專利名稱：：機(jī)電開關(guān)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本公開涉及一種機(jī)電開關(guān)及其形成方法，更具體來說，涉及一種具有可移動地連接到貯存節(jié)點的電極的機(jī)電開關(guān)及其形成方法。
背景技術(shù)：
：動態(tài)RAM(DRAM)是需要刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)激活的固態(tài)存儲器。DRAM中的存儲器單元包括電容器和MOS晶體管。電容器的電荷由于泄漏而衰減，所以系統(tǒng)必須周期性地刷新電荷來保持所述值。MOS晶體管在存儲器單元中用作開關(guān)。如果將要讀取存儲器，則通過感測放大器(senseamplifier)在數(shù)據(jù)線上檢測電容器上的電壓。如果需要寫或刷新操作，則數(shù)據(jù)線變成輸入線。當(dāng)適合的地址導(dǎo)通DRAM單元中的MOS晶體管時，電容器能夠根據(jù)輸入數(shù)據(jù)(data-in)被放電或充電。增加DRAM的密度的一個方式是減小MOS晶體管的尺寸。然而，減小MOS晶體管的尺寸引起了其它問題諸如短溝道或結(jié)漏。提高DRAM的密度的另一方式是將多層存儲器單元一個在另一個上地堆疊。然而，當(dāng)在存儲器單元中使用MOS晶體管時，半導(dǎo)體襯底必須被用于容納其上的MOS晶體管，并且半導(dǎo)體襯底必須形成在具有MOS晶體管的存儲器單元的上陣列和下陣列之間。形成在多層存儲器單元之間的各半導(dǎo)體襯底增加了DRAM的厚度。因此，存在對用于在存儲器裝置中使用的改進(jìn)的開關(guān)裝置的需要。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，一種存儲器裝置包括形成在存儲器單元中的貯存節(jié)點、第一電極和第二電極，貯存節(jié)點貯存電荷，所述第一電極包括電連接到第二部分的第一部分，當(dāng)所述第二電極被賦予能量時，所述第一部分移動以連接到貯存節(jié)點。從貯存節(jié)點接收的電荷能夠通過第一部分傳送到連接到第二部分的末端的電壓感測電路。第一部分和第二部分能夠通過接觸栓塞連接。第一部分的第一末端能夠從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在貯存節(jié)點內(nèi)的電荷或者用于將電荷寫入貯存節(jié)點。當(dāng)?shù)诙姌O被賦予能量時，第一部分的第一末端處于第二位置，以接觸貯存節(jié)點。第一部分的第二端能夠錨定在接觸栓塞上。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠基本上與第二電極和第一電極的對應(yīng)的第一部分之間的第二距離相同。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠小于第二電極和第一電極的對應(yīng)第一部分之間的第二距離。第一部分可以包括第一層和第二層，第一層包含與第二層不同的材料。第一部分能夠基本上比第二部分短。當(dāng)施加電壓時，第二電極能夠被賦予能量。該存儲器裝置還可以包括上面形成有第二部分的襯底，其中該襯底包含玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一種。貯存節(jié)點可以包括電容器，所述電容器包括第三電極、電介質(zhì)層和第四電極。第三電極能夠接收第一部分的第一末端，并且第四電極能夠形成在傳導(dǎo)板上。貯存節(jié)點能夠包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。該存儲器裝置還能夠包括其上形成貯存節(jié)點的傳導(dǎo)板。第一電極能夠是位線，第二電極能夠是字線。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，一種存儲器裝置包括第一存儲器單元，其具有第一字線和貯存第一電荷的第一貯存節(jié)點；第二存儲器單元，其具有第二字線和貯存第二電荷的第二貯存節(jié)點；位線，其具有形成在第一存儲器單元中的第一部分和形成在第二存儲器單元中的第二部分；梁線，其被形成為具有第一存儲器單元中的第一部分和第二存儲器單元中的第二部分，梁線被電連接到位線，其中當(dāng)?shù)谝蛔志€被賦予能量時，梁線的第一部分的末端移動，以連接到第一貯存節(jié)點，當(dāng)?shù)诙志€被賦予能量時，梁線的第二部分的末端移動，以連接到第二貯存節(jié)點。位線和梁線能夠通過接觸栓塞連接。13梁線的中心能夠被錨定在接觸栓塞上。梁線能夠基本上相對于接觸栓塞對稱。從第一貯存節(jié)點接收的第一電荷能夠通過梁線傳送到連接到位線的末端的電壓感測電路。梁線的第一部分的末端能夠從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在第一lt存節(jié)點內(nèi)的第一電荷或者用于將第一電荷寫入到第一貯存節(jié)點。當(dāng)?shù)谝蛔志€被賦予能量時，梁線的第一部分的末端能夠處于第二位置，以接觸第一貯存節(jié)點。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠基本上與第一字線和梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離相同。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠小于第一字線和梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離。梁線能夠包括第一層和第二層，第一層包括與第二層不同的材料。梁線能夠基本上比位線短。當(dāng)施加電壓時，第一字線能夠被賦予能量。該存儲器裝置還可包括上面形成有位線的襯底，其中，所述襯底包含玻璃、半導(dǎo)體和塑料中的至少一種。第一貯存節(jié)點能夠包括電容器，所述電容器包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。第一電極能夠接收梁線的第一部分的末端，并且第二電極能夠形成在傳導(dǎo)板上。第一貯存節(jié)點能夠包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。該存儲器裝置還可以包括在其上形成第一貯存節(jié)點的傳導(dǎo)板。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，一種存儲器裝置包括連接到位線的第一對存儲器單元，該第一對存儲器單元具有第一梁線；鄰近于第一對存儲器單元形成并連接到位線的第二對存儲器單元，該第二對存儲器單元具有第二梁線，其中當(dāng)相應(yīng)的字線被賦予能量時，梁線中的每一個移動，以連接到貯存電荷的相應(yīng)的貯存節(jié)點。梁線中的每一個和位線能夠通過相應(yīng)的接觸栓塞電連接。梁線中的每一個能夠被錨定在相應(yīng)的接觸栓塞上。梁線中的每一個能夠基本上相對于相應(yīng)的接觸栓塞對稱。從相應(yīng)的貯存節(jié)點接收的電荷能夠通過梁線中的每一個傳送到連接到位線的末端的電壓感測電路。梁線中的每一個的末端能夠從第一位置移到第二位置，用于讀出]C存在相應(yīng)的貯存節(jié)點內(nèi)的電荷或者用于將電荷寫入相應(yīng)的貯存節(jié)點。