專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)、記錄方法、再生方法以及記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)激光等的光束來(lái)記錄、再生信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)、記錄方法、 再生方法以及記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，能通過(guò)激光照射來(lái)記錄信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)被廣泛研究開發(fā)、商品化。在這樣的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，有改寫型和追記型，其中改寫型能記錄信息，能刪除或改寫已經(jīng)記錄有信息的介質(zhì)，追記型能記錄信息，但不能刪除已記錄的信息或用新的信息來(lái)進(jìn)行改寫。作為追記型的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的一種，例如，已知在信息層上具備以氧化物作為基礎(chǔ)材料、包含分散了金屬元素的材料、更具體地包含了 Te和TeO2的混合物TeOx(0 < χ <2)的信息記錄膜的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。包含TeOxW記錄膜在不實(shí)施激光退火等的初始化處理而形成記錄膜之后，就保持非晶相的狀態(tài)不變地使用。即，在形成包含TeOx的記錄膜之后，能不進(jìn)行熱處理而以非晶相的狀態(tài)來(lái)記錄信息。因此，具有光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造簡(jiǎn)單、能以低成本來(lái)制造的優(yōu)點(diǎn)。若在這樣的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上照射比規(guī)定強(qiáng)度大的激光，則在照射了激光的區(qū)域中，記錄膜從非晶相改變?yōu)榻Y(jié)晶相，形成記錄標(biāo)記(record mark)。例如，在記錄層的軌道上形成以基于根據(jù)要記錄的信息而調(diào)制的信號(hào)的長(zhǎng)度來(lái)表征的空白以及標(biāo)記的組合。由于包含TeOx的記錄膜中的在非晶相和結(jié)晶相中反射率有較大的不同，若用具有不在記錄膜產(chǎn)生相變程度的強(qiáng)度的激光來(lái)掃描已記錄有信息的軌道，則能獲得具有與空白以及標(biāo)記對(duì)應(yīng)的強(qiáng)度變化的反射光，能再生被記錄于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息。由于包含TeOx的記錄膜中的從非晶相向結(jié)晶相的變化為不可逆過(guò)程，因此，不能進(jìn)行基于信息覆寫的修改或刪除。近年來(lái)，追求記錄容量更大的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。作為使光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄容量變大的方法，一般是使用通過(guò)使激光的波長(zhǎng)變短、或使對(duì)激光進(jìn)行聚光的物鏡的數(shù)值口徑變大來(lái)縮小聚光的光斑徑，并提高記錄面密度的方法。另外，為了使每個(gè)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄面積增大，層疊了多個(gè)信息層的多層構(gòu)造的光學(xué)信息記錄介質(zhì)也在近年被實(shí)用化。為了和這樣的高密度記錄或多層記錄對(duì)應(yīng)，也提出了調(diào)整在TeOx中添加PcUAu等的記錄材料的組成、以及記錄膜的厚度的光學(xué)信息記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻(xiàn)幻。另外，在提高了光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄密度的情況下，會(huì)有反射光的強(qiáng)度降低或標(biāo)記間的熱干擾的問(wèn)題。為了解決這些課題，提出了通過(guò)和記錄膜相鄰來(lái)設(shè)置反射膜，由此利用光學(xué)干涉效應(yīng)來(lái)提高記錄膜的光吸收率從而提高記錄靈敏度，并且，將在記錄膜產(chǎn)生的熱擴(kuò)散到反射膜，抑制標(biāo)記間的熱干擾(例如參照專利文獻(xiàn)3)。專利文獻(xiàn)1 JP特開昭50-46317號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)1 國(guó)際公開W098/09823號(hào)手冊(cè)專利文獻(xiàn)2 JP特開2002-251778號(hào)公報(bào)在進(jìn)行如上所述的高密度記錄，特別是進(jìn)行使用了藍(lán)紫色激光的記錄的情況下，由于激光加熱而產(chǎn)生的熱負(fù)載，記錄膜容易受到損傷。