專利名稱：薄膜磁頭制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜磁頭制造方法，該方法包括離子銑削工序，所 述離子銑削工序用離子束照射通過按順序連續(xù)疊壓下磁極層、間隙層、以及上磁極層而產(chǎn)生的疊壓膜，以將所述疊壓膜修整(trim)成窄寬度， 并且由此將所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層形成為寫磁極。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)1中公開了一種制造薄膜磁頭的傳統(tǒng)方法。圖4和圖5 是示出了通過該薄膜磁頭的傳統(tǒng)制造方法制造的薄膜磁頭的示意圖。要 注意，在圖4和圖5中，這些圖的近側(cè)所示的截面在薄膜磁頭完成時是 浮動面。在薄膜磁頭的傳統(tǒng)制造方法中，首先如圖4所示，將例如由氧化鋁 制成的絕緣層2形成在例如由Al203TiC制成的基板1上。接下來，將構(gòu) 成再現(xiàn)頭的一部分并且例如由坡莫合金(Ni8QFe2Q)制成的下屏蔽層3形 成在絕緣層2上。接下來，將例如由氧化鋁制成的屏蔽間隙層5形成在下屏蔽層3上。 之后，將用于構(gòu)造MR部件(其為再現(xiàn)頭部的主要部分)的MR膜6以 期望形狀形成在屏蔽間隙層5上。接下來，將作為用于電連接MR膜6 的導(dǎo)引電極層的導(dǎo)引層(未示出)形成在MR膜6的兩側(cè)。此外，將例 如由氧化鋁制成的屏蔽間隙膜7形成在導(dǎo)引層、屏蔽間隙層5以及MR 膜6上，從而使MR膜6被埋在屏蔽間隙層5、 7內(nèi)部。接下來，將上屏蔽層8形成在屏蔽間隙層7上。形成上屏蔽層8的 材料與下屏蔽層3的材料相同。之后，將例如由氧化鋁制成的絕緣膜9 形成在上屏蔽層8上。接下來，由諸如坡莫合金(更具體地為Ni45Fe55、 NisoFe2o等)的具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的下磁層10a以大約0.8到1.5微米的 厚度形成在絕緣層9上。之后，將由諸如氮化鐵的具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的下 磁層10b形成在下磁層10a上。當(dāng)形成下磁層10b時，將其厚度設(shè)置為 厚于將在后面的工序中形成的薄膜線圈12的厚度。要注意，作為構(gòu)成下 磁層10b的材料，除了氮化鐵以外，還可以使用具有與氮化鐵相似的高 飽和磁通密度的非晶合金，諸如鐵鈷(FeCo)合金、鋯鈷鐵氧化物 (FeCoZrO)合金、或鋯鐵氮化物(FeZrN)合金。下磁極層10由下磁層10a和下磁層10b構(gòu)成。接下來，通過蝕刻，例如通過離子銑削，將下磁層10b的將形成薄 膜線圈12的部分去除。這可以通過僅暴露出薄膜線圈12的形成位置的 掩膜已經(jīng)形成在下磁層10b上的狀態(tài)下執(zhí)行蝕刻來實現(xiàn)。之后，將例如由氧化鋁制成的反鐵磁層11形成在下磁層10a和下磁 層10b的暴露部分處。接下來，通過例如執(zhí)行電鍍，將用于例如由銅(Cu)制成的感應(yīng)記 錄頭的薄膜線圈12形成在絕緣膜11上。另外，薄膜線圈12被例如由氧化鋁制成的絕緣層14掩埋。之后，例如通過噴濺，以大約O.l到0.15戶的厚度將例如由氧化鋁 的非磁性材料制成的間隙層15平滑地形成在由下磁層10a和下磁層10b 構(gòu)成的下磁極層10上。