當(dāng)相應(yīng)的字線被賦予能量時，梁線中的每一個的末端能夠處于第二位置，以接觸相應(yīng)的貯存節(jié)點。15第一位置和第二位置之間的第一距離能夠基本上與相應(yīng)的字線和梁線中的每一個的對應(yīng)部分之間的第二距離相同。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠小于相應(yīng)的字線和梁線中的每一個的對應(yīng)部分之間的第二距離。梁線中的每一個能夠包括第一層和第二層，第一層包含與第二層不同的材料。梁線中的每一個能夠基本上比位線短。當(dāng)施加電壓時，相應(yīng)的字線能夠被賦予能量。該存儲器裝置還可以包括上面形成有位線的襯底，其中該襯底包括玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一種。相應(yīng)的貯存節(jié)點能夠包括電容器，該電容器包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。第一電極能夠接收梁線中的每一個的末端，并且第二電極形成在傳導(dǎo)板上。相應(yīng)的je存節(jié)點能夠包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。該存儲器裝置還可以包括其上形成相應(yīng)的貯存節(jié)點的傳導(dǎo)板。根據(jù)示例性實施例，一種存儲器裝置包括襯底；形成在襯底上的位線；形成在位線上的字線；形成在字線上方的梁線；貯存電荷的電容器，該電容器形成在梁線和襯底之間，其中當(dāng)字線被賦予能量時，梁線移動以連接到電容器。該存儲器裝置還可以包括連接位線和梁線的接觸栓塞。該存儲器裝置還可包括第一層間電介質(zhì)層，該第一層間電介質(zhì)層具有形成在梁線上的多個孔。該存儲器裝置還可包括形成在第一層間電介質(zhì)層上的第二層間電介質(zhì)層。梁線的第一末端能夠從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在電容器內(nèi)的電荷或者用于將電荷寫入電容器。當(dāng)字線被賦予能量時，梁線的第一末端能夠處于第二位置，以接觸電容器。梁線的第二末端能夠被錨定在接觸栓塞上。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠基本上與字線和梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離相同。第一位置和第二位置之間的第一距離能夠小于字線和梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離。梁線能夠包括第一層和第二層，第一層包含與第二層不同的材料。梁線能夠基本上比位線短。當(dāng)施加電壓時，字線能夠被賦予能量。襯底可以包含玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一個。電容器可以包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。第一電極能夠接收梁線的第一末端，并且第二電極能夠形成在傳導(dǎo)板上。該存儲器裝置還可以包括上面形成有電容器的傳導(dǎo)板。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，一種形成存儲器裝置的方法包括在襯底上形成第一單元的位線；在位線上方形成字線；在字線上方形成梁線，且在字線和梁線之間具有第一間隙；將位線和梁線電連接；在梁線的末端部分和襯底之間形成電容器，梁線的末端部分和電容器的頂表面具有第二間隙；在梁線上方形成層間絕緣層；并且在層間絕緣層上形成第二單元的位線。第一間隙能夠與第二間隙基本上相同。第二間隙能夠小于第一間隙。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，一種形成存儲器裝置的方法包括在襯底上形成第一傳導(dǎo)層；將第一傳導(dǎo)層構(gòu)圖，以在襯底的周圍區(qū)域中形成晶體管，并在襯底的單元區(qū)域中形成位線；在晶體管和位線上形成第一層間電介質(zhì)層；在單元區(qū)域中在第一層間電介質(zhì)層上形成電容器；在周圍區(qū)域中穿過第一層間電介質(zhì)層形成第一接觸栓塞；在單元區(qū)域中，穿過第一層間電介質(zhì)層形成第二接觸栓塞；在第一接觸栓塞上，在第二接觸栓塞上以及在電容器上形成第二傳導(dǎo)層；將第二傳導(dǎo)層構(gòu)圖，以在單元區(qū)域中形成字線；在字線的上方形成第一犧牲層；在第一犧牲層的上方形成梁線；在梁線的上方形成第二犧牲層；移除第一犧牲層和第二犧牲層。該方法還可包括在第二犧牲層上形成具有多個孔的第二層間電介質(zhì)層。移除第一犧牲層和第二犧牲層可以包括通過多個孔流動蝕刻化學(xué)劑。該方法還可以包括在第二層間電介質(zhì)層上方形成第三層間電介質(zhì)層。第一犧牲層能夠具有變化的厚度。第一犧牲層能夠具有不變的厚度。通過下面結(jié)合附圖的描述，能夠更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實施例，其中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的透視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的可移動部分；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的可移動部分；圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括單元區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)和周圍區(qū)域中的MOS晶體管的存儲器裝置的剖視圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括單元區(qū)域和周圍區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括存儲器單元的第一陣列和形成在存儲器單元的第一陣列上的存儲器單元的第二陣列的存儲器裝置的剖視圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括存儲器單元的第一陣列和形成在存儲器單元的第一陣列上的存儲器單元的第二陣列的存儲器裝置的剖視圖8是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖io是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括存儲器單元的第一陣列和形成在存儲器單元的第一陣列上的存儲器單元的第二陣列的存儲器裝置的剖視圖11(a)至圖16(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成具有機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的方法；圖17(a)至圖20示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成在存儲器單元的第一陣列上形成的存儲器單元的第二陣列的方法；圖21(a)至圖23(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的方法；圖24(a)和圖24(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法；圖25(a)和圖25(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法；圖26(a)至圖26(c)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法；圖27示出了包括根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例形成的存儲器裝置的系統(tǒng)。