專利名稱：：用于閃速存儲(chǔ)器的部分塊擦除架構(gòu)的制作方法用于閃速存儲(chǔ)器的部分塊擦除架構(gòu)
背景技術(shù)：
：0001閃速存儲(chǔ)器是常用的一類非易失性存儲(chǔ)器，廣泛用作諸如數(shù)碼照相機(jī)和便攜式數(shù)字音樂播放器的消費(fèi)電子設(shè)備的大容量存儲(chǔ)裝置。目前可用的閃速存儲(chǔ)器芯片的密度能夠達(dá)到32G比特(4GB)，由于一個(gè)閃速芯片的尺寸小，其適合用在流行的USB閃速驅(qū)動(dòng)器中。0002圖l是現(xiàn)有技術(shù)的典型的閃速存儲(chǔ)器的總的框圖。閃速存儲(chǔ)器10包括用于控制多種功能的閃速電路的諸如控制電路12的邏輯電路，用于保存地址信息、數(shù)據(jù)信息和命令數(shù)據(jù)信息的寄存器，用于產(chǎn)生所需的編程和擦除電壓的高電壓電路和用于存取存儲(chǔ)器陣列18的諸如行地址譯碼器14和行地址譯碼器緩沖器16的核心存儲(chǔ)器電路?？刂齐娐?2包括用于執(zhí)行諸如讀出、編程和擦除功能的內(nèi)部閃存操作的命令譯碼器和邏輯。本領(lǐng)域內(nèi)公知閃速存儲(chǔ)器10的所示電路塊的功能。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員理解圖1中所示的閃速存儲(chǔ)器10表示多種可能的配置中的一種可能的閃速存儲(chǔ)器配置。0003圖1的閃速存儲(chǔ)器10的存儲(chǔ)器單元陣列18包括任意數(shù)量個(gè)體，其是對(duì)于特定閃速裝置的所選擇的設(shè)計(jì)參數(shù)。圖2是示出圖1的存儲(chǔ)器單元陣列18的一個(gè)體20的組織的示意圖。體20被組織為塊(塊[O]到塊[k])，并且每個(gè)塊包括頁面(WL。到WLJ。k和i是非零整數(shù)值。每個(gè)頁面對(duì)應(yīng)于耦合到公共字線的存儲(chǔ)器單元的行。以下詳細(xì)描述塊的存儲(chǔ)器單元。0004每個(gè)塊包括NAND存儲(chǔ)器單元串，具有串行耦合布置和互相電耦合的閃速存儲(chǔ)器單元22。從而，字線WL。到WLi耦合到存儲(chǔ)器單元串中的每一個(gè)閃速存儲(chǔ)器單元的柵極。耦合到信號(hào)SSL(串選擇線)的串選擇裝置24選擇性地將存儲(chǔ)器單元串連接到位線26，而耦合到信號(hào)GSL(接地選擇線)的接地選擇裝置28選擇性地將存儲(chǔ)器單元串連接到諸如VSS的電源線。串選擇裝置24和接地選擇裝置28是n溝道晶體管。0005位線26(BL。到BLj，其中j是非零整數(shù)值)對(duì)于體20的所有塊共用，并且每一個(gè)位線26耦合到每一個(gè)塊到[k]中的一個(gè)NAND存儲(chǔ)器單元串。每一個(gè)字線(WL。到WLJ、SSL和GSL信號(hào)耦合到塊中的每一個(gè)NAND存儲(chǔ)器單元串中的相同的對(duì)應(yīng)的晶體管裝置。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到沿著一個(gè)字線保存在閃速存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)稱為一頁數(shù)據(jù)。0006數(shù)據(jù)寄存器30耦合到體20的外部的每一個(gè)位線，用于保存要編程到閃速存儲(chǔ)器單元的一個(gè)頁面中的一頁寫數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寄存器30還包括用于讀取從閃速存儲(chǔ)器單元讀出的數(shù)據(jù)的讀取電路。在編程操作期間，數(shù)據(jù)寄存器執(zhí)行編程驗(yàn)證操作以確保數(shù)據(jù)已經(jīng)被正確編程到耦合到所選擇字線的閃速存儲(chǔ)器單元中。為了獲取高密度，每個(gè)閃速存儲(chǔ)器單元保存至少兩位數(shù)據(jù)，并且通常稱為多位單元(MBC)。0007本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員理解MBC閃速存儲(chǔ)器的問題是其存儲(chǔ)器單元對(duì)編程干擾敏感。編程干擾來自于隨著每一制造技術(shù)的產(chǎn)生而彼此較臨近地形成的相鄰字線和浮柵之間的電容性耦合。因此，編程期間施加到一個(gè)單元的高電壓可以將相鄰單元的編程閾值電壓移位到表示不同邏輯狀態(tài)的電壓，而一個(gè)單元的編程狀態(tài)可以影響當(dāng)前編程的相鄰單元的閾值電壓。為了最小化MBC閃速存儲(chǔ)器中的編程干擾，塊中的編程在對(duì)應(yīng)于WL。的頁面處開始，并且順序向上進(jìn)行到WLi。替代地，編程可以在WLi處開始并且順序向下進(jìn)行到WL。。在此工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)公知用于編程N(yùn)ANDMBC閃速存儲(chǔ)器單元的這些方案。一旦用數(shù)據(jù)已經(jīng)完全編程了塊，下一個(gè)文件或者數(shù)據(jù)集的編程在下一個(gè)塊的WL。處開始。在裝置中，典型地按順序編程塊。0008公知的是，在閃速存儲(chǔ)器裝置不能再被用來可靠地保存數(shù)據(jù)之前，閃速存儲(chǔ)器裝置具有有限次數(shù)擦除-編程周期。更具體地，閃速存儲(chǔ)器單元經(jīng)受編程/擦除周期磨損，即閃速存儲(chǔ)器單元由于累積的編程和擦除操作而逐漸退化。本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解存儲(chǔ)器塊總是在使用數(shù)據(jù)編程之前首先被擦除，因此該周期可以被稱為編程和擦除周期。所有當(dāng)前公知的閃速存儲(chǔ)器被配置用于塊擦除，意味著如果在塊中僅一個(gè)頁面的數(shù)據(jù)被修改/更新，則包含該頁面的整塊被纟察除并且使用修改的頁面和未l'務(wù)改的頁面對(duì)其重新編程。這樣的累積的編程和擦除操作的效果是將存儲(chǔ)器單元的編程和擦除特征改變超出了最佳參數(shù)之外。當(dāng)存儲(chǔ)器單元退化，需要較高的編程和擦除電壓來編程或者擦除存儲(chǔ)器單元到期望的閾值電壓。最后，存儲(chǔ)器單元不能正確保持?jǐn)?shù)據(jù)，其被表示為編程的閾值電壓。例如，對(duì)于MBC閃速存儲(chǔ)器的典型的擦除編程周期大約是10000周期。0009當(dāng)前，當(dāng)前可獲得的大部分閃速存儲(chǔ)器是MBC類型，這是因?yàn)镸BC相對(duì)于其芯片尺寸具有大的存儲(chǔ)密度。雖然這適合用于大部分消費(fèi)者的應(yīng)用，但是10000周期的編程擦除的限制不足以用于數(shù)據(jù)編程和擦除頻繁的其它應(yīng)用。從而，當(dāng)MBC閃速存儲(chǔ)器已經(jīng)達(dá)到其10000周期的壽命時(shí)，其將不能再被使用并且必須拋棄。該問題對(duì)于諸如HDD應(yīng)用的商業(yè)應(yīng)用更為嚴(yán)重，其中存在更頻繁的編程-擦除周期。因?yàn)镠DD應(yīng)用比大部分消費(fèi)者應(yīng)用需要較高的數(shù)據(jù)完整性，所以MBC閃速存儲(chǔ)器由于其相對(duì)短的10000周期的壽命而不再適合使用。0010該問題因閃速存儲(chǔ)器裝置的塊尺寸持續(xù)增加但保存的數(shù)據(jù)文件尺寸保持相對(duì)穩(wěn)定的事實(shí)而復(fù)雜化。例如，當(dāng)前高密度閃速裝置的塊尺寸在256KB的范圍中，而未來的高密度閃速裝置將具有接近512KB的塊尺寸。如果保存在塊中的數(shù)據(jù)文件小，則當(dāng)修改數(shù)據(jù)文件時(shí)，相對(duì)于具有該尺寸的塊，更多的存儲(chǔ)器單元將不必要地經(jīng)受擦除/編程周期。0011因此，期望提供可操作地具有延長的壽命的閃速存儲(chǔ)器裝置。