要注意，作為形成間隙層15的材料，除了上述 的氧化鋁以外，還可以使用與氧化鋁相似的非磁金屬材料，諸如鎳銅 (NiCu)合金、氧化硅、釕等。之后，例如通過噴濺，以大約0.3至Ul.0/^的厚度在跨越將形成寫磁極的極端的位置及其周圍的間隙層15上形成基礎(chǔ)磁層18。作為形成基礎(chǔ) 磁層18的材料，作為一個示例，可以使用飽和磁通密度大于構(gòu)成將在以 后工序中形成的上磁層19的磁性材料(例如，鎳鈷合金)的飽和磁通密 度的材料(諸如氮化鐵)。在間隙層15上，在基礎(chǔ)磁層18周圍形成絕緣膜圖案17。接下來，通過框架鍍(frame plating)(電解鍍)，以大約1.5到2.0//m的厚度在基礎(chǔ)磁層18和絕緣膜圖案17上選擇性地形成由諸如鐵鎳鈷合金(CoNiFe，其中，Co: 45重量％， Ni: 30重量％， Fe: 25重量％)的具有高飽和磁通密度的磁性材料構(gòu)成的上磁層19。當(dāng)形成上磁層19時，以固定寬度(大約0.1到0.2形成磁極端 部19a，以使其從浮動面向內(nèi)延伸，并且在更加靠內(nèi)的位置處形成寬度向 內(nèi)逐漸增加的軛部19d。作為一個示例，這可以通過光刻法來實現(xiàn)，其中， 在抗蝕膜(在該抗蝕膜中己經(jīng)按上磁層19的形狀形成了暴露部)已經(jīng)形 成在基礎(chǔ)磁層18和絕緣膜圖案17上的狀態(tài)下執(zhí)行電解鍍。接下來，通過用上磁層19作為掩膜進行離子銑削，基礎(chǔ)磁層18及 其周圍被選擇性地蝕刻。通過執(zhí)行該蝕刻工序，如圖5所示，基礎(chǔ)磁層 18、間隙層15以及下磁極層10的表面?zhèn)缺恍拚麨榛境尸F(xiàn)上磁層19的 形狀，從而形成寫磁極(磁極部分)100。此外，將由諸如氧化鋁的絕緣材料制成的過敷層(未示出)形成為 覆蓋從表面暴露出的所有部分。最后，通過進行加工和研磨來形成記錄頭和再現(xiàn)頭的浮動面，從而 完成了薄膜磁頭。然而，在上述薄膜磁頭的傳統(tǒng)制造方法中，當(dāng)通過用上磁層19作為 掩膜進行離子銑削來修整間隙層15和下磁極層10以使其基本呈現(xiàn)上磁 層19的形狀從而形成寫磁極100時，上磁層19自身被同時修整從而變 窄。換言之，將上磁層19形成為寬于寫磁極100在通過離子銑削進行修 整之后的寬度(即，寬于最終薄膜磁頭產(chǎn)品的寫磁極100的寬度)，并且 通過修整而被減小到產(chǎn)品寬度。圖6和圖7是示出了在進行修整之前和之后的下磁極層10、間隙層 15和上磁極層(上磁層19和基礎(chǔ)磁層18)的形狀的示意圖。圖6是從 浮動面?zhèn)瓤吹降膶懘艠O100的截面圖，圖7是從疊壓方向上方看到的寫 磁極100的圖。在圖6和圖7中，修整前的形狀用實線表示，修整后的 形狀用虛線表示。盡管在圖4和圖5 (專利文獻(xiàn)1)所示的上磁層19中，在具有固定 寬度的磁極端部19a與寬度向內(nèi)逐漸增加的軛部19d之間以臺階狀形成了中間部19b和后端部19c，但是在圖7所示的示例中，磁極端部19a和 軛部19d是連續(xù)地形成的(作為上磁極的形狀，圖7所示的形狀更為典型)。 專利文獻(xiàn)1第2002-123905號日本專利申請公報(第0041段到第0073段以及 圖12和圖13)。