其結(jié)果，會(huì)有在再生信號(hào)中包含較多的噪聲等再生信號(hào)的質(zhì)量惡化的可能性。另外，即使在記錄時(shí)所受到的熱負(fù)載不會(huì)立即使再生信號(hào)的質(zhì)量惡化的情況下，也認(rèn)為通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間保存光學(xué)信息記錄介質(zhì)，熱負(fù)載帶來(lái)的影響會(huì)顯現(xiàn)，再生信號(hào)劣化。如上所述，近年來(lái)追求使光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄容量進(jìn)一步增大。另外，追求能以高倍速來(lái)記錄信息的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。因此，需要提高記錄密度、增大上限記錄線速度、增加信息層的層數(shù)。與此相伴，光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄膜受到的熱負(fù)載有進(jìn)一步增大的傾向。因此，緩和熱負(fù)載并提高保存可靠性越來(lái)越重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決這樣的課題，目的在于提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其高密度、高線速度記錄中的再生信號(hào)的質(zhì)量良好，且保存可靠性高。本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)具備基板；覆蓋層；和被所述基板以及所述覆蓋層所夾的第1信息層，通過(guò)從所述覆蓋層一側(cè)照射光束，在所述第1信息層記錄信息，對(duì)記錄于所述第1信息層的信息進(jìn)行再生，所述第1信息層包含記錄膜、和配置于所述記錄膜和所述覆蓋層之間的保護(hù)膜，所述覆蓋層和所述記錄膜之間的距離為0. 5nm以上12nm以下。通過(guò)覆蓋層和記錄膜之間的距離為0. 5nm以上12nm以下，保護(hù)記錄膜不受到熱損傷，另外，能抑制保護(hù)膜的剝離，能實(shí)現(xiàn)高密度、高線速度記錄中的再生信號(hào)的質(zhì)量良好且保存可靠性高的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，光學(xué)信息記錄介質(zhì)還具備設(shè)于所述基板和所述第1信息層之間的第2信息層。由此，即使在層疊了信息層的記錄容量大的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，也能實(shí)現(xiàn)高密度、高線速度記錄中的再生信號(hào)的質(zhì)量良好且保存可靠性高的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述記錄膜包含追記型的記錄材料。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述追記型的記錄材料包含從由Cr-0、Zn-0、(ia-0、In-0、 Sn-0, Sb-0, Bi-O以及1Te-O構(gòu)成的群中選出的至少一種。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，所述第1信息層還具有設(shè)于所述記錄膜和所述基板之間的反射膜。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述第1信息層具有設(shè)于所述記錄膜和所述反射膜之間的中間膜。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述保護(hù)膜包含從由ai-0、Te-0以及Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種，在所述保護(hù)膜中，Zn、Te以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為50at%以上。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述保護(hù)膜分別包含從由ai-0、Te-0以及Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種、和從由Cr-0、Sb_0、Bi-0、In-0以及fei-0構(gòu)成的群中選出的至少一種， 在所述保護(hù)膜中，ZruTe以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為33at%以上 96at %以下，Cr、Sb、Bi、In以及( 的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為4at %以上67at%以下。在某優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述第1信息層的槽的間距為1 μ m以下。
