一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長rebco高溫超導(dǎo)塊材的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，涉及高溫超導(dǎo)體材料；包括1）制備RE123相與RE211相的粉末；2）將RE123和RE211混合，并添加CeO2壓制成圓柱體前驅(qū)體；3）將籽晶放置在工序2）所述前驅(qū)體的圓形面的表面上；且所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸；所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面包括被腐蝕部分和未腐蝕部分，所述被腐蝕部分為將正方形的薄膜籽晶的四個(gè)角利用腐蝕劑腐蝕而成的部分，其中四個(gè)角上被腐蝕部分呈大小相同的小正方形；未腐蝕部分呈十字交叉狀；4）將工序3）的前驅(qū)體和籽晶置于生長爐中進(jìn)行熔融織構(gòu)生長高溫超導(dǎo)塊材。本發(fā)明的方法簡單、易于操作、完全重復(fù)可控。
【專利說明】
一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及高溫超導(dǎo)體材料，尤其涉及一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]自REBa2Cu3Ox(簡稱 REBC0、RE123、稀土鋇銅氧，其中 RE = Y、Gd、Sm、Nd 等)超導(dǎo)體被發(fā)現(xiàn)以來，因其完全抗磁性、高臨界電流密度和高凍結(jié)磁場(chǎng)等性質(zhì)所帶來的巨大商業(yè)潛能，如飛輪儲(chǔ)能、永磁體、磁懸浮力元件等，引起了人們廣泛的關(guān)注。
[0003]目前，頂部籽晶熔融織構(gòu)法(MT)可有效制備大尺寸的REBCO超導(dǎo)塊材，以其容易制備、可實(shí)現(xiàn)高摻雜并且生長可靠等特點(diǎn)，成為一種極具潛力的REBCO高溫超導(dǎo)材料制備方法。在MT中，薄膜籽晶的熱穩(wěn)定性最高(Tmax高達(dá)1120°C)。因此成為應(yīng)用最廣泛的籽晶材料。制備過程中NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶被放置在REBCO前驅(qū)體的上表面中心，作為形核點(diǎn)誘導(dǎo)REBCO前驅(qū)體按照籽晶取向定向凝固生長。但是，在現(xiàn)有的MT法超導(dǎo)塊材生長中，所得塊材由4個(gè)a疇區(qū)域與I個(gè)c疇區(qū)域組成。由于ab面生長速度過慢，所以c疇區(qū)域往往偏小。然而，c疇區(qū)域在塊材中所占的體積比例越大，超導(dǎo)塊材的性能越高。
[0004]因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開發(fā)一種新型的REBCO高溫超導(dǎo)塊材的制備方法，增加c疇區(qū)域在整個(gè)塊材中所占的體積分?jǐn)?shù)，提高超導(dǎo)塊材的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，克服現(xiàn)有技術(shù)中ab面生長過慢，c疇區(qū)域偏小的缺點(diǎn)。
[0006]基于REBCO塊材的(I1)面具有較快生長速度的特點(diǎn)，本發(fā)明對(duì)薄膜籽晶進(jìn)行局部腐蝕，得到十字交叉狀籽晶，在REBCO的誘導(dǎo)生長過程初期形成(110)快速生長面，以加速ab面的生長速度，獲得大c疇區(qū)域的REBCO塊材，使c疇區(qū)域在塊材中所占的體積比例增大，從而提高超導(dǎo)塊材的磁懸浮力、凍結(jié)磁場(chǎng)等性能。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的或者其他目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0008]—種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，包括如下工序:
[0009]I)制備RE123相與RE211相的粉末；
[0010]2)將RE123和RE211混合，并添加CeO2壓制成圓柱形前驅(qū)體；
