技術(shù)編號：6781729
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲介質(zhì)領(lǐng)域，特別涉及一種提高閃存介質(zhì)數(shù)據(jù)存取 速度的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體存儲技術(shù)的發(fā)展，以閃存介質(zhì)作為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的存儲裝置 如閃存盤已較為普及，而此類存儲裝置的主要成本是閃存介質(zhì)芯片。而生產(chǎn) 閃存介質(zhì)芯片的廠家越來越多，各廠家生產(chǎn)的閃存介質(zhì)芯片的類型和所使用 的技術(shù)也可能存在較大差異，旨在提高閃存介質(zhì)芯片數(shù)據(jù)讀寫速度的技術(shù)也是不斷更新，如外部交叉讀寫技術(shù)(interleave )、內(nèi)部交叉讀寫技術(shù)、多階 讀寫技術(shù)(two plane...
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