專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)。更具體地，本發(fā)明涉及一種包括無(wú)機(jī)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，緊湊型盤(⑶)、數(shù)字通用型盤(DVD)等主導(dǎo)著光學(xué)記錄介質(zhì)市場(chǎng)。然而，最近，隨著高清電視的實(shí)現(xiàn)和個(gè)人電腦(PC)處理的數(shù)據(jù)量的迅速增大，人們期望光學(xué)記錄介質(zhì)的容量更進(jìn)一步增大。為了滿足這些需要，出現(xiàn)了使用藍(lán)色激光的大容量光學(xué)記錄介質(zhì)例如藍(lán)光盤(BD，注冊(cè)商標(biāo))，從而形成了大容量光學(xué)記錄介質(zhì)的新市場(chǎng)?？捎涗浶凸鈱W(xué)記錄介質(zhì)包括諸如可記錄式數(shù)字通用型盤(DVD-R)和可重復(fù)寫(xiě)入式數(shù)字通用型盤(DVD士RW)的可重寫(xiě)型光學(xué)記錄介質(zhì)，以及諸如可記錄式緊湊型盤(CD-R) 和可記錄式數(shù)字通用型盤(DVD-R)的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)。特別地，后面提到的這種一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)作為廉價(jià)介質(zhì)對(duì)市場(chǎng)的擴(kuò)大做出了很大的貢獻(xiàn)。因此，為了進(jìn)一步擴(kuò)大使用藍(lán)色激光的大容量光學(xué)記錄介質(zhì)市場(chǎng)，有必要降低一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的價(jià)格。另外，一般地，人們相信與硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)和閃存相比較，光學(xué)記錄介質(zhì)從其記錄和再現(xiàn)的原理來(lái)看具有更高的存儲(chǔ)可靠性。例如，光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)開(kāi)始被用于存儲(chǔ)重要信息，因此使用光學(xué)記錄介質(zhì)作為檔案介質(zhì)的需求最近快速增長(zhǎng)。在一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)中，既可以使用無(wú)機(jī)材料作為記錄材料也可以使用有機(jī)染料材料作為記錄材料。使用有機(jī)材料的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)是它們可以利用低成本的旋涂方法來(lái)生產(chǎn)。另一方面，使用無(wú)機(jī)材料的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)是它們?cè)谠佻F(xiàn)持久性和多層記錄層的形成方面有優(yōu)勢(shì)，但是缺點(diǎn)是需要大型的濺射設(shè)備。 因此，為了使這種包括無(wú)機(jī)材料的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)能夠與包括有機(jī)材料的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)在成本方面進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，就有必要降低生產(chǎn)設(shè)備的初始投資，以便改善平均每個(gè)盤片的生產(chǎn)運(yùn)行時(shí)間(production takt)，并高效地生產(chǎn)記錄介質(zhì)。用于解決上述問(wèn)題的最有效的方法的一個(gè)例子是減少構(gòu)成記錄膜的層的數(shù)目以便減少沉積室的數(shù)量，從而降低濺射設(shè)備的初始投資并減少生產(chǎn)運(yùn)行時(shí)間。然而，如果僅是簡(jiǎn)單地減少層數(shù)，在使用沉積速率較低的材料沉積具有大厚度的膜時(shí)，生產(chǎn)運(yùn)行時(shí)間會(huì)增大，這實(shí)際上會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增大。迄今為止，主要使用諸如SiN和SiS-SW2的透明介電材料作為包括無(wú)機(jī)材料的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的保護(hù)層材料(例如參見(jiàn)日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2003-59106)。 盡管SiN和SiS-SW2具有沉積速率高、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn)，但是這些材料的缺點(diǎn)在于具有較差的記錄數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)性能(存儲(chǔ)可靠性)。一些不同于上述材料的介電材料具有較高的存儲(chǔ)可靠性。但是，這些材料需要使用射頻(RF)濺射技術(shù)進(jìn)行沉積，因此沉積速率非常低。因此，這些介電材料的問(wèn)題在于生產(chǎn)率較低。因此，很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)高的存儲(chǔ)可靠性和高的生產(chǎn)率。為了解決這一問(wèn)題，例如日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2009-129526提出了使用氧化銦和氧化錫(此后稱作“ΙΤ0”)作為保護(hù)層的材料的技術(shù)，它可以使用直流(DC)濺射技術(shù)進(jìn)行沉積。在這種技術(shù)中，可以在一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)高存儲(chǔ)可靠性，而且可以減少沉積室的數(shù)目從而實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率。具體地，因?yàn)槭褂肐TO作為保護(hù)層材料可以實(shí)現(xiàn)高沉積速率，所以即使在單個(gè)沉積室中也可以增大保護(hù)層的厚度。結(jié)果，可以減少沉積室的數(shù)目同時(shí)維持光學(xué)記錄介質(zhì)的設(shè)計(jì)自由度。在日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2009-1295 中描述的技術(shù)中，可以實(shí)現(xiàn)在日常使用中足夠水平的存儲(chǔ)可靠性。但是，最近人們需要更高水平的存儲(chǔ)可靠性。上面提到的技術(shù)很難滿足這一需要。

