條第二電跡線218的正相跡線和負(fù)相跡線相對(duì)于多條第一電跡線208的正相跡線和負(fù)相跡線反置，從而形成BICS。通過以此方式交插信號(hào)線，對(duì)于給定的絕緣體厚度，可以實(shí)現(xiàn)更寬范圍的特征阻抗。雖然僅兩層電跡線示于圖 2A中，但是應(yīng)理解，多個(gè)交插層可以重復(fù)以達(dá)到期望的特征阻抗水平。在圖2B中，示出交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)232的一個(gè)實(shí)施例的橫截面立體圖。交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 232通過使用居于第一導(dǎo)電層2M上的導(dǎo)電側(cè)壁234來提供屏蔽。導(dǎo)電側(cè)壁234位于電連接組件15的兩側(cè)。在一些實(shí)施例中，穿過電絕緣材料形成的多個(gè)間隔通路236被填充有導(dǎo)電材料，其將導(dǎo)電側(cè)壁234電連接到頂導(dǎo)電屏蔽層230。將理解，可以使用更多或更少的通路以具有相同的效果。可以用于導(dǎo)電側(cè)壁234、導(dǎo)電屏蔽層230、第一導(dǎo)電層224和填充通路236的導(dǎo)電材料的合適導(dǎo)電材料可以為諸如銅或銅合金。為了制造結(jié)構(gòu)232，絕緣層形成在多條第二電跡線218上，通路236穿過絕緣層形成，然后導(dǎo)電材料填充通路236，最后導(dǎo)電屏蔽層230沉積于其上。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電側(cè)壁234和頂導(dǎo)電屏蔽層230可以被外電介質(zhì)材料238覆蓋。在一實(shí)施例中，高導(dǎo)電的第一導(dǎo)電層2M沉積在結(jié)構(gòu)上且是基于銅的材料，盡管可以使用其他高導(dǎo)電的材料諸如金。第一導(dǎo)電層224以低的阻抗水平提供源自基板耦合的低信號(hào)損失。第一導(dǎo)電層2M可以與來自交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各種其他實(shí)施例的特征結(jié)合使用。圖2C示出交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MO的第六實(shí)施例的橫截面立體圖。交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MO 基本類似于圖2B的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)232。然而，在交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MO中，導(dǎo)電側(cè)壁234完全延伸到頂導(dǎo)電屏蔽層230，而無需多個(gè)通路236。通過將導(dǎo)電側(cè)壁234延伸到頂導(dǎo)電屏蔽層 230，導(dǎo)電側(cè)壁234和頂導(dǎo)電屏蔽層230之間的電連接得到改善，形成了更連續(xù)的屏蔽結(jié)構(gòu)。在圖2D中示出交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)M2的第七實(shí)施例的橫截面立體圖。交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 242基本類似于圖2C的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)M0。然而，在交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)242中，多個(gè)通路244將導(dǎo)電側(cè)壁234電連接到第一導(dǎo)電層224。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層2M被省略，通路M4 將導(dǎo)電側(cè)壁234連接到導(dǎo)電下層19。通過將導(dǎo)電側(cè)壁234(和頂導(dǎo)電屏蔽層230)電連接到下面的支承件，屏蔽結(jié)構(gòu)處于與下面的支承件相同的電勢(shì)，由此提供改善的對(duì)特征阻抗的控制和改善的屏蔽。
圖2E示出交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)246的第八實(shí)施例的橫截面立體圖。交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)246基本類似于圖2D的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)M2。然而，在圖2E的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)M6中，導(dǎo)電側(cè)壁234 延伸為接觸第一導(dǎo)電層224，而不需要多個(gè)通路M4。