發(fā)明內(nèi)容在形成寫磁極100時執(zhí)行的離子銑削期間，如圖7 (從疊壓方向上 方觀看寫磁極100的圖)所示，如果使用發(fā)散角約為15°的離子束執(zhí)行 離子銑削，則寫磁極100的磁極端部19a與軛部19d之間的邊界的周圍 19e (虛線)變圓滑，并且上磁極層的磁極端部19a (虛線)被鈍化從而 向著前端(即，向著浮動面)逐漸變窄。具體地講，在磁極端部19a像圖7所示的磁極一樣變窄的狀態(tài)下， 當(dāng)在浮動面的形成期間切斷寫磁極100的磁極端部19a時，磁極端部19a 的寫芯寬度Wa、 Wb傾向于根據(jù)切斷位置(例如，圖7中的位置a或位 置b)發(fā)生波動。結(jié)果，存在寫特征變得不穩(wěn)定以及產(chǎn)品之間有較大波動 的問題。如果將在離子銑削期間使用的離子束的發(fā)散角減小到例如約為3° ， 則可以減小磁極端部的鈍化，并且可以使從與軛部的邊界到浮動面的寬 度基本相等地形成磁極端部。然而，針對使用具有小發(fā)散角的離子束形成的寫磁極，本發(fā)明人發(fā) 現(xiàn)了如下問題如圖8 (從浮動面?zhèn)扔^看寫磁極100的截面圖)所示，在 上磁層19和下磁極層10的表面中形成了凹凸，這意味著寫磁極100的 寫芯寬度的波動增大并且導(dǎo)致寫特征的較大波動。還存在如下問題由于結(jié)晶的粒塊離留在下磁極層10的進行了離子 銑削的部分的底面附近，所以下磁極層10的寬度10d會增加，這阻礙了 寫磁極100的寫芯寬度變得均一。構(gòu)想出本發(fā)明以解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜磁頭 制造方法，該方法能夠在形成寫磁極時執(zhí)行的離子銑削期間抑制寫磁極的磁極端部的鈍化并且還能夠抑制寫磁極的寫芯寬度的波動和不均一性。本發(fā)明人已確定當(dāng)將離子束的發(fā)散角設(shè)置得小時，盡管寫磁極的 形狀有很小劣化，但是同時通過電鍍或噴濺形成的下磁極層和上磁極層 的晶粒邊界的形狀(即，結(jié)晶粒塊的形狀)也被再現(xiàn)，這些晶粒邊界導(dǎo) 致了上述的凹凸形狀。通過對能夠使這種由于晶粒邊界的形狀而導(dǎo)致的凹凸變平以平滑地 形成磁極的表面以及還能夠清晰無鈍化地形成磁極端部的方法進行廣泛 研究，本發(fā)明人完成了本發(fā)明。為了解決所述問題，提供了一種根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法， 該方法包括疊壓工序，連續(xù)地疊壓下磁極層，將間隙層疊壓在所述下 磁極層上，并將上磁極層疊壓在所述間隙層上，從而產(chǎn)生疊壓薄膜；以 及離子銑削工序，利用離子束從上方照射通過連續(xù)地疊壓所述下磁極層、 所述間隙層以及所述上磁極層而產(chǎn)生的疊壓薄膜，以將所述疊壓薄膜修 整成窄寬度，并且由此將所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層 形成為寫磁極，其中，在所述離子銑削工序期間，使用具有第一發(fā)散角 的離子束來進行修整，然后使用具有與所述第一發(fā)散角不同的第二發(fā)散 角的離子束來進行修整。此外，所述第一發(fā)散角可以小于10° ，所述第二發(fā)散角可以至少為 10° 。另選的是，所述第一發(fā)散角可以至少為10° ，所述第二發(fā)散角可 以小于IO。。在所述離子銑削工序中，使用具有第一發(fā)散角的離子束進行修整的 處理時間與使用具有第二發(fā)散角的離子束進行修整的處理時間的比率在1:9到9:1的范圍內(nèi)，該范圍包括邊界。通過這樣做，能夠通過具有更寬發(fā)散角的離子束使由于晶粒邊界的 形狀而導(dǎo)致的凹凸變平，并且能夠通過具有較窄發(fā)散角的離子束而無鈍 化地清晰形成磁極端部。在所述疊壓工序期間，在形成了所述間隙層后，在所述間隙層的表 面上可將所述上磁極層形成為寬于所述寫磁極，并且在所述離子銑削工 序期間，所述離子束可將所述上磁極層修整到所述寫磁極的寬度，并且還可修整從所述上磁極層暴露出的所述間隙層和所述下磁極層的至少表 面?zhèn)?，以形成所述寫磁極。
