專利名稱：去除抗蝕劑的方法和生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種去除抗蝕劑的方法，其適用于制造需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)， 例如離散軌道型磁記錄介質(zhì)或適于高密度磁記錄的位圖案型磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來，硬盤裝置已不僅安裝在PC和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器中，而且開始安裝在消費類電器 和汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等中，且存在對于使這些裝置變得更快并具有更大容量的強烈需求。為了 實現(xiàn)大于1兆兆位/平方英寸(約645. 16平方毫米)的表面記錄密度，需要改善記錄磁性 信息對熱波動的穩(wěn)定性。為此，在軌道方向上具有平坦且連續(xù)形狀的常規(guī)介質(zhì)的情況下，發(fā) 展進步到離散軌道型磁記錄介質(zhì)(其中在軌道之間形成凹槽以隔離磁記錄信號)和位圖案 型磁記錄介質(zhì)以在隔離磁性粒子上進行磁記錄。將在生產(chǎn)常規(guī)磁頭和半導(dǎo)體的方法中采用 的圖案轉(zhuǎn)移和處理技術(shù)應(yīng)用于需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。在用于硬盤用途的磁記 錄介質(zhì)的情況下，對于磁頭需要在不大于IOnm的間距上浮動，除了上述技術(shù)之外，并且還 需要技術(shù)以完成已經(jīng)受圖案處理的表面，使得其光滑且潔凈。專利文獻1和2涉及用于液晶顯示面板的半導(dǎo)體芯片和濾色片，且這些文獻公開 了一種抗蝕劑去除方法，其中所述抗蝕劑通過采用低壓汞燈進行UV光照射來去除。[現(xiàn)有技術(shù)文獻][專利文獻1]日本未經(jīng)審查的專利申請公布H4-309223[專利文獻2]日本未經(jīng)審查的專利申請公布H8-82790[與巨專禾1J 文獻 1]Journal of the Illuminating Engineering Institute ofjapan, VOL. 83, '99/No. 5, "Study on UV/03cleaning by Xe2excimerlamp，，

發(fā)明內(nèi)容
[本發(fā)明要解決的問題]制造需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)的方法的實例將與制造離散軌道型磁記錄介質(zhì) 的方法相關(guān)地進行描述。借助于壓印裝置在模具(印模)上形成的圖案作為壓印抗蝕圖案 (其為負型抗蝕劑，并因此在下文中將其稱為負抗蝕劑)被轉(zhuǎn)移到硬盤。所述負抗蝕劑在 轉(zhuǎn)移期間通過使用UV輻射進行聚合來固化。如圖5中所示，將轉(zhuǎn)移的負抗蝕劑用作掩模， 且所述圖案借助于諸如反應(yīng)離子蝕刻或離子銑削的干法蝕刻工藝被轉(zhuǎn)移到所述硬盤。圖7 示出已經(jīng)以理想的方式進行圖案轉(zhuǎn)移之后的情形。實際上，如圖6中所示，在圖案已轉(zhuǎn)移之 后，需要徹底去除殘留在整個表面或局部的負抗蝕劑(下文中，稱為抗蝕劑殘余物)。傳統(tǒng) 上將采用氧氣的反應(yīng)性蝕刻作為去除已通過UV輻射固化的負抗蝕劑的標準方法。然而，當 將該方法用以去除磁記錄介質(zhì)上的抗蝕劑殘余物時，不僅去除抗蝕劑殘余物，而且還損壞 了其中形成圖案的磁性膜，并因此不可能在硬盤的整個表面上進行圖案寬度為不大于100 納米的正常轉(zhuǎn)移，而這是對離散軌道型磁記錄介質(zhì)的要求。此外，通過使用低壓汞燈的UV輻射進行的抗蝕劑去除方法(在專利文獻1和2中作為典型示例)需要在臭氧氣氛和至少100°c的高溫加熱條件下的UV輻射，以便促進全部 抗蝕劑的去除。