發(fā)明內(nèi)容
需要的是提供一種一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，其能實(shí)現(xiàn)與使用含有氧化銦的單層保護(hù)層的情況相比更高的存儲(chǔ)可靠性，同時(shí)維持高生產(chǎn)率。經(jīng)大量廣泛的研究，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)使用含氧化銦的材料作為第一保護(hù)層的材料并使用含氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的材料作為鄰接所述第一保護(hù)層的第二保護(hù)層的材料，可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)可靠性，同時(shí)維持高生產(chǎn)率，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了這個(gè)發(fā)現(xiàn)。本發(fā)明正是基于這些發(fā)現(xiàn)和實(shí)驗(yàn)證據(jù)而提出的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括無(wú)機(jī)記錄層，設(shè)置在所述無(wú)機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上且含有氧化銦的第一保護(hù)層，以及鄰接所述第一保護(hù)層設(shè)置的且含有氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的第二保護(hù)層。根據(jù)本發(fā)明的這種實(shí)施方式，因?yàn)樵跓o(wú)機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上設(shè)置含有沉積速率較高的氧化銦的第一保護(hù)層，所以可以獲得高存儲(chǔ)可靠性并維持高的生產(chǎn)率。另外，因?yàn)猷徑铀龅谝槐Ｗo(hù)層設(shè)置含有氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的第二保護(hù)層，所以可以獲得更高的存儲(chǔ)可靠性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以獲得與使用含有氧化銦的單保護(hù)層的情形相比更高的存儲(chǔ)可靠性，同時(shí)維持高生產(chǎn)率。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖；圖4是示出測(cè)試實(shí)施例1至18的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的抖動(dòng)值特性的曲線圖；圖5是示出測(cè)試實(shí)施例1至18的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性的曲線圖；圖6是示出實(shí)施例6至10和對(duì)比例7的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性的曲線圖7是示出實(shí)施例11至14和對(duì)比例8的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性的曲線圖；圖8是表示實(shí)施例15至30的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的第二保護(hù)層中含有的氧化鋯、氧化硅和氧化銦的復(fù)合氧化物(SIZ)的組成圖；并且圖9是示出實(shí)施例31至35和對(duì)比例9的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)可靠性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。1.第一實(shí)施方式(單層一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)施例)[一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖。如圖1所示，一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10具有其中反射層2、第三保護(hù)層3、無(wú)機(jī)記錄層4、第一保護(hù)層5、第二保護(hù)層6、和透光層7按順序堆疊在基板1上的結(jié)構(gòu)。在按照該第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10中，通過(guò)從透光層7側(cè)向無(wú)機(jī)記錄層4施加激光束來(lái)記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。例如，通過(guò)具有在0. 84至0. 86范圍內(nèi)的數(shù)值孔徑的物鏡對(duì)波長(zhǎng)范圍在400nm至410nm內(nèi)的激光束進(jìn)行聚焦并從透光層7側(cè)向無(wú)機(jī)記錄層4施加激光束來(lái)記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。這樣的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10的一個(gè)例子是可記錄式藍(lán)光盤(BD-R)。下面按順序描述構(gòu)成一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10的基板1、反射層2、第三保護(hù)層 3、無(wú)機(jī)記錄層4、第一保護(hù)層5、第二保護(hù)層6、和透光層7。(基板)基板1例如具有中間部分帶開(kāi)口(后文稱為“中間孔”)的環(huán)形形狀。這個(gè)基板1 的一個(gè)主要表面是不平坦表面11，并且無(wú)機(jī)記錄層4被沉積在這個(gè)不平坦表面11上。此后，不平坦表面11的凹陷部分被稱為凹部Gin，并且不平坦表面11的凸出部分被稱為凸部