通過將導(dǎo)電側(cè)壁234延伸到第一導(dǎo)電層224，導(dǎo)電側(cè)壁234和第一導(dǎo)電層2M之間的電連接得到改善，且形成了更連續(xù)的屏蔽結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層2 被省略，導(dǎo)電側(cè)壁234延伸到導(dǎo)電下層19。在一實(shí)施例中，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)246提供完全圍繞電連接組件15的屏蔽結(jié)構(gòu)，類似于同軸電纜中的屏蔽。圖3A是根據(jù)一實(shí)施例的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的示意性立體圖。結(jié)構(gòu)300包括底導(dǎo)電層302和形成在其上的第一電絕緣層304。第一電絕緣層304可被圖案化以形成狹槽，多條第一電跡線306形成到狹槽中。在圖3A所示的實(shí)施例中，有兩條電跡線306，一條是正相跡線(標(biāo)為P)，一條是負(fù)相跡線(標(biāo)為N)。電絕緣區(qū)域314保留在跡線306之間。第二電絕緣層308形成在多條第一電跡線306之上。類似于第一點(diǎn)絕緣層304，第二電絕緣層308 被圖案化以形成狹槽，多條第二電跡線310形成到狹槽中。在圖3A所示的實(shí)施例中，有兩條電跡線310，一條是正相跡線(標(biāo)為P)，一條是負(fù)相跡線(標(biāo)為N)。電絕緣區(qū)域316保留在跡線310之間。第三電絕緣層312形成在多條第二電跡線310上。多條第一電跡線306具有第一寬度B，多條第二電跡線310具有第二寬度A。多條第一或底電跡線306比多條第二或頂電跡線310更寬。多條第一電跡線306中的相鄰跡線之間的距離基本等于多條第二電跡線310中的相鄰跡線之間的距離，如箭頭C所示。跡線 306,310的寬度在彼此的約30%至約85%以內(nèi)。預(yù)期跡線306、310的寬度可以在彼此的約50 %至75 %以內(nèi)。在圖3A所示的實(shí)施例中，多條第二電跡線310中的每條跡線的至少一個(gè)邊緣與多條第一電跡線306中的在其正下方的跡線的至少一個(gè)邊緣垂直對(duì)齊。在兩個(gè)不同層面上制造寬度嚴(yán)格相同且邊緣垂直對(duì)齊的跡線是十分困難的。因此，為了增大制造容差，多條第二電跡線310可簡單地設(shè)置在多條第一電跡線306之上，而不考慮是否有邊緣對(duì)齊。多條第二電跡線310可在多條第一電跡線306之上居中，而不是至少一條邊緣對(duì)齊。在圖3A所示的實(shí)施例中，多條第一或底電跡線306具有比多條第二或頂電跡線310更大的寬度，從而多條第一或底電跡線306可在形成多條第二或頂電跡線310 時(shí)用作參考。預(yù)期多條頂或第二電跡線310可以形成在多條第一電跡線306的寬度以內(nèi)的任何位置。即使跡線306、310具有不同的寬度，也沒有阻抗減小。具體地，結(jié)構(gòu)300的阻抗范圍可以在約10歐姆至約40歐姆。雖然未示出，但是預(yù)期多條第二電跡線310可以具有比多條第一電跡線306更大的寬度。預(yù)期可以利用兩層以上的跡線。圖!3B-3D是三層跡線結(jié)構(gòu)的示意性立體圖。在圖 3B中，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)320具有形成在第三電絕緣層312上的多條第三電跡線322。第四電絕緣層3M形成在其上。在圖:3B的實(shí)施例中，多條第一電跡線306具有寬度E，寬度E大于多條第二電跡線310和多條第三電跡線322 二者的寬度。然而，多條第二電跡線310和多條第三電跡線322具有基本相同的寬度，如箭頭D所示。此外，在圖:3B所示的實(shí)施例中， 全部跡線306、310、322的至少一條邊緣垂直對(duì)齊，因此間隔開基本相同的距離，如箭頭F所示。類似于圖3A，多條底或第一電跡線306具有比多條第二電跡線310和多條第三電跡線 322更大的寬度，從而多條第一電跡線306可在形成多條第二電跡線310和多條第三電跡線 322時(shí)用作參考。預(yù)期多條第二電跡線310和多條第三電跡線322可形成在多條第一電跡線306的寬度以內(nèi)的任何位置。在圖3C所示的實(shí)施例中，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)330具有三個(gè)單獨(dú)的跡線層面。多條第二電跡線310具有比多條第一電跡線306和多條第三電跡線322兩者更大的寬度。多條第一電跡線306和多條第三電跡線322具有基本相同的寬度，且每條跡線的至少一條邊緣與另一跡線垂直對(duì)齊。類似于圖3B，多條第二電跡線310可在形成多條第三電跡線322時(shí)用作參考。預(yù)期多條第一電跡線306和多條第三電跡線322可形成在多條第二電跡線310的寬度以內(nèi)的任何位置。在圖3D所示的實(shí)施例中，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)340具有三個(gè)單獨(dú)的跡線層面。多條第三電跡線322和多條第一電跡線306具有比多條第二電跡線310更大的寬度。多條第一電跡線306和多條第三電跡線322具有基本相同的寬度且每條跡線的至少一條邊緣與另一條跡線垂直對(duì)齊。