在所述疊壓工序期間，可在所述間隙層上形成導(dǎo)電層，并且可通過 用所述導(dǎo)電層作為電解鍍種子層進行電解鍍來形成所述上磁極層。
采用根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法，可以在形成寫磁極時執(zhí)行的 離子銑削期間抑制寫磁極的磁極端部的鈍化，并且還可以抑制寫磁極的 寫芯寬度的波動和不均一性。


圖1是示出了使用根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法制造的薄膜磁頭 的示意圖2是示出了使用根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法制造的薄膜磁頭 的示意圖3是示出了從疊壓方向上方看到的、在根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制 造方法中的離子銑削工序期間執(zhí)行修整之前和之后的寫磁極(即，上磁 極)的形狀的示意圖(其中，修整前的形狀用實線表示，修整后的形狀 用虛線表示)；
圖4是示出了根據(jù)專利文獻(xiàn)1中公開的薄膜磁頭制造方法制造的薄 膜磁頭的示意圖5是示出了根據(jù)專利文獻(xiàn)1中公開的薄膜磁頭制造方法制造的薄 膜磁頭的示意圖6是示出了從浮動面?zhèn)瓤吹降?、在離子銑削工序期間執(zhí)行修整之 前和之后的寫磁極的形狀的示意圖(其中，修整前的形狀用實線表示， 修整后的形狀用虛線表示)；
圖7是示出了從疊壓方向上方看到的、在僅使用發(fā)散角約為15。的 離子束的傳統(tǒng)離子銑削工序期間執(zhí)行修整之前和之后的寫磁極(即，上 磁極)的形狀的示意圖(其中，修整前的形狀用實線表示，修整后的形 狀用虛線表示)；以及
圖8是示出了從浮動面?zhèn)瓤吹降摹⒃趦H使用發(fā)散角約為3°的離子束執(zhí)行離子銑削工序的情況下的寫磁頭的形狀的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將描述根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法的優(yōu)選實施方式。
圖1和圖2是示出了通過根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法制造的薄
膜磁頭的示意圖。要注意，在圖1和圖2中，在這些圖的近側(cè)示出的截
面圖是當(dāng)完成薄膜磁頭時的浮動面。
在根據(jù)本實施方式的薄膜磁頭制造方法中，由于形成再現(xiàn)頭的過程
與以上在"背景技術(shù)"部分中描述的過程相同，所以省略了對其的詳細(xì)
描述。因此，下面將參照圖1和圖2來描述構(gòu)成記錄頭的下磁極層10上
的層的形成方法。
要注意，在圖1和圖2中，為與圖4和圖5所示的薄膜磁頭的構(gòu)件 相同的構(gòu)件分配相同的附圖標(biāo)記，并且省略對其的詳細(xì)描述。