Gon。凹部Gin和凸部G。n的形狀的例子包括各種不同形狀，例如螺旋形和同心環(huán)形。凹部Gin和/或凸部G。n相互蜿蜒交錯(cuò)以便例如添加地址信息?；?的直徑被選擇為例如120mm?；?的厚度根據(jù)對(duì)其剛性的考慮而被選擇， 優(yōu)選地在0.3mm至1.3mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.6mm至1.3mm的范圍內(nèi)，例如1. 1mm。中間孔的直接例如被選擇為15mm。例如，可以使用塑料材料或玻璃作為基板1的材料。從成本的角度考慮，塑料材料是優(yōu)選的。塑料材料的實(shí)例包括聚碳酸酯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂和丙烯酸樹(shù)脂。(反射層)作為反射層2的材料，本領(lǐng)域通常在光盤中使用金屬、半金屬等，例如可以根據(jù)反射層2的期望性能選擇并使用Ag合金、Al合金等。另外，作為反射層2的材料，優(yōu)選使用除了具有光反射能力還具有散熱能力的材料。在這種情況下，還可以給反射層2提供散熱層的功能。(第一保護(hù)層和第三保護(hù)層)
第一保護(hù)層5和第三保護(hù)層3是用于保護(hù)無(wú)機(jī)記錄層4和在記錄/再現(xiàn)過(guò)程中用于控制光學(xué)性能和熱性能的層。第一保護(hù)層5和第三保護(hù)層3中的至少一個(gè)含有含氧化銦的復(fù)合氧化物作為主要成分。第一保護(hù)層5和第三保護(hù)層3中的至少一個(gè)優(yōu)選地含有如下材料作為主要成分氧化銦和氧化錫的復(fù)合氧化物(氧化銦錫，此后稱為"ΙΤ0")、氧化銦和氧化鈰的復(fù)合氧化物(氧化銦鈰，此后稱為"IC0")、或氧化銦和氧化鎵的復(fù)合氧化物 (氧化銦鎵，此后稱為"IG0")。利用這種結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)可靠性和高生產(chǎn)率都可以實(shí)現(xiàn)。具體地，第一保護(hù)層5和第三保護(hù)層3優(yōu)選地都含有IT0、IC0、或IGO作為主要成分。除了 ΙΤ0、 IC0、和IGO之外，還可以使用本領(lǐng)域中通常用于光盤中的其它介電材料，如SiN、ZnS-SiO2 和Ta205。第三保護(hù)層3的平均厚度優(yōu)選為10至40nm，更優(yōu)選為20至30nm，以便獲得合適的反射率。從改善記錄功率裕量的角度考慮，與第二保護(hù)層6組合的第一保護(hù)層5的平均厚度優(yōu)選為11至34nm，更優(yōu)選為16至30nm。含有氧化銦的復(fù)合氧化物優(yōu)選具有下式(1)表示的組成。[(In2O3) i-x (A) χ] - (1)在式(1)中，A優(yōu)選為氧化錫、氧化鈰、或氧化鎵。從獲得較好的存儲(chǔ)可靠性的角度考慮，X優(yōu)選滿足0. 05 < X < 0. 75，更優(yōu)選0. 05 < X < 0. 65，并且甚至更優(yōu)選 0. 10 ^ X ^ 0. 40。從獲得較好的存儲(chǔ)可靠性和提高生產(chǎn)率(例如抗節(jié)瘤)的角度考慮，A優(yōu)選氧化鈰或氧化鎵。在這種情況下，X優(yōu)選滿足0. 15 < X < 0. 75，更優(yōu)選0. 15 < X < 0. 65，甚至更優(yōu)選 0. 15 ^ X ^ 0. 40。(第二保護(hù)層)第二保護(hù)層6是進(jìn)一步改善存儲(chǔ)可靠性的層。從防止?jié)駳夂脱?它們會(huì)損害存儲(chǔ)可靠性)穿過(guò)第二保護(hù)層6的角度考慮，第二保護(hù)層6優(yōu)選是其中不含有晶粒邊界(grain boundaries)的薄膜。這類材料的優(yōu)選實(shí)例包括含有氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的材料。具體地，其實(shí)例優(yōu)選包括含有以下氧化物作為主要成分的材料氧化鈦；氧化鋯、氧化硅、和氧化銦的復(fù)合氧化物(此后稱為SIZ)；氧化錫和氧化鉭的復(fù)合氧化物(此后稱為ΤΤ0)。第二保護(hù)層6的優(yōu)選平均厚度在大于或等于2nm且小于或等于IOnm的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6的平均厚度超過(guò)IOnm時(shí)，生產(chǎn)率趨向于降低，這是因?yàn)樯鲜鲞@些材料的濺射速率低于 IT0、IC0和IGO的濺射速率。另一方面，當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6的平均厚度小于2nm時(shí)，改善存儲(chǔ)可靠性的效果傾向于降低。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6含有氧化鈦時(shí)，第二保護(hù)層6中氧化鈦的含量?jī)?yōu)選為大于或等于40摩爾％且小于或等于100摩爾％，更優(yōu)選大于或等于70摩爾％且小于或等于100摩爾％。在這種情況下，可以獲得良好的存儲(chǔ)可靠性。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6含有氧化鈦和氧化硅的復(fù)合氧化物作為主要成分時(shí)，第二保護(hù)層6優(yōu)選具有滿足下式(2)的組成(TiO2)x(SiO2)1^x- (2)其中χ優(yōu)選滿足0. 4彡χ彡1. 0，更優(yōu)選0. 7彡χ彡1. 0。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6含有氧化鋯時(shí)，第二保護(hù)層6中氧化鋯的含量?jī)?yōu)選為大于或等于 20摩爾％ ο且小于或等于70摩爾％，更優(yōu)選大于或等于20摩爾％且小于或等于50摩爾。 在這種情況下，可以獲得良好的存儲(chǔ)可靠性。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6含有氧化鋯、氧化硅、和氧化銦的復(fù)合氧化物作為主要成分時(shí)，第二保護(hù)層6優(yōu)選具有滿足下式(3)的組成
(SiO2) x (In2O3) y (ZrO2),.. (3)其中x+y+z = 1.0, χ優(yōu)選滿足0. 1 < χ < 0. 6，更優(yōu)選0. 2 < χ < 0. 5，y優(yōu)選滿足 0. 2 ^ y ^ 0. 7,更優(yōu)選0. 3彡y彡0. 6，ζ優(yōu)選滿足0. 2彡ζ彡0. 7，更優(yōu)選0. 2彡ζ彡0. 5。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6包含氧化錫時(shí)，第二保護(hù)層6中的氧化錫的含量?jī)?yōu)選為大于或等于20摩爾％且小于或等于100摩爾％，更優(yōu)選地為小于或等于40摩爾％，且小于或等于 100摩爾％。在這種情況下，可以獲得良好的存儲(chǔ)可靠性。當(dāng)?shù)诙Ｗo(hù)層6包含氧化錫和氧化鉭的復(fù)合氧化物作為主要成分時(shí)，第二保護(hù)層6優(yōu)選具有滿足下式的組成(Sn2O3) χ (Ta2O5) !-χ- (4)其中χ優(yōu)選滿足0. 2彡χ彡1. 0且更優(yōu)選0. 4彡χ彡1. 0。(無(wú)機(jī)記錄層)無(wú)機(jī)記錄層4是一次寫(xiě)入式無(wú)機(jī)記錄層。該無(wú)機(jī)記錄層4例如含有SiS、SiO2、和 Sb作為主要成分，另外根據(jù)需要還含有選自Zrufeu Te、V、Si、Ta、Ge、In、Cr、Sn、和Tb中的至少一種元素，優(yōu)選具有下式( 表示的組成[ (ZnS) x (SiO2) ^J y (SbzX1^z) ^y…(5)其中0 < χ 彡 1. 0,0. 3 彡 y 彡 0. 7，且 0. 8 < ζ 彡 1. 0，并且 X 是選自 GaJeJji、 Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、和 Tb 的至少一種元素。從獲得良好的記錄和再現(xiàn)性能的角度考慮，無(wú)機(jī)記錄層4的優(yōu)選平均厚度為大于或等于3nm且小于或等于40nm。在含有&iS、Si02、和Sb作為主要成分的無(wú)機(jī)記錄層4中， &iS、Si02、和Sb在記錄之前處于無(wú)定形狀態(tài)。當(dāng)處于這種無(wú)定形狀態(tài)的無(wú)機(jī)記錄層4被激光束照射時(shí)，在無(wú)機(jī)記錄層4的中央部分形成Sb晶體，其它原子聚集在界面附近。由此，光學(xué)常量(η 折射率，k 消光系數(shù))發(fā)生變化，從而信息信號(hào)被記錄。很難使中央部分已經(jīng)形成有Sb晶體的無(wú)機(jī)記錄層4恢復(fù)到記錄之前的無(wú)定形狀態(tài)。因此，上面描述的無(wú)機(jī)記錄層 4被用作一次寫(xiě)入式無(wú)機(jī)記錄層。如上所述，當(dāng)無(wú)機(jī)記錄層4含有SiS、SiO2和Sb作為主要成分并且優(yōu)選地具有式 (5)表示的組成時(shí)，所記錄的信息可以在其初始狀態(tài)下被穩(wěn)定地長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)，信號(hào)不會(huì)在信號(hào)再現(xiàn)過(guò)程中被用于再現(xiàn)的激光束損害，無(wú)機(jī)記錄層4的質(zhì)量不會(huì)在日常的長(zhǎng)時(shí)間存貯中變化，從而維持寫(xiě)入性能，并且可以獲得對(duì)于記錄和/或再現(xiàn)的激光束的足夠的反應(yīng)靈敏度和反應(yīng)速率。因此，可以在很寬的線速度和記錄功率范圍內(nèi)獲得良好的記錄和再現(xiàn)性能。無(wú)機(jī)記錄層4的材料并不限于上面描述的那些材料。本領(lǐng)域中通常用于一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的其它無(wú)機(jī)記錄材料也可以使用。對(duì)于無(wú)機(jī)記錄層4，例如可以使用含有Te (碲)、Pd(鈀)和0(氧)作為主要成分的相變型無(wú)機(jī)記錄層。這種無(wú)機(jī)記錄層例如具有式(6)表示的組成(TexPd1JyO1^y- (6)其中0. 7彡χ彡0. 9且0. 3彡y彡0. 7。或者，無(wú)機(jī)記錄層4可以是其中硅(Si)層和銅(Cu)合金層堆疊在一起的合金型無(wú)機(jī)記錄層，或者是含有鍺(Ge)、鉍(Bi)、和氮(N)作為主要成分的無(wú)機(jī)記錄層。(透光層)透光層7例如包括環(huán)形的透光片和用于將透光片結(jié)合到基板1的粘合劑層。透光片優(yōu)選由對(duì)于記錄和/或再現(xiàn)中使用的激光束具有低吸收性的材料構(gòu)成，更具體地，優(yōu)選由具有90%或更大透光率的材料構(gòu)成。透光片的材料實(shí)例包括聚碳酸酯樹(shù)脂材料和聚烯烴樹(shù)脂(例如^ONEX )。透光片的厚度優(yōu)選被選擇為0. 3mm或更小，更優(yōu)選在3至177 μ m 的范圍內(nèi)選擇。粘合劑層例如由紫外光固化樹(shù)脂或壓敏粘合劑(PAQ構(gòu)成?；蛘?，透光層7 可以是通過(guò)光敏樹(shù)脂(例如UV樹(shù)脂)固化而形成的樹(shù)脂覆蓋層。樹(shù)脂覆蓋層的材料實(shí)例包括紫外光固化丙烯酸樹(shù)脂和聚氨酯樹(shù)脂。透光層7的厚度優(yōu)選在10至177 μ m范圍內(nèi)選擇，例如100 μ m。這種薄透光層7 與具有例如約0. 85的高NA (數(shù)值孔徑)的物鏡結(jié)合，可以獲得高密度記錄。[用于制造一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的方法]下面描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的方法的實(shí)例。(形成基板的步驟)首先，形成基板1，其主表面是不平坦表面11。用于形成基板1的方法的實(shí)例包括注射成型法(注塑法)和光聚合物法(所謂的“2P法”或光聚合方法)。(沉積反射層的步驟)接下來(lái)，基板1被轉(zhuǎn)移到配備有靶體的真空室，該靶體例如含有Ag合金或含有Ag 合金作為主要成分。對(duì)真空室抽真空直到真空室內(nèi)的壓強(qiáng)降到一個(gè)預(yù)定值。然后向真空室內(nèi)引入例如Ar氣的處理氣體同時(shí)使用靶體進(jìn)行濺射，以便在基板1上沉積反射層2。(沉積第三保護(hù)層的步驟)接下來(lái)，基板1被轉(zhuǎn)移到配備有靶體的真空室，該靶體例如含有ITO、ICO或IGO作為主要成分。對(duì)真空室抽真空直到真空室內(nèi)的壓強(qiáng)降到一個(gè)預(yù)定值。然后向真空室內(nèi)引入例如Ar氣或&氣的處理氣體同時(shí)使用靶體進(jìn)行濺射，以便在反射層2上沉積第三保護(hù)層 3。作為濺射方法，例如可以使用射頻(RF)濺射方法或直流(DC)濺射方法，但是直流濺射方法是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)橹绷鳛R射方法的沉積速率高于射頻濺射方法，因此生產(chǎn)率得以提尚。(沉積無(wú)機(jī)記錄層的步驟)接下來(lái)，基板1被轉(zhuǎn)移到配備有靶體的真空室，該靶體例如含有aiS、Si&和Sb作為主要成分。對(duì)真空室抽真空直到真空室內(nèi)的壓強(qiáng)降到一個(gè)預(yù)定值。然后向真空室內(nèi)引入例如Ar氣的處理氣體同時(shí)使用靶體進(jìn)行濺射，以便在第三保護(hù)層3上沉積無(wú)機(jī)記錄層4。(沉積第一保護(hù)層的步驟)接下來(lái)，基板1被轉(zhuǎn)移到配備有靶體的真空室，該靶體例如含有ITO、ICO或IGO作為主要成分。對(duì)真空室抽真空直到真空室內(nèi)的壓強(qiáng)降到一個(gè)預(yù)定值。然后向真空室內(nèi)引入例如Ar氣或&氣的處理氣體同時(shí)使用靶體進(jìn)行濺射，以便在無(wú)機(jī)記錄層4上沉積第一保護(hù)層5。作為濺射方法，例如可以使用射頻(RF)濺射方法或直流(DC)濺射方法，但是直流濺射方法是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)橹绷鳛R射方法的沉積速率高于射頻濺射方法，因此生產(chǎn)率得以提高。(沉積第二保護(hù)層的步驟)接下來(lái)，基板1被轉(zhuǎn)移到配備有靶體的真空室，該靶體例如含有氧化鈦、SIZ或TTO 作為主要成分。對(duì)真空室抽真空直到真空室內(nèi)的壓強(qiáng)降到一個(gè)預(yù)定值。然后向真空室內(nèi)引入例如Ar氣或&氣的處理氣體同時(shí)使用靶體進(jìn)行濺射，以便在第一保護(hù)層5上沉積第二保護(hù)層6。作為濺射方法，例如可以使用射頻(RF)濺射方法或直流(DC)濺射方法，但是直流濺射方法是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)橹绷鳛R射方法的沉積速率高于射頻濺射方法，因此生
產(chǎn)率得以提高。(形成透光層的步驟)接下來(lái)，在第二保護(hù)層6上形成透光層7。用于形成透光層7的方法實(shí)例包括樹(shù)脂涂層法和片材結(jié)合法。在樹(shù)脂涂層法中，將例如紫外光固化樹(shù)脂(UV樹(shù)脂)的光敏樹(shù)脂旋涂在第二保護(hù)層6上，然后使用例如紫外光的光照射光敏樹(shù)脂來(lái)形成透光層7。在片材結(jié)合法中，使用粘合劑將透光片結(jié)合到基板1的不平坦表面11側(cè)來(lái)形成透光層7。這種片材結(jié)合法的實(shí)例包括片材-樹(shù)脂結(jié)合法和片材-PSA結(jié)合法。在片材-樹(shù)脂結(jié)合法中，通過(guò)被涂布到第二保護(hù)層6上的諸如UV樹(shù)脂的光敏性樹(shù)脂將透光片結(jié)合到基板1的不平坦表面11 側(cè)來(lái)形成透光層7。在片材PSA結(jié)合法中，通過(guò)預(yù)先將壓敏粘合劑(PSA)均勻地涂布到透光片的主表面并用該壓敏粘合劑將透光片結(jié)合到基板1的不平坦表面11側(cè)來(lái)形成透光層7。 通過(guò)上述步驟就獲得了如圖1所示的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10。修飾還可以在第三保護(hù)層3和無(wú)機(jī)記錄層4之間額外地提供儲(chǔ)熱層。在這種情況下， 用于記錄和/或再現(xiàn)的激光束從儲(chǔ)熱層的相反側(cè)施加到無(wú)機(jī)記錄層4。儲(chǔ)熱層具有低于第三保護(hù)層3的熱導(dǎo)率，并且含有諸如S1S-SiO2的介電材料作為主要成分。儲(chǔ)熱層的功能是保留在無(wú)機(jī)記錄層4的記錄過(guò)程中生成的熱。因此，通過(guò)在第三保護(hù)層3和無(wú)機(jī)記錄層4 之間形成儲(chǔ)熱層，就可以有效地使用熱并使一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10具有高的記錄靈敏度。另外，通過(guò)臨時(shí)保留在無(wú)機(jī)記錄層4中的熱，然后將熱從無(wú)機(jī)記錄層4內(nèi)部散到高熱導(dǎo)率的第三保護(hù)層3和反射層2，可以形成更清晰的標(biāo)記邊界，從而實(shí)現(xiàn)低抖動(dòng)值和寬功率裕量。然而，如果儲(chǔ)熱層的厚度太大，即dh/(dl+dh) > 0.95(此處dl表示第三保護(hù)層的厚度，dh表示儲(chǔ)熱層的厚度)，那么無(wú)機(jī)記錄層4中的熱會(huì)被過(guò)度存儲(chǔ)，導(dǎo)致標(biāo)記邊界不對(duì)齊， 功率裕量趨于變窄。由于這個(gè)原因，優(yōu)選地要滿足dh/(dl+dh) <0.95。例如，可以使用濺射方法來(lái)作為沉積儲(chǔ)熱層的方法。儲(chǔ)熱層的位置并不僅限于第三保護(hù)層3和無(wú)機(jī)記錄層4之間。作為替代，例如儲(chǔ)熱層可以設(shè)置在無(wú)機(jī)記錄層4和第一保護(hù)層5之間。在這種情況下，用于記錄和/或再現(xiàn)的激光束從儲(chǔ)熱層側(cè)施加到無(wú)機(jī)記錄層4?；蛘?，多個(gè)儲(chǔ)熱層可以設(shè)置在第三保護(hù)層3和無(wú)機(jī)記錄層4之間以及無(wú)機(jī)記錄層4和第一保護(hù)層5之間。2.第二實(shí)施方式(不帶反射層的單層一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)施例)圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖。與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示，并且省略了對(duì)這些部件的描述。如圖2所示，根據(jù)第二實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10的不同之處在于反射層 2的形成被省略，從而甚至可以在很低的反射率下獲得高的透射率。具有大的消光系數(shù)和大厚度的反射層2的缺失改善了對(duì)于用于記錄和/或再現(xiàn)的激光束的波長(zhǎng)的透射率。因此， 根據(jù)第二實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10適于需要高透光率的場(chǎng)合。為了獲得更高的透射率，通常具有大消光系數(shù)的無(wú)機(jī)記錄層4優(yōu)選地具有較小的厚度，例如7至14nm 的厚度。另外，當(dāng)需要進(jìn)一步降低反射率的時(shí)候，第一保護(hù)層5和第二保護(hù)層6的總厚度優(yōu)選為20至!35nm。3.第三實(shí)施方式(雙層一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的實(shí)施例)圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)實(shí)施例的示意截面圖。與根據(jù)第一實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示，并且省略了對(duì)這些部件的描述。如圖3所示，根據(jù)第三實(shí)施方式的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)10具有其中第一記錄層L0、中間層8、第二記錄層Li、和透光層7按順序堆疊在基板1上的結(jié)構(gòu)。第一記錄層LO具有與第一實(shí)施方式的信息信號(hào)層相同的結(jié)構(gòu)。具體地，第一記錄層LO是這樣疊層膜，其中反射層2、第三保護(hù)層3、無(wú)機(jī)記錄層4、第一保護(hù)層5、和第二保護(hù)層6按順序依次堆疊。第二記錄層Ll具有第二實(shí)施方式的信息信號(hào)層相同的結(jié)構(gòu)。具體地，第二記錄層Ll是這樣疊層膜，其中第三保護(hù)層3、無(wú)機(jī)記錄層4、第一保護(hù)層5、和第二保護(hù)層6按順序依次堆疊。如上所述，因?yàn)榈谝挥涗泴覮O和第二記錄層Ll分別具有與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的信息信號(hào)層相同的結(jié)構(gòu)，所以省略了這些記錄層的具體描述，下面描述中間層 8。(中間層)中間層8的作用是將第一記錄層LO與第二記錄層Ll在物理上和光學(xué)上分開(kāi)足夠的距離。在中間層8的表面上形成不平坦表面11。第二記錄層Ll被沉積在這個(gè)不平坦表面11上。此后，不平坦表面11的凹陷部分被稱為凹部Gin，并且不平坦表面11的凸出部分被稱為凸部G。n。凹部Gin和凸部G。n的形狀的例子包括各種不同形狀，例如螺旋形和同心環(huán)形。凹部Gin和/或凸部G。n相互蜿蜒交錯(cuò)以便例如添加地址信息。中間層8的厚度優(yōu)選在5至50 μ m的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在10至40 μπι范圍內(nèi)。中間層8的材料優(yōu)選為可紫外光固化丙烯酸樹(shù)脂，但不僅限于此。因?yàn)橹虚g層8作為用于在第一記錄層LO上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的激光束的光學(xué)路徑，所以中間層8優(yōu)選具有足夠高的光學(xué)透明度。修飾在第一記錄層LO中，可以在第三保護(hù)層3和無(wú)機(jī)記錄層4之間或在無(wú)機(jī)記錄層4 和第一保護(hù)層5之間提供儲(chǔ)熱層?；蛘撸梢栽诘谌Ｗo(hù)層3與無(wú)機(jī)記錄層4之間以及無(wú)機(jī)記錄層4和第一保護(hù)層5之間都設(shè)置儲(chǔ)熱層。儲(chǔ)熱層的材料、厚度以及其他性質(zhì)均與上面描述的第一實(shí)施方式相同。實(shí)施例下面通過(guò)具體實(shí)施例的方式來(lái)具體描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。(分析層組成的方法)在實(shí)施例、對(duì)比例和測(cè)試實(shí)施例中，每一層的組成如下所述進(jìn)行測(cè)定。首先，在與實(shí)施例、對(duì)比例和測(cè)試實(shí)施例中所述的相同條件下將待測(cè)定組成的層 (例如第一保護(hù)層或第二保護(hù)層)沉積在平的基板上。由此，制備了樣品。接下來(lái)，利用電感耦合等離子(ICP)質(zhì)譜儀使用ICP質(zhì)譜法來(lái)檢查每一個(gè)樣品的層組成。
(平均厚度的測(cè)定)在實(shí)施例、對(duì)比例和測(cè)試實(shí)施例中，每一層的平均厚度如下所述進(jìn)行測(cè)定。首先，在與實(shí)施例、對(duì)比例和測(cè)試實(shí)施例中所述的相同條件下將待測(cè)定厚度的層沉積在平的基板上。由此，制備了樣品。接下來(lái)，在垂直于基板的主表面的方向上使用聚焦離子束(FIB)對(duì)每個(gè)樣品進(jìn)行切割，從而形成了橫截面。接下來(lái)，利用透射電子顯微鏡 (TEM)從橫截面對(duì)層的厚度進(jìn)行測(cè)量。對(duì)十個(gè)樣品重復(fù)這些測(cè)量。對(duì)得到的測(cè)量值進(jìn)行簡(jiǎn)單平均(算數(shù)平均)來(lái)得到平均厚度。下面具體描述實(shí)施例、對(duì)比例和測(cè)試實(shí)施例。1.第一保護(hù)層和第三保護(hù)層組成的檢驗(yàn)測(cè)試實(shí)施例1首先，通過(guò)注射模塑形成厚度為1. Imm的聚碳酸酯基板。在聚碳酸酯基板上形成包括凹部Gin和凸部G。n的不平坦表面。接下來(lái)，通過(guò)濺射方法在聚碳酸酯基板上按順序堆疊反射層、第三保護(hù)層、儲(chǔ)熱層、無(wú)機(jī)記錄層、和第一保護(hù)層。這些層的具體結(jié)構(gòu)如下。反射層Ag合金，SOnm (平均厚度)第三保護(hù)層In2O3,14nm (平均厚度)儲(chǔ)熱層ZnS_Si02，7nm無(wú)機(jī)記錄層[(ZnS)80 (SiO2) 20] 4。Sb6。，18nm (平均厚度)第一保護(hù)層In2O3,17nm(平均厚度)接下來(lái)，通過(guò)旋涂方法將紫外光固化樹(shù)脂均勻地涂在第一保護(hù)層上，并且通過(guò)用紫外光照射將該紫外光固化樹(shù)脂固化，從而形成具有0. Imm厚度的透光層。由此，制成了一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)。測(cè)試實(shí)施例2按照測(cè)試實(shí)施例1中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)9tl(Gii2O3)ltl形成。第一保護(hù)層和第三保護(hù)層采用兩種靶體作為保護(hù)層的材料使用共濺射的方法形成，所述靶體由In2O3和Ga2O3制成。測(cè)試實(shí)施例3按照測(cè)試實(shí)施例2中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)80(Gii2O3)20形成。測(cè)試實(shí)施例4按照測(cè)試實(shí)施例2中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)60(Gii2O3)40形成。測(cè)試實(shí)施例5按照測(cè)試實(shí)施例2中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)35(Gii2O3)65形成。測(cè)試實(shí)施例6按照測(cè)試實(shí)施例2中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)20(Gii2O3)80形成。測(cè)試實(shí)施例7
按照測(cè)試實(shí)施1中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)。測(cè)試實(shí)施例8按照測(cè)試實(shí)施例1中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)9tl(CeO2)ltl形成。第一保護(hù)層和第三保護(hù)層采用兩種靶體作為保護(hù)層的材料使用共濺射的方法形成，所述靶體由In2O3和( 制成。測(cè)試實(shí)施例9按照測(cè)試實(shí)施例8中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)85(CeO2)15形成。測(cè)試實(shí)施例10按照測(cè)試實(shí)施例8中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)6tl(CeO2)4tl形成。測(cè)試實(shí)施例11按照測(cè)試實(shí)施例8中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)4tl(CeO2)6tl形成。測(cè)試實(shí)施例12按照測(cè)試實(shí)施例8中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)2tl(CeO2)8tl形成。測(cè)試實(shí)施例13按照測(cè)試實(shí)施1中所述來(lái)制備例一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)。測(cè)試實(shí)施例14按照測(cè)試實(shí)施例1中所述來(lái)制備一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)9tl(Sn2O3)ltlt5第一保護(hù)層和第三保護(hù)層采用兩種靶體作為保護(hù)層的材料使用共濺射的方法形成，所述靶體由M2O3和Sn2O3制成。測(cè)試實(shí)施例15按照測(cè)試實(shí)施14中所述來(lái)制備例一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)80(Sn2O3)20形成。測(cè)試實(shí)施例16按照測(cè)試實(shí)施14中所述來(lái)制備例一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)60(Sn2O3)40形成。測(cè)試實(shí)施例17按照測(cè)試實(shí)施14中所述來(lái)制備例一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)40(Sn2O3)60形成。測(cè)試實(shí)施例18按照測(cè)試實(shí)施14中所述來(lái)制備例一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)，不同之處在于第一保護(hù)層和第三保護(hù)層均由(In2O3)20(Sn2O3)80形成。(信號(hào)性能的評(píng)估)如下所述，使用由Rilstec Industrial Co. ,Ltd.制造的0DU-1000作為評(píng)估設(shè)備來(lái)評(píng)估如上所述制備的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的信號(hào)性能。在這種評(píng)估設(shè)備中，激光束的波長(zhǎng)被設(shè)定為405nm，數(shù)值孔徑NA被設(shè)定為0. 85。在每個(gè)一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)上以19. 68m/s的線速度進(jìn)行記錄，按照藍(lán)光盤25GB密度的標(biāo)準(zhǔn)，這是4倍速。再現(xiàn)以4.92m/s的速度進(jìn)行，這是1倍速。使用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的平衡板和由Yokogawa Electric Corporation制造的TA720時(shí)間間隔分析器來(lái)測(cè)量抖動(dòng)值。由此進(jìn)行信號(hào)的評(píng)估。結(jié)果示于表1和圖4。抖動(dòng)值優(yōu)選為7. 5%或更小，更優(yōu)選為7. 0%或更小。這是因?yàn)楸绢I(lǐng)域公知等于或小于7. 5%的抖動(dòng)值與足夠低的錯(cuò)誤率之間相關(guān)聯(lián)。(存儲(chǔ)可靠性的評(píng)估)如下所述來(lái)評(píng)估如上制備的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的信號(hào)性能的存儲(chǔ)可靠性。將其上記錄有信息信號(hào)的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)存貯在80°C和85% RH的環(huán)境下600小時(shí)，然后檢查符號(hào)錯(cuò)誤率(SER)。使用由Pioneer Corporation制造的藍(lán)光盤驅(qū)動(dòng)器(BDR-IOlA)來(lái)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄/再現(xiàn)評(píng)估。結(jié)果示于表1和圖5。SER優(yōu)選為2. O X 10_3或更低，更優(yōu)選為1. O X 10_3或更低，進(jìn)一步優(yōu)選為3. O X 10_4 或更低。這是因?yàn)樵诖尜A測(cè)試之后得到2X10_3或更低的SER，一般就可以獲得實(shí)際應(yīng)用足夠的存儲(chǔ)穩(wěn)定性，其中錯(cuò)誤率在該數(shù)值范圍內(nèi)不算失控。。表1示出了測(cè)試實(shí)施例1至18的一次寫(xiě)入式光學(xué)記錄介質(zhì)的抖動(dòng)值特性和存儲(chǔ)可靠性。表 權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其包含無(wú)機(jī)記錄層；設(shè)置在所述無(wú)機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上且含有氧化銦的第一保護(hù)層；以及鄰接所述第一保護(hù)層設(shè)置且含有氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的第二保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一保護(hù)層含有氧化銦和氧化錫的復(fù)合氧化物、氧化銦和氧化鈰的復(fù)合氧化物、或氧化銦和氧化鎵的復(fù)合氧化物作為主要成分。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二保護(hù)層中氧化鈦的含量大于或等于40摩爾％且小于或等于100摩爾％。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二保護(hù)層中氧化鋯的含量大于或等于20摩爾％且小于或等于70摩爾％。
5.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二保護(hù)層中氧化錫的含量大于或等于20摩爾％且小于或等于100摩爾％。
6.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二保護(hù)層含有氧化鈦?zhàn)鳛橹饕煞?，或者含有氧化鋯、氧化硅、和氧化銦的?fù)合氧化物作為主要成分，或者含有氧化錫和氧化鉭的復(fù)合氧化物作為主要成分。
7.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二保護(hù)層的平均厚度大于或等于2nm且小于或等于10nm。
8.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一保護(hù)層以含氧化銦的復(fù)合氧化物作為主要成分，且該復(fù)合氧化物由式[(In2O3) η(A)x]表示，其中A表示氧化錫、氧化鈰、或氧化鉭，X滿足0. 05 < X < 0. 75。
9.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一保護(hù)層以含氧化銦的復(fù)合氧化物作為主要成分，且該復(fù)合氧化物由式[(In2O3) η(A)x]表示，其中A表示氧化鈰或氧化鉭，X滿足0. 15彡X彡0. 75。
10.如權(quán)利要求ι或2所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無(wú)機(jī)記錄層含有aiS、SiO2和 Sb作為主要成分。
11.如權(quán)利要求10所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無(wú)機(jī)記錄層還含有選自fei、Te、V、 Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、和 Tb 的至少一種元素。
12.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無(wú)機(jī)記錄層具有符合式(1)的組成[(SiS) x(Si02) Jy (SbzX1J1-/..⑴其中O < χ彡1. 0,0. 3彡y彡0. 7，且0. 8 < ζ彡1. 0，并且X是選自GaJeJALZn、 Ta、Ge、In、Cr、Sn、和Tb的至少一種元素。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述無(wú)機(jī)記錄層的平均厚度大于或等于3nm且小于或等于40nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其包含無(wú)機(jī)記錄層，設(shè)置在所述無(wú)機(jī)記錄層的至少一個(gè)表面上且含有氧化銦的第一保護(hù)層，鄰接所述第一保護(hù)層設(shè)置且含有氧化鈦、氧化鋯、或氧化錫的第二保護(hù)層。
文檔編號(hào)G11B7/254GK102339615SQ20111019665
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者田畑浩 申請(qǐng)人:索尼公司