[0011]3)將籽晶放置在工序2)所述前驅(qū)體的圓形面的表面上;且所述籽晶的的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸;所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面包括被腐蝕部分和未腐蝕部分，所述被腐蝕部分為將正方形的薄膜籽晶的四個(gè)角利用腐蝕劑腐蝕而成的部分，其中四個(gè)角上被腐蝕部分呈大小相同的小正方形，未腐蝕部分呈十字交叉狀；
[0012]4)將工序3)的前驅(qū)體和籽晶置于生長爐中進(jìn)行熔融織構(gòu)生長高溫超導(dǎo)塊材。
[0013]進(jìn)一步地，所述工序I)包括:
[0014]按照RE: Ba: Cu = 1:2:3的比例將RE2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合，得到RE 123相的前驅(qū)粉末；
[0015]按照RE: Ba: Cu = 2:1:1的比例將RE2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合，得到RE211相的前驅(qū)粉末；
[0016]將所述RE123相的前驅(qū)粉末和所述RE211相的前驅(qū)粉末分別研磨后，在空氣中9000C以上燒結(jié)反應(yīng)從而獲得所述RE 123相和RE211相的粉末。
[0017]進(jìn)一步地，燒結(jié)反應(yīng)時(shí)間為48小時(shí)。
[0018]更進(jìn)一步地，研磨和燒結(jié)反應(yīng)重復(fù)進(jìn)行3次。
[0019]進(jìn)一步地，所述工序2)中，RE123和RE211的摩爾比為10:3?4。
[0020]進(jìn)一步地，所述工序2)中，以RE123與RE211的總質(zhì)量為基準(zhǔn)計(jì)，所述CeO2的質(zhì)量為I ?I.5wt% ο
[0021 ] 進(jìn)一步地，所述前驅(qū)體的直徑為15?30mm。
[0022]進(jìn)一步地，所述薄膜籽晶是NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶；所述腐蝕劑為5?8vol %的硝酸溶液。
[0023]進(jìn)一步地，NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶是指在MgO單晶片上先沉積一層厚度為100?300nm的c軸取向的YBCO薄膜，然后在YB⑶薄膜上再沉積一層厚度為300?600nm的c軸取向的NdBCO薄膜。更進(jìn)一步地，所述薄膜籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面為含有NdBCO薄膜材料這一面。更進(jìn)一步地，硝酸溶液能夠腐蝕掉薄膜籽晶中的NdBCO薄膜層和YBCO薄膜層，并不能夠腐蝕掉MgO基板層。
[0024]進(jìn)一步地，所述薄膜籽晶為c軸取向，所述薄膜籽晶的面積為10?25_2;經(jīng)腐蝕劑腐蝕后的十字交叉狀籽晶的面積為5?20mm2。
[0025]進(jìn)一步地，所述工序4)的熔融織構(gòu)生長包括以下步驟:使所述生長爐內(nèi)的溫度在第一時(shí)間內(nèi)升至第一溫度;保溫I?2小時(shí);使所述生長爐內(nèi)的溫度在第二時(shí)間內(nèi)升至第二溫度;保溫I?1.5小時(shí);使所述生長爐內(nèi)的溫度在第三時(shí)間內(nèi)降至第三溫度;使所述生長爐內(nèi)的溫度在第四時(shí)間內(nèi)降至第四溫度;最后淬火，獲得REBCO高溫超導(dǎo)塊材。
[0026]進(jìn)一步地，所述第一時(shí)間為3?4小時(shí)，所述第一溫度為900?950°C ;所述第二時(shí)間為2?3小時(shí)，所述第二溫度高于所述REBCO高溫超導(dǎo)塊材的包晶反應(yīng)溫度70?80 °C;所述第三時(shí)間為35?50分鐘，所述第三溫度為所述包晶反應(yīng)溫度;所述第四時(shí)間為15?50小時(shí)，所述第四溫度為低于所述包晶反應(yīng)溫度7?25°C。
[0027]進(jìn)一步地，所述淬火為:將所述REBCO高溫超導(dǎo)塊材隨爐冷卻。
[0028]進(jìn)一步地，所述REBCO為YBCO。
[0029]綜合以上，本發(fā)明具有如下技術(shù)效果:
[0030]1、本發(fā)明首次采用經(jīng)腐蝕的薄膜籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材，在制備工藝過程中，只需要將籽晶經(jīng)由硝酸溶液腐蝕，方法簡單、易于操作、完全重復(fù)可控。