本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法，在上述任一種的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中， 用波長(zhǎng)為450nm以下的光束來(lái)記錄信息。本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的再生方法，用波長(zhǎng)為450nm以下的光束對(duì)記錄于上述任一種所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的信息進(jìn)行再生。本發(fā)明的記錄再生裝置在上述任一種所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，用波長(zhǎng)為 450nm以下的光束來(lái)記錄信息；和用波長(zhǎng)為450nm以下的光束對(duì)記錄于上述任一種所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的信息進(jìn)行再生。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)覆蓋層和記錄膜之間的距離為0. 5nm以上12nm以下，可保護(hù)記錄膜不受到熱損傷，另外，能抑制保護(hù)膜的剝離，且能實(shí)現(xiàn)高密度、高線速度記錄中的再生信號(hào)的質(zhì)量良好且保存可靠性高的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。


圖1是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施方式的示意性的部分剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的其它實(shí)施方式的示意性的部分剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的其它實(shí)施方式的示意性的部分剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的記錄再生裝置的一個(gè)實(shí)施方式中的主要部分的概略圖。
(符號(hào)說(shuō)明)
1基板
2第1信息層
3記錄膜
4保護(hù)膜
5 覆蓋層(cover layer)
6激光
7物鏡
8反射膜
9中間膜
10分離層
11第2信息層
12激光二極管
13半反射鏡
14電動(dòng)機(jī)
15光學(xué)信息記錄介質(zhì)
16光檢測(cè)器
具體實(shí)施例方式
下面，說(shuō)明本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的實(shí)施方式。圖1是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的實(shí)施方式的示意性的部分剖面圖。圖1所示的光學(xué)信息記錄介質(zhì)具備基板 1、覆蓋層5、被基板1以及覆蓋層5所夾的第1信息層2。第1信息層2至少包含記錄膜3 以及保護(hù)膜4。保護(hù)膜4配置于記錄膜3和覆蓋層5之間。
如圖1所示，用物鏡7對(duì)激光等的光束6進(jìn)行聚光，提供將聚光后的光束6從覆蓋層5側(cè)照射到第1信息層2，進(jìn)行對(duì)第1信息層2的信息的記錄，或進(jìn)行被記錄于第1信息層2的信息的再生。如圖2所示，第1信息層2還具有設(shè)于記錄膜3和基板1之間的反射膜8。另外， 也可以具有設(shè)于記錄膜3和反射膜8之間的中間膜9。光學(xué)信息記錄介質(zhì)也可以具有2個(gè)以上的信息層。具體地，如圖3所示，光學(xué)信息記錄介質(zhì)還具備設(shè)于基板1和第1信息層2之間的第2信息層11。這種情況下，優(yōu)選在第 1信息層2和第2信息層11之間設(shè)置分離層10。另外，光學(xué)信息記錄介質(zhì)也可以具備3個(gè)以上的信息記錄層。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)具備多個(gè)信息層的情況下，將多個(gè)信息層從靠近基板1側(cè)起依次稱為L(zhǎng)O層、Ll層……?；?支撐第1信息層2、第2信息層11。作為基板1的材料，可以使用聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚烯烴樹脂、降莰烷系樹脂、紫外線硬化性樹脂或適宜地組合這些樹脂等。另外，基板1的厚度雖無(wú)特別的限定，但能使用0. 01 3. Omm程度的厚度。 在基板1的和第1信息層2或第2信息層11接觸的表面上，形成有螺旋狀的槽。為了提高記錄密度，槽的間距優(yōu)選為1 μ m以下。該槽與形成于第1信息層2或第2信息層11的槽對(duì)應(yīng)。覆蓋層5用于防止在信息層2產(chǎn)生損傷或刮痕等，并且防止信息層2暴露在大氣中而被氧化。另外，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，調(diào)整從覆蓋層5的光束所入射的表面到第1信息層2為止的距離。作為覆蓋層5的材料，可以使用聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、 聚烯烴樹脂、降莰烷系樹脂、紫外線硬化性樹脂、玻璃或適宜地組合這些樹脂等。另外，覆蓋層5的厚度雖無(wú)特別的限定，但能使用0. 01 1. 5mm程度的厚度。例如在物鏡7的數(shù)值口徑NA為0. 8 0. 9程度的情況下，優(yōu)選覆蓋層5的厚度為0. 03 0. 3mm程度。在覆蓋層 5較薄的情況下，例如在覆蓋層5的厚度為0. 3mm以下的情況下，貼合由上述材料形成的薄片來(lái)形成覆蓋層5，或通過(guò)旋涂法來(lái)涂覆紫外線硬化性樹脂，通過(guò)照射紫外線使其硬化來(lái)形成覆蓋層5。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)具備2個(gè)以上的信息層的情況下，在2個(gè)信息層之間設(shè)置分離層10。分離層10調(diào)整2個(gè)信息層的間隔。也可以為了第1信息層3的軌道而在分離層 10的第1信息層2側(cè)的表面上形成螺旋狀的槽。作為分離層10的材料，可以使用紫外線硬化性樹脂等。分離層10的厚度優(yōu)選為至少由物鏡7的數(shù)值口徑NA和激光6的波長(zhǎng)λ 所決定的焦點(diǎn)深度以上，以使得在對(duì)第1信息層2以及第2信息層11的任意一層進(jìn)行再生時(shí)，來(lái)自另一層的串?dāng)_變小。另外，優(yōu)選通過(guò)分離層10來(lái)調(diào)整各信息層的位置，以使得物鏡 7能使光束6會(huì)聚在全部的信息層上。例如，在λ = 40511!11、嫩=0.85的情況下，分離層 10的厚度優(yōu)選為5μπι以上50 μ m以下。但是，若能開發(fā)出可以降低層間的串?dāng)_的光學(xué)系統(tǒng)或技術(shù)時(shí)，則分離層的厚度也可以比5 μ m要薄。接下來(lái)，詳細(xì)說(shuō)明第1信息層2。如上所述，第1信息層2至少包含記錄膜3以及保護(hù)膜4。記錄膜3包含通過(guò)光束的照射而引起從非晶相向結(jié)晶相相變的追記型記錄材料。 具體地，追記型記錄材料至少包含從由Cr-O、Zn-O、fei-0、In-0, Sn-0, Sb-0, Bi-O以及Te-O 構(gòu)成的群中選出的至少一種來(lái)作為母材。在此，Cr-0、Zn-0等分別意味著鉻氧化物(CrOx)、 鋅氧化物(ZnOx)。通過(guò)包含這些材料，能在高密度、高線速度記錄中，在記錄膜3形成希望的形狀的記錄標(biāo)記，在將光束照射至已形成的記錄標(biāo)記上的情況下，能獲得良好質(zhì)量的再生信號(hào)。在記錄膜3上，除了這些母材以外，還可以以通過(guò)升溫而高速結(jié)晶化從而產(chǎn)生光學(xué)變化為目的，在追記型的記錄材料中添加從由Te、Sb、Bi、Ge、Sn、Ga、In、Pd、Au、Pt、Ni、Ag 以及Cu構(gòu)成的群中選出的至少一種來(lái)作為添加物。另外，在使用Te-O來(lái)作為追記型的記錄材料的母材的情況下，能在追記型的記錄材料中添加從Te、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、 Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au 以及 Bi構(gòu)成的群中選出的至少一種元素作為添加物。記錄膜3優(yōu)選使包含上述母材以及添加物的主成份為80at%以上，更優(yōu)選為包含90at%以上。進(jìn)而，除了上述主成份以外，還可以出于調(diào)整結(jié)晶化速度、熱傳導(dǎo)率或光學(xué)常數(shù)等、或提高耐熱性或耐濕性等的目的，記錄膜3可根據(jù)需要，在記錄膜3整體的IOat % 以內(nèi)，更優(yōu)選為5at %以內(nèi)的比例的范圍內(nèi)，包含其它氧化物、氮化物、氟化物、碳化物、硫化物、硼化物、0、N、F、C、S、B等非金屬元素構(gòu)成的群中選出的一種。記錄膜3的膜厚優(yōu)選為2nm以上70nm以下，更優(yōu)選為4nm以上40nm以下。在記錄膜3比2nm薄的情況下，由于無(wú)法獲得充分的反射率以及反射率變化，因此再生信號(hào)的C/ N比(載噪比)變小。另外，在比70nm厚的情況下，由于記錄膜3的薄膜內(nèi)的熱擴(kuò)散相對(duì)變大，因此記錄標(biāo)記的輪廓變得不清楚，在高密度記錄中，再生信號(hào)的C/N比變小。在記錄膜3上形成與形成于基板1的槽相對(duì)應(yīng)的螺旋狀的槽。在槽和槽之間形成有螺旋狀的凸部。因此，優(yōu)選形成有記錄膜3的槽的間距也為Ιμπι以下。將槽和凸部分別稱為“溝槽(groove)”和“岸臺(tái)(land)”。根據(jù)記錄方式不同，將溝槽或/以及岸臺(tái)作為用于記錄信息的軌道使用。保護(hù)膜4主要保護(hù)記錄膜3不受到潮氣影響，并且在記錄膜由于光束而成為高熱的情況下，予以保護(hù)記錄膜3不受到熱損傷，抑制由于記錄膜3的熱而導(dǎo)致覆蓋層5變形。 因此，優(yōu)選用耐熱性高的材料來(lái)構(gòu)成保護(hù)膜4。具體地，優(yōu)選用無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成保護(hù)膜4， 更優(yōu)選用無(wú)機(jī)電介質(zhì)材料來(lái)構(gòu)成保護(hù)膜4。更具體地，保護(hù)膜4包含從由&1-0、Te-O以及 Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種。在保護(hù)膜4中，優(yōu)選Zn、Te以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為50at%以上?；?，所述保護(hù)膜4分別包含從由ai-0、Te-0以及 Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種、和從由Cr-0、Sb-0, Bi-0, In-O以及構(gòu)成的群中選出的至少一種。這種情況下，在保護(hù)膜4中，優(yōu)選Zn、Te以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為33at%以上96at%以下，Cr、Sb、Bi、In以及fei的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為4at%以上67at%以下。由此，在高密度記錄中，能獲得較高的保存可靠性。另外，只要是在不損害本來(lái)的功能程度的10at%以內(nèi)的范圍，則也能追加上述以外的材料成分。另外，也可以通過(guò)使記錄膜3的表面氧化來(lái)構(gòu)成保護(hù)膜4。具體地，保護(hù)膜4的厚度優(yōu)選為0. 5nm以上12nm以下，更優(yōu)選為Inm以上5nm以下。如上所述，保護(hù)膜4主要發(fā)揮記錄膜3的防濕、保護(hù)記錄膜3不受到熱損傷、以及抑制覆蓋層5的變形的功能是非常重要的。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，認(rèn)為保護(hù)膜厚一些較好。例如，在現(xiàn)有的DVD中，一般保護(hù)膜為IOOnm以上，在現(xiàn)有的BD中，保護(hù)膜的厚度也為20nm。但是，通過(guò)本申請(qǐng)的發(fā)明者的詳細(xì)的研究，保護(hù)膜的厚度即使成為遠(yuǎn)比現(xiàn)有的要薄的0. 5nm以上12nm以下，也從充分發(fā)揮上述的功能。另一方面，在保護(hù)膜4 的厚度如現(xiàn)有那樣為數(shù)十nm以上的情況下，認(rèn)為，在長(zhǎng)時(shí)間保管光學(xué)信息記錄介質(zhì)的情況
8下，或在高溫高濕下保管光學(xué)信息記錄介質(zhì)的情況下，在保護(hù)膜4產(chǎn)生膜應(yīng)力，在記錄膜3 和保護(hù)膜4之間產(chǎn)生剝離，在剝離的部分標(biāo)記的邊界變得不清楚，或在保護(hù)膜產(chǎn)生凹凸等， 從而會(huì)降低再生信號(hào)的質(zhì)量。在圖1到圖3所示的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，在覆蓋層5和記錄膜3之間僅存在保護(hù)膜4。但是，在作為保護(hù)膜4的功能之一的抑制覆蓋層5的變形，在有其它膜形成于記錄膜3和覆蓋層5之間的情況下，會(huì)受到其它的膜的影響。因此，在第1信息層2中，若還考慮在記錄膜3和覆蓋層5之間設(shè)置保護(hù)膜4以外的膜的情況，則優(yōu)選覆蓋層5和記錄膜3 之間的距離為0. 5nm以上12nm以下，更優(yōu)選為Inm以上5nm以下。通過(guò)用上述的材料來(lái)構(gòu)成保護(hù)膜4，并具備上述的厚度，保護(hù)膜4能滿足如下條件(1)保護(hù)記錄膜3不受到熱損傷；( 和記錄層3等的相鄰的材料的緊密接觸性良好，即使高溫、高濕條件下也不產(chǎn)生剝離、腐蝕以及擴(kuò)散等；C3)透明性高且具有適度的折射率， 能增強(qiáng)記錄膜3的光學(xué)變化；(4)其自身熱穩(wěn)定，即使在高溫高濕下粒徑和組成分布也不發(fā)生變動(dòng)。其結(jié)果，本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)即使在高密度、高線速度記錄中也具備較高的保存可靠性。在現(xiàn)有的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，例如在以4m/s程度的線速度來(lái)記錄信息的情況下，由于在高溫高濕條件(例如溫度85°C、相對(duì)濕度85%)下保管，即使不產(chǎn)生信息的劣化，在以其2倍以上的線速度進(jìn)行記錄的情況下，可以看到信息的劣化。這是由于在提高線速度的情況下，需要使用更強(qiáng)功率的光束來(lái)記錄信息，對(duì)記錄膜的熱負(fù)載變得更大， 所以信息產(chǎn)生了劣化。與此相對(duì)，本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)如上所述，通過(guò)將覆蓋層5和記錄膜3 之間的距離保持在一定范圍內(nèi)，能在更嚴(yán)格的高線速度的記錄中抑制信息的劣化。另外，與圖ι所示那樣的具備1個(gè)信息層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)相比，在圖3所示那樣的具備多個(gè)信息層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，用于對(duì)第2信息層進(jìn)行記錄再生的光束需要透過(guò)第1信息層。 因此，需要使第1信息層2的記錄膜3和反射膜8的膜厚較小。這種情況下，高溫以及/或高濕條件下保管的情況下的信息的劣化易于進(jìn)展。本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)在具備多個(gè)信息層的情況下特別能揮發(fā)較高的保存可靠性。在第1信息層2中，反射膜8有反射光束6的作用。作為反射膜8的材料能使用 Ag、Au、Al、Cu等金屬或包含這些金屬的合金。優(yōu)選地，使用反射率高的Ag合金來(lái)構(gòu)成反射膜8。由此，在高密度、高線速度記錄中，能獲得良好的再生信號(hào)質(zhì)量。作為向Ag添加的元素，并沒(méi)有特別的限定，但能在反射膜8的材料中添加少量的防止凝聚以及粒徑微細(xì)化效果高的 Pd、Pt、Ni、Ru、Au、Cu、Zn、Al、feu In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Ca、Mg、Y、Nd、Sm、Ti、Cr、0、 N、F、C、S、B等。特別是，通過(guò)使用從Pd、Cu、Bi、Nd以及( 構(gòu)成的群中選出的一種，能獲得較高的防止凝聚以及粒徑微細(xì)化的效果。在發(fā)揮這樣的效果的同時(shí)，為了不損傷^Vg的高的熱傳導(dǎo)率和反射率，添加元素的含有量?jī)?yōu)選為相對(duì)于反射膜5整體為0. 01at%以上10at% 以下，更優(yōu)選為0. 05at%以上5at%以下。中間膜9有緩和、調(diào)整從記錄膜3向反射膜8的散熱速度，進(jìn)而通過(guò)光學(xué)干涉效應(yīng)來(lái)調(diào)整信息層整體的光學(xué)特性的作用。作為中間膜9的材料，例如能使用Y、Ce、Ti、Zr、Nb、 Ta, Co、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te 白勺fUL，Ti、Zr, Nb、Ta, Cr、Mo、W、B、Al、Ga、 In、Si、Ge、Sn、Pb等的氮化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si等的碳化物，Zn、Cd等的硫化物、硒化物或碲化物，Mg、Ca、La等的稀土類的氟化物、C、Si、Ge等的單體或它們的混合物。由此，在高密度、高線速度記錄中，能進(jìn)一步獲得良好的再生信號(hào)質(zhì)量。其中，在反射膜8包含 Ag或Ag合金的情況下，若使用硫化物作為中間膜9的材料則有可能會(huì)侵蝕反射膜8。因此， 在反射膜8包含Ag或Ag合金的情況下，優(yōu)選用不含硫化物的材料來(lái)構(gòu)成中間膜9。另外， 中間膜9也可以是和保護(hù)膜4相同的材料。中間膜9的厚度優(yōu)選為2nm以上40nm以下，更優(yōu)選為5nm以上20nm以下。接下來(lái)，說(shuō)明本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法。本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)可通過(guò)如下步驟來(lái)制造在覆蓋層5上形成第1信息層2或在覆蓋層5上依次形成第1信息層2、分離層10以及第2信息層11，之后，在基板1上形成或貼合形成有信息層或分離層10的覆蓋層5。或也可以反之，在基板1上形成第1信息層2或在基板1上依次形成第2信息層11、分離層10以及第2信息層2，再貼合或形成覆蓋層5，從而制造本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。特別是后者，適于例如物鏡7的數(shù)值口徑NA大到0.8以上、 基板1的厚度為0. 3mm以下的情況。這種情況下，作為激光6的引導(dǎo)用的槽的溝槽或地址信號(hào)等的凹凸圖案形成在基板1以及分離層10的表面上，需要從壓模等預(yù)先形成希望的凹凸圖案的模具進(jìn)行轉(zhuǎn)印。此時(shí)，特別是在如分離層10那樣層厚較薄而使得通常使用的噴射法較為困難的情況下，能使用2P法(photo-polymerization法光聚合法)。第1信息層2以及第2信息層11的各薄膜能通過(guò)例如真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法、CVD(Chemical Vapor D印osition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等氣相薄膜堆疊法來(lái)形成。