發(fā)明內(nèi)容0012本實(shí)施例的方面是用來消除或者減輕先前閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的至少一個(gè)不足。0013在第一方面，提供了一種閃速存儲(chǔ)器裝置，其具有存儲(chǔ)器陣列和行電路。該存儲(chǔ)器陣列具有以列布置的NAND閃速存儲(chǔ)器單元串中的至少一個(gè)塊，其中所述至少一個(gè)塊具有選擇性地可擦除的預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元。當(dāng)襯底被偏置到擦除電壓以擦除所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元時(shí)，行電路驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元的第一字線到第一電壓。行譯碼器驅(qū)動(dòng)第二字線到第二電壓以禁止擦除耦合到所述第二字線的閃速存儲(chǔ)器單元。根據(jù)第一方面的實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元是多位單元(MBC),它們可以對(duì)應(yīng)于1個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元，或者它們可以對(duì)應(yīng)于2個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元，其中所述2個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元彼此不鄰近。在本方面的另一實(shí)施例，所述至少一個(gè)塊的所述NAND閃速存儲(chǔ)器單元串被耦合到公共電源線、且所述閃速存儲(chǔ)器裝置進(jìn)一步包括用于在擦除驗(yàn)證操作期間設(shè)置第三電壓和第四電壓之間的公共電源線的電壓的電源線電壓控制電路。所述第四電壓小于所述第三電壓，并且隨著第一字線的數(shù)量的增加，所述公共電源線的電壓減小。0014在第二方面，提供了一種用于擦除存儲(chǔ)器塊的子塊的方法，其中所述存儲(chǔ)器塊具有耦合到第一字線、最后的字線以及所述第一字線和所述最后的字線之間的中間字線的NAND存儲(chǔ)器單元串。該方法包括發(fā)出具有第一地址的第一輸入地址命令；發(fā)出具有第二地址的第二輸入地址命令；發(fā)出部分擦除命令；并擦除具有由對(duì)應(yīng)于所述第一地址和所述第二地址的字線所限定的一組字線的子塊。0015根據(jù)本方面的實(shí)施例，所述第一地址包括空地址，且所述子塊包括由對(duì)應(yīng)于所述第二地址的一個(gè)字線和所述第一字線限定的該組字線。在本方面的另一實(shí)施例，所述第二地址包括空地址，且所述子塊包括r由對(duì)應(yīng)于所述第一地址的一個(gè)字線和所述最后的字線限定的該組字線。在又一個(gè)實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步包括擦除驗(yàn)證所纟察除的子塊?！讲斐?yàn)證包括預(yù)充電位線、偏置該組字線、偏置未選4%的字線和感測(cè)。預(yù)充電的步-驟包括預(yù)充電耦合到所述NAND存儲(chǔ)器單元串的位線到預(yù)充電電壓電平。偏置該組字線到第一電壓，用于開啟耦合到該組字線的所擦除存儲(chǔ)器單元。偏置未被選擇字線到第二電壓，用于開啟耦合到未被選擇字線的存儲(chǔ)器單元。感測(cè)包括感測(cè)所述預(yù)充電電壓電平的改變。0016在另一個(gè)實(shí)施例中，其中所述第一電壓是負(fù)電壓且所述第二電壓是在讀耳又操作期間使用的讀取電壓。替代地，所述第一電壓可以是0V，而所述第二電壓是在讀取操作期間使用的讀取電壓。在另一實(shí)施例中，耦合到所述NAND存儲(chǔ)器單元串的公共電源線被偏置到可變電源偏置電壓，其中隨著該組字線的數(shù)量的減小，所述可變電源偏置電壓從0V增加到最大電壓。0017在第三方面，提供了一種用于當(dāng)修改存儲(chǔ)器塊的子塊中的數(shù)據(jù)時(shí)損耗均衡控制的方法。該方法包括編程所修改的數(shù)據(jù)到新存儲(chǔ)器塊的空的子塊，并擦除所述存儲(chǔ)器塊的所述子塊。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步包括編程新數(shù)據(jù)到最低級(jí)可用子塊，其中每個(gè)存儲(chǔ)器塊包括至少兩個(gè)子塊且所述最低級(jí)可用子塊包括最接近于在順序編程方案中將被編程的第一字線的一組字線。在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括更新地址映射表以將所述所修改的數(shù)據(jù)的邏輯地址映射到對(duì)應(yīng)于新存儲(chǔ)器塊的空的子塊的物理地址。在又一個(gè)實(shí)施例中，所述空的子塊是最低級(jí)可用子塊或者具有等于所述子塊的級(jí)別。當(dāng)所述空的子塊的級(jí)別等于所述子塊，則所述新存儲(chǔ)器塊是空的或者包括保存在具有比所述空的子塊更低級(jí)別的另一個(gè)子塊中的其它數(shù)據(jù)。替代地，所述空的子塊具有高于所述子塊的級(jí)別。在再另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括當(dāng)所述子塊和所述存儲(chǔ)器塊的一個(gè)其它子塊的編程/擦除周期之間的差異達(dá)到預(yù)定值時(shí)，交換所述子塊中的數(shù)據(jù)和所述一個(gè)其它子塊中的其它數(shù)據(jù)。0018對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，通過結(jié)合附圖閱讀具體實(shí)施例的下面描述時(shí)，所描述的實(shí)施例的其它方面和特征將變得清楚。0019參考附圖，將僅通過示例來描述實(shí)施例，其中圖l是現(xiàn)有技術(shù)的典型的閃速存儲(chǔ)器的框圖；圖2是示出存儲(chǔ)器陣列的物理布置的圖3是閃速存儲(chǔ)器裝置的部分擦除的物理存儲(chǔ)器塊的概念性圖解；圖4是示出閃速存儲(chǔ)器陣列的物理存儲(chǔ)器塊的電路細(xì)節(jié)的電路示意圖；圖5是示意在擦除驗(yàn)證操作期間電源線電壓和所選擇字線的數(shù)量之間的關(guān)系的圖6是用于部分塊擦除和擦除驗(yàn)證的方法的流程圖7a、7b和7c是示意選擇性地可擦除的子塊的示例的MND存儲(chǔ)器單元串的電路示意圖8是示意用于擦除存儲(chǔ)器塊的子塊的命令協(xié)議的流程圖9是用于使用圖8中所示的命令協(xié)議擦除上部的子塊、下部的子塊或子塊片段的方法的流程圖10a和10b是具有不同邏輯子塊配置的存儲(chǔ)器塊的圖解；圖ll是損耗均衡(wearleveling)算法的流程圖12是圖11中所示的損耗均衡算法的子塊分配器子程序；圖13a、13b、13c和13d是數(shù)據(jù)重新編程到另一個(gè)子塊的圖解；的流程圖；和圖15a和15b是在使用圖14的方法的數(shù)據(jù)交換之前和之后的存儲(chǔ)器塊的圖解。具體實(shí)施例方式0020總的來說，實(shí)施例提供用于增加閃速存儲(chǔ)器裝置的壽命的方法和系統(tǒng)。閃速存儲(chǔ)器裝置的每個(gè)物理存儲(chǔ)器塊可分為至少兩個(gè)邏輯子塊，其中該至少兩個(gè)邏輯子塊中的每一個(gè)是可擦除的。因此，僅該邏輯塊的數(shù)據(jù)被擦除和重新編程，而其它邏輯塊中的未修改數(shù)據(jù)避免了非必要的編程/擦除周期。將被擦除的邏輯子塊在塊中的尺寸和位置方面可動(dòng)態(tài)配置的。損耗均衡算法被用于使數(shù)據(jù)遍布存儲(chǔ)器陣列的物理和邏輯子塊，以最大化物理塊的壽命。0021圖3是根據(jù)本實(shí)施例的閃速存儲(chǔ)器裝置的物理存儲(chǔ)器塊(塊至塊[k])的概念性示意。每個(gè)物理塊可以選擇性地擦除邏輯子塊，其中被擦除的子塊可以包括任意數(shù)量的頁面。在圖3中，存儲(chǔ)器塊的保存數(shù)據(jù)的部分以陰影線示出，而存儲(chǔ)器塊的擦除的子塊沒有陰影。被選擇性地擦除的子塊的尺寸可被預(yù)設(shè)為物理塊的任意比例，或者可以實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)配置。在圖3的示例中，塊比塊[1]具有更小的擦除子塊。根據(jù)物理塊尺寸，將物理塊分為多于2個(gè)邏輯子塊可能是方便的，例如4個(gè)邏輯子塊。因此，每個(gè)物理塊是可部分擦除的。假設(shè)，如圖2所示每個(gè)物理塊的存儲(chǔ)器單元被布置在NAND存儲(chǔ)器單元串中，并且每個(gè)頁面以從WL。至WLi的方向被順序編程，其中，WLi是要被編程的最后的字線。0022在數(shù)據(jù)從WL。至WLi順序編程的本示例中存在有下部子塊和上部子塊。下部子塊包括字線的較低順序組，而上部子塊包括字線的較高順序組。為了最小化編程干擾，任一存儲(chǔ)器塊的上部子塊將被擦除和重新編程，而下部子塊的數(shù)據(jù)被保持。此方案模仿先前所擦除的物理塊被順序編程直至特定頁面，而將剩余頁面保留為擦除狀態(tài)的情形。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)隨后被順序編程到所擦除的上部子塊時(shí)，最小化了編程干擾。雖然當(dāng)數(shù)據(jù)一皮保持在相鄰的上部子塊中時(shí)，下部子塊可以被擦除，但是直到相鄰的上部子塊-皮擦除時(shí)數(shù)據(jù)才應(yīng)該一皮重新編程到下部子塊。0023現(xiàn)在已經(jīng)介紹了用于部分地擦除物理塊的總體概念，將參考圖4描述更詳細(xì)的實(shí)施例。圖4是示出閃速存儲(chǔ)器陣列的物理塊100、字線驅(qū)動(dòng)器塊102和電源線電壓控制電路104的電路示意圖。