[0031]2、與傳統(tǒng)的頂部籽晶熔融織構(gòu)生長高溫超導(dǎo)塊材制備方法相比，本發(fā)明腐蝕籽晶的方法將籽晶腐蝕成十字交叉狀，可以有效地加快ab面的生長速度，提高c疇區(qū)域在塊材中所占的體積分?jǐn)?shù)，從而提高高溫超導(dǎo)塊材的磁懸浮力、凍結(jié)磁場(chǎng)等性能。本發(fā)明中所述ab面與籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面相接觸的圓柱體前驅(qū)體的圓形面。
【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的經(jīng)過腐蝕的籽晶的形狀示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開的利用腐蝕籽晶生長的YBCO塊材的光學(xué)照片。
[0034]元件標(biāo)號(hào)說明
[0035]I未腐蝕部分
[0036]2被腐蝕部分
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0038]請(qǐng)參閱圖1至圖2。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0039]本發(fā)明中所述籽晶為將方形的薄膜籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面利用腐蝕劑腐蝕而成的十字交叉狀籽晶。所述薄膜籽晶為c軸取向，所述薄膜籽晶的面積為10?25_2;經(jīng)腐蝕劑腐蝕后的十字交叉狀籽晶的面積為5?20_2。本本發(fā)明中所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面的具體情況如圖1所示，其中元件標(biāo)號(hào)I為未腐蝕部分、2為被腐蝕部分。其中，在本發(fā)明實(shí)施例中所采用的薄膜籽晶的長和寬均為5mm;被腐蝕部分2的長度和寬度均為1.5mm。
[0040]實(shí)施例1
[0041]—種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長YBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，包括如下工序:
[0042]1、制備Y123相與Y211相的粉末:
[0043](I)按照Y:Ba:Cu = 1: 2:3的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Yl23相的粉末。將Yl 23相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Yl 23純相粉末。
[0044](2)按照Y: Ba: Cu = 2:1:1的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Y211相的粉末。將Y211相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Y211純相粉末。
[0045]2、制備前驅(qū)體:將步驟I獲得的Y123、Y211純相粉末、CeO2粉末按照:Y123和Y211的摩爾比為10:3，Υ123與Υ211的總質(zhì)量和CeO2的質(zhì)量比為100:1的組分進(jìn)行配料，充分碾磨混合均勻后，取1g混粉放入模具，壓制成直徑為20_的圓柱體的前驅(qū)體。
[0046]3、選取尺寸為5mm X 5mm的c軸取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜的籽晶材料，其中，5mmX5mm表示薄膜籽晶的長和寬均為5mm。將選取的薄膜籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面經(jīng)由5vol%的硝酸溶液腐蝕成圖1所示的十字交叉狀籽晶。
[0047]4、將步驟3中的籽晶材料放置于步驟2制得的前驅(qū)體的圓形上表面中央?yún)^(qū)域;所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸。
[0048]5、將步驟4中的籽晶材料和前驅(qū)體放置于生長爐中進(jìn)行熔融結(jié)構(gòu)生長，生長爐的具體溫度程序?yàn)?