具體實施例方式現(xiàn)在，將參考其中示出了本發(fā)明的示例性實施例的附圖來更充分地描述本發(fā)明。然而，可以以許多不同的形式來實現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明不應(yīng)被認(rèn)為限于這里闡述的示例性實施例。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的透視圖。該機(jī)電開關(guān)能夠用在構(gòu)成諸如例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的存儲器裝置的存儲器單元中。該機(jī)電開關(guān)也能夠用在除了存儲器裝置之外的電子裝置中。參考圖l，機(jī)電開關(guān)包括設(shè)置在存儲器單元中的第一電極和第二電極。第一電極能夠是字線146，第二電極能夠是包括懸梁線(suspendedbeamline)160的梁線(beamline)和隱埋位線110。字線146設(shè)置在懸梁線160和隱埋位線110之間。隱埋位線110通過直接接觸諸如，例如接觸栓塞136，電連接到懸梁線160。隱埋位線110設(shè)置在襯底100上。襯底100可以包含例如玻璃、半導(dǎo)體或塑料。在示例性實施例中，懸梁線160包括在相反方向上延伸的第一柔性延伸件160a和第二柔性延伸件160b。第一柔性延伸件160a和第二柔性延伸件160b設(shè)置在接觸栓塞136上并相對于接觸栓塞136錨定。在示例性實施例中，能夠在懸梁線160和接觸栓塞136之間形成傳導(dǎo)焊盤圖案144。懸梁線160能夠基本上相對于接觸栓塞136對稱。第一柔性延伸件160a的長度能夠與第二柔性延伸件160b的長度基本上相同。懸梁線160的長度基本上小于隱埋位線110的長度。在示例性實施例中，第一柔性延伸件160a的移動不影響第二柔性延伸件160b的移動。例如，第一柔性延伸件160a能夠向下移動而第二柔性延伸件160b不移動。第一柔性延伸件160a和第二柔性延伸件160b能夠基本上是直的?？商鎿Q地，第一柔性延伸件160a和第二柔性延伸件160b能夠是彎曲的，或者能夠具有多個凹進(jìn)部分和凸出部分，這些凹進(jìn)部分和凸出部分與設(shè)置在第一柔性延伸件160a和第二柔性延伸件160b下面的表面的圖案一致。在示例性實施例中，懸梁線160包括第一層和第二層。第一層能夠?qū)盈B在第二層上。第一層和第二層能夠包括相同的材料或者能夠由不同的材料制成。例如，第一層可以包括氧化硅(Si02)層或氮化硅(SiN)層，第二層可以包括鉭基傳導(dǎo)材料諸如Ta或TaN。與包括單材料層的懸梁線相比，具有帶有不同材料的兩層的懸梁線160能夠更柔韌。貯存節(jié)點設(shè)置在第一柔性延伸件160a和隱埋位線110之間。貯存節(jié)點是電荷貯存裝置的電節(jié)點。當(dāng)電連接時，電荷能夠通過第一柔性延伸件160a和接觸栓塞136移動到被連接到隱埋位線110的末端的電壓感測電路。在示例性實施例中，貯存節(jié)點能夠是電容器152的電節(jié)點?？商鎿Q地，貯存節(jié)點能夠是由絕緣體圍繞的傳導(dǎo)圖案的節(jié)點。電容器152包括上電極130a、下電極126和設(shè)置在它們之間的電介質(zhì)層128。電容器152能夠設(shè)置在第一柔性延伸件160a的第一末端附近。第一柔性延伸件160a的第二末端設(shè)置在接觸栓塞136上。例如，上電極130a能夠基本上具有矩形形狀。第一柔性延伸件160a的第一末端能夠接觸上電極130a。在示例性實施例中，第一柔性延伸件160a的第一末端基本上接觸上電極130a的中心部分。該接觸能夠是第一柔性延伸件160a的第一末端和上電極130a之間的點接觸、線接觸或者面接觸。在示例性實施例中，傳導(dǎo)焊盤圖案148能夠形成在上電極130a上。傳導(dǎo)焊盤圖案148可以包括形成在傳導(dǎo)圖案148a上的帽蓋層148b。相對于垂直方向，字線146能夠設(shè)置在第一柔性延伸件160a和隱埋位線110之間。相對于水平方向，字線146能夠設(shè)置在第一柔性延伸件160a的第二末端和電容器152之間。當(dāng)字線146被賦予能量時，第一柔性延伸件160a的第一末端可移動地連接到電容器152。在示例性實施例中，第一柔性延伸件160a能夠通過傳導(dǎo)悍盤圖案148連接到電容器152。當(dāng)施加電壓時，字線146能夠被賦予能量。當(dāng)字線146拉動第一柔性延伸件160a時，雖然字線146和第一柔性延伸件160a之間的距離變得更近，但是字線146和第一柔性延伸件160a沒有彼此接觸。然而，第一柔性延伸件160a的第一末端接觸電容器152的上電極130a，或者接觸形成在上電極130a上的傳導(dǎo)焊盤圖案148。在數(shù)據(jù)寫操作中，通過該接觸，電容器152被充有電子。類似地，在數(shù)據(jù)讀操作中，字線146拉動第一柔性延伸件160a，且第一柔性延伸件160a的第一末端接觸上電極130a，或者接觸形成在上電極130a上的傳導(dǎo)焊盤圖案148。利用該接觸，位線感測電容器152中電子的存在。22與第二柔性延伸件160b對應(yīng)的第二存儲器單元能夠是與第一柔性延伸件160a對應(yīng)的第一存儲器單元的鏡像。例如，當(dāng)字線拉動第二柔性延伸件160b時，第二柔性延伸件160b接觸電容器。如此，當(dāng)字線146被賦予能量時，第一柔性延伸件160a可移動地連接電容器152;并且當(dāng)與第二柔性延伸件160b對應(yīng)的字線被賦予能量時，第二柔性延伸件160b可移動地連接到形成在其下的另一電容器。第一對存儲器單元包括與第一柔性延伸件160a對應(yīng)的第一存儲器單元和與第二柔性延伸件160b對應(yīng)的第二存儲器單元。具有與第一對存儲器單元基本相同的結(jié)構(gòu)的第二對存儲器單元能夠形成為鄰近于第一對存儲器單元。第一對存儲器單元和第二對存儲器單元能夠通過隱埋位線110連接。由此，沿著隱埋位線IIO，例如，能夠以規(guī)則的間隔連接多于一對的存儲器單元。在字線方向上，例如，能夠以規(guī)則的間隔設(shè)置具有對稱延伸件的多于一對的存儲器單元。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的可移動部分的示意圖。參考圖2，第一柔性延伸件161a的第一末端從第一位置Pl移動到第二位置P2，用于讀出電容器152內(nèi)貯存的電荷或者用于將電荷寫入電容器152。第一柔性延伸件161a的第一末端處于第二位置P2，以當(dāng)字線146被賦予能量時接觸電容器152。在示例性實施例中，第一位置Pl和第二位置P2之間的第一距離D1與字線146和設(shè)置在字線146上方的第一柔性延伸件161a的對應(yīng)部分之間的第二距離D2基本上相同。