在用濺射法、真空蒸鍍法、MBE法等的情況下，為了形成希望的組成的薄膜，只要使用由和形成的薄膜的組成相同組成構(gòu)成的靶和蒸鍍?cè)醇纯?。在下面的?shí)施例中，確認(rèn)了各膜的靶材料組成和實(shí)質(zhì)形成的薄膜的組成大致相同。其中，根據(jù)成膜裝置、成膜條件或靶的制造方法等的不同，也會(huì)有靶的材料的組成和實(shí)際形成的薄膜的組成不同的情況。在這種情況下，優(yōu)選根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，預(yù)先求取用于補(bǔ)正組成的偏差的補(bǔ)正系數(shù)，來(lái)決定靶材料組成，以獲得希望的組成的薄膜。各薄膜的膜厚能通過(guò)調(diào)整膜形成時(shí)間或膜成長(zhǎng)速度來(lái)進(jìn)行控制。構(gòu)成各薄膜的材料，即構(gòu)成元素和其組成比，能通過(guò)螺旋電子分光法、X射線光電子分光法或2次離子質(zhì)量分析法等的方法(例如應(yīng)用物理學(xué)會(huì)/薄膜 表面物理分科學(xué)會(huì)編“薄膜制作手冊(cè)”共立出版株式會(huì)社、1991年等)來(lái)進(jìn)行調(diào)查。接下來(lái)，說(shuō)明本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法、再生方法以及記錄再生裝置的實(shí)施方式。圖4概略表示了進(jìn)行在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)上記錄信息、以及進(jìn)行記錄于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息的再生的至少一方的記錄再生裝置的最小限度的必需的構(gòu)成的一例。圖4所示的記錄再生裝置具備光源12、物鏡7、電動(dòng)機(jī)14、半反射鏡6和光檢測(cè)器 16。為了實(shí)現(xiàn)高記錄密度，光源12優(yōu)選出射波長(zhǎng)短的光束6，優(yōu)選450nm以下的波長(zhǎng)的光束。從作為光源12的激光二極管出射的光束6透過(guò)半反射鏡6，入射到物鏡7。物鏡7將光束6進(jìn)行會(huì)聚，在載置于電動(dòng)機(jī)14的轉(zhuǎn)盤上的光學(xué)信息記錄介質(zhì)15的第1信息層2的記錄膜3上(圖1)上形成規(guī)定大小的射束點(diǎn)(聚光點(diǎn))。對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)15，而使用上述的本實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
在記錄信息的情況下，利用根據(jù)要記錄的信息而進(jìn)行調(diào)制的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)光源，從而將調(diào)制后的光束6照射到光學(xué)信息記錄介質(zhì)15的記錄膜3。通過(guò)電動(dòng)機(jī)14來(lái)使光學(xué)信息記錄介質(zhì)15旋轉(zhuǎn)，由此光束6掃描光學(xué)信息記錄介質(zhì)15的軌道，形成記錄標(biāo)記。在對(duì)記錄于光學(xué)信息記錄介質(zhì)15中的信息進(jìn)行再生的情況下，用比記錄時(shí)功率要弱的光束6來(lái)掃描光學(xué)信息記錄介質(zhì)15的軌道，用半反射鏡13將反射光向檢測(cè)器16反射。檢測(cè)器16將反射光變換為電信號(hào)，通過(guò)處理電信號(hào)，能獲得記錄于光學(xué)信息記錄介質(zhì) 15中的信息作為再生信號(hào)。本實(shí)施方式的記錄再生裝置，特別適于用在以高記錄速度(高倍速)、高記錄密度來(lái)在光學(xué)信息記錄介質(zhì)15上記錄信息的情況。實(shí)施例下面，制作包含各種材料以及厚度的保護(hù)膜的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，通過(guò)評(píng)價(jià)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的實(shí)施例，來(lái)進(jìn)一步具體說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明并不限定于下面的實(shí)施例。(實(shí)施例1)制作盤1到盤22作為包含1個(gè)信息層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。作為基板，使用由聚碳酸酯樹脂構(gòu)成、直徑約12cm、厚度約1. 1mm、槽間距為0. 32 μ m、預(yù)先形成有槽深度約為 20nm的螺旋狀的槽的基板。在該基板的形成有槽的表面上，作為第1信息層，通過(guò)濺射法按照以下順序分別形成由AfeBi1構(gòu)成的膜厚60nm的反射膜、由(ZnO)9ci(Cr2O3)ici構(gòu)成的膜厚 20nm的中間膜、由Te36O54Pdltl構(gòu)成的膜厚25nm的記錄膜、和各種材料以及各種膜厚的保護(hù)膜。在該第1信息層的表面上，使用紫外線硬化樹脂形成厚度100 μ m的覆蓋層。作為保護(hù)膜，使用表1所示的材料以及膜厚，制作盤1 22。(表 1)