去除抗蝕劑殘余物的效果隨臭氧氣體濃度和加熱溫度成比例增加，并因此 需要高濃度的臭氧。然而，在磁記錄介質(zhì)的情況下，存在磁特性劣化，并因此不希望暴露這 類介質(zhì)以在大于100°c的高溫下的加熱以及暴露于高濃度臭氧氣體。此外，限制之處在于去 除抗蝕劑的目標僅能夠使抗蝕劑從濾色片的像素之外的用于電極形成的開口和不必要的 部分去除，且這些方法并非用以完全去除抗蝕劑并進行清潔處理。這意味著這類方法可以 應(yīng)用于磁記錄介質(zhì)，但關(guān)于去除抗蝕劑殘余物，不可能實現(xiàn)充分效果。需要保證頭部在硬盤的整個表面上的不大于IOnm的間距下浮動，并因此不同于 半導(dǎo)體制造工藝，需要處理其中均勻并清潔地形成圖案的整個表面；需要設(shè)計在對磁性膜 沒有任何損壞的情況下去除抗蝕劑殘余物的可替選方法，且在完成之后的磁特性和浮動可 靠性不受不利影響。本發(fā)明旨在通過提供去除負抗蝕劑的方法來解決上文概述的問題，所 述方法可以應(yīng)用于需要在一個生產(chǎn)線上的生產(chǎn)量為數(shù)百個盤/小時或更多的大規(guī)模生產(chǎn) 硬盤的工藝。[解決問題的方法]在本發(fā)明中，在諸如大氣的含氧氣氛中用具有不大于240nm的波長的受激準分子 UV(excimer UV)光照射圖案表面，從而在圖案已轉(zhuǎn)移之后去除殘留的負抗蝕劑。此外，在受 激準分子UV光照射之后，使用純水進行清潔。抗蝕劑殘余物通過受激準分子UV光照射的分解在大氣中進行，并因此不必引入 臭氧氣體。當照射受激準分子UV光時，例如，可以使臭氧濃度保持在專利文獻2中公開的 4000ppm至IOOOOppm的1/10-1/100，并因此磁性膜的磁特性沒有劣化。受激準分子UV光照射具有許多優(yōu)勢，其中，能夠在大氣壓力下在大氣中進行，能 夠在不需要加熱基片的情況下在低溫下進行，能夠用強能量在短時間內(nèi)進行，并且基片沒 有因經(jīng)UV光產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)而損壞。另外，受激準分子UV光使用高頻高壓電介質(zhì)阻擋，并 因此不需要發(fā)動時間，并因此可以瞬時重復(fù)開關(guān)燈，且燈效率高，因為能量在單一波長下照 射；不照射那種在照射時引起溫度增加的具有長波長的光，并因此照射目標的表面溫度幾 乎不增加。因此，本發(fā)明方法包含去除負抗蝕劑的方法，能夠應(yīng)用于制造需要形成圖案的磁 記錄介質(zhì)，例如離散軌道型磁記錄介質(zhì)或適于高密度磁記錄的位圖案型磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明使得可以短時間內(nèi)去除負抗蝕劑，并因此能夠應(yīng)用于需要在一個生產(chǎn)線上 的生產(chǎn)量為數(shù)百個盤/小時或更多的大規(guī)模生產(chǎn)硬盤的工藝。根據(jù)本發(fā)明的去除負抗蝕劑 的方法通常能夠用于在硬盤裝置中安裝的磁記錄盤。本發(fā)明還可以用于多種領(lǐng)域中，例如 光學(xué)磁記錄、利用磁和熱兩者的熱輔助的磁記錄和利用磁和微波這兩者的微波輔助的磁記 錄。此外，當本發(fā)明與干法蝕刻裝置或清潔裝置結(jié)合時，可以簡單且在短時間內(nèi)安全地移除 負抗蝕劑，且可采用用于大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)備的系統(tǒng)。其中，本發(fā)明還能夠用于壓印裝置的模具 (印模)的清潔。與在使用眾所周知的低壓汞UV燈(254nm)進行UV/臭氧清潔的情況相比，使用受 激準分子UV燈的光照射中的氧吸收系數(shù)增加多達100倍，且以高密度生成反應(yīng)性氧物質(zhì) (自由基)。此外，光子能量增加，并因此存在裂解有機鍵的高能力。反應(yīng)性氧物質(zhì)O(1D)作 用于化學(xué)鍵已裂解的有機物質(zhì)，且如式(1)所示的有機物質(zhì)經(jīng)受氧化分解(碳化反應(yīng))，形 成被去除的低分子態(tài)物質(zhì)。