在示例性實施例中，第一距離Dl和第二距離D2能夠是大約10nm至大約15nm。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)的可移動部分的示意圖。參考圖3，懸梁線162包括第一柔性延伸件162a和第二柔性延伸件162b。在示例性實施例中，第一位置P3和第二位置P4之間的第一距離D3小于字線146和設(shè)置在字線146上方的第一柔性延伸件162a的對應(yīng)部分之間的第二距離D4。在示例性實施例中，第一距離D3能夠是大約10nm至大約15nm，并且第二距離D4能夠是大約20nm至大約25nm。因為D4大于D3，所以當(dāng)字線146拉動第一柔性延伸件162a時，能夠防止第一柔性延伸件162a與字線146接觸。g卩，當(dāng)D3為0時，D4依然能夠保持距離。如果字線146接觸第一柔性延伸件162a，則在字線146和/或第一柔性延伸件162a中會出現(xiàn)損壞。存儲器裝置的操作電壓能夠被降低，以保持D4中的最小距離。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括單元區(qū)域中形成的機(jī)電開關(guān)和周圍區(qū)域中形成的金屬氧化物硅(MOS)晶體管的存儲器裝置的剖視圖。參照圖4，在單元區(qū)域中，溝槽隔離件102b形成在襯底IOO中。襯底IOO能夠是半導(dǎo)體襯底。隱埋位線110形成在溝槽隔離件102b和襯底100上。隱埋位線110包括傳導(dǎo)圖案104和形成在傳導(dǎo)圖案104上的掩模圖案108。第一層間電介質(zhì)層114形成在隱埋位線110上。穿過第一層間電介質(zhì)層114形成接觸栓塞136并且接觸栓塞136接觸隱埋位線110的傳導(dǎo)圖案104。傳導(dǎo)焊盤圖案114能夠形成在接觸栓塞136上。懸梁線160能夠形成在傳導(dǎo)焊盤圖案144上。字線146形成在懸梁線160與設(shè)置在第一層間電介質(zhì)層114上的第二層間電介質(zhì)層134之間。在字線146和第一柔性延伸件160a之間存在第二距離d2。電容器152形成在懸梁線160的靠近末端與第一層間電介質(zhì)層114之間。在示例性實施例中，傳導(dǎo)焊盤圖案148能夠形成在電容器152上。在懸梁線160和傳導(dǎo)焊盤圖案148之間存在第一距離dl。當(dāng)字線146沒有被賦予能量時，第一距離dl和第二距離d2基本上相同。在周圍區(qū)域中，溝槽隔離件102a形成在襯底100中。包括柵電極106和掩模圖案108的MOS晶體管形成在襯底100上。柵極分隔件116環(huán)繞柵電極106和掩模圖案108。鄰近柵極分隔件116形成源和漏區(qū)118。周圍區(qū)域中的柵電極106和單元區(qū)域中的傳導(dǎo)圖案104能夠由相同的巨法||1*—笛一巨問由^v席巨iizi末n笛一巨間由吞席巨134臺&敏形I''JhJ/^jsi/""yvjozivl一j■LJ乂I/乂sii,'inzi^--/一i'甲j-i_i乂■/7、丄一wlj/1/成在晶體管上。穿過層間電介質(zhì)層114和134形成接觸栓塞136，以接觸源和漏區(qū)118。傳導(dǎo)線圖案150形成在接觸栓塞136上。圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括單元區(qū)域和周圍區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖5，在單元區(qū)域中，在襯底300上形成與聯(lián)系圖4示出的實施例類似的機(jī)電開關(guān)。因為襯底300能夠是非硅基的襯底，所以襯底300能夠省略溝槽隔離件。襯底300能夠包括例如玻璃或塑料。在周圍區(qū)域中，能夠形成機(jī)電開關(guān)來代替MOS晶體管。圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的具有包括周圍區(qū)域中的MOS晶體管的堆疊結(jié)構(gòu)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖6，在單元區(qū)域中，包括多個精細(xì)孔(fmepore)206的層間電介質(zhì)層204設(shè)置在懸梁線160上。在懸梁線160和層間電介質(zhì)層204之間存在間隙。在周圍區(qū)域中，MOS晶體管形成在襯底100上，層間電介質(zhì)層204形成在傳導(dǎo)線圖案150上。電介質(zhì)層208能夠形成在單元區(qū)域和周圍區(qū)域中的層間電介質(zhì)層204的上方。在電介質(zhì)層208上，形成包括機(jī)電開關(guān)的存儲器單元的另一陣列。如此，存儲器單元的第一陣列和第二陣列一個在另一個上地堆疊。在示例性實施例中，能夠添加額外的存儲器單元的陣列。圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例具有堆疊結(jié)構(gòu)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖7，在存儲器單元的第一陣列400中，在襯底300上形25成機(jī)電開關(guān)。存儲器單元的第二陣列500形成在存儲器單元的第一陣列400上。存儲器單元的第二陣列500也包括單元區(qū)域和周圍區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)。圖8是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括周圍區(qū)域中形成的MOS晶體管和單元區(qū)域中形成的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖8，懸梁線164能夠具有凹陷間隙。S卩，第一距離d3小于第二距離d4。當(dāng)在存儲器裝置中使用凹陷間隙時，在字線146拉動懸梁線164時，能夠防止懸梁線164與字線146接觸。另外，因為第一距離d3減小，所以能夠降低存儲器裝置的操作電壓。在示例性實施例中，懸梁線164包括與其下形成的表面一致的多個凹進(jìn)和凸出部分。圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括單元區(qū)域和周圍區(qū)域中形成的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖9，單元區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)包括懸梁線164與形成在電容器152上的傳導(dǎo)焊盤圖案148之間的凹陷間隙。可替換地，當(dāng)傳導(dǎo)焊盤圖案148沒有形成在電容器152上時，單元區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)包括懸梁線164和電容器152之間的凹陷間隙。周圍區(qū)域中的機(jī)電開關(guān)包括懸梁線164與形成在層間電介質(zhì)層134上的字線146之間的凹陷間隙。圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包括周圍區(qū)域中形成的MOS晶體管和單元區(qū)域中形成的機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的剖視圖。