[0049]a、從室溫開始經(jīng)過4h升溫至950°C，保溫2h;
[0050]b、繼續(xù)加熱2h，升溫至1080°C，保溫Ih;
[0051 ] C、在35分鐘內(nèi)，快速降溫至1013°C;
[0052]d、以0.5。(:/11的冷卻速度生長1511;
[0053]e、淬火制得YBCO高溫超導(dǎo)塊材。
[0054]如圖2所示，給出了本實(shí)施例的方法制備得到的YBCO高溫超導(dǎo)塊材的光學(xué)照片?？梢钥闯?，籽晶誘導(dǎo)YBCO塊材向外規(guī)則生長，裸露的籽晶基板MgO部分并沒有對(duì)塊材的生長產(chǎn)生干擾。
[0055]實(shí)施例2
[0056]—種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長YBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，包括如下工序:
[0057]1、制備Y123相與Y211相的粉末:
[0058](I)按照Y:Ba:Cu = 1: 2:3的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Yl23相的粉末。將Yl 23相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Yl 23純相粉末。
[0059](2)按照Y: Ba: Cu = 2:1:1的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Y211相的粉末。將Y211相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Y211純相粉末。
[0060]2、制備前驅(qū)體:將步驟I獲得的Y123、Y211純相粉末、CeO2粉末按照:Y123和Y211的摩爾比為10:3.5，Υ123與Υ211的總質(zhì)量和CeO2的質(zhì)量比為100:1.3的組分進(jìn)行配料，，充分碾磨混合均勻后，取1g混粉放入模具，壓制成直徑為30_的圓柱體的前驅(qū)體。
[0061 ] 3、選取尺寸為5mm X 5mm的c軸取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜的籽晶材料，其中，5mmX5mm表示薄膜籽晶的長和寬均為5mm。將選取的薄膜籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面經(jīng)由6vol%的硝酸溶液腐蝕成圖1所示的十字交叉狀籽晶。
[0062]4、將步驟3中的籽晶材料放置于步驟2制得的前驅(qū)體圓形上表面中央?yún)^(qū)域;所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸。
[0063]5、將步驟4中的籽晶材料和前驅(qū)體放置于生長爐中進(jìn)行熔融結(jié)構(gòu)生長，生長爐的具體溫度程序?yàn)?
[0064]a、從室溫開始經(jīng)過3h升溫至900°C，保溫1.5h;
[0065]b、繼續(xù)加熱3h，升溫至1090°C，保溫1.2h;
[0066]c、在40分鐘內(nèi)，快速降溫至1013°C ；
[0067]d、以0.5°C/h的冷卻速度生長50h;
[0068]e、淬火制得YBCO高溫超導(dǎo)塊材。
[0069]實(shí)施例3
[0070]一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長YBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，包括如下工序:
[0071]1、制備Y123相與Y211相的粉末:
[0072](I)按照Y:Ba:Cu = 1: 2:3的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Yl23相的粉末。將Yl 23相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Yl 23純相粉末。
[0073](2)按照Y: Ba: Cu = 2:1:1的比例，將Y2O3、Ba⑶3和CuO粉末混合以獲得Y211相的粉末。將Y211相的粉末充分研磨均勻后、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，將燒結(jié)后的粉末再次研磨、空氣中900 0C燒結(jié)48小時(shí)，重復(fù)三次，得到組分均勻單一的Y211純相粉末。
[0074]2、制備前驅(qū)體:將步驟I獲得的Y123、Y211純相粉末、CeO2粉末按照:Y123和Y211的摩爾比為10:4，￥123與￥211的總質(zhì)量和0602的質(zhì)量比為100:1.5的組分進(jìn)行配料，充分碾磨混合均勻后，取1g混粉放入模具，壓制成直徑為15_的圓柱體的前驅(qū)體。
[0075]3、選取尺寸為5mm X 5mm的c軸取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜的籽晶材料，其中，5mmX5mm表示薄膜籽晶的長和寬均為5mm。將選取的薄膜籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面經(jīng)由8vol%的硝酸溶液腐蝕成圖1所示的十字交叉狀籽晶。
[0076]4、將步驟3中的籽晶材料放置于步驟2制得的前驅(qū)體的圓形上表面中央?yún)^(qū)域;所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸。
[0077]5、將步驟4中的籽晶材料和前驅(qū)體放置于生長爐中進(jìn)行熔融結(jié)構(gòu)生長，生長爐的具體溫度程序?yàn)?