CnHmOfO(1D) — CO2, CO,H2O (1)例如，根據(jù) Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan, Vol. 83, '99/No. 5, [April 25，1999]中公開的 “Study on UV/03cleaningby Xe2excimer lamp”，在常規(guī)低壓汞燈的情況下，如式⑵所示，需要臭氧O3來生成起作用并去除抗蝕劑 殘余物的反應(yīng)性氧物質(zhì)O(1D)。03+hv (254nm) — 0 (1D) +O2 (2)為了完全去除抗蝕劑殘余物，需要在臭氧氣氛下進行光照射，且已證實與受激準 分子UV燈情況下相比需要大至少10倍的光照射時間。另一方面，當使用例如氙(172nm)的受激準分子UV燈時，如式⑶和⑷所示，反 應(yīng)性氧物質(zhì)O(1D)由大氣中的氧氣O2直接生成。另外，即使同時生成臭氧O3，也立刻生成 0 (1D)，并因此可以保持低臭氧濃度，同時以高密度生成反應(yīng)性氧物質(zhì)。02+hv(172nm) ^ O(1D)+O(3P) (3)0 (3P)+02+hv (172nm) — O(1D)+O2 (4)此外，在受激準分子UV燈的情況下，即使光照射時間極短，抗蝕劑殘余物也可以 通過隨后用純水洗滌而完全去除。就是說，受激準分子UV照射(其中光子能量超過有機物 質(zhì)的鍵的能量)使有機負抗蝕劑的化學(xué)鍵可以通過一次光照射而在膜厚度方向上從表面 裂解到負抗蝕劑轉(zhuǎn)移表面，并因此抗蝕劑殘余物能夠通過隨后用純水洗滌而完全去除。另 一方面，在低壓汞燈的情況下，光子能量低，并因此抗蝕劑殘余物不會在膜厚度方向上通過 一次光照射而裂解，且僅表面層部分上的抗蝕劑殘余物能夠在光照射之后通過用純水洗滌 而去除。[本發(fā)明的效果]在用于制造需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)的方法中，固化的抗蝕劑殘余物能夠通過 波長為240nm或更低的受激準分子UV光近距離照射到樣品上而分解并容易地去除。另外， 當這與在受激準分子UV光照射之后結(jié)合有用純水的洗滌時，可以提供清潔劑處理的表面 并在較短時間內(nèi)去除抗蝕劑殘余物。


圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明去除抗蝕劑殘余物的方法的一個階段；圖2為示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面示意圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的一個階段的橫截面的示意圖；以及圖9是示出在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案和比較例中接觸角相對于照射UV光 的時間的變化的曲線圖；以及圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案和比較例中磁化相對于所施加磁場的 磁滯回線的曲線圖。
具體實施例方式離散軌道型磁記錄介質(zhì)通過下述方法制造。使用濺射裝置，如圖2所示，在玻璃基片1上形成中間膜2和磁性膜3、4，且生成具 有多層膜結(jié)構(gòu)的垂直磁記錄介質(zhì)(以下稱為硬盤)。圖2所示的硬盤的最上表面為磁性膜， 且同時還生成具有由碳或硅等制成的保護膜的盤。接著，如圖3所示，使用抗蝕劑涂布裝置 把負抗蝕劑5均勻涂布到硬盤表面上，且借助于如圖4所示的壓印裝置的模具(印模)6將 離散軌道圖案轉(zhuǎn)移(transfer)到硬盤上。當圖案被轉(zhuǎn)移時，使用低壓汞燈，在石英模具上 照射波長365nm的UV光，且使負抗蝕劑5聚合并經(jīng)受UV固化，此后移除印模6并形成圖案。 所形成圖案的寬度在50-1000nm范圍內(nèi)。轉(zhuǎn)移之后，負抗蝕劑的平均膜厚度為約70nm，且生 成Inm-IOOnm范圍的樣品。