類似于圖3B，多條第一電跡線306可在形成多條第二電跡線310和多條第三電跡線322時(shí)用作參考。預(yù)期多條第二電跡線310可形成在多條第二電跡線310的寬度以內(nèi)的任何位置。如圖3E所示，交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)350可具有在電絕緣層上的導(dǎo)電上層352，如上面已經(jīng)描述的那樣。將理解，這里在每個(gè)實(shí)施例中論述的每個(gè)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)預(yù)期具有如上所述的一個(gè)或更多導(dǎo)電上層352、穿過導(dǎo)電下層19形成的一個(gè)或更多開口 212、通路M4、導(dǎo)電側(cè)壁234 和外電介質(zhì)材料238。導(dǎo)電上層352、底導(dǎo)電層302、導(dǎo)電側(cè)壁234每個(gè)能獨(dú)立地用來屏蔽跡線且減小阻抗。如圖3F和3G所示，跡線之間的間距可以不同。多條第一電跡線306具有間距G， 其小于如圖3F中的H所示的多條第二電跡線310的間距。然而，多條第二電跡線310每個(gè)設(shè)置于多條第一跡線306中的對(duì)應(yīng)跡線的寬度內(nèi)。在圖3G中，與I所示的多條第一跡線 306相比，多條第二跡線310又間隔開J所示的更大間距。然而，多條第二電跡線310中的跡線之一具有與多條第一電跡線306中的對(duì)應(yīng)跡線的邊緣垂直對(duì)齊的邊緣。多條第二電跡線310中的另一跡線在多條第一電跡線306中的對(duì)應(yīng)跡線之上基本居中。將理解，雖然圖 3F和3G涉及多條第一電跡線306具有比多條第二電跡線310更大的寬度的實(shí)施例，但是間距差異同樣應(yīng)用到多條第一電跡線306具有比多條第二電跡線310更小的寬度的情形。圖4A和4B是立體圖，示出根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400、430。在圖 4A和4B中，在不同層面的跡線偏移且具有蛇形外觀。圖4A和4B示出交叉導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400、 430，其具有底導(dǎo)電層402、形成在其上的電絕緣層404、形成在第一電絕緣層404中的狹槽內(nèi)的多條第一導(dǎo)電跡線406、形成在多條第一電跡線406之上的第二電絕緣層408、以及形成在切到第二電絕緣層408中的狹槽內(nèi)的多條第二電跡線410。在圖4A和4B的每個(gè)中，多條第二電跡線410從多條第一電跡線406偏移。相對(duì)于其中跡線不偏移的結(jié)構(gòu)，將多條第二電跡線410從多條第一電跡線406偏移增大了結(jié)構(gòu)400、430的阻抗范圍。更具體而言，偏移為結(jié)構(gòu)400、430提供了更寬的特征阻抗范圍。將多條第二電跡線410從多條第一電跡線406從中心偏移增大了阻抗。通過使跡線偏移提供的可調(diào)節(jié)性允許在結(jié)構(gòu)400、430的最終設(shè)計(jì)中對(duì)阻抗的更多控制。在圖4A 和4B中，偏移是周期性的，從而每個(gè)跡線對(duì)具有不同的阻抗水平(Z = sqrt(L/C))，增大電感(L)，減小多條第二電跡線410與多條第一電跡線406之間的電容(C)。因此，多條第二電跡線410與多條第一電跡線406之間的跡線交換對(duì)于保持期望的阻抗水平而言是重要的。
12硬驅(qū)動(dòng)器的最終設(shè)計(jì)中的阻抗要求可以通過前置放大器/臂電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)格(例如，與阻抗匹配)、讀寫頭設(shè)計(jì)規(guī)格(例如，與阻抗匹配)、尺寸可變性(例如3.5"和2.5"器件之間不同的電樞(armature)長度)、以及對(duì)用于下一代器件的額外跡線的需要(例如，用于飛行高度熱控制、熱輔助寫入、以及不平度熱檢測(cè))而改變。周期性最大跡線長度應(yīng)設(shè)置為小于最大符號(hào)傳輸速率(symbol transfer rate)的波長的1/10 ；而周期性對(duì)所需頻率范圍(符號(hào)傳輸)的阻抗水平不具有顯著影響。在時(shí)域響應(yīng)中，較低的周期跡線長度將導(dǎo)致波紋(ripple)。在圖4A和4B所示的實(shí)施例中，多條第一電跡線406每條具有相同寬度。類似地， 多條第二電跡線410每條具有相同寬度。多條第一電跡線406的寬度基本等于多條第二電跡線410的寬度。多條第一電跡線406中的相鄰跡線之間的距離基本等于多條第二電跡線 410中的每條跡線的寬度。類似地，多條第二電跡線410中的相鄰跡線之間的距離基本等于多條第一電跡線406中的每條跡線的寬度。因此，平衡了任何串?dāng)_影響。此外，跡線沿邊緣垂直對(duì)齊。圖5A和5B是根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的跡線布局圖案的示意性俯視圖。