參考圖10，存儲器單元的第一陣列和存儲器單元的第二陣列中的機(jī)電開關(guān)包括在懸梁線164和傳導(dǎo)焊盤圖案148之間的凹陷間隙?？商鎿Q地，當(dāng)電容器152直接接觸懸梁線164的尖端時，存儲器單元的第一陣列和第二陣列中的機(jī)電開關(guān)包括在懸梁線164和電容器152之間的凹陷間隙。圖11(a)至圖16(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成具有機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置的方法。參考圖11(a)，在襯底100中設(shè)置溝槽隔離件102a和102b。襯底100包括例如硅。溝槽隔離件102a和102b能夠防止在隨后的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝中的蝶形(dishing)問題。參考圖11(b)，在周圍區(qū)域中形成MOS晶體管112。在單元區(qū)域中形成包括傳導(dǎo)層104和掩模圖案108的隱埋位線110。在STI102a和襯底100上形成絕緣層99。在絕緣層99上形成傳導(dǎo)層104和掩模層108。傳導(dǎo)層104能夠包括具有低電阻率的材料。該材料能夠是例如金屬、金屬硅化物或摻雜半導(dǎo)體。通過對傳導(dǎo)層104和掩模層108構(gòu)圖，能夠在周圍區(qū)域中形成晶體管112。如此，在晶體管112中形成柵電極106。柵極分隔件116環(huán)繞晶體管112。在襯底100中形成源和漏區(qū)118。參考圖12(a)，在晶體管112和隱埋位線110的掩模圖案108上形成第一層間絕緣層114。在第一層間絕緣層114上形成第一電極120。在第一電極120上形成電介質(zhì)層122。在電介質(zhì)層122上形成第二電極124。第一電極120能夠是多層結(jié)構(gòu)。第一電極能夠包括阻擋金屬層120a、金屬層120b、帽蓋層120c。阻擋金屬層120a可以包括例如鈦或者氮化鈦(titaniumnitride)。金屬層120b可以包含例如鎢。帽蓋層120c可以包含例如氮化欽。在示例性實施例中，電介質(zhì)層122能夠包含例如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)，或者氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、或者其混合物中的至少一種。第二電極124也能夠包含多層結(jié)構(gòu)。第二電極124能夠包括阻擋層124a和金屬層124b。阻擋層124a能夠包含例如氮化鈦。金屬層124b能夠包含例如鎢。參考圖12(b)，蝕刻第一電極120、層間絕緣層114和第二電極124來形成初步電容器132。參考圖13(a)和圖13(b)，在第一層間電介質(zhì)層114上形成第二層間電介質(zhì)層134。穿過層間電介質(zhì)層134、114形成第一接觸栓塞136。第一接觸栓塞136接觸隱埋位線110。在周圍區(qū)域中，穿過層間電介質(zhì)層134、114形成第二接觸栓塞138。第二接觸栓塞138接觸源/漏區(qū)118。接觸栓塞136、138可以包含例如Ti、TiN、W、Al或Cu。參考圖14(a)和圖14(b)，形成字線146和傳導(dǎo)焊盤圖案144、148。在初步電容器132、接觸栓塞136、138和第二層間絕緣層134上形成傳導(dǎo)層140a。在傳導(dǎo)層140a上形成帽蓋層140b，從而構(gòu)成傳導(dǎo)圖案140。帽蓋層140b能夠增強電容器和梁線之間的接觸特性。在帽蓋層140b上形成掩模圖案142。使用掩模圖案142蝕刻帽蓋層140b和傳導(dǎo)層140a。參考圖14(b)，傳導(dǎo)焊盤圖案144可以包括形成在傳導(dǎo)圖案144a上的帽蓋層144b。字線146可以包括形成在傳導(dǎo)圖案146a上的帽蓋層146b。傳導(dǎo)焊盤圖案148可以包括形成在傳導(dǎo)圖案148a上的帽蓋層148b。參考圖15(a)、圖15(b)和圖16(a)，形成具有開口158的犧牲層156，該開口158暴露傳導(dǎo)焊盤圖案144的頂表面。在傳導(dǎo)焊盤圖案144、148和層間電介質(zhì)層154上形成犧牲層156。在隨后的工藝中，犧牲層156能夠具有與層間電介質(zhì)層154和包括形成在犧牲層156上方的懸梁線160的材料不同的蝕刻選擇性。例如，多晶硅、原子層淀積(ALD)氧化物、SiGe、SiN、摻雜的硅或摻雜的氧化硅能夠用作犧牲層156。懸梁線160和字線146之間的第二距離以及懸梁線160和形成在電容器152上的傳導(dǎo)焊盤圖案i48之間的第一距離能夠由犧牲層156的厚度來控制。這是因為第一距離和第二距離對應(yīng)于在后續(xù)工藝中移除的犧牲層156的厚度。在示例性實施例中，在整個單元區(qū)域內(nèi)，犧牲層156具有基本上相同的厚度。如此，第一距離和第二距離能夠是相同的。參照圖16(a)和圖16(b)，在犧牲層156上形成具有高彈性和動態(tài)穩(wěn)定性的懸梁線160。懸梁線160能夠是單層結(jié)構(gòu)，該單層結(jié)構(gòu)包含例如Ti、TiN、Ti金屬合金、Ta、TaN、Ta金屬合金或者碳納米管。28在示例性實施例中，懸梁線160能夠是第一層層疊在第二層上的兩層結(jié)構(gòu)。例如，第一層可以包含Si02或SiN，第二層可以包含傳導(dǎo)材料諸如Ti、TiN、Ti金屬合金、Ta、TaN、Ta金屬合金或碳納米管。在示例性實施例中，懸梁線160能夠是多層結(jié)構(gòu)。例如，在三層結(jié)構(gòu)中，笛一巨"HTW^n杏c;rv笛一巨？rrhl句冷t;\t笛巨？rrl，l/fei々t。>j懸梁線160能夠錨定在接觸栓塞136上形成的傳導(dǎo)焊盤圖案144上。在示例性實施例中，因為當(dāng)懸梁線160淀積在傳導(dǎo)焊盤圖案144上時出現(xiàn)粘附，所以懸梁線160能夠不使用粘著劑而粘附到傳導(dǎo)焊盤圖案。能夠通過例如濕法蝕刻工藝、臨界點干燥儀(CPD)或等離子化學(xué)干法蝕刻，來移除犧牲層156。圖17(a)至圖20示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成在存儲器單元的第一陣列上形成的存儲器單元的第二陣列的方法。在示例性實施例中，能夠一個在另一個上地堆疊多層存儲器單元。對于存儲器單元的第一陣列，能夠使用結(jié)合圖11(a)至圖16(b)描述的示例性實施例。參考圖17(a)和圖17(b)，在懸梁線160上設(shè)置額外的犧牲層200。在周圍區(qū)域和單元區(qū)域中形成額外的犧牲層200。移除在周圍區(qū)域中形成的額外的犧牲層200。在示例性實施例中，額外的犧牲層200包含與犧牲層156相同的材料。當(dāng)在隨后的工藝中移除犧牲層200和156時，在懸梁線160周圍形成空間。該空間允許懸梁線160向上或向下運動。該空間能夠是真空狀態(tài)或者被填充有惰性氣體諸如，例如N2。參考圖18(a)和圖18(b)，在額外的犧牲層202上形成電介質(zhì)層204。電介質(zhì)層204具有多個精細(xì)孔206。精細(xì)孔206能夠用作傳送在移除犧牲層156、202中使用的氣體或液體的通路。被移除的犧牲層156、202也能夠通過孔206傳送。例如，當(dāng)通過濕法蝕刻工藝來移除犧牲層156、202時，能夠通過精細(xì)孔206來傳送蝕刻化學(xué)劑。每個精細(xì)孔206可以具有大約10nm至大約20nm的直徑。