[0078]a、從室溫開始經(jīng)過3.5h升溫至930°C，保溫Ih;
[0079]b、繼續(xù)加熱2.5h，升溫至1085 Γ，保溫1.5h;
[0080]c、在50分鐘內(nèi)，快速降溫至1013Γ ；
[0081 ] d、以0.5°C/h的冷卻速度生長30h;
[0082]e、淬火制得YBCO高溫超導(dǎo)塊材。
[0083]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種利用腐蝕籽晶誘導(dǎo)生長REBCO高溫超導(dǎo)塊材的方法，其特征在于，包括如下工序: 1)制備RE123相與RE211相的粉末； 2)將RE123和RE211混合，并添加CeO2壓制成圓柱體前驅(qū)體； 3)將籽晶放置在工序2)所述前驅(qū)體的圓形面的表面上;且所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面與所述前驅(qū)體的圓形面的表面相接觸，所述籽晶的誘導(dǎo)結(jié)晶面包括被腐蝕部分和未腐蝕部分，所述被腐蝕部分為將正方形的薄膜籽晶的四個(gè)角利用腐蝕劑腐蝕而成的部分，其中四個(gè)角上被腐蝕部分呈大小相同的小正方形;未腐蝕部分呈十字交叉狀； 4)將工序3)的前驅(qū)體和籽晶置于生長爐中進(jìn)行熔融織構(gòu)生長高溫超導(dǎo)塊材。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序I)包括: 按照RE: Ba: Cu = 1:2:3的比例將RE2O3、BaCO3和CuO粉末混合，得到RE 123相的前驅(qū)粉末； 按照RE: Ba: Cu = 2:1:1的比例將RE2O3、BaCO3和CuO粉末混合，得到RE211相的前驅(qū)粉末； 將所述RE123相的前驅(qū)粉末和所述RE211相的前驅(qū)粉末分別研磨后，在空氣中900°C以上燒結(jié)反應(yīng)從而獲得所述RE123相和RE211相的粉末。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序2)中，RE123和RE211的摩爾比為10:3?4。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述工序2)中，以RE123與RE211的總質(zhì)量為基準(zhǔn)計(jì)，所述Ce02的質(zhì)量為I?1.5wt%。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜籽晶是NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶;所述腐蝕劑為5?Svol %的硝酸溶液。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜籽晶為c軸取向，所述薄膜籽晶的面積為1?25mm2;腐蝕后的十字交叉狀籽晶的面積為5?20mm2。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序4)的熔融織構(gòu)生長包括以下步驟:使所述生長爐內(nèi)的溫度在第一時(shí)間內(nèi)升至第一溫度;保溫I?2小時(shí);使所述生長爐內(nèi)的溫度在第二時(shí)間內(nèi)升至第二溫度;保溫I?1.5小時(shí);使所述生長爐內(nèi)的溫度在第三時(shí)間內(nèi)降至第三溫度;使所述生長爐內(nèi)的溫度在第四時(shí)間內(nèi)降至第四溫度;最后淬火，獲得REBCO高溫超導(dǎo)塊材。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一時(shí)間為3?4小時(shí)，所述第一溫度為900?950°C;所述第二時(shí)間為2?3小時(shí)，所述第二溫度高于所述REBCO高溫超導(dǎo)塊材的包晶反應(yīng)溫度70?80°C;所述第三時(shí)間為35?50分鐘，所述第三溫度為所述包晶反應(yīng)溫度;所述第四時(shí)間為15?50小時(shí)，所述第四溫度為低于所述包晶反應(yīng)溫度7?25°C。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述淬火為:將所述REBCO高溫超導(dǎo)塊材隨爐冷卻。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述REBCO為YBCO。
【文檔編號(hào)】C30B11/00GK106087034SQ201610705201
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月22日
【發(fā)明人】姚忻, 錢俊, 相輝, 劉艷
【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué)