專利名稱：：提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)介質(zhì)領(lǐng)域，特別涉及一種提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法。
背景技術(shù)：
：隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，以閃存介質(zhì)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)裝置如閃存盤已較為普及，而此類存儲(chǔ)裝置的主要成本是閃存介質(zhì)芯片。而生產(chǎn)閃存介質(zhì)芯片的廠家越來(lái)越多，各廠家生產(chǎn)的閃存介質(zhì)芯片的類型和所使用的技術(shù)也可能存在較大差異，旨在提高閃存介質(zhì)芯片數(shù)據(jù)讀寫速度的技術(shù)也是不斷更新，如外部交叉讀寫技術(shù)(interleave)、內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)、多階讀寫技術(shù)(twoplane)等。如前所述，閃存介質(zhì)本身存在多種提高數(shù)據(jù)讀寫速度的技術(shù)，但不同生產(chǎn)廠家所生產(chǎn)的閃存介質(zhì)的類型以及所采用的數(shù)據(jù)讀寫技術(shù)不相同，相互之間存在不兼容或不支持的情況，如支持東芝(Toshiba)閃存介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀寫技術(shù)就不支持三星(Samsung)的，支持鎂光(Micron)閃存介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀寫技術(shù)就不支持現(xiàn)代(Hyundai)的?；谝陨显?，當(dāng)某一存儲(chǔ)裝置中包括兩種以上不同廠家生產(chǎn)的閃存介質(zhì)芯片或多塊閃存介質(zhì)芯片時(shí)，將無(wú)法通過(guò)各自支持的數(shù)據(jù)存取技術(shù)提高該存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)存取速度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，包括根據(jù)閃存介質(zhì)的閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟；根據(jù)配置參數(shù)綁定物理塊的步驟；對(duì)綁定物理塊進(jìn)行數(shù)據(jù)操作的步驟。優(yōu)選地，上述閃存特性包括但不限于支持的外部片數(shù)、支持的片內(nèi)晶粒數(shù)、支持的晶粒內(nèi)階數(shù)、階綁定頁(yè)增量和/或晶粒綁定頁(yè)增量。優(yōu)選地，上述根據(jù)閃存介質(zhì)的閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟包括獲取閃存介質(zhì)的閃存特性的步驟；才艮據(jù)閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟。優(yōu)選地，上述獲取閃存介質(zhì)的閃存特性的步驟包括讀取閃存介質(zhì)編號(hào)；判斷閃存介質(zhì)包括的片數(shù)，若包括多片則認(rèn)為閃存介質(zhì)支持多路外部交叉讀寫模式，否則認(rèn)為閃存介質(zhì)不支持多路外部交叉讀寫技術(shù)；判斷閃存介質(zhì)的物理片內(nèi)是否有多路交叉讀寫技術(shù)，若有則認(rèn)為閃存介質(zhì)支持多路內(nèi)部交叉讀寫模式，否則認(rèn)為閃存介質(zhì)不支持多路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)；判斷閃存介質(zhì)的晶粒內(nèi)是否有多個(gè)階，若有則認(rèn)為閃存介質(zhì)支持有多階；否則認(rèn)為閃存介質(zhì)不支持多階；將上述判斷結(jié)果作為閃存特性，重復(fù)上述步驟直到獲取所有閃存介質(zhì)的閃存特性；將所有閃存介質(zhì)的閃存特性寫入閃存特性記錄表。優(yōu)選地，上述根據(jù)閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟包括接收寫入配置參數(shù)的命令；執(zhí)行寫入配置參數(shù)的命令，將閃存特性寫入內(nèi)部信息記錄表；寫入用于控制數(shù)據(jù)存取的信息，對(duì)閃存介質(zhì)格式化。優(yōu)選地，上述對(duì)經(jīng)綁定后的閃存介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)包括讀取配置參數(shù)；接收寫入數(shù)據(jù)的命令，執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷是否為最后一個(gè)外部交叉讀寫操作，若否則根據(jù)綁定對(duì)照關(guān)系，使用外部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷是否為最后一個(gè)內(nèi)部交叉讀寫操作，如否則根據(jù)綁定對(duì)照關(guān)系，使用內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷寫數(shù)據(jù)操作是否執(zhí)行到最后一個(gè)階，如否，則綁定對(duì)照關(guān)系，使用多階讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作。本發(fā)明提供的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法能將多片、多種類型、各種廠商的閃存介質(zhì)統(tǒng)一起來(lái)，形成統(tǒng)一的通用管理模塊進(jìn)行配置管理，按照配置進(jìn)行頁(yè)和塊的靈活邏輯綁定，最大限度地提高讀寫速度.提高存儲(chǔ)裝置主控的數(shù)據(jù)處理能力。圖l是本發(fā)明實(shí)施例存儲(chǔ)裝置結(jié)構(gòu)組成及原理示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例獲取閃存特性的流程示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置閃存特性的流程圖4是本發(fā)明實(shí)施例將多塊閃存介質(zhì)中的物理塊形成綁定塊的示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例將多個(gè)晶粒中的物理塊形成綁定塊的示意圖；圖6本發(fā)明實(shí)施例綁定后的塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織形式示意圖；圖7本發(fā)明實(shí)施例形成綁定塊后寫數(shù)據(jù)操作流程圖。本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。具體實(shí)施例方式如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，閃存介質(zhì)即閃存芯片由一個(gè)或多個(gè)晶粒(die)封裝而成，每個(gè)晶粒中包括一個(gè)或多個(gè)階(plane),每個(gè)階包括若干個(gè)存儲(chǔ)塊(Block)，每個(gè)存儲(chǔ)塊由多個(gè)頁(yè)(Page)構(gòu)成，每頁(yè)包含多個(gè)扇區(qū)。閃存介質(zhì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的特性是以頁(yè)為單位寫入數(shù)據(jù)，以塊為單位擦除數(shù)據(jù)；在寫入數(shù)據(jù)時(shí)，按頁(yè)的扇區(qū)順序?qū)懭?。在閃存介質(zhì)中按順序給存儲(chǔ)塊分配地址，分配了地址的存儲(chǔ)快稱為物理塊，而在使用過(guò)程中具有劃分塊的虛構(gòu)地址稱為邏輯地址，邏輯地址與物理地址之間通過(guò)地址映射表建立映射關(guān)系。本發(fā)明提出的實(shí)施例包括一如圖1所示的存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置1OO至少包括控制數(shù)據(jù)存取的控制模塊IO、用于存儲(chǔ)配置參數(shù)的配置模塊30和存儲(chǔ)模塊40,控制模塊10包括閃存介質(zhì)處理模塊50、寄存器序列模塊60以及運(yùn)行于控制模塊10中的固化軟件20。閃存介質(zhì)處理模塊50分別與寄存器序列模塊60、固化軟件20和存儲(chǔ)模塊40，控制對(duì)存儲(chǔ)模塊40的讀寫操作和存儲(chǔ)管理。固化軟件20讀取配置模塊30中的配置參數(shù)，供閃存介質(zhì)處理模塊50使用。其中存儲(chǔ)模塊40包括一塊或多塊用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的閃存介質(zhì)，該一塊或多塊閃存介質(zhì)可以是同一廠家生產(chǎn)的同型號(hào)芯片，也可是不同廠家生產(chǎn)的不同類型芯片。不同的閃存介質(zhì)具有不同的閃存特性，通過(guò)配置參數(shù)來(lái)描述閃存特性。配置參數(shù)包括但不限于閃存介質(zhì)的編號(hào)UD)、閃存名稱型號(hào)、閃存廠商、每個(gè)塊中頁(yè)的數(shù)量、每個(gè)頁(yè)中扇區(qū)的數(shù)量、支持的外部片數(shù)、支持的片內(nèi)晶粒數(shù)、支持晶粒內(nèi)階數(shù)、讀命令參數(shù)、寫命令參數(shù)、讀狀態(tài)命令、擦除命令、晶粒間頁(yè)增量和/或階間頁(yè)增量等。這些配置參數(shù)在生產(chǎn)存儲(chǔ)裝置時(shí)設(shè)置于存儲(chǔ)裝置中，通過(guò)查閱各閃存介質(zhì)的datasheet,就可以根據(jù)每種閃存介質(zhì)的特性參數(shù)去建立閃存特性記錄表。閃存特性記錄表如表l所示，根據(jù)其中閃存介質(zhì)的編號(hào)可以獲知存儲(chǔ)模塊40包括多少塊閃存介質(zhì)。例如表l中的"123423450000"編號(hào)，該編號(hào)包括"1234"、"2345"和"0000"三個(gè)值，說(shuō)明該存儲(chǔ)模塊40包括兩塊閃存介質(zhì)，即第一閃存介質(zhì)401和第二閃存介質(zhì)402，其中第一閃存介質(zhì)401對(duì)應(yīng)值"1234",其生產(chǎn)廠家為三星，第二閃存介質(zhì)402對(duì)應(yīng)值"2345"，其生產(chǎn)廠家為東芝；所述存儲(chǔ)模塊40支持兩路外部交叉讀寫技術(shù)和兩路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)，其支持的片內(nèi)晶粒數(shù)為4，支持的晶粒內(nèi)階數(shù)為2，其階綁定頁(yè)增量為IOO，晶>險(xiǎn)綁定頁(yè)增量為IOOO。<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>圖2示出本實(shí)施例獲取閃存特性的流程如下步驟SIOI,選取一型號(hào)的閃存介質(zhì)，查詢其功能說(shuō)明書；步驟S102,通過(guò)讀取閃存介質(zhì)編號(hào)得到閃存介質(zhì)的特性，包括何種flash支持何種技術(shù)，有幾個(gè)閃存介質(zhì)組成等；步驟S103,判斷該閃存介質(zhì)包括的片數(shù)，若包括多片則進(jìn)行步驟S104，否則進(jìn)行步驟S105;步驟S104,認(rèn)為該閃存介質(zhì)支持有多路外部交叉讀寫模式；步驟S105，認(rèn)為該閃存介質(zhì)僅支持l路外部交叉讀寫技術(shù)，不支持多路外部交叉讀寫技術(shù)；步驟S106,判斷該閃存介質(zhì)的每個(gè)物理片內(nèi)是否有多路交叉讀寫技術(shù)，如果有則進(jìn)行步驟S107，否則進(jìn)行步驟S108;步驟S107，認(rèn)為該閃存介質(zhì)支持多路內(nèi)部交叉讀寫模式；步驟S108，認(rèn)為該閃存介質(zhì)僅支持l路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)，不支持多路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)；步驟S109,判斷該閃存介質(zhì)的每個(gè)晶粒內(nèi)是否有多個(gè)階，如果有則進(jìn)行步驟SllO,否則進(jìn)行步驟S111;步驟SllO,認(rèn)為該閃存介質(zhì)支持有多階；步驟Slll，認(rèn)為該閃存介質(zhì)僅支持l階，不支持多階；步驟S112，將上述判斷結(jié)果作為一組閃存特性；步驟S113，將閃存特性寫入閃存特性記錄表；步驟S114,判斷是否還有新的閃存介質(zhì)，若有，返回步驟SIOI，否則進(jìn)行步驟S115;步驟S115，完成閃存特性記錄表。依次采用上述流程取得各閃存介質(zhì)的閃存特性，并分別填入閃存特性記錄表，則完成閃存特性的獲取。本實(shí)施例建立閃存特性記錄表記錄閃存特性，把各種不同的閃存介質(zhì)綁定成特定的邏輯塊和邏輯頁(yè)。在生產(chǎn)存儲(chǔ)裝置時(shí)，生產(chǎn)工具軟件將閃存特性記錄表通過(guò)USB-SCSI命令寫到閃存介質(zhì)里特定的塊中，本實(shí)施例的固化軟件20讀取閃存特性記錄表，并根據(jù)其中的閃存特性參數(shù)對(duì)閃存介質(zhì)做分類，形成通用處理部件統(tǒng)一各種閃存介質(zhì)的讀寫操作。通用處理部件接收各種不同閃存介質(zhì)的閃存特性，采取不同的讀寫方法來(lái)對(duì)不同的閃存機(jī)制進(jìn)行邏輯寫入頁(yè)和邏輯擦除塊。通用處理部件在生產(chǎn)存儲(chǔ)裝置時(shí)通過(guò)讀取閃存介質(zhì)的編號(hào)，作為索引在閃存特性記錄表里查詢出相應(yīng)的記錄，然后把記錄通過(guò)usb命令寫到內(nèi)部信息記錄表；在存儲(chǔ)裝置使用過(guò)程的上電初始化后，通用處理部件通過(guò)在內(nèi)部信息記錄表里讀取記錄信息進(jìn)行相應(yīng)的讀寫操作。上述內(nèi)部信息記錄表(IIR:InnerInformationRecord)是用戶自定義的，閃存只換_供存儲(chǔ)空間，至于里面放什么內(nèi)容、使用哪些空間和不使用哪些空間都由用戶指定。本實(shí)施例使用內(nèi)部信息記錄表記錄自定義的信息記錄，包括移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的廠商信息，閃存模塊的配置信息等等。本實(shí)施例的內(nèi)部信息記錄表保存在閃存介質(zhì)某一個(gè)特定塊中，不會(huì)被用于讀寫數(shù)據(jù)。結(jié)合圖3說(shuō)明設(shè)置配置參數(shù)的過(guò)程步驟S201,存儲(chǔ)裝置100上電，置于設(shè)置狀態(tài)；存儲(chǔ)裝置100接收主機(jī)系統(tǒng)工具軟件發(fā)出的寫入配置參數(shù)的命令；步驟S202，固化軟件20判斷是否收到USB-SCSI寫入配置參數(shù)命令；步驟S203,通過(guò)工具軟件將如表l中的閃存特性寫入內(nèi)部信息記錄表(IIR:InnerInformationRecord)中，作為1IR表的一部分存^f諸于閃存介質(zhì)的信息塊中，即記錄IIR表的信息塊，該信息塊是隱藏塊，專門用于存儲(chǔ)諸如IIR表之類的專用信息；步驟S204,通過(guò)工具軟件寫入其它用于控制數(shù)據(jù)存:f又的信息，并對(duì)閃存模塊40中的閃存介質(zhì)進(jìn)行格式化。步驟S205，完成閃存特性設(shè)置。所述配置參數(shù)設(shè)置完成后，在存儲(chǔ)裝置存取數(shù)據(jù)時(shí)，由固化軟件20讀取。以下結(jié)合具體方案對(duì)以上實(shí)施例作進(jìn)一步的說(shuō)明。圖4示出所述存儲(chǔ)模塊40包括兩塊閃存介質(zhì)即第一閃存介質(zhì)401和第二閃存介質(zhì)402的綁定，所述第一閃存介質(zhì)401由晶粒A和晶粒B、第二閃存介質(zhì)402由晶粒A，和晶粒B，分別封裝而成，所述第一閃存介質(zhì)401的晶粒A和晶粒B中包括物理塊0至物理塊2047，所述第二閃存介質(zhì)402的晶粒A，和晶粒B，中包括物理塊0，至物理塊2047，，第一閃存介質(zhì)401和第二閃存介質(zhì)402通過(guò)地址映射關(guān)系建立基本對(duì)照表。現(xiàn)對(duì)第一閃存介質(zhì)401和第二閃存介質(zhì)402中的物理塊實(shí)行綁定，綁定實(shí)際上是為物理塊計(jì)算分配物理地址的過(guò)程，其具體綁定過(guò)程包括步驟S301,固化^l件20讀取配置才莫塊40中的閃存特性，如閃存介質(zhì)的塊數(shù)、每塊閃存介質(zhì)的晶粒數(shù)等；步驟S302,從第一閃存介質(zhì)401和第二閃存介質(zhì)402中的各晶粒中分別順序取未經(jīng)綁定的至少一物理塊，如取第一閃存介質(zhì)401晶粒A的物理塊0和晶粒B的物理塊1024、第二閃存介質(zhì)402晶粒A，的物理塊0，和晶粒B，的物理塊1024'等4個(gè)物理塊；步驟S303，將所^c的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊，即將上述4個(gè)物理塊綁定成為一綁定塊O,其中綁定塊0頁(yè)內(nèi)的扇區(qū)數(shù)為4個(gè)物理塊扇區(qū)凄t之和；步驟S304，判斷是否完成所有物理塊的綁定，若否，則返回步驟S302,直至完成所有物理塊的綁定；如第一閃存介質(zhì)401的物理塊1和物理塊1025、第二閃存介質(zhì)402的物理塊1，和物理塊1025，綁定成為綁定塊1,依此類推，……，直至第一閃存介質(zhì)401的物理塊1023和物理塊2047、第二閃存介質(zhì)402的物理塊1023，和物理塊2047，綁定成為綁定塊1023;步驟S305，為上述綁定塊分配物理地址，建立綁定對(duì)照關(guān)系；步驟S306,將綁定塊的物理地址作為配置參數(shù)的一部分寫入到配置模塊30中。在上述步驟中，若該閃存介質(zhì)的晶粒數(shù)為1，則執(zhí)行階內(nèi)物理塊綁定操作的步驟包括步驟S401,從晶粒的各階如階A和階B中分別取未經(jīng)綁定的至少一個(gè)物理塊，如耳又階A的物理塊0和階B的物理塊1024;步驟S402,將所取的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊，形成一綁定塊；即將上述物理塊0和物理塊1024綁定成為綁定塊0"，其中綁定塊0"的頁(yè)數(shù)為上述2個(gè)物理塊頁(yè)數(shù)之和，其頁(yè)的扇區(qū)數(shù)也為2個(gè)物理塊扇區(qū)lt之和；步驟S403，判斷是否完成各階中所有物理塊的綁定，若否，則返回步驟S501;直至完成所有物理塊的綁定；如階A的物理塊1和階B的物理塊1025綁定成為綁定塊l"，依此類推，……，直至階A的物理塊1023和階B的物理塊2047綁定成為綁定塊1023";步驟S404,為上述綁定塊分配物理地址，建立綁定對(duì)照關(guān)系；步驟S405,將綁定塊的物理地址作為配置參數(shù)的一部分寫入到配置模塊30中。上述綁定對(duì)照關(guān)系是指綁定塊與邏輯地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系，可使用綁定對(duì)照表記錄該綁定對(duì)照關(guān)系。有關(guān)綁定塊與邏輯地址的映射關(guān)系與前述晶粒之間的物理塊綁定相同，在此不再贅述。對(duì)于階和晶粒分別定義相對(duì)的綁定頁(yè)增量，也就是階綁定頁(yè)增量dtPlane和晶粒綁定頁(yè)增量dtDie，通過(guò)讀取閃存介質(zhì)的功能說(shuō)明書可以得到這兩個(gè)值，就可以知道如何綁定片內(nèi)，而片內(nèi)主要有2路片內(nèi)交叉讀寫和晶粒內(nèi)2階模式。以下舉出2路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)的一個(gè)綁定后的物理塊的示意，該晶粒有1024個(gè)塊，每個(gè)塊有128個(gè)頁(yè)Block0block10240頁(yè)地址01頁(yè)地址12頁(yè)地址21024*1281024*128+11024*128+2上述綁定后的第0個(gè)block的第7頁(yè)第5個(gè)扇區(qū)的實(shí)際物理頁(yè)地址就是7+1024*128=131079(每個(gè)塊128個(gè)頁(yè))，實(shí)際頁(yè)內(nèi)扇區(qū)地址5%4=1;由此可得，實(shí)際上是"t姿照頁(yè)地址為131079和扇區(qū)地址1去訪問(wèn)閃存介質(zhì)的。又舉一片外綁定后的物理塊示意，該物理塊的地址是一樣的，但是片選信號(hào)和用于判斷閃存介質(zhì)是否準(zhǔn)備好的信號(hào)線信號(hào)不同Block0block00頁(yè)地址001頁(yè)地址112頁(yè)地址22片選第1片第2片上述綁定后的第0個(gè)block的第7頁(yè)第5個(gè)扇區(qū)的實(shí)際物理頁(yè)地址就是7，實(shí)際頁(yè)內(nèi)扇區(qū)地址5%4=1;實(shí)際上訪問(wèn)flash是訪問(wèn)第2片的第7頁(yè)的第1個(gè)扇區(qū)。由于物理上的一頁(yè)是4個(gè)扇區(qū),如果大于4個(gè)扇區(qū)就到訪問(wèn)第2片，所以0-3在第1片flash頁(yè)，而4-7在第2片flash頁(yè)里。上述為綁定塊分配物理地址的步驟也可以設(shè)置在步驟S303之后，即在每完成所耳又的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊后分配物理地址，再進(jìn)行對(duì)其它物理塊的綁定操作。上述經(jīng)綁定后的綁定塊通過(guò)地址映射關(guān)系建立綁定塊物理地址與邏輯地址相對(duì)應(yīng)的綁定對(duì)照表，即上述綁定塊0至綁定塊1023與映射的邏輯地址——對(duì)應(yīng)，如綁定塊Q對(duì)應(yīng)邏輯塊G、綁定塊l對(duì)應(yīng)邏輯塊l........直至綁定塊1023對(duì)應(yīng)邏輯塊1023。綁定對(duì)照表的組織結(jié)構(gòu)可以與現(xiàn)有技術(shù)使用的對(duì)照表相同，但綁定對(duì)照表中記錄的對(duì)照關(guān)系是一個(gè)邏輯地址對(duì)照多個(gè)被綁定的物理塊的綁定對(duì)照關(guān)系。本實(shí)施例在寫數(shù)據(jù)操作過(guò)程中，采用綁定對(duì)照表尋址進(jìn)行寫操作，即在需要寫入新數(shù)據(jù)時(shí)，以綁定塊的邏輯地址為單位，通過(guò)綁定對(duì)照表尋址向綁定塊中寫入數(shù)據(jù)，結(jié)合外部交叉讀寫等技術(shù)可以進(jìn)一步提高寫入數(shù)據(jù)的速度。圖5示出了所述存儲(chǔ)模塊40包括一塊閃存介質(zhì)即第一閃存介質(zhì)401的綁定，所述第一閃存介質(zhì)401由晶粒A和晶粒B封裝而成，其中晶粒A包含物理塊0至物理塊1023,晶粒B包含物理塊1024至物理塊2047。第一閃存介質(zhì)401通過(guò)地址映射關(guān)系建立基本對(duì)照表，上述物理塊0至物理塊2047與映射的邏輯地址——對(duì)應(yīng)。圖6示出一個(gè)綁定后的塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織形式，每個(gè)綁定塊內(nèi)頁(yè)大小保持不變，頁(yè)內(nèi)扇區(qū)數(shù)成倍增加。上述第一閃存介質(zhì)401在未經(jīng)綁定時(shí)其寫入數(shù)據(jù)的命令為發(fā)送寫命令(80h)+發(fā)送寫入地址(未經(jīng)綁定邏輯塊O的頁(yè)O地址)+發(fā)送寫入數(shù)據(jù)(2048bytes)+發(fā)送編程命令(llh)+等待寫完(waitrb)。因此第一閃存介質(zhì)401未經(jīng)綁定時(shí)只能向晶粒A的物理塊或晶粒B的物理塊以頁(yè)為單位依次寫入數(shù)據(jù)，且只有當(dāng)上次數(shù)據(jù)寫完時(shí)，才能繼續(xù)寫入下一頁(yè)的數(shù)據(jù)，因此數(shù)據(jù)寫入速度相對(duì)較慢。而經(jīng)綁定后的第一閃存介質(zhì)401在使用多階讀寫技術(shù)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，其寫入數(shù)據(jù)命令為發(fā)送寫命令(80h)+發(fā)送寫入地址(邏輯塊O，的頁(yè)O，地址)+發(fā)送寫入數(shù)據(jù)(2048bytes)+發(fā)送編程命令(llh)+等待寫完(waitrb)+發(fā)送寫命令(81h)+發(fā)送寫入地址(邏輯塊1，的頁(yè)0，地址)+發(fā)送寫#!:據(jù)(2048bytes)+發(fā)送編程命令(10h)+等待寫完(waitrb)。由于邏輯塊O，對(duì)應(yīng)的物理地址為綁定塊O'，而綁定塊0，是由晶粒A的物理塊0和晶粒B的物理塊1024組成，綁定塊1，是由晶粒A的物理塊1和晶粒B的物理塊1025組成，因此所述第一閃存介質(zhì)401在綁定后使用多階讀寫技術(shù)寫入數(shù)據(jù)過(guò)程中，是向第一閃存介質(zhì)401晶粒A的物理塊0和晶粒B的物理塊1024以及晶粒A的物理塊1和物理塊1025以頁(yè)為單位同時(shí)寫入數(shù)據(jù)，寫入數(shù)據(jù)的過(guò)程是在晶粒A和晶粒B中同時(shí)進(jìn)行，由于發(fā)送寫命令(80h)的等待寫完(waitrb)的時(shí)間非常短，基本可以忽略不計(jì)，因此與未經(jīng)綁定寫入數(shù)據(jù)相比，其編程時(shí)間可以節(jié)省一倍，即4吏用一次等待寫完(waitrb)的時(shí)間完成寫2個(gè)頁(yè)的數(shù)據(jù)。圖7示出了使用經(jīng)綁定后的閃存介質(zhì)的數(shù)據(jù)寫入流程，包括步驟步驟S601，上電初始化后，固化軟件20讀取配置模塊30預(yù)先設(shè)置的配置參數(shù)，如綁定塊的相關(guān)參數(shù)；步驟S602，接收主機(jī)系統(tǒng)數(shù)據(jù)寫入的命令，執(zhí)行向存儲(chǔ)模塊40中寫數(shù)據(jù)操作，該寫數(shù)據(jù)操作中包括寫入數(shù)據(jù)的邏輯地址；步驟S603,判斷是否為最后一個(gè)外部交叉讀寫操作，如否，執(zhí)行步驟S604;否則，結(jié)束本次數(shù)據(jù)寫操作；步驟S604，根據(jù)綁定對(duì)照表中綁定塊與邏輯地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使用外部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；步驟S606,判斷是否為最后一個(gè)內(nèi)部交叉讀寫操作，如否，執(zhí)行步驟S607;否則，返回步驟S603;步驟S607，才艮據(jù)綁定對(duì)照表中綁定塊與邏輯地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使用內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；步驟S6G8，判斷寫數(shù)據(jù)操作是否執(zhí)行到最后一個(gè)階，如否，執(zhí)行步驟S609;否則，返回步驟S606;步驟S609，根據(jù)綁定對(duì)照表中綁定塊與邏輯地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系，使用多階讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，包括根據(jù)閃存介質(zhì)的閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟；根據(jù)配置參數(shù)綁定物理塊的步驟；對(duì)綁定物理塊進(jìn)行數(shù)據(jù)操作的步驟。2.如權(quán)利要求l所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，所述閃存特性包括但不限于支持的外部片數(shù)、支持的片內(nèi)晶粒數(shù)、支持的晶粒內(nèi)階數(shù)、階綁定頁(yè)增量和/或晶粒綁定頁(yè)增量。3.如權(quán)利要求l所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，所述根據(jù)閃存介質(zhì)的閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟包括獲取閃存介質(zhì)的閃存特性的步驟；才艮據(jù)所述閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟。4.如權(quán)利要求3所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，所述獲取閃存介質(zhì)的閃存特性的步驟包括讀耳又閃存介質(zhì)編號(hào)；判，所述閃存介質(zhì)包括的片數(shù)i若包括多，則認(rèn)為所述閃、存介質(zhì)支持多判斷所述閃存介質(zhì)的物理片內(nèi)是否有多路交叉讀寫技術(shù)，若有則認(rèn)為閃存介質(zhì)支持多路內(nèi)部交叉讀寫模式，否則認(rèn)為閃存介質(zhì)不支持多路內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)；判斷所述閃存介質(zhì)的晶粒內(nèi)是否有多個(gè)階，若有則認(rèn)為所述閃存介質(zhì)支持有多階；否則認(rèn)為所述閃存介質(zhì)不支持多階；將上述判斷結(jié)果作為閃存特性，重復(fù)上述步驟直到獲取所有閃存介質(zhì)的閃存特性；將所有閃存介質(zhì)的閃存特性寫入閃存特性記錄表。5.如權(quán)利要求3所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于,所述根據(jù)所述閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟包括接收寫入配置參數(shù)的命令；執(zhí)行寫入配置參數(shù)的命令，將閃存特性寫入內(nèi)部信息記錄表；寫入用于控制數(shù)據(jù)存取的信息，對(duì)閃存介質(zhì)格式化。6.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于根據(jù)所述閃存介質(zhì)的階綁定頁(yè)增量和晶粒綁定頁(yè)增量實(shí)現(xiàn)綁定片內(nèi)。7.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，所述根據(jù)配置參數(shù)綁定物理塊的步驟包括讀取閃存介質(zhì)的閃存特性；從第一閃存介質(zhì)和第二閃存介質(zhì)中的晶粒中分別順序取未經(jīng)綁定的至少一物理塊；將所述多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊；重復(fù)上述步驟直至完成所有物理塊的綁定；為所述綁定塊分配物理地址，建立綁定對(duì)照關(guān)系；將綁定塊的物理地址作為配置參數(shù)。