在示例性實施例中，精細(xì)孔206可以規(guī)則的圖案形成。在示例性實施例中，在額外的犧牲層202上形成電介質(zhì)層204之后，精細(xì)孔206能夠形成在電介質(zhì)層204中。電介質(zhì)層204可以包含例如聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。參考圖19和圖20，在具有多個精細(xì)孔206的電介質(zhì)層204上形成電介質(zhì)層208。能夠在電介質(zhì)層208上形成存儲器單元的上陣列。因為本發(fā)明的示例性實施例的機(jī)電開關(guān)能夠直接形成在電介質(zhì)層上，所以當(dāng)形成存儲器單元的上陣列時，能夠省略存儲器單元的下陣列中所需的襯底100。圖21(a)至圖23(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的方法。參考圖21(a)和圖21(b)，在傳導(dǎo)焊盤圖案144、148和字線146上形成第一犧牲層156。移除與電容器152對應(yīng)的第一犧牲層156。參考圖22(a)和圖22(b)，在第一犧牲層156和設(shè)置在電容器152上的傳導(dǎo)焊盤圖案148上形成第二犧牲層158。蝕刻與接觸栓塞136對應(yīng)的第一犧牲層和第二犧牲層156、198，以形成開口158。開口158暴露設(shè)置在接觸栓塞136上的傳導(dǎo)焊盤圖案144的頂表面。在第二犧牲層198和傳導(dǎo)焊盤圖案144的暴露的頂表面上形成懸梁線164。參考圖23(a)和圖23(b)，移除第一犧牲層156和第二犧牲層198。如此，形成具有距離d3和d4的懸梁線164。在示例性實施例中，d3能夠是大約10nm至大約15nm，d4能夠是大約20nm至大約25nm。圖24(a)和圖24(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法。30參考圖24(a)和圖24(b)，在傳導(dǎo)焊盤圖案144、148和字線146上形成第一犧牲層156。然后，在第一犧牲層156上形成第二犧牲層170。移除第二犧牲層170中與電容器152對應(yīng)的部分，從而形成第二犧牲層圖案170a。形成開口158，以暴露接觸栓塞136上的傳導(dǎo)焊盤圖案144的頂表面。在第二犧牲層170上并且在開口158中形成懸梁線164。然后，移除第一犧牲層156和第二犧牲層170。圖25(a)和圖25(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法。參照圖25(a)和圖25(b)，在傳導(dǎo)焊盤圖案144、148和字線M6上形成犧牲層180。犧牲層180的與電容器152對應(yīng)的部分比犧牲層180的與字線146對應(yīng)的部分薄。在傳導(dǎo)焊盤圖案144上形成開口158。能夠在犧牲層180上并且在開口158中形成懸梁線164。然后，移除犧牲層180。圖26(a)至圖26(c)示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的形成用于具有凹陷間隙的機(jī)電開關(guān)的犧牲層的方法。參考圖26(a)、26(b)和26(c)，在傳導(dǎo)焊盤圖案144和148以及字線146上形成犧牲層190。氧化犧牲層l卯中與電容器152對應(yīng)的部分。在隨后的工藝中，移除犧牲層190中被氧化的部分192。如此，犧牲層l卯的部分190b變薄。在傳導(dǎo)焊盤圖案144上形成開口158。在犧牲層190上并且在開口158中形成懸梁線164。然后，移除犧牲層190。圖27示出了包括根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例形成的存儲器裝置的系統(tǒng)。參考圖27，系統(tǒng)500包括控制器510、輸入/輸出裝置520、存儲器530、接口540和總線550。系統(tǒng)500可以包括移動系統(tǒng)諸如個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、便攜式計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦(webtablet)、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器或存儲器卡。在示例性實施例中，系統(tǒng)500能夠是傳送和/或接收信息的任何系統(tǒng)?？刂破?10可以包括例如微處理器、數(shù)字信號處理器或微控制器。1/O裝置520可以包括輔助鍵盤(keypad)、鍵盤或顯示器。存儲器530能夠包括例如DRAM或閃存。存儲器530能夠貯存由控制器510執(zhí)行的命令。存儲器530和接口540能夠通過總線550來結(jié)合。系統(tǒng)500能夠使用接口540來將數(shù)據(jù)傳送到通信網(wǎng)絡(luò)或者從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種具有機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置，其中由于機(jī)電開關(guān)中的低或O結(jié)漏使得實現(xiàn)了優(yōu)良的電荷保持。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種具有機(jī)電開關(guān)的存儲器裝置，其中因為機(jī)電開關(guān)能夠形成在許多不同類型的襯底上，所以能夠使用各種類型的襯底。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置具有能夠堆疊的存儲器單元的多個陣列。因為能夠在存儲器單元的兩個相鄰陣列之間省略襯底，所以能夠在多個陣列中實現(xiàn)高封裝密度。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種機(jī)電開關(guān)，該機(jī)電開關(guān)使用電極(例如，懸梁線)作為開關(guān)的一部分來接通和切斷電路。如此，能夠省略接通或切斷電路的額外的開關(guān)元件。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置具有比MOS晶體管小的機(jī)電開關(guān)。如此，能夠減小根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的存儲器裝置的尺寸。本發(fā)明的示例性實施例提供了一種在單元區(qū)域和周圍區(qū)域中同時32形成機(jī)電開關(guān)的方法。雖然已經(jīng)參考附圖在此描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是應(yīng)理解的是，本發(fā)明不應(yīng)限于這些具體的實施例，并且在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在這里實施各種其它變化和修改。所有這樣的變化和修改意在包括在如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種存儲器裝置，包括形成在存儲器單元中的貯存節(jié)點、第一電極和第二電極，所述貯存節(jié)點貯存電荷，所述第一電極包括電連接到第二部分的第一部分，當(dāng)所述第二電極被賦予能量時，所述第一部分移動以連接到所述貯存節(jié)點。