字線驅(qū)動(dòng)器塊102和電源線電壓控制電路104對(duì)于物理塊100典型地是本地的。物理塊100具有以列布置的NAND閃速存儲(chǔ)器單元串，其中每個(gè)串被耦合到位線BL。至BLj和公共電源線CSL。字線驅(qū)動(dòng)器塊102耦合信號(hào)SS到SSL控制線、耦合S[O:n]分別到WL。至WL字線、且耦合GS到GSL控制線。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的，在編程、編程驗(yàn)證、讀取和擦除操作期間信號(hào)SS、S[O:n]和GSL被設(shè)置為不同的電壓電平。電源線電壓控制電路104負(fù)責(zé)根據(jù)所執(zhí)行的一個(gè)前面所提及的操作來設(shè)置CSL的電壓電平。0024下面是說明物理塊100的可擦除子塊的邏輯形成的示例方案。假設(shè)已經(jīng)以從WL。至WLn的方向用數(shù)據(jù)編程物理塊100的所有頁面(WL。至WLn)，且保存在耦合到WU至WL的存儲(chǔ)器單元中的該數(shù)據(jù)將被修改。因此，位線、字線WL^至WLn和電源線CSL被偏置以僅擦除保存在耦合到字線WL27至WLn的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。隨后所修改的數(shù)據(jù)被重新編程到相同的字線。對(duì)應(yīng)于字線WU至WLn的頁面被稱為上部子塊106，且對(duì)應(yīng)于WL。至W"的頁面被稱為下部子塊108。由于上部子塊106的尺寸依賴于所擦除的數(shù)據(jù)，所以其尺寸是可動(dòng)態(tài)配置的。可選擇地，子塊106和子塊108的尺寸可以是固定的。0025由于在子塊被^^除之后數(shù)據(jù)并非必須被重新編程，所以當(dāng)前所述的實(shí)施例不限于子塊的擦除和重新編程。這意味著一旦在一個(gè)操作中子塊被擦除，所擦除子塊下面的任意數(shù)量的順序頁面可以在隨后的操作中被擦除，由此擴(kuò)大了所擦除子塊的尺寸。0026如先前所提及的，通過偏置位線、所選擇的和未被選擇的字線、以及電源線來擦除物理塊的具體頁面。表1和2提供對(duì)于有效擦除所選擇物理塊中的頁面的子塊示例性偏置條件，和對(duì)于有效禁止未被選擇物理塊中的擦除偏置條件。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>0027在表l的示例中，未被選擇字線被偏置到正電壓，用于防止相應(yīng)的未被選擇頁面被擦除。該電壓稱為Vers。所選擇字線被偏置到另一電壓用于擦除所選擇頁面，例如，0V。在存儲(chǔ)器單元的襯底被偏置到正電壓，例如Vers的情況中，將要形成在偏置到OV的存儲(chǔ)器單元和襯底之間的電場(chǎng)，這對(duì)于擦除存儲(chǔ)器單元是有效的。在偏置到Vers的存儲(chǔ)器單元和村底之間的電場(chǎng)將不足以擦除存儲(chǔ)器單元，因此，禁止擦除并且保持保存在其中的凄史據(jù)。0028為防止未被選擇塊中的存儲(chǔ)器單元的擦除，使未被選擇塊中的所有字線在擦除操作期間浮置。通過當(dāng)Vers被施加到襯底時(shí)襯底和字線之間的電容性耦合，未被選擇塊中的浮置字線被升壓到接近擦除電壓Vers,其在單元陣列的襯底被偏置到Vers時(shí)可以是Vers的大約90%。應(yīng)該注意，浮置字線上的實(shí)際所提升的電壓電平由襯底和字線之間的耦合率來確定。未灃皮選擇塊中的字線上的所提升的電壓減小襯底和字線之間的電場(chǎng)，由此禁止才察除存儲(chǔ)器單元。閃速存儲(chǔ)器中的字線升壓的進(jìn)一步細(xì)節(jié)在2006年11月30曰提交的共同擁有的美國專利申請(qǐng)11/565170中描述。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>0029在表2的示例中，除了所選擇塊的未選擇字線被升壓到接近擦除電壓Vers夕卜，偏置條件與表1中所示的那些相同。在一個(gè)實(shí)施例中，該所提升的電壓為大約Vers的90%，其通過經(jīng)由位線和電源線給存儲(chǔ)器單元預(yù)充電來獲得，并隨后通過當(dāng)襯底升高到Vers時(shí)電容耦合到該襯底來升壓字線。再次，用于禁止擦除的字線升壓的詳細(xì)內(nèi)容在美國專利申請(qǐng)11/565170中詳細(xì)描述。表1和2中所示的所說明的偏置條件僅是示例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，具體的數(shù)值將依賴于存儲(chǔ)器單元的制造工藝、所使用的材料和具體i殳計(jì)。0030一旦物理塊的子塊已經(jīng)被擦除，則在數(shù)據(jù)被重新編程之前，將要被執(zhí)行的可選的程序是擦除驗(yàn)證操作。擦除驗(yàn)證操作確保所擦除的單元具有閾值電壓合適的閾值電壓裕度。例如，擦除閾值電壓是某些負(fù)的電壓值。在傳統(tǒng)的塊擦除架構(gòu)中，通過偏置塊的所有字線到OV并且感測(cè)經(jīng)由NAND存儲(chǔ)器單元串的電流來執(zhí)行擦除驗(yàn)證。具有擦除閾值電壓大于0V的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元的任意存儲(chǔ)器單元將不接通，并且將感測(cè)到相應(yīng)的位線中不存在電流。當(dāng)一些存儲(chǔ)器單元仍保持對(duì)應(yīng)于許多可能的閾值電壓中的一個(gè)的數(shù)據(jù)時(shí)，此傳統(tǒng)方案是不可能的。0031根據(jù)實(shí)施例，通過偏置耦合到擦除存儲(chǔ)器單元的所選擇字線到大于擦除閾值電壓的電壓，并且通過偏置所有剩余的未被選擇的字線到用于讀取操作的電壓，來對(duì)部分擦除塊執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。用于讀取操作的電壓稱為Vread，并且可以在例如4-5V之間的范圍。表3示出用于在部分擦除塊上執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作的示例偏置條件。表3具有電源偏置的頁面擦除驗(yàn)證位線(B/L)預(yù)充電和感測(cè)串選擇線(SSL)Vread(4~5V)所選擇字線0V未被選擇字線Vread(4~5V)接地選擇線(GSL)Vread(4~5V)^^共電源線(CSL)Vcs襯底U瓜立的(Pocket)P阱)0V0032根據(jù)實(shí)施例，為了確保負(fù)的閾值擦除電壓與0V充分分開，電源線的電壓(Vcs)相對(duì)于正在被驗(yàn)證的字線的數(shù)量是可調(diào)整的。例如，如果負(fù)的閾值擦除電壓應(yīng)為至少-0.5V，且擦除導(dǎo)致在-0.2V的閾值，則字線應(yīng)該被偏置到-0.5V以檢測(cè)-0.2V的閾值。但是，由于負(fù)的電壓可能不適合用在一些裝置中，所以電源線Vcs被升高到正的電壓電平，而所選4奪的字線被偏置到0V。通過正地偏置Vcs，所選擇的字線有效地變?yōu)樨?fù)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員都應(yīng)該理解此效果。0033圖5示出在電源線電壓Vcs和對(duì)應(yīng)于被驗(yàn)證的擦除子塊的所選擇字線的凝:量之間的關(guān)系。x軸^^^v^i正的字線的總凄史量，而y軸^/>共電源線的電壓(Vcs)。斜曲線120表示Vcs的電壓電平和所選擇字線的數(shù)量之間的理想關(guān)系。很清楚，隨著將被驗(yàn)證的所選擇字線的數(shù)量的增加，Vcs電壓減小。如果僅將驗(yàn)證一個(gè)字線，則Vcs可以被-沒置為第一電壓，諸如0.4V。在另一個(gè)極端，如果將驗(yàn)證所有的字線，則Vcs可以被設(shè)置為0V的第二較小的電壓。因此，在當(dāng)前所示的實(shí)施例中的Vcs的范圍可以在0V和0.4V之間。在每個(gè)NAND存儲(chǔ)器單元串中具有較多字線的可替代的實(shí)施例中，可以使用高于0.4V的電壓。0034雖然斜曲線120是理想的，但是在至少一些示例中實(shí)現(xiàn)它所需的精細(xì)控制是不現(xiàn)實(shí)的。但是，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所應(yīng)該理解的，對(duì)于所選擇字線的分組的步進(jìn)電壓可以在電源線電壓控制電路104中實(shí)際實(shí)現(xiàn)。步進(jìn)的曲線122示意說明了字線分組和步進(jìn)大小的一個(gè)可能的示例。第一電壓、第二電壓、字線分組的大小和分組之間的電壓步進(jìn)大小的選擇將基于閃速存儲(chǔ)器裝置的設(shè)計(jì)參數(shù)。0035現(xiàn)在將參考圖6描述部分塊擦除和擦除驗(yàn)證方法實(shí)施例?？梢詧?zhí)行圖6的方法，用于每個(gè)部分塊擦除操作。通過設(shè)置稱為ERS-LOOP的擦除循環(huán)計(jì)數(shù)器變量等于1或任意期望的起始數(shù)值，使得該方法開始于步驟200。在步驟202,執(zhí)行部分塊擦除操作用于擦除NAND存儲(chǔ)器單元串中的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元。該步驟將包括接收部分擦除指令，接收對(duì)應(yīng)于將被擦除的存儲(chǔ)器單元的地址，偏置所選擇字線、未被選擇字線、位線和其它相關(guān)信號(hào)到足以擦除被耦合到所選擇字線的存儲(chǔ)器單元的電平。先前所示的表1和2列出了可以使用的示例偏置值。0036現(xiàn)在，在物理塊的子塊已經(jīng)被部分擦除之后，在步驟204開始擦除驗(yàn)證序列。此步驟將包括基于所選擇的字線的數(shù)量設(shè)置合適的Vcs電平，并以合適的電壓偏置所選擇的和未被選擇的字線用于感測(cè)耦合到所選擇字線的存儲(chǔ)器單元的擦除狀態(tài)。先前所示的表3列出了可以使用的示例偏置值。預(yù)充電位線并且啟動(dòng)該位線的感測(cè)。在步驟206，完成感測(cè)，并且結(jié)果將指示部分擦除操作成功與否。例如，通過偏置所選擇字線到QV并且偏置未^皮選擇字線、SSL和GSL到Vread，如果耦合到所選擇字線的所有存儲(chǔ)器單元具有小于0V的閾值電壓，則預(yù)充電到高電壓電平的相應(yīng)的位線將放電到Vcs，由此通過測(cè)試。但是，如果耦合到所選"^字線的至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元具有高于OV閾值的電壓，則位線將不祐J故電到Vcs,由此測(cè)試失敗。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的，每種情況可以由位線感測(cè)放大器電路來檢測(cè)。0037如果測(cè)試失敗，則該方法進(jìn)行到步驟208，其中比較計(jì)數(shù)器變量ERS-L00P和最大值Max。如果電流循環(huán)計(jì)lt器小于Max,則在步驟210增加ERS-LOOP。從步驟210，該方法返回步驟202并且重復(fù)所選擇子塊的部分擦除。部分4寮除和驗(yàn)證步驟202、204、206、208和210將繼續(xù)，直到滿足兩種情形中的一種。如果計(jì)數(shù)器變量ERS-LOOP達(dá)到最大值Max,就發(fā)生第一種情形，則該方法進(jìn)行到步驟212，其中更新狀態(tài)寄存器以反映失敗的擦除狀態(tài)。可替代地，安排對(duì)應(yīng)于子塊的所有頁面避免進(jìn)一步使用。然后該方法在步驟214結(jié)束。如果測(cè)試通過就發(fā)生第二種情形，則該方法從步驟206進(jìn)行到步驟216，其中更新狀態(tài)寄存器以反映通過的擦除狀態(tài)。隨后子塊準(zhǔn)備被用新數(shù)據(jù)編程。0038總之，部分擦除概念已經(jīng)參考圖3至6中所示的實(shí)施例大體描述了。通過部分擦除存儲(chǔ)器塊，閃速存儲(chǔ)器裝置可以在存儲(chǔ)器塊內(nèi)創(chuàng)建較小的細(xì)分，稱為子塊。占用子塊的數(shù)據(jù)可以被修改而無需必須擦除整個(gè)存儲(chǔ)器塊，由此節(jié)約了編程/擦除周期并且增加存儲(chǔ)器塊的壽命。下列描述討論了如何選擇將被擦除的特定子塊。0039當(dāng)將擦除存儲(chǔ)器塊的任意子塊時(shí)，閃速存儲(chǔ)器裝置將需要關(guān)于其在存儲(chǔ)器塊內(nèi)的位置的信息，使得其知道選"^哪一行(字線)來施加偏置電壓以實(shí)現(xiàn)耦合到那里的存儲(chǔ)器單元的擦除。圖7a至7c示意說明了存儲(chǔ)器塊內(nèi)的可擦除子塊的3個(gè)可能的尺寸/位置。0040圖7a是按順序從WL。開始直到乳31編程的NAND存儲(chǔ)器單元串的電路示意圖。在此實(shí)施例中，閃速存儲(chǔ)器裝置僅需要一個(gè)字線地址作為起始地址。一旦接收該起始地址，閃速存儲(chǔ)器裝置的邏輯將自動(dòng)設(shè)置該子塊尺寸為從該起始地址向上直至最后的字線，在此示例中為WL31。參考圖7a進(jìn)行說明，如果對(duì)于部分擦除操作接收了對(duì)應(yīng)于乳27的起始地址，則閃速存儲(chǔ)器裝置的邏輯將決定子塊300將在WLn開始并且在WLH結(jié)束。換句話說，不管所提供的起始地址如何，結(jié)束地址被預(yù)設(shè)為WL31。一旦確定了子塊300的字線的設(shè)置，則可以通過偏置所選擇的和未被選擇的字線來執(zhí)行部分擦除和擦除驗(yàn)證過程。子塊300是上部子塊，其中上部子塊是包括將被順序編程的最后字線的字線的任意分組。0041圖7b是圖7a的NAND存儲(chǔ)器單元串的電路示意圖。與圖7a的實(shí)施例類似，對(duì)于部分擦除搡作，僅需要一個(gè)起始行地址。在此實(shí)施例中，閃速存儲(chǔ)器裝置的邏輯將自動(dòng)設(shè)置子塊尺寸為從該起始地址向下直至第一字線WL。。參考圖7b進(jìn)行說明，如果對(duì)于部分擦除操作接收了對(duì)應(yīng)于WLM的置的邏輯將決定子塊302將在WLw開始并且在WL。結(jié)束。不管所提供的起始地址如何，結(jié)束地址被預(yù)設(shè)為WL。。子塊302是下部子塊，其中下部子塊是包括將被順序編程的第一字線的字線的任意分組。0042圖7a和圖7b的實(shí)施例都將一個(gè)存儲(chǔ)器塊細(xì)分為下部子塊和上部子塊。但是，如果擦除一個(gè)子塊且僅部分地:故用數(shù)據(jù)重新編程，則仍有頁面處在被擦除的狀態(tài)中。原始子塊的進(jìn)一步擦除將使所擦除的頁面經(jīng)歷進(jìn)一步擦除操作，這是不期望的。因此，可以選擇子塊片段，如圖7c的實(shí)施例中所示。0043圖7c是圖7a的NAND存儲(chǔ)器單元串的電路示意圖?，F(xiàn)在，起始地址和結(jié)束地址限定存儲(chǔ)器塊內(nèi)的子塊位置和尺寸。在該實(shí)施例中，閃速存儲(chǔ)器裝置的邏輯將自動(dòng)設(shè)置該子塊尺寸為從起始地址開始向上直至結(jié)束地址。參考圖7c進(jìn)行說明，如果對(duì)于部分擦除操作接收了對(duì)應(yīng)于WL2的起始地址和對(duì)應(yīng)于WL28的結(jié)束地址，則閃速存儲(chǔ)器裝置的邏輯將決定子塊片段3(M將在W"開始并且在WU結(jié)束。子塊片段是位于NAND存儲(chǔ)器單元串的其它字線之間的字線的任意分組。為了最小化編程干擾，即使對(duì)應(yīng)于WU和WL的頁面中保存有數(shù)據(jù)，如果對(duì)應(yīng)于W"至WW的頁面被擦除，則子塊片段304可以,皮重復(fù);也纟察除和編禾呈。0044如圖7a-7c所示，至少一個(gè)地址一皮用于〗察除上部或下部子塊，而兩個(gè)地址被用于擦除子塊片段。根據(jù)實(shí)施例，提供命令協(xié)議以允許閃速存儲(chǔ)器控制器與閃速存儲(chǔ)器裝置接口并且初始化上部子塊、下部子塊或子塊片段的擦除。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，通過單個(gè)閃速存儲(chǔ)器控制器可以控制一個(gè)或多個(gè)閃速存儲(chǔ)器裝置，該閃速存儲(chǔ)器控制器用作為閃速存儲(chǔ)器裝置和諸如計(jì)算機(jī)的主機(jī)系統(tǒng)之間的接口。0045圖8是示意說明用于擦除存儲(chǔ)器塊的子塊的命令協(xié)議實(shí)施例的流程圖。假設(shè)在圖1的控制電路12中可以實(shí)現(xiàn)的閃速存儲(chǔ)器控制邏輯^^皮配置用于負(fù)責(zé)當(dāng)前的命令協(xié)議。為了在存儲(chǔ)器塊上執(zhí)行部分擦除操作，在步驟400,閃速存儲(chǔ)器控制器首先發(fā)出包括第一地址的地址輸入命令。接下來，在步驟402,閃速存儲(chǔ)器控制器發(fā)出包括第二地址的另一個(gè)地址輸入命令。如將在后面進(jìn)一步詳細(xì)描述的，第一或第二地址可以是空的地址值。在步驟404，根據(jù)先前所接收的第一和第二地址，發(fā)出部分擦除命令，在步驟406，擦除上部子塊、下部子塊或子塊片段。在步驟406的擦除包括偏置字線、位線和電源線到它們合適的電壓水平。0046在該命令協(xié)議示例中，允許3個(gè)地址組合。在第一種情況中，當(dāng)?shù)谝坏刂肥怯行У那业诙刂肥强盏?，則控制邏輯將選擇由下述字線限定的且包括下述字線的上部子塊NAND存儲(chǔ)器單元串的對(duì)應(yīng)于第一地址的字線(稱作NAND存儲(chǔ)器單元鏈的第一和最后的字線之間的中間字線)至最后的字線，即在本示例中的WLm。在第二種情況中，當(dāng)?shù)谝坏刂肥强盏那业诙刂肥怯行У?，則控制邏輯將選擇由下述中間字線限定的且包括下述中間字線的下部子塊NAND存儲(chǔ)器單元串的對(duì)應(yīng)于第二地址的中間字線至第一字線，即在本示例中的WL。。在第三種情況中，當(dāng)?shù)谝坏刂泛偷诙刂肥怯行У?，則控制邏輯將選4奪由對(duì)應(yīng)于第一和第二地址的字線限定的且包括該對(duì)應(yīng)于第一和第二地址的字線的子塊片段。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，上面所列的3種情形表示一種可能的協(xié)議配置。在一個(gè)替代配置中，第一種情況將導(dǎo)致下部子塊的選擇，而第二種情況將導(dǎo)致上部子塊的選擇。在再另一個(gè)替代的實(shí)施例中，在發(fā)出第一和第二輸入地址命令之前，可以發(fā)出部分擦除命令。0047圖9是用于使用圖8中所示的命令協(xié)議擦除上部子塊、下部子塊或子塊片段的具體方法實(shí)施例的流程圖。更具體地，基于由第一輸入地址命令和第二輸入地址命令接收的第一或第二有效地址的存在或不存在來擦除上部子塊、下部子塊或子塊片段中的一個(gè)。為了下面描述的目的，假設(shè)配置閃速控制器以發(fā)出用于擦除閃速存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器塊的子塊的部分擦除命令，并且該閃速存儲(chǔ)器裝置包括用于偏置用于部分擦除和擦除驗(yàn)證操作的字線、位線和其它信號(hào)的控制邏輯。0048圖9的方法示意說明了根據(jù)圖8的命令協(xié)議，響應(yīng)地址輸入命令和擦除命令的閃速存儲(chǔ)器裝置控制邏輯的邏輯操作。在步驟500，圖9的方法開始，其中接收第一地址輸入命令。該地址輸入命令將包括對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器塊的NAND存儲(chǔ)器單元串的字線的第一有效地址或空地址。在第一種情況下，第一地址是有效的且該方法進(jìn)行到步驟502，在步驟502處接收具有第二地址的第二地址輸入命令。第二地址可以是對(duì)應(yīng)于NAND存儲(chǔ)器單元串的不同字線的有效地址，或空地址。繼續(xù)第一種情況，第二地址是空地址，且該方法進(jìn)行到步驟504。在步驟5G4接收部分擦除命令，并在步驟5G6擦除和驗(yàn)證上部子塊。步驟504包括用于擦除上部子塊和擦除驗(yàn)證該上部子塊的字線、位線和其它相關(guān)信號(hào)的合適的偏置。0049返回到步驟500，如果第一地址不是有效地址而是空地址，該方法進(jìn)行到步驟508,其與步驟502相同。如果第二地址也是空地址，則該部分擦除方法結(jié)束并且返回到步驟500。在另一方面，如果第二地址是有效地址，則發(fā)生情況2。一旦在步驟510接收部分擦除命令，在步驟512擦除并驗(yàn)證下部子塊。步驟512包括用于擦除下部子塊和擦除驗(yàn)證該下部子塊的字線、位線和其它相關(guān)信號(hào)的合適的偏置。返回到步驟502,如果來自步驟500的第一地址是有效的且第二地址是有效的，則發(fā)生情況3。然后，該方法進(jìn)行到步驟514,在該步驟514接收部分擦除命令。隨后，在步驟516，擦除并驗(yàn)證子塊片段。步驟516包括用于擦除子塊片段和擦除驗(yàn)證該子塊片段的字線、位線和其它相關(guān)信號(hào)的合適的偏置。0050雖然，對(duì)于情況l,該命令協(xié)議不要求第二有效地址，或?qū)τ谇闆r2,該命令協(xié)議不要求第一有效地址，但是該命令協(xié)議可以被配置為對(duì)于情況1和2分別接受有效的第二和第一地址。例如，為了擦除上部子塊，例如，第一地址將對(duì)應(yīng)于中間字線，而第二有效地址對(duì)應(yīng)于最后的字線WL31。類似地，為了擦除下部子塊，第一地址將對(duì)應(yīng)于第一字線WL。，而第二有效地址對(duì)應(yīng)于中間字線。0051因此,.通過使用命令協(xié)議和圖8和9中所示的方法，可以重復(fù)擦除并且用數(shù)據(jù)重新編程存儲(chǔ)器塊的任何任意的子塊，而不影響存儲(chǔ)器陣列的其它子塊的編程擦除周期壽命?？梢钥刂凭哂幸粋€(gè)或多個(gè)閃速存儲(chǔ)器裝置、且被配置用于擦除任意子塊的任何閃速存儲(chǔ)器裝置或閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)，來執(zhí)行損耗均衡算法以最大化存儲(chǔ)器塊的壽命，由此最大化閃速存儲(chǔ)器裝置的壽命。不用損耗均衡算法操作的閃速存儲(chǔ)器裝置將順序地從第一存儲(chǔ)器塊至最后的存儲(chǔ)器塊來編程數(shù)據(jù)，在編程下一個(gè)存儲(chǔ)器塊之前填充每個(gè)存儲(chǔ)器塊。不均衡的損耗將導(dǎo)致如果系統(tǒng)連續(xù)地編程和擦除第一存儲(chǔ)器塊內(nèi)的數(shù)據(jù)，則留下其它存儲(chǔ)器塊未使用。0052損耗均衡是用于確保閃速存儲(chǔ)器裝置的所有存儲(chǔ)器的均勻使用的方案。更具體地，損耗均衡確保所有的存儲(chǔ)器塊經(jīng)歷大致相同數(shù)量的編程周期或擦除周期。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在數(shù)據(jù)不再被可靠地保存之前，閃速存儲(chǔ)器單元可以被編程/擦除有限數(shù)量的次數(shù)。閃速控制器跟蹤每個(gè)存儲(chǔ)器塊或存儲(chǔ)器塊的頁面所經(jīng)歷的編程/擦除周期的總數(shù)量。周期的數(shù)量被保存在存儲(chǔ)器陣列的每個(gè)頁面的空閑域中。閃速控制器將映射數(shù)據(jù)的邏輯地址位置到在閃速存儲(chǔ)器裝置中保存數(shù)據(jù)所在的物理地址。當(dāng)存儲(chǔ)器塊已經(jīng)達(dá)到編程/擦除周期的最大預(yù)定數(shù)量，則閃速控制器將指導(dǎo)閃速存儲(chǔ)器裝置重新編程保存在該存儲(chǔ)器塊中的數(shù)據(jù)到有效的存儲(chǔ)器塊，并且隨后安排原始的存儲(chǔ)器塊避免進(jìn)一步使用(現(xiàn)在稱為無效塊)。然后，映射也被相應(yīng)地調(diào)整。0053當(dāng)前公知的損耗均衡技術(shù)采用用于跨越不同存儲(chǔ)器塊編程數(shù)據(jù)的邏輯到物理映射技術(shù)。例如，所要編程的大數(shù)據(jù)文件可以具有編程到第一塊的第一部分，編程到第二塊的第二部分，等等。在另一個(gè)示例中，總共小于一個(gè)存儲(chǔ)器塊的尺寸的多個(gè)數(shù)據(jù)文件可以每個(gè)被編程到不同的存儲(chǔ)器塊。因此，如果大數(shù)據(jù)文件的特定部分或特定的小數(shù)據(jù)文件將被修改，則僅保存它的相應(yīng)的存儲(chǔ)器塊將經(jīng)歷編程/擦除周期。所有這些方案的問題在于修改存在于存儲(chǔ)器塊中的小數(shù)據(jù)文件或數(shù)據(jù)文件的一部分需要擦除整個(gè)存儲(chǔ)器塊。因此，保存在存儲(chǔ)器塊中的其它數(shù)據(jù)也將被擦除，并且當(dāng)重新編程所修改的數(shù)據(jù)時(shí)，也不必要地被重新編程。這是導(dǎo)致存儲(chǔ)器塊的壽命減小的主要因素。0054在先前所描述的示例性實(shí)施例中，將^皮擦除的子塊是任意尺寸的，由將被擦除或修改的存儲(chǔ)器塊中的數(shù)據(jù)來確定。修改子塊的數(shù)據(jù)可以通過擦除該子塊并用所修改的數(shù)據(jù)重新編程它來完成。但是，這將使子塊經(jīng)歷太多的編程/擦除周期，由此相對(duì)于未使用的子塊過早地減少其壽命。因此，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供了利用可擦除子塊以最小化不必要的編程/擦除周期的損耗均衡算法。0055本損耗均衡算法將閃速存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器塊邏輯劃分為預(yù)定的子塊。圖10a示意說明了其中存儲(chǔ)器塊600被劃分為2個(gè)相等尺寸的子塊(子塊O和子塊1)的示例。子塊0包括頁面0至15，而子塊1包括頁面16至31。假設(shè)存儲(chǔ)器塊被從頁面0至頁面31順序地編程，其中每個(gè)頁面對(duì)應(yīng)于特定的字線。圖10b示意說明了其中存儲(chǔ)器塊602被劃分為4個(gè)相等尺寸的子塊(子塊O、子塊l、子塊2和子塊3)的示例。替代地，存儲(chǔ)器塊600和602的子塊不是必須被劃分為相等的尺寸，并且因此可以具有不同的預(yù)定尺寸。一旦確定邏輯子塊，可以根據(jù)損耗均衡算法編程數(shù)據(jù)。0056如先前所描述的，假設(shè)在將編程的子塊上的頁面中沒有數(shù)據(jù)，則從WL。至WL31(或可替代地從WL31至WL。)用數(shù)據(jù)順序編程的NAND存儲(chǔ)器單元串將經(jīng)歷最小的編程干擾。在該示例中，子塊上的頁面將對(duì)應(yīng)于具有較高編號(hào)的字線。因此，在圖10a的示例中，子塊O被稱為下部子塊，而子塊l被稱為上部子塊。在該實(shí)施例的損耗均衡算法中，如果在上部子塊中存在有數(shù)據(jù)，則數(shù)據(jù)將不被編程到下部子塊。閃速存儲(chǔ)器控制器通過參考地址映射表來知道在上部子塊中存在有數(shù)據(jù)，該地址映射表可以包括/人下部子塊的每個(gè)頁面的空閑域載入的一個(gè)或多個(gè)有效位。有效位的特定邏輯狀態(tài)將向閃速存儲(chǔ)器控制器指示是否可以編程下部子塊。替代地，對(duì)應(yīng)于上部子塊的空閑域的有效位將指示數(shù)據(jù)將不被編程到下部子塊。在圖10b的示例中，一對(duì)相鄰子塊中的具有較高編號(hào)的子塊是上部子塊，而具有較小編號(hào)的另一個(gè)子塊是下部子塊。在如圖10b中所示的配置為具有大于2個(gè)子塊的存儲(chǔ)器塊中，子塊G是最低級(jí)別的子塊，而子塊3最高級(jí)別的子塊，且如果存在保存在具有較高級(jí)別的任意子塊中的數(shù)據(jù)，則數(shù)據(jù)將不被編程到子塊。0057圖11中所示的本實(shí)施例的損耗均衡算法包括用于編程新數(shù)據(jù)到閃速存儲(chǔ)器裝置的數(shù)據(jù)編程子程序和用于重新編程所修改數(shù)據(jù)到閃速存儲(chǔ)器裝置的數(shù)據(jù)修改子程序。子程序都確保閃速存儲(chǔ)器裝置的子塊被均勻地使用。損耗均衡算法由閃速存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行，用于被配置以擦除預(yù)定尺寸的子塊的閃速存儲(chǔ)器裝置，并且該算法在步驟700通過接收來自主機(jī)系統(tǒng)的命令來開始。在步驟702，閃速存儲(chǔ)器控制器確定命令是編程新數(shù)據(jù)還是修改當(dāng)前所編程的數(shù)據(jù)。如果命令是編程新數(shù)據(jù)，則該方法進(jìn)行到步驟704,其中數(shù)據(jù)被編程到最低級(jí)別的可用子塊。例如，如果閃速存儲(chǔ)器裝置包括4個(gè)空的存儲(chǔ)器塊，每一個(gè)被邏輯劃分為2個(gè)子塊(子塊0和子塊1)，如圖10a所示，則數(shù)據(jù)被相繼地編程到每個(gè)存儲(chǔ)器塊的子塊0。最后，所有的子塊0將保存數(shù)據(jù)，并且將要#^扁程的下一數(shù)據(jù)將被編程到第一可用子塊1。0058通過首先編程新數(shù)據(jù)到最低的可用子塊，將使用所有的存儲(chǔ)器塊。但是，步驟704可以由替代數(shù)據(jù)編程方案來代替。在該替代方案中，編程新數(shù)據(jù)將基于數(shù)據(jù)將被編程的高或低的優(yōu)先級(jí)。主機(jī)系統(tǒng)可以決定音樂文件和具有合適文件擴(kuò)展名的可執(zhí)行應(yīng)用為高優(yōu)先級(jí)，而諸如頻繁修改的文本文檔的數(shù)據(jù)文件為低優(yōu)先級(jí)。數(shù)據(jù)為高或低優(yōu)先級(jí)的指定可以由主機(jī)系統(tǒng)任意設(shè)置。0059在替代數(shù)據(jù)編程實(shí)施例中，步驟704由用于數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)的確定步驟來代替。如果數(shù)據(jù)被指定為高優(yōu)先級(jí)，由于高優(yōu)先級(jí)數(shù)據(jù)文件不大可能隨著時(shí)間而修改，所以其被編程到存儲(chǔ)器塊的最低級(jí)別可用子塊。如果該最低級(jí)別可用的下部子塊對(duì)于保存數(shù)據(jù)來說太小，則高優(yōu)先數(shù)據(jù)可以被劃分并且分布在不同存儲(chǔ)器塊的2個(gè)或更多個(gè)最低級(jí)別可用子塊。替代地，數(shù)據(jù)可以被編程到相同存儲(chǔ)器塊內(nèi)的任意數(shù)量的相鄰最低級(jí)別的可用子塊。如果數(shù)據(jù)被指定為低優(yōu)先級(jí)，由于低優(yōu)先級(jí)數(shù)據(jù)文件很可能隨著時(shí)間而修改，所以其被編程到存儲(chǔ)器塊的最高級(jí)別的可用子塊。如果子塊太小，則數(shù)據(jù)可以以與先前對(duì)于高優(yōu)先級(jí)數(shù)據(jù)所描述的相同方式來分布。0060返回到步驟702,如果命令是用于修改先前所編程的數(shù)據(jù)，則該方法進(jìn)行到步驟710。由于先前所編程的數(shù)據(jù)存在于存儲(chǔ)器塊的子塊中，則子塊可以被擦除并且用所修改數(shù)據(jù)對(duì)其重新編程。如果子塊包括其它數(shù)據(jù)文件，則它們被同時(shí)重新編程。但是，必須在重新編程之前執(zhí)行的子塊擦除操作將減慢閃速存儲(chǔ)器裝置的性能，并且將使該子塊經(jīng)歷編程/擦除周期。為克服上述兩個(gè)問題，在步驟710中，原始子塊的所修改數(shù)據(jù)被編程到不同存儲(chǔ)器塊中的另一個(gè)子塊。隨后，在步驟712,調(diào)整由閃速存儲(chǔ)器控制器維持的原始地址映射表，以指示該原始存儲(chǔ)器塊的子塊中所保存的數(shù)據(jù)現(xiàn)在物理地位于新存儲(chǔ)器塊的子塊中。隨后在系統(tǒng)空閑時(shí)，在步驟714,其中數(shù)據(jù)被原始地保存的子塊被擦除，并且該所擦除的子塊被標(biāo)記為擦除的且可用于保存數(shù)據(jù)。擦除步驟可以跟隨圖9中先前所描述的方法。通過后面擦除子塊，最大化編程性能。0061由自由子塊分配器子程序來進(jìn)一步管理在步驟710中的重新編程所修改數(shù)據(jù)。該子程序?qū)⒆R(shí)別最合適的子塊以基于閃速存儲(chǔ)器裝置的其它存儲(chǔ)器塊的狀態(tài)編程數(shù)據(jù)到其中。該子塊分配器子程序?qū)嵤├龑⒗檬紫戎匦戮幊套訅K的數(shù)據(jù)到匹配的物理子塊(即，相同的子塊級(jí)別)的優(yōu)先權(quán)，重新編程該數(shù)據(jù)到另一個(gè)存儲(chǔ)器塊中的子塊。如果匹配物理子塊是無效的，則該數(shù)據(jù)被重新編程到下一個(gè)最適合的物理子塊。匹配子塊的目的是根據(jù)圖11中所描述的選擇性數(shù)據(jù)分布算法盡可能維持高和低優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)的分布，以使得低優(yōu)先級(jí)數(shù)據(jù)被編程到較高級(jí)別的子塊。將參考圖12的流程圖以及圖13a至13d中的原始存儲(chǔ)器塊和新存儲(chǔ)器塊的圖解說明來描述子塊分配器子程序方法。0062在步驟800，當(dāng)接收用于修改數(shù)據(jù)的命令時(shí)，圖12的方法開始。該命令包括關(guān)于原始存儲(chǔ)器塊的子塊的地址位置的信息，要修改的數(shù)據(jù)當(dāng)前存在于該原始存儲(chǔ)器塊中。在步驟802，根據(jù)預(yù)定的排序方案，其它存儲(chǔ)器塊被邏輯分類，以確定存儲(chǔ)器塊的存取順序。例如，最簡(jiǎn)單的方案為基于存儲(chǔ)器塊的指定的物理/邏輯位置來設(shè)置次序。第二方案是基于存儲(chǔ)器塊的占用率來設(shè)置次序，例如，從完全空的塊到完全編程的塊或反之亦然。第三方案是基于具有最少數(shù)量的編程/擦除周期的存儲(chǔ)器塊來設(shè)置次序。第二和第三方案可以通過掃描存儲(chǔ)器塊的地址映射表來實(shí)現(xiàn)，其將指示子塊是空的和每個(gè)頁面或存儲(chǔ)器塊的編程/擦除周期的數(shù)量。當(dāng)數(shù)據(jù)被編程和從存^f諸器塊中擦除時(shí)，可以動(dòng)態(tài)地維持該邏輯分類。0063然后，該方法將存取存儲(chǔ)器塊的邏輯分類列表中的第一新存儲(chǔ)器塊，并確定數(shù)據(jù)是否應(yīng)該被重新編程到其中。在步驟8G4，該方法^企查新存儲(chǔ)器塊是否具有可用的匹配物理子塊，即被擦除的相同級(jí)別的子塊。如果其存在于新存儲(chǔ)器塊中，則在步驟806，系統(tǒng)檢查是否存在比當(dāng)前保存原始數(shù)據(jù)的子塊更高級(jí)別的任意子塊。為了最小化編程干擾，當(dāng)存在數(shù)據(jù)保存在其中的較高級(jí)別的子塊時(shí)，數(shù)據(jù)不被重新編程到匹配物理子塊。如果具有凄史據(jù)的較高級(jí)的子塊存在，則該方法在步驟808存取下一存儲(chǔ)器塊，并且返回到步驟804。否則，保存ll據(jù)的其它子塊為4交低級(jí)，并且該方法進(jìn)行到步驟810以確定新存儲(chǔ)器塊是否為空的。如果存儲(chǔ)器塊不是空的，則存在被編程到一個(gè)或多個(gè)較低級(jí)別的子塊的數(shù)據(jù)，并且在步驟812，該數(shù)據(jù)被重新編程到新存儲(chǔ)器塊的匹配子塊。