在這種處理中，如圖5所示，負抗蝕劑5的膜厚度在硬盤的外周邊處不均勻，且負 抗蝕劑在某些位置處厚厚地粘附。在這種情形下，使用負抗蝕劑作為掩模，圖案借助于反應(yīng) 離子蝕刻或離子銑削轉(zhuǎn)移到所述盤，且如圖6所示剩下抗蝕劑殘余物7。采用表1中所示的方法以去除抗蝕劑殘余物7。使用接觸角計，用滴流純水測量樣 品的接觸角來證實負抗蝕劑的去除。當接觸角為4°或更小時，認為抗蝕劑殘余物已去除。 至光照射或洗滌之后測量接觸角的時間被設(shè)定為5-10分鐘。此外，使用采用漫射激光的光 學(xué)顯微鏡和故障檢測器來評估抗蝕劑殘余物。[表 1] Θ 完全移除〇部分移除Δ 存在損壞X 不可能移除圖1示出示例性實施方案1和2，其中在諸如大氣的含氧氣氛下將波長為172nm的 受激準分子UV光照射到磁記錄介質(zhì)的圖案表面上，以便去除圖案轉(zhuǎn)移之后剩下的負抗蝕 劑。圖7示出理想的硬盤，其中離散軌道處理已完成且負抗蝕劑已移除。磁性膜4上 的負抗蝕劑已完全去除。離散軌道槽之間的區(qū)域隨后用碳等再填充，此后表面不平坦借助 于離子束蝕刻等來去除，且使用濺射或另一處理來生成碳保護膜8，如圖8所示，使得生成
7具有光滑表面的硬盤。隨后將潤滑劑涂布到碳保護膜8的表面上，且評估磁頭的浮動穩(wěn)定 性。如圖1所示，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于已通過負抗蝕劑把圖案轉(zhuǎn)移到硬盤上的樣品，可 以在大氣條件下，用波長不大于240nm的受激準分子UV光近距離(離燈的距離不大于2mm) 照射5分鐘，從而分解并容易地去除負抗蝕劑。在實施例1和2中，使用了采用氙氣(Xe)的 波長為172nm的受激準分子UV燈，但是利用包括ArBr (165nm)、KrI (191nm)或KrCl (222nm) 的其他受激準分子UV燈可以實現(xiàn)與示例性實施方案1中相同的效果。然而，用波長為253nm 的XeI不能實現(xiàn)相同效果。認為不同效果取決于波長的原因在于，因為當UV光波長為240nm 或更低時，空氣中的氧分解以生成臭氧。因此，當以如上所述的方式照射波長為240nm或更 低的UV光時，可證明這種效果。在將受激準分子UV燈與樣品表面之間的距離設(shè)定為0. lmm-7mm的情況下進行光 照射，且盡管證實負抗蝕劑已被去除，但直到負抗蝕劑已完全去除所用的時間隨距離忽然 變長，并因此該距離優(yōu)選為不大于3mm。此外，將樣品置于旋轉(zhuǎn)樣品基座上并從3mm或更小 的距離用光照射，同時以0rpm-300rpm旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，旋轉(zhuǎn)引起由光照射生成的光子 在樣品的整個表面上均勻作用，并因此，直到負抗蝕劑完全被去除的時間縮短。已證實在轉(zhuǎn) 移之后在Inm-IOOnm的膜厚度范圍內(nèi)負抗蝕劑已被完全去除。還發(fā)現(xiàn)即使受激準分子UV光照射時間短(1分鐘或更短)(示例性實施方案2)，殘 余物也能夠通過隨后利用純水洗滌而完全去除。用純水洗滌在純水溢流罐中進行5分鐘， 同時施加IMHz的超聲波。當光照射時間短時，在光照射之后視覺上能夠證實有負抗蝕劑圖 案，但抗蝕劑通過洗滌完全去除。如從上可以看出，人們發(fā)現(xiàn)當使用受激準分子UV燈進行 光照射時，有機負抗蝕劑的化學(xué)鍵在膜厚度方向從表面裂解到負抗蝕劑轉(zhuǎn)移表面，且所述 抗蝕劑能夠通過利用純水洗滌來容易地移除。應(yīng)該注意到，當受激準分子UV燈變得更加接 近樣品，距離為Imm或更低時，證實即使受激準分子UV光照射時間為30秒，抗蝕劑殘余物 也能夠通過隨后用純水洗滌而完全去除。證實在這種情況下用純水洗滌改善浮動可靠性， 且對磁特性沒有不利影響。另外，去除抗蝕劑殘余物同時防止氧化的有效方法包括使用氫水(其中純水中 所溶解的氣體被預(yù)先除去且隨后溶解氫)洗滌；代替純水進行洗滌，其中將超聲波施加到 含有異丙醇等的非水溶液中；或使用噴射的氬氣或二氧化碳氣體來洗滌。