2.如權(quán)利要求l所述的存儲器裝置，其中電壓感測電路連接到所述第二部分的末端。3.如權(quán)利要求l所述的存儲器裝置，其中所述第一部分和所述第二部分通過接觸栓塞連接。4.如權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其中所述第一部分的第一末端從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在所述貯存節(jié)點內(nèi)的電荷或者用于將所述電荷寫入所述貯存節(jié)點。5.如權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中當(dāng)所述第二電極被賦予能量時，所述第一部分的所述第一末端處于所述第二位置，以接觸所述貯存節(jié)點。6.如權(quán)利要求5所述的存儲器裝置，其中所述第一部分的第二末端錨定在所述接觸栓塞上。7.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離與所述第二電極和所述第一電極的對應(yīng)第一部分之間的第二距離基本上相同。8.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離小于所述第二電極和所述第一電極的對應(yīng)第一部分之間的第二距離。9.如權(quán)利要求l所述的存儲器裝置，其中所述第一部分包括至少兩層。10.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一部分基本上比所述第二部分短。11.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中當(dāng)施加電壓時，所述第二電極被賦予能量。12.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，還包括上面形成有所述第二部分的襯底，其中，所述襯底包含玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一種。13.如權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中所述貯存節(jié)點包括電容器，所述電容器包括第三電極、電介質(zhì)層和第四電極。14.如權(quán)利要求13所述的存儲器裝置，其中所述第三電極接收所述第一部分的第一末端并且所述第四電極形成在傳導(dǎo)板上。15.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述貯存節(jié)點包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。16.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，還包括傳導(dǎo)板，在該傳導(dǎo)板上形成所述貯存節(jié)點。17.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一電極是位線，并且所述第二電極是字線。18.—種存儲器裝置，包括第一存儲器單元，所述第一存儲器單元具有第一字線和貯存第一電荷的第一貯存節(jié)點；第二存儲器單元，所述第二存儲器單元具有第二字線和貯存第二電荷的第二ft存節(jié)點；位線，所述位線具有形成在所述第一存儲器單元中的第一部分和形成在所述第二存儲器單元中的第二部分；梁線，所述梁線被形成為具有所述第一存儲器單元中的第一部分和所述第二存儲器單元中的第二部分，所述梁線被電連接到所述位線，其中當(dāng)所述第一字線被賦予能量時，所述梁線的所述第一部分的末端移動，以連接到所述第一貯存節(jié)點，并且當(dāng)所述第二字線被賦予能量時，所述梁線的所述第二部分的末端移動，以連接到所述第二貯存節(jié)點。19.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中所述位線和所述梁線通過接觸栓塞連接。20.如權(quán)利要求19所述的存儲器裝置，其中所述梁線的中心被錨定在所述接觸栓塞上。21.如權(quán)利要求20所述的存儲器裝置，其中所述梁線相對于所述接觸栓塞基本上對稱。22.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中電壓感測電路連接到所述位線的末端。23.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中所述梁線的所述第一部分的末端從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在所述第一貯存節(jié)點內(nèi)的所述第一電荷或者用于將所述第一電荷寫入到所述第一貯存節(jié)點。24.如權(quán)利要求23所述的存儲器裝置，其中當(dāng)所述第一字線被賦予能量時，所述梁線的所述第一部分的末端處于所述第二位置，以接觸所述第一貯存節(jié)點。25.如權(quán)利要求23所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離與所述第一字線和所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離基本上相同。26.如權(quán)利要求23所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離小于所述第一字線和所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離。27.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中所述梁線包括至少兩層。28.如權(quán)利要求1S所述的存儲器裝置，其中所述梁線基本上比所述位線短。29.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中當(dāng)施加電壓時，所述第一字線被賦予能量。30.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，還包括上面形成有所述位線的襯底，其中所述襯底包含玻璃、半導(dǎo)體和塑料中的至少一種。31.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中所述第一貯存節(jié)點包括電容器，所述電容器包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。32.如權(quán)利要求31所述的存儲器裝置，其中所述第一電極接收所述梁線的所述第一部分的末端，并且所述第二電極形成在傳導(dǎo)板上。33.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中所述第一貯存節(jié)點包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。34.如權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，還包括傳導(dǎo)板，在該傳導(dǎo)板上形成所述第一貯存節(jié)點。35.—種存儲器裝置，包括連接到位線的第一對存儲器單元，所述第一對存儲器單元具有第一梁線；第二對存儲器單元，所述第二對存儲器單元鄰近于所述第一對存儲器單元形成并被連接到所述位線，所述第二對存儲器單元具有第二梁線，.