0064通過示例，圖13a示出配置為具有子塊0至3的原始存儲(chǔ)器塊900，以及要被存取的新存儲(chǔ)器塊902,其也被配置為具有子塊0至3。具有陰影的頁面指示存在數(shù)據(jù)，沒有陰影的頁面是空的并且先前被擦除。假設(shè)將修改子塊1的數(shù)據(jù)，在存儲(chǔ)器塊902中找到匹配的子塊1，該存儲(chǔ)器塊902包括編程在較低級(jí)別子塊0中的數(shù)據(jù)。由于在存儲(chǔ)器塊902中沒有具有所編程數(shù)據(jù)的較高級(jí)別子塊，所以該數(shù)據(jù)被編程到存儲(chǔ)器塊902的子塊1。0065返回到步驟810，如果新存儲(chǔ)器塊是空的，則在步驟814數(shù)據(jù)被重新編程到存儲(chǔ)器塊的第一子塊(子塊0)。圖13b示出配置為具有子塊0至3的原始存儲(chǔ)器塊900,以及將被存取的新存儲(chǔ)器塊904,其也被配置為具有子塊0至3。在此示例中，存儲(chǔ)器塊904是空的，且數(shù)據(jù)被編程到空存儲(chǔ)器塊904的子塊0。0066在替代實(shí)施例中，如果新存儲(chǔ)器塊是空的，則步驟810可以被忽略，并且數(shù)據(jù)將被編程到匹配子塊。根據(jù)另一替代實(shí)施例，通過包括另一步驟以確保新存儲(chǔ)器塊具有用數(shù)據(jù)填充的其所有較低級(jí)別子塊來最大化存儲(chǔ)器塊的使用。0067先前所描述的步驟806、808、810、812和814是如果在新存儲(chǔ)器塊中存在匹配子塊所執(zhí)行的方法步驟?？梢援a(chǎn)生所有可用的存儲(chǔ)器塊均具有用數(shù)據(jù)編程的較高級(jí)別子塊的情況，如通過重復(fù)步驟804、806和808所確定的。在這樣的情況下，該方法認(rèn)為該存儲(chǔ)器塊不具有可用的匹配子塊。返回到步驟804，如果不存在匹配物理子塊，則該方法進(jìn)行到用于重新編程數(shù)據(jù)到比當(dāng)前保存要被修改的數(shù)據(jù)的子塊更高級(jí)別的子塊的步驟816。該數(shù)據(jù)可以被編程到第一可用較高級(jí)別子塊或到可用的最低級(jí)別子塊。圖13c和13d示意說明了其中數(shù)據(jù)被重新編程到較高級(jí)別子塊的情況。0068圖13c示出被配置為具有子塊0至3的原始存儲(chǔ)器塊900，以及也被配置為具有子塊0至3的新存儲(chǔ)器塊906。在此示例中，存儲(chǔ)器塊906的子塊1當(dāng)前保存數(shù)據(jù)，因此存儲(chǔ)器塊900的子塊1的該數(shù)據(jù)被編程到空存儲(chǔ)器塊904的子塊0。圖13d示出相同的存儲(chǔ)器塊900和新存儲(chǔ)器塊908，二者都被配置為具有子塊0至3。在此示例中，存儲(chǔ)器塊908的子塊1是空的，但是較高級(jí)子塊2保存其它數(shù)據(jù)。因此，數(shù)據(jù)被重新編程到下一個(gè)最高可用的子塊，存儲(chǔ)器塊908中的子塊3。0069在閃速存儲(chǔ)器裝置的使用期間，閃速存儲(chǔ)器控制器將監(jiān)測(cè)由每個(gè)子塊所累積的編程/擦除周期的數(shù)量，這將在編程新數(shù)據(jù)和修改舊數(shù)據(jù)時(shí)編程/擦除周期。這導(dǎo)致存儲(chǔ)器塊的子塊之間的編程/擦除周期的不平衡。根據(jù)另一實(shí)施例，當(dāng)滿足預(yù)定條件時(shí)，存儲(chǔ)器塊的子塊中的數(shù)據(jù)可以被交換或移動(dòng)到不同存儲(chǔ)器塊。例如，一個(gè)這樣的準(zhǔn)則可以是子塊之間的編程/擦除周期的預(yù)定區(qū)別。0070圖14是用于控制存儲(chǔ)器塊的子塊之間的編程/擦除周期不平衡的一般方法的流程圖。在閃速存儲(chǔ)器裝置的上電時(shí)或者在閃速存儲(chǔ)器裝置上電時(shí)的任何任意的時(shí)間啟動(dòng)并且由閃速存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行該方法。在步驟1000,掃描存儲(chǔ)器塊中的每對(duì)子塊的編程/擦除周期的數(shù)量。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，每個(gè)子塊的一個(gè)或多個(gè)頁面在空閑的域區(qū)域保存對(duì)應(yīng)于其已經(jīng)經(jīng)歷的編程/擦除周期的數(shù)量的計(jì)數(shù)器。這些計(jì)數(shù)器數(shù)值被讀取和載入到閃速存儲(chǔ)器控制器的地址映射表。在步驟1002，進(jìn)行存儲(chǔ)器塊的每個(gè)子塊的編程/擦除周期計(jì)數(shù)的檢查。如果編程/擦除周期計(jì)數(shù)已經(jīng)達(dá)到最大允許值，則在步驟1004將在其中所保存的數(shù)據(jù)拷貝到可用子塊，并且在步驟1006原始子塊被停止使用或安排其避免進(jìn)一步的使用。1004的拷貝步驟可以依照?qǐng)D11和12中所概述的方法。0071否則，該過程進(jìn)行到步驟1008,其中具有最高編程/擦除計(jì)數(shù)的子塊和具有最低編程/擦除計(jì)數(shù)的子塊之間的區(qū)別被計(jì)算為AQ;c^。如果△C^/^小于稱為"Set_diff"的設(shè)置限制，則該方法循環(huán)回到步驟1002并且存取下一個(gè)存儲(chǔ)器塊。在另一方面，如果ACy/^至少為"Set—diff"，則該方法進(jìn)行到步驟1010,其中兩個(gè)子塊中的數(shù)據(jù)彼此交換。"Set—diff"的數(shù)值由閃速存儲(chǔ)器系統(tǒng)的制造商或閃速存儲(chǔ)器控制器根據(jù)制造閃速管理策略來設(shè)置。通過首先將存儲(chǔ)器塊的所有子塊中所保存的數(shù)據(jù)拷貝到可用物理塊或其它可用子塊來執(zhí)行步驟1010的子塊交換。擦除原始存儲(chǔ)器塊，并且將該數(shù)據(jù)重新編程到存儲(chǔ)器塊的子塊，4吏得兩個(gè)子塊的數(shù)據(jù)交換。通過如先前所教導(dǎo)的完全存儲(chǔ)器塊擦除或部分擦除可以在任意時(shí)間擦除作為數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置的其它存儲(chǔ)器塊或可用子塊。然后，更新地址映射表以反映所交換數(shù)據(jù)的物理位置的改變。0072圖15a示出被配置為具有子塊0至3的原始存儲(chǔ)器塊1100,其中子塊G保存數(shù)據(jù)DATAA,子塊1保存DATAB,子塊2保存DATAC,且子塊3保存DATAD。如果子塊0和3被確定為具有AOC/m>''5W—4(T，則交換數(shù)據(jù)。圖15b示出數(shù)據(jù)交換之后映射在存儲(chǔ)器塊1100中的結(jié)果數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在，子塊G保存DATAD且子塊3保存DATAA。0073一旦所有存儲(chǔ)器塊的數(shù)據(jù)已經(jīng)交換，則可以進(jìn)行普通的編程操作。例如，可以編程新數(shù)據(jù)到閃速存儲(chǔ)器裝置，并且可以修改存在的數(shù)據(jù)。0074先前所描述的實(shí)施例允許通過偏置字線、位線和其它相關(guān)信號(hào)來選擇性擦除存儲(chǔ)器塊的一部分，其稱為子塊。因?yàn)閮H其中數(shù)據(jù)被修改的子塊經(jīng)歷了編程/擦除周期，所以延長了存儲(chǔ)器塊的壽命。子塊可以是任意尺寸的，或預(yù)設(shè)為特定尺寸。提供命令協(xié)議以允許閃速存儲(chǔ)器控制器與閃速存儲(chǔ)器裝置接口并且啟動(dòng)任意尺寸的子塊和預(yù)設(shè)尺寸的子塊的擦除。隨后該命令協(xié)議可以被用于在編程新數(shù)據(jù)到閃速存儲(chǔ)器裝置或修改閃速存儲(chǔ)器裝置中保存的已存在數(shù)據(jù)時(shí)執(zhí)行損耗均衡算法。所有這些方面可以通過它們自己使用或組合使用，用于延長存儲(chǔ)器塊的壽命。0075已經(jīng)參考其中具有2個(gè)或4個(gè)子塊的存儲(chǔ)器塊描述了先前所描述的實(shí)施例。但是，實(shí)施例可被應(yīng)用于邏輯劃分為任意數(shù)量的子塊的存儲(chǔ)器塊。0076在之前描述中，出于解釋的目的，為了提供對(duì)實(shí)施例的全面理解而描述了多個(gè)細(xì)節(jié)。但是，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說明顯的是，為了實(shí)現(xiàn)這些實(shí)施例并不一定需要這些具體細(xì)節(jié)。在其它情況中，以框圖形式示出公知的電子結(jié)構(gòu)和電路是為了不模糊實(shí)施例的方面。例如，關(guān)于此處所述的實(shí)施例是否被實(shí)現(xiàn)為軟件程序、硬件電路、固件或其組合，沒有提供具體細(xì)節(jié)。