在所述研究中使用的受激準分子UV燈的總長度為300mm，且這種燈能夠?qū)⒐馔瑫r 照射到具有65mm外形的四個硬盤基片的兩個表面上。可以通過增加UV燈的數(shù)目或其總長 度，來進一步增加能夠處理的盤數(shù)。此外，通過增加UV燈的數(shù)目并優(yōu)化所述盤經(jīng)過UV燈的 照射表面所用的時間，可以通過簡單地在一個方向上輸送樣品來均勻移除負抗蝕劑。在這 種情況下，不必旋轉(zhuǎn)樣品。光照射和輸送所需的時間為不大于60秒，并因此，例如，如果同時處理20個盤，可 以實現(xiàn)至少1200個盤/小時的生產(chǎn)量。應(yīng)該注意到，將能夠每小時處理至少1200個盤的 裝置用作在通過受激準分子UV燈光照射之后的洗滌裝置。圖9為示出示例性實施方案1、2和比較例1、2、5中接觸角相對于通過多種UV燈 產(chǎn)生的光照射的時間的變化的曲線圖。如表1和圖9所示，當使用除了受激準分子UV燈之 外的具有長波長的UV燈照射光時，證實不可能在小于5分鐘內(nèi)去除抗蝕劑殘余物(比較例1-4)。例如，當使用波長為254nm的低壓汞UV燈照射光時，如比較例2、3所示，不可能通過 在大氣下或在真空下光照射來去除抗蝕劑殘余物，且如比較例1所示，需要在臭氧氣氛下 照射光。然而，即使在比較例1的情況下，其中抗蝕劑可以通過在臭氧氣氛下光照射來移 除，也證實移除抗蝕劑所需的光照射時間比在受激準分子UV燈情況下所用的時間大至少 10倍。另外，即使隨后用純水洗滌，也僅可能去除表面層部分上的抗蝕劑殘余物。此外，當所述盤長時間暴露于高濃度臭氧氣氛時，磁特性會劣化，例如，如圖10所 示，隨著磁性膜被氧化，磁化反向區(qū)擴展且磁化量M相對于所施加磁場H降低，并因此不可 能在臭氧氣氛下借助于UV燈來進行光照射。此外，如果在磁性膜的表面上形成由碳或硅等 制成的保護膜，則可防止表面氧化，但是當圖案向硬盤的轉(zhuǎn)移借助于反應(yīng)離子蝕刻或離子 銑削進行時，如圖6所示，磁性膜在膜厚度方向上的側(cè)表面被暴露，并因此不可能避免由氧 化引起的磁特性劣化的影響。另外，需要用于生產(chǎn)高純度臭氧氣體的設(shè)備，且從安全的觀點 來看，采用受激準分子UV燈的方法是優(yōu)異的。此外，如比較例4所示，當使用波長為365nm 的高壓汞UV燈來照射光時，即使光在高濃度臭氧氣氛下照射，也不可能去除抗蝕劑殘余 物。如表1中的常規(guī)方法1所示，證實抗蝕劑殘余物可以通過使用氧氣進行反應(yīng)性蝕 刻來去除，其傳統(tǒng)上用于除了生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)以外的領(lǐng)域中，但是當抗蝕劑殘余物借助于 常規(guī)方法1完全去除時，已在其上形成圖案的磁性膜因蝕刻而損壞。此外，當形成由碳或硅 等制成的保護膜時，圖案轉(zhuǎn)移所需的形狀被損壞，并因此不可能在硬盤的整個表面上正常 轉(zhuǎn)移不大于100納米的圖案寬度，這是對離散軌道型磁記錄介質(zhì)的要求。此外，如表1中的常規(guī)方法2所示，證實可以使用包含標準硫酸和過氧化氫溶液的 混合水溶液來去除抗蝕劑殘余物，以便排除半導(dǎo)體光掩模的抗蝕劑，但在常規(guī)方法2中，以 與常規(guī)方法1中相同的方式，已在其上形成圖案的磁性膜由于所處理樣品的氧化和腐蝕而 損壞。在處理之后還存在表面粗糙度的增加，且不可能在整個表面上、以不大于IOnm的間 距實現(xiàn)頭部的穩(wěn)定浮動特性。另外，在常規(guī)方法2中，存在關(guān)于處理穩(wěn)定性和能量以及廢液 處理成本的問題，其對環(huán)境等有影響，因為處理涉及在100°C或更高的高溫下的強酸。以這種方法，在常規(guī)方法1和2這兩者中，處理之后磁性膜的磁特性劣化，并因此 這些方法不能用來從離散軌道型磁記錄介質(zhì)中移除負抗蝕劑。另外，視覺上和從圖9中接觸角的變化方面證實，在沒有UV光照射的情況下，通過 將負抗蝕劑簡單暴露于高濃度臭氧氣氛(比較例5)或通過包括在高濃度臭氧氣體溶解于 純水中的臭氧水中施加超聲波來進行清潔(比較例6)，不可能去除抗蝕劑殘余物。此外，如 表1中的比較例7-9所示，證實使用各種用于移除正型抗蝕劑的抗蝕劑移除有機溶劑不可 能去除負抗蝕劑殘余物。[附圖標記]1 基片2 中間膜3 磁性膜4 磁性膜5 壓印抗蝕層(負型)6 模具(印模)