將理解， 圖5A和5B所示的跡線布局圖案可應(yīng)用到上面論述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖5A示出兩層跡線圖案。對(duì)于多條第一電跡線500，正相跡線具有通過中間部分510連接的兩個(gè)末端502、506。 類似地，負(fù)相跡線具有通過中間部分512連接的兩個(gè)末端504、508。在多條第一電跡線500 之上，可沉積絕緣層，多條第二電跡線501形成在絕緣層上。多條第二導(dǎo)電跡線501包括正相跡線和負(fù)相跡線。多條第二電跡線501的負(fù)相跡線在末端516、520連接到多條第一電跡線500的負(fù)相跡線的末端504、508。末端516、520、504、508通過穿過居間層形成的垂直通路連接。然而，即使多條第二電跡線501的負(fù)相跡線連接到多條第一電跡線500的負(fù)相跡線，多條第二電跡線501的負(fù)相跡線的中間部分530仍與多條第一電跡線500的正相跡線的中間部分510垂直對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分530、510垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第二電跡線501的負(fù)相跡線以圍繞部分5 圍繞多條第二電跡線501的正相跡線的末端518，且跡線通過傾斜部分532上拐到中間部分530。類似地，多條第二電跡線510的正相跡線在末端514、518連接到多條第一電跡線 500的正相跡線的末端502、506。末端514、518、502、506通過穿過居間層形成的垂直通路連接。然而，即使多條第二電跡線501的正相跡線連接到多條第一電跡線500的正相跡線， 多條第二電跡線501的正相跡線的中間部分522也與多條第一電跡線500的負(fù)相跡線的中間部分512垂直對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分522、512垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第二電跡線501的正相跡線用圍繞部分522圍繞多條第二電跡線501的負(fù)相跡線的末端516，且跡線通過傾斜部分 5 拐到中間部分522。于是，多條第二電跡線501的負(fù)相跡線具有一個(gè)環(huán)狀部分和一個(gè)傾斜部分。類似地，多條第二電跡線501的正相跡線具有一個(gè)環(huán)狀部分和一個(gè)傾斜部分。因此，多條第二電跡線501的負(fù)相跡線和正相跡線具有基本相同的長度，從而阻抗得到平衡。通過使一條跡線的末端圍繞在同一層面的第二跡線的末端，所述一條跡線的末端不需經(jīng)過第二跡線之下或之上。當(dāng)然，多條第二電跡線501具有比多條第一電跡線500更長的長度。將理解，多條第一電跡線500和多條第二電跡線501可以顛倒，使得多條第二電跡線501在多條第一電跡線500之下。
圖5B示出四層跡線圖案。類似于圖5A，多條第一電跡線540包括具有末端Ml、 542和連接末端541、542的中間部分543的正相跡線。多條第一電跡線540還包括具有末端M6547以及連接末端546、547的中間部分545的負(fù)相跡線。在多條第一電跡線540之上，可沉積絕緣層，多條第二電跡線550形成在絕緣層上。多條第二導(dǎo)電跡線550包括正相跡線和負(fù)相跡線。多條第二電跡線550的負(fù)相跡線在末端553、5M連接到多條第一電跡線 540的負(fù)相跡線的末端M6547。末端546、547、553、5M通過穿過居間層形成的垂直通路連接。然而，即使多條第二電跡線陽0的負(fù)相跡線連接到多條第一電跡線540的負(fù)相跡線， 多條第二電跡線陽0的負(fù)相跡線的中間部分555也與多條第一電跡線540的正相跡線的中間部分543對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分555、543垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第二電跡線550的負(fù)相跡線用圍繞部分558圍繞多條第二電跡線550的正相跡線的末端552，且跡線通過傾斜部分557上拐到中間部分陽5。類似地，多條第二電跡線550的正相跡線在末端551、552連接到多條第一電跡線 540的正相跡線的末端M1542。末端541、542、551、552通過穿過居間層形成的垂直通路連接。然而，即使多條第二電跡線陽0的正相跡線連接到多條第一電跡線540的正相跡線， 多條第二電跡線550的正相跡線的中間部分556也與多條第一電跡線MO的負(fù)相跡線的中間部分545垂直對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分556、545垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第二電跡線550的正相跡線用圍繞部分陽9圍繞多條第二電跡線550的負(fù)相跡線的末端553，且跡線通過傾斜部分 560拐到中間部分556。在多條第二電跡線550之上，可沉積另一絕緣層。之上可形成多條第三電跡線