將由諸如坡莫合金的具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的下磁層 10a形成在圖1所示的絕緣膜9上。
接下來，將同樣由坡莫合金制成的下磁層10b形成在下磁層10a上。 當(dāng)形成下磁層10b時，將其厚度設(shè)置為厚于將在后面的工序中形成的薄 膜線圈12的厚度。
另外，將由鈷鐵(FeCo)合金制成的下磁層10c形成在下磁層10b上。
下磁層10a、下磁層10b以及下磁層10c構(gòu)成下磁極層10。
接下來，通過諸如離子銑削的蝕刻法來去除下磁層10b和下磁層10c 的將形成薄膜線圈12的部分。這是通過在僅暴露薄膜線圈12的形成位 置的掩膜已形成在下磁層10c上的狀態(tài)下進行蝕刻而實現(xiàn)的。
之后，將例如由氧化鋁制成的絕緣膜ll形成在下磁層10a、下磁層 10b和下磁層10c的暴露部分處。
接下來，例如通過電解鍍，在絕緣膜ll上形成用于例如由銅(Cu) 制成的感應(yīng)記錄頭的薄膜線圈12。
另外，薄膜線圈12被例如由氧化鋁制成的絕緣層14掩埋。之后，例如通過噴濺在包括下磁層10a和下磁層10b的下磁極層10 上平滑地形成由諸如氧化硅的非磁性材料制成的間隙層15。要注意，作 為形成間隙層15的材料，除了上述的氧化硅以外，還可以使用其它非磁 性金屬材料，諸如氧化鋁、鎳銅(NiCu)合金或釕。
將用于形成零喉管(zero throat)的絕緣層(附圖中沒有示出)形成 在掩埋薄膜線圈12的絕緣層14上。
在形成間隙層15后，將用作形成上磁層19的用于進行電解鍍的種 子層20的導(dǎo)電層形成在間隙層15和形成零喉管的絕緣層上。通過用種 子層20作為供電層進行電解鍍而形成上磁層19 (要注意，在圖2中，種 子層20被處理為與上磁層19成為一體，因而在附圖中被省略)。種子層 20可以由例如鈷鐵(FeCo)氧化物構(gòu)成。
接下來，通過在種子層20上進行框架鍍(電解鍍)，可以選擇性地 在種子層20上形成由諸如鎳鐵鈷(NiFeCo)合金的具有高飽和磁通密度 的磁性材料制成的第一磁層21a。另外，將由坡莫合金制成的第二磁層 21b形成在第一磁層21a上。
上磁層19由第一磁層21a和第二磁層21b構(gòu)成。
要注意，盡管在圖4和圖5 (專利文獻(xiàn)l)所示的上磁層19中，在 寬度固定的磁極端部19a與寬度向內(nèi)逐漸增加的軛部19d之間以臺階形 狀形成中間部19b和后端部19c，但是在圖1和圖2所示的本實施方式中， 磁極端部19a和軛部19d是連續(xù)地形成的。
然而，本發(fā)明不限于本實施方式的結(jié)構(gòu)并且包括如圖4和圖5所示 地將中間部和后端部形成在上磁層中的薄膜磁頭制造方法。
接下來，通過用上磁層19作為掩膜進行離子銑削，對基礎(chǔ)磁層18 及其周圍進行選擇性蝕刻。如圖2所示，該蝕刻工序?qū)ΨN子層20、間隙 層15以及下磁極層10的表面(下磁層10c)進行修整以使其基本呈現(xiàn)上 磁層19的形狀，從而形成寫te極(磁極部分)100。
此外，將由諸如氧化鋁的絕緣材料制成的過敷層(未示出)形成為 覆蓋從表面暴露出的所有部分。
最后，通過進行加工和研磨來形成記錄頭和再現(xiàn)頭的浮動面，從而完成薄膜磁頭。
在根據(jù)本實施方式的薄膜磁頭制造方法中，當(dāng)在形成了上磁層19(上 磁極層)之后形成寫磁極時執(zhí)行的離子銑削工序具有以下特征。