9
7 抗蝕劑殘余物8 保護膜
權(quán)利要求
一種去除負抗蝕劑的方法，該方法適用于需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)的制造，所述方法至少包括如下步驟在含氧氣氛下把具有不大于240nm的波長的UV光照射到在使用負抗蝕劑作為掩模把圖案轉(zhuǎn)移到設(shè)置有磁性膜的磁記錄介質(zhì)的表面之后殘留有所述負抗蝕劑的所述圖案的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括在UV光照射步驟之后使用純水清潔的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含氧氣氛處于低于100°C的溫度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含氧氣氛中的臭氧濃度為不大于lOOOppm。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述UV光是具有單一波長的受激準分子UV光。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述受激準分子UV光采用Xe、ArBr,KrI、KrCl中 的任一種。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在旋轉(zhuǎn)所述磁記錄介質(zhì)的同時照射所述UV光。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述抗蝕劑是負抗蝕劑。
9.一種制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中把抗蝕劑涂布到設(shè)置有磁性膜的磁記錄介質(zhì)的表面；通過UV光的照射使所述負抗蝕劑固化以形成圖案；使用所述圖案來執(zhí)行所述圖案到所述磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)移；以及在含氧氣氛下照射具有比先前UV光更短波長的UV光，以去除所述抗蝕劑。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述含氧氣氛中的臭氧濃度不大于lOOOppm。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，具有比先前UV光更短波長的所述UV光是具有不 大于240nm的單一波長的受激準分子UV光。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述受激準分子UV光采用Xe、ArBr,KrI、KrCl 中的任一種。
全文摘要
去除抗蝕劑的方法和生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)的方法。提供一種能夠應(yīng)用于需要形成圖案的磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中的去除抗蝕劑的方法。在含氧氣氛中使用具有不大于240nm的波長的受激準分子UV燈，用光照射圖案表面，從而去除在圖案已轉(zhuǎn)移之后剩留的抗蝕劑殘余。
文檔編號G11B5/84GK101930755SQ20101021770
公開日2010年12月29日 申請日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月24日
發(fā)明者松本浩之, 稻垣讓, 長谷川和彥 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司