570。多條第三電跡線570包括具有通過中間部分573連接的末端571、572的正相跡線。正相跡線與多條第一電跡線MO的正相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且通過穿過居間層形成的通路在末端
571、572、541、542連接到多條第一電跡線MO的正相跡線。正相跡線也連接到多條第二電跡線550的正相跡線的末端551、552。類似地，多條第三電跡線570包括具有通過中間部分 576連接的末端574、575的負(fù)相跡線。負(fù)相跡線與多條第一電跡線MO的負(fù)相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且通過穿過居間層形成的通路在末端574、575、M7、546連接到多條第一電跡線540的負(fù)相跡線。負(fù)相跡線也連接到多條第二電跡線550的負(fù)相跡線的末端553、554。在多條第三電跡線570之上可沉積絕緣層，在絕緣層之上形成多條第四電跡線 580。多條第四電跡線580包括正相跡線和負(fù)相跡線。多條第四電跡線580的負(fù)相跡線在末端586、590連接到多條第三電跡線570的負(fù)相跡線的末端574、575。末端574、575、586、 590通過穿過居間層形成的通路連接。然而，即使多條第四電跡線580的負(fù)相跡線連接到多條第三電跡線570的負(fù)相跡線，多條第四電跡線580的負(fù)相跡線的中間部分588也與多條第三電跡線570的正相跡線的中間部分573垂直對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分588、573垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第四電跡線580的負(fù)相跡線用圍繞部分589圍繞多條第四電跡線580的正相跡線的末端585，且跡線借助于傾斜部分587上拐到中間部分588。類似地，多條第四電跡線580的正相跡線在末端581、585連接到多條第三電跡線 570的正相跡線的末端571、572。末端571、572、581、585通過穿過居間層形成的通路連接。 然而，即使多條第四電跡線580的正相跡線連接到多條第三電跡線570的正相跡線，多條第四電跡線580的正相跡線的中間部分583也與多條第三電跡線570的負(fù)相跡線的中間部分 576垂直對(duì)準(zhǔn)。為了使中間部分583、576垂直對(duì)準(zhǔn)，多條第四電跡線580的正相跡線用圍繞部分582圍繞多條第四電跡線580的負(fù)相跡線的末端586，且跡線借助于傾斜部分584拐到中間部分583。在圖5B中，多條第一電跡線540和多條第三電跡線570兩者的正相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有基本相同的長度。類似地，多條第一電跡線540和多條第三電跡線570的負(fù)相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有基本相同的長度。多條第二電跡線550和多條第四電跡線580兩者的正相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有基本相同的長度。類似地，多條第二電跡線550和多條第四電跡線 580兩者的負(fù)相跡線垂直對(duì)準(zhǔn)且具有基本相同的長度。多條第一電跡線MO的正相跡線和負(fù)相跡線兩者都具有基本相同的長度且因此基本相同的阻抗。多條第二電跡線550的正相跡線和負(fù)相跡線兩者都具有基本相同的長度且因此基本相同的阻抗。多條第三電跡線570 的正相跡線和負(fù)相跡線兩者都具有基本相同的長度且因此基本相同的阻抗。多條第四電跡線580的正相跡線和負(fù)相跡線兩者都具有基本相同的長度且因此基本相同的阻抗。雖然前面涉及本發(fā)明的實(shí)施例，但是可以設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不偏離本發(fā)明的基本范圍，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1 一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于讀/寫電子系統(tǒng)與鄰近磁記錄盤的頭和頭滑塊之間的電連接，該交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且彼此間隔開第一距離，該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度；第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且彼此間隔開第二距離，該第二距離基本等于該第一距離，該多條第二電跡線中的每條電跡線具有第二寬度，其中該多條第二電跡線中的各條電跡線從所述多條第一電跡線中的各條電跡線偏移，其中所述多條第一電跡線和所述多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且其中該多條第一電跡線相對(duì)于該多條第二電跡線交插。
2.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二寬度基本等于該第一距離。