其中當(dāng)相應(yīng)字線被賦予能量時，每個所述梁線移動，以連接到貯存電荷的相應(yīng)貯存節(jié)點。36.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中所述位線和每個所述梁線通過相應(yīng)接觸栓塞電連接。37.如權(quán)利要求36所述的存儲器裝置，其中每個所述梁線被錨定在相應(yīng)接觸栓塞上。38.如權(quán)利要求37所述的存儲器裝置，其中每個所述梁線相對于相應(yīng)接觸栓塞基本上對稱。39.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中電壓感測電路被連接到所述位線的末端。40.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中每個所述梁線的末端從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在所述相應(yīng)貯存節(jié)點內(nèi)的電荷或者用于將電荷寫入所述相應(yīng)貯存節(jié)點。41.如權(quán)利要求40所述的存儲器裝置，其中當(dāng)所述相應(yīng)字線被賦予能量時，每個所述梁線的末端處于所述第二位置，以接觸所述相應(yīng)貯存節(jié)點。42.如權(quán)利要求40所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離與所述相應(yīng)字線和每個所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離基本上相同。43.如權(quán)利要求41所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離小于所述相應(yīng)字線和每個所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離。44.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中每個所述梁線包括至少兩層。45.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中每個所述梁線基本上比所述位線短。46.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中當(dāng)施加電壓時，所述相應(yīng)字線被賦予能量。47.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，還包括上面形成有所述位線的襯底，其中所述襯底包括玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一種。48.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中所述相應(yīng)貯存節(jié)點包括電容器，所述電容器包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。49.如權(quán)利要求48所述的存儲器裝置，其中所述第一電極接收每個所述梁線的末端，并且所述第二電極形成在傳導(dǎo)板上。50.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，其中所述相應(yīng)貯存節(jié)點包括由絕緣體環(huán)繞的傳導(dǎo)圖案。51.如權(quán)利要求35所述的存儲器裝置，還包括傳導(dǎo)板，在該傳導(dǎo)板上形成所述相應(yīng)貯存節(jié)點。52.—種存儲器裝置，包括襯底；形成在所述襯底上的位線；形成在所述位線上的字線；形成在所述字線上方的梁線；貯存電荷的電容器，所述電容器形成在所述梁線和所述襯底之間，其中當(dāng)所述字線被賦予能量時，所述梁線移動，以連接到所述電容器。53.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，還包括連接所述位線和所述梁線的接觸栓塞。54.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，還包括第一層間電介質(zhì)層，所述層間電介質(zhì)層具有形成在所述梁線上的多個孔。55.如權(quán)利要求54所述的存儲器裝置，還包括形成在所述第一層間電介質(zhì)層上的第二層間電介質(zhì)層。56.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中所述梁線的第一末端從第一位置移到第二位置，用于讀出貯存在所述電容器內(nèi)的電荷或者用于將所述電荷寫入所述電容器。57.如權(quán)利要求56所述的存儲器裝置，其中當(dāng)所述字線被賦予能量時，所述梁線的所述第一末端處于所述第二位置，以接觸所述電容器。58.如權(quán)利要求53所述的存儲器裝置，其中所述梁線的第二末端被錨定在所述接觸栓塞上。59.如權(quán)利要求56所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離與所述字線和所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離基本上相同。60.如權(quán)利要求56所述的存儲器裝置，其中所述第一位置和所述第二位置之間的第一距離小于所述字線和所述梁線的對應(yīng)部分之間的第二距離。61.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中所述梁線包括至少兩層。62.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中所述梁線基本上比所述位線短。63.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中當(dāng)施加電壓時，所述字線被賦予能量。64.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中所述襯底包括玻璃、半導(dǎo)體或塑料中的至少一種。65.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，其中所述電容器包括第一電極、電介質(zhì)層和第二電極。66.如權(quán)利要求65所述的存儲器裝置，其中所述第一電極接收所述梁線的第一末端，并且所述第二電極形成在傳導(dǎo)板上。67.如權(quán)利要求52所述的存儲器裝置，還包括傳導(dǎo)板，在該傳導(dǎo)板上形成所述電容器。全文摘要本發(fā)明公開了機(jī)電開關(guān)及其形成方法。本發(fā)明提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括形成在存儲器單元中的貯存節(jié)點、第一電極和第二電極，貯存節(jié)點貯存電荷，第一電極包括電連接到第二部分的第一部分，當(dāng)?shù)诙姌O被賦予能量時，第一部分移動以連接到貯存節(jié)點。文檔編號G11C23/00GK101582296SQ20091012869公開日2009年11月18日申請日期2009年3月24日優(yōu)先權(quán)日2008年3月24日發(fā)明者張原瑋,俊徐,李志明,裴賢俊,趙槿匯,金旻相,金洞院申請人:三星電子株式會社