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具備基板；覆蓋層；和被所述基板以及所述覆蓋層所夾的第1信息層，通過(guò)從所述覆蓋層一側(cè)照射光束，在所述第1信息層記錄信息，對(duì)記錄于所述第1信息層的信息進(jìn)行再生，所述第1信息層包含記錄膜、和配置于所述記錄膜和所述覆蓋層之間的保護(hù)膜，所述覆蓋層和所述記錄膜之間的距離為0. 5nm以上12nm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)還具備設(shè)于所述基板和所述第1信息層之間的第2信息層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄膜包含追記型的記錄材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述追記型的記錄材料包含從由Cr-0、Zn-0, Ga-0, In-0, Sn-0, Sb-0, Bi-O以及Te-O 構(gòu)成的群中選出的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述第1信息層還具有設(shè)于所述記錄膜和所述基板之間的反射膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述第1信息層具有設(shè)于所述記錄膜和所述反射膜之間的中間膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)膜包含從由ai-0、Te-0以及Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種，在所述保護(hù)膜中，ZruTe以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為50at% 以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述保護(hù)膜分別包含從由Zn-0、Te-O以及Sn-O構(gòu)成的群中選出的至少一種、和從由 Cr-0、Sb-0, Bi-0, In-O以及fei-O構(gòu)成的群中選出的至少一種，在所述保護(hù)膜中，ZruTe以及Sn的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為33at% 以上96at%以下，Cr、Sb、Bi、In以及( 的合計(jì)相對(duì)于除了氧以外的全部原子的比例為 4at%以上67at%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述第1信息層的槽的間距為1 μ m以下。
10.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄方法，在權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，用波長(zhǎng)為450nm以下的光束來(lái)記錄信息。
11.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的再生方法，用波長(zhǎng)為450nm以下的光束對(duì)記錄于權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的信息進(jìn)行再生。
12.—種記錄再生裝置，進(jìn)行如下的至少一方在權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，用波長(zhǎng)為450nm以下的光束來(lái)記錄信息；和用波長(zhǎng)為450nm以下的光束對(duì)記錄于權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的信息進(jìn)行再生。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，具備基板、覆蓋層、被所述基板以及所述覆蓋層所夾的第1信息層，通過(guò)從所述覆蓋層一側(cè)照射光束，在所述第1信息層記錄信息，對(duì)記錄于所述第1信息層的信息進(jìn)行再生，所述第1信息層包含記錄膜、和配置于所述記錄膜和所述覆蓋層之間的保護(hù)膜，所述覆蓋層和所述記錄膜之間的距離為0.5nm以上12nm以下。
文檔編號(hào)G11B7/24GK102282614SQ20108000477
公開日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月4日
發(fā)明者北浦英樹, 長(zhǎng)田憲一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社