3.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第一寬度不同于所述第二寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述多條第二電跡線中的每條電跡線從所述多條第一電跡線中的對(duì)應(yīng)電跡線偏移基本相等的距離。
5.如權(quán)利要求4所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該導(dǎo)電下層與該第一電絕緣層之間的第一導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求5所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括高導(dǎo)電材料，該高度導(dǎo)電材料選自包括Au和Cu的組。
7.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層具有穿過其延伸的至少一個(gè)開□。
8.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該導(dǎo)電下層和該第一電絕緣層之間的第一導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求8所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該多條第二電跡線之上的第二導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求9所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電層每個(gè)都包括高導(dǎo)電材料，該高度導(dǎo)電材料選自包括Au和Cu的組。
11.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度等于該第二寬度。
12.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線相對(duì)于該多條第一電跡線的偏移是周期性的以產(chǎn)生蛇形外觀。
13.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中周期性最大跡線長度小于最大符號(hào)傳輸速率的波長的1/10。
14.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線中的每條跡線從該多條第一電跡線中的對(duì)應(yīng)跡線偏移基本相等的距離。
15.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是導(dǎo)電材料的剛性層。
16.如權(quán)利要求1所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件。
17.一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于讀/寫電子系統(tǒng)與鄰近磁記錄盤的頭和頭滑塊之間的電連接，該交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且彼此間隔開第一距離，該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度；第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且間隔開第二距離，該第二距離基本等于該第一距離，其中該多條第二電跡線中的各條電跡線從所述多條第一電跡線中的各條電跡線偏移，其中所述多條第一電跡線和所述多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且其中該多條第一電跡線相對(duì)于該多條第二電跡線交插； 第三電絕緣層，設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及頂導(dǎo)電屏蔽層，設(shè)置在該第三電絕緣層上。
18.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該導(dǎo)電下層與該第一電絕緣層之間的第一導(dǎo)電層。
19.如權(quán)利要求18所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括高導(dǎo)電材料，該高導(dǎo)電材料選自包括Au和Cu的組。
20.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層具有穿過其延伸的至少一個(gè)開口。
21.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二寬度基本等于該第一距離。
22.如權(quán)利要求20所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度不同于該第二寬度。
23.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線相對(duì)于該多條第一電跡線的偏移是周期性的以產(chǎn)生蛇形外觀。