8.如權(quán)利要求7所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于根據(jù)所述閃存介質(zhì)的階綁定頁(yè)增量和晶粒綁定頁(yè)增量實(shí)現(xiàn)綁定片內(nèi)。9.如權(quán)利要求7所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，在每完成所if又的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊后，分配物理地址并建立綁定對(duì)照關(guān)系，再進(jìn)行對(duì)其它物理塊的綁定操作。10.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，若所述閃存介質(zhì)的晶粒數(shù)為l，則所述根據(jù)配置參數(shù)綁定物理塊的步驟包括讀取閃存介質(zhì)的閃存特性；從晶粒的各片中分別取未經(jīng)綁定的至少一物理塊；將所取的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊，形成一綁定塊；重復(fù)上述步驟直至完成所有物理塊的綁定；為所述綁定塊分配物理地址，建立綁定對(duì)照關(guān)系；將綁定塊的物理地址作為配置參數(shù)。11.如權(quán)利要求10所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于根據(jù)所述閃存介質(zhì)的階綁定頁(yè)增量實(shí)現(xiàn)綁定片內(nèi)。12.如權(quán)利要求10所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，在每完成所取的多個(gè)物理塊綁定成一個(gè)物理塊后，分配物理地址并建立綁定對(duì)照關(guān)系，再進(jìn)行對(duì)其它物理塊的綁定操作。13.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于，對(duì)所述經(jīng)綁定后的閃存介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)，包括讀取所述配置參數(shù)；接收寫入數(shù)據(jù)的命令，執(zhí)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷是否為最后一個(gè)外部交叉讀寫操作，若否則根據(jù)所述綁定對(duì)照關(guān)系，使用外部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷是否為最后一個(gè)內(nèi)部交叉讀寫操作，如否則根據(jù)所述綁定對(duì)照關(guān)系，使用內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作；判斷寫數(shù)據(jù)操作是否執(zhí)行到最后一個(gè)階，如否，則所述綁定對(duì)照關(guān)系，使用多階讀寫技術(shù)進(jìn)行寫數(shù)據(jù)操作。全文摘要本發(fā)明提供一種提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法，包括根據(jù)閃存介質(zhì)的閃存特性設(shè)置配置參數(shù)的步驟；根據(jù)配置參數(shù)綁定物理塊的步驟；對(duì)綁定物理塊進(jìn)行數(shù)據(jù)操作的步驟。本發(fā)明提供的提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取速度的方法能將多片、多種類型、各種廠商的閃存介質(zhì)統(tǒng)一起來(lái)，形成統(tǒng)一的通用管理模塊進(jìn)行配置管理，按照配置進(jìn)行頁(yè)和塊的靈活邏輯綁定，最大限度地提高讀寫速度，提高存儲(chǔ)裝置主控的數(shù)據(jù)處理能力。文檔編號(hào)G11C16/06GK101533663SQ20081000736公開(kāi)日2009年9月16日申請(qǐng)日期2008年3月11日優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日發(fā)明者萬(wàn)紅波申請(qǐng)人:深圳市朗科科技股份有限公司