技術(shù)編號：6756566
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種，更具體來說，涉及一種 具有可移動地連接到貯存節(jié)點(diǎn)的電極的。背景技術(shù)動態(tài)RAM (DRAM)是需要刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)激活的固態(tài)存儲器。 DRAM中的存儲器單元包括電容器和MOS晶體管。電容器的電荷由于 泄漏而衰減，所以系統(tǒng)必須周期性地刷新電荷來保持所述值。MOS晶 體管在存儲器單元中用作開關(guān)。如果將要讀取存儲器，則通過感測放 大器(sense amplifier)在數(shù)據(jù)線上檢測電容器上的電壓。如果需要寫 或刷新操作，則數(shù)據(jù)線變成輸入線。當(dāng)適合的地...
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