24.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中周期性最大跡線長度小于最大符號(hào)傳輸速率的波長的1/10。
25.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線中的每條跡線從該多條第一電跡線中的對(duì)應(yīng)跡線偏移基本相等的距離。
26.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是導(dǎo)電材料的剛性層。
27.如權(quán)利要求17所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件。
28.一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于讀/寫電子系統(tǒng)與鄰近磁記錄盤的頭和頭滑塊之間的電連接，該交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電下層，具有穿過其延伸的至少一個(gè)開口 ； 第一導(dǎo)電層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層上； 第一電絕緣層，設(shè)置在該第一導(dǎo)電層上；多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且間隔開第一距離，該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度；第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且間隔開第二距離，該第二距離基本等于該第一距離，其中該多條第二電跡線中的各條電跡線從所述多條第一電跡線中的各條電跡線偏移，其中所述多條第一電跡線和所述多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且其中該多條第一電跡線相對(duì)于該多條第二電跡線交插；第三電絕緣層，設(shè)置在該多條第二電跡線上；以及頂導(dǎo)電屏蔽層，設(shè)置在該第三電絕緣層上。
29.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括高導(dǎo)電材料，該高度導(dǎo)電材料選自包括Au和Cu的組。
30.如權(quán)利要求四所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二寬度基本等于該第一距離。
31.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線相對(duì)于該多條第一電跡線的偏移是周期性的以產(chǎn)生蛇形外觀。
32.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中周期性最大跡線長度小于最大符號(hào)傳輸速率的波長的1/10。
33.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該多條第二電跡線中的每條跡線從該多條第一電跡線中的對(duì)應(yīng)跡線偏移基本相等的距離。
34.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是導(dǎo)電材料的剛性層。
35.如權(quán)利要求觀所述的交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電下層是細(xì)長導(dǎo)電懸架構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電下層；第一電絕緣層，設(shè)置在該導(dǎo)電下層之上；多條第一電跡線，設(shè)置在該第一電絕緣層上且彼此間隔開第一距離，該多條第一電跡線中的每條電跡線具有第一寬度；第二電絕緣層，設(shè)置在該多條第一電跡線上；以及多條第二電跡線，設(shè)置在該第二電絕緣層上且彼此間隔開第二距離，該第二距離基本等于該第一距離，該多條第二電跡線中的每條電跡線具有第二寬度，其中該多條第二電跡線中的每條電跡線從所述多條第一電跡線中的各條電跡線偏移，其中所述多條第一電跡線和所述多條第二電跡線每個(gè)都包括正相跡線和負(fù)相跡線，且其中該多條第一電跡線相對(duì)于該多條第二電跡線交插。該交插導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可允許增大的特征阻抗范圍，更大的干擾屏蔽和減小的信號(hào)損失，信號(hào)損失由損耗導(dǎo)電基板導(dǎo)致。電跡線可具有不同的寬度、偏移，或者甚至在通路連接處彼此圍繞。
文檔編號(hào)G11B5/53GK102543104SQ20111043628
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者E.D.羅森伯格, J.T.康特雷拉斯, N.尼西亞馬, R.A.扎凱, 張一多 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司