0077上述的實(shí)施例僅用于示例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不脫離由所附的權(quán)利要求單獨(dú)限定的范圍的前提下，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)特定實(shí)施例的*##灸、fl"改和變更。權(quán)利要求1、一種閃速存儲(chǔ)器裝置，包括具有以列布置的NAND閃速存儲(chǔ)器單元串的至少一個(gè)塊的存儲(chǔ)器陣列，所述至少一個(gè)塊具有選擇性地可擦除的預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元；和行電路，用于當(dāng)襯底被偏置到擦除電壓以擦除所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元時(shí)驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)于所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元的第一字線到第一電壓，用于驅(qū)動(dòng)第二字線到第二電壓以禁止擦除耦合到所述第二字線的閃速存儲(chǔ)器單元的行譯碼器。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器裝置，其中所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元是多位單元(MBC)。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器裝置，其中所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)于1個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器裝置，其中所述預(yù)設(shè)數(shù)量的閃速存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)于2個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元，所述2個(gè)順序組的閃速存儲(chǔ)器單元彼此不鄰近。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器裝置，其中所述至少一個(gè)塊的所述NAND閃速存儲(chǔ)器單元串被耦合到公共電源線、且所述閃速存儲(chǔ)器裝置進(jìn)一步包括電源線電壓控制電路，用于在擦除驗(yàn)證操作期間設(shè)置在第三電壓和第四電壓之間的/^共電源線的電壓。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃速存儲(chǔ)器裝置，其中所述第四電壓小于所述第三電壓，并且隨著第一字線的數(shù)量的增加所述公共電源線的電壓減小。7、一種用于擦除存儲(chǔ)器塊的子塊的方法，所述存儲(chǔ)器塊具有耦合到第一字線、最后的字線以及在所述第一字線和所述最后的字線之間的中間字線的NAND存儲(chǔ)器單元串，該方法包括發(fā)出具有第一地址的第一輸入地址命令；發(fā)出具有第二地址的第二輸入地址命令；發(fā)出部分擦除命令；和擦除具有由對(duì)應(yīng)于所述第一地址和所述第二地址的字線所限定的一組字線的子塊。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一地址包括空地址。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述子塊包括由對(duì)應(yīng)于所述第二地址的一個(gè)字線和所述第一字線限定的所述一組字線。10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二地址包括空地址。11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述子塊包括由對(duì)應(yīng)于所述第一地址的一個(gè)字線和所述最后的字線限定的所述一組字線。12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括擦除驗(yàn)證所擦除的子塊。13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述擦除驗(yàn)證包括預(yù)充電耦合到所述NAND存儲(chǔ)器單元串的位線到預(yù)充電電壓電平；偏置所述一組字線到第一電壓，用于接通耦合到所述一組字線的所擦除的存儲(chǔ)器單元；偏置未被選擇字線到第二電壓，用于接通耦合到所述未被選擇字線的存儲(chǔ)器單元；感測(cè)所述預(yù)充電電壓電平的變化。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一電壓是負(fù)電壓且所述第二電壓是在讀取操作期間使用的讀取電壓。15、根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一電壓是OV且所述第二電壓是在讀取操作期間使用的讀取電壓。16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中耦合到所述NAND存儲(chǔ)器單元串的公共電源線被偏置到可變電源偏置電壓。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中隨著所述一組字線的數(shù)量的減小，所述可變電源偏置電壓從OV增加到最大電壓。18、一種用于當(dāng)修改存儲(chǔ)器塊的子塊中的數(shù)據(jù)時(shí)損耗均衡控制的方法，包括編程所修改的數(shù)據(jù)到新存儲(chǔ)器塊的空的子塊；擦除所述存儲(chǔ)器塊的所述子塊。19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括編程新數(shù)據(jù)到最低級(jí)別可用子塊，其中每個(gè)存儲(chǔ)器塊包括至少兩個(gè)子塊且所述最低級(jí)別可用子塊包括最接近于在順序編程方案中將被編程的第一字線的一組字線。20、根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括更新地址映射表以將所述所修改的數(shù)據(jù)的邏輯地址映射到對(duì)應(yīng)于新存儲(chǔ)器塊的空的子塊的物理地址。21、根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述空的子塊是最低級(jí)別可用子塊。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述空的子塊具有等于所述子塊的級(jí)別。23、根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述新存儲(chǔ)器塊是空的。24、根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述新存儲(chǔ)器塊包括保存在具有低于所述空的子塊的級(jí)別的另一個(gè)子塊中的其它數(shù)據(jù)。25、根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述空的子塊具有高于所述子塊的級(jí)別。26、根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所述存儲(chǔ)器塊的所述子塊和一個(gè)其它子塊的編程/擦除周期之間的差異達(dá)到預(yù)定數(shù)值時(shí)，交換所述子塊中的數(shù)據(jù)和在所述一個(gè)其它子塊中的其它數(shù)據(jù)。全文摘要一種用于通過選擇性地擦除存儲(chǔ)器塊的子塊來增加閃速存儲(chǔ)器裝置的壽命的方法和系統(tǒng)。閃速存儲(chǔ)器裝置的每個(gè)物理存儲(chǔ)器塊被劃分為至少2個(gè)邏輯子塊，其中該至少2個(gè)邏輯子塊中的每個(gè)是可擦除的。因此，僅擦除并重新編程該邏輯子塊的數(shù)據(jù)，而在其它邏輯子塊中的未修改數(shù)據(jù)避免了不必要的編程/擦除周期。在塊內(nèi)，將被擦除的邏輯子塊在尺寸和位置上是可動(dòng)態(tài)配置的。損耗均衡算法被用于遍及存儲(chǔ)器陣列的物理和邏輯子塊來分布數(shù)據(jù)，以在編程和數(shù)據(jù)修改操作期間最大化物理塊的壽命。文檔編號(hào)G11C7/20GK101681677SQ200880015144公開日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年3月4日優(yōu)先權(quán)日2007年3月7日發(fā)明者金鎮(zhèn)祺申請(qǐng)人:莫塞德技術(shù)公司