在該離子銑削工序中，首先使用具有低于IO度并且優(yōu)選地約為3度 的發(fā)散角("第一發(fā)散角")的離子束來執(zhí)行離子銑削，然后，使用具有
至少為IO度并且優(yōu)選地約為15度的發(fā)散角("第二發(fā)散角")的離子束
來執(zhí)行離子銑削。
要注意，在離子銑削工序期間，可以使用其發(fā)散角被設(shè)置得不同的 多個離子銑削裝置并且依次使用各個裝置執(zhí)行離子銑削，或者可以使用 具有多個處理室(其中離子束的發(fā)散角被設(shè)置得不同)的單個裝置，依 次在各個處理室中執(zhí)行離子銑削。
可以根據(jù)束條件(諸如束的照射功率)來設(shè)置每個離子銑削裝置或 每個處理室中的離子束的發(fā)散角。
另外，作為各個發(fā)散角的離子銑削處理時間，首先以3°的發(fā)散角 執(zhí)行離子銑削5分鐘，然后以15°的發(fā)散角執(zhí)行離子銑削5分鐘。要注 意，這些處理時間不限于以上給出的時間，并且能夠根據(jù)離子束的強度 等進行適當(dāng)調(diào)整。
要注意，本發(fā)明人己確認(rèn)當(dāng)使用發(fā)散角為3°的離子束執(zhí)行修整
的處理時間與使用發(fā)散角為15°的離子束執(zhí)行修整的處理時間的比率在 1:9到9:1的范圍內(nèi)(包含邊界)時，抑制形成的寫磁極的磁極端部的鈍 化的效果以及抑制寫磁極的寫芯寬度的波動和不均一性的效果良好。
此外，本發(fā)明人已確認(rèn)即使使用發(fā)散角為3°的離子束執(zhí)行離子 銑削與使用發(fā)散角為15°的離子束執(zhí)行離子銑削的順序被顛倒，也能夠 實現(xiàn)基本相同的效果。
在離子銑削工序期間，離子束從基本平行于基板1的表面的方向發(fā) 射出，并且基板1在平行于基板1的表面的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
圖3是示出了從疊壓方向上方看到的在根據(jù)本實施方式的薄膜磁頭 制造方法中在修整之前和之后的下磁極層10、間隙層15以及上磁極層(上 磁層19)的形狀的示意圖。在圖3中，修整前的形狀用實線表示，修整后的形狀用虛線表示。如圖7所示，僅使用發(fā)散角約為15。的離子束而形成的寫磁極的磁 極端部19a向著磁極的端部(即，向著浮動面)變窄。另一方面，如圖3所示，通過根據(jù)本發(fā)明的磁頭制造方法而形成的 寫磁極的磁極端部19a被形成為具有基本均一的寬度。這樣，通過使用根據(jù)本實施方式的磁頭制造方法，可以抑制形成的 寫磁極的磁極端部19a的鈍化(即，形成錐形)。另外，通過使用根據(jù)本實施方式的磁頭制造方法，還能夠清晰地形 成寫磁極100的磁極端部19a與軛部19d之間的邊界的周圍19e。本發(fā)明人測量了通過根據(jù)本實施方式的磁頭制造方法而形成的寫磁 極和僅使用發(fā)散角為3°的離子束而形成的寫磁極的形狀波動。作為測量 方法，如圖6所示，針對根據(jù)兩種制造方法制造的多個磁頭，測量間隙 層15的一側(cè)的上磁極的上部的寬度Wc與間隙層15的另一側(cè)的上磁極 的下部的寬度Wd之間的差(Wd-Wc)，即，上磁極的在間隙層15的兩 側(cè)的上部與下部之間的芯寬度的波動。結(jié)果，對于僅使用發(fā)散角為3°的離子束而形成的寫磁極，寫磁極 的上部與下部之間的寫芯寬度的波動(Wd-Wc)大到約10nm至50nm。 該值的平均值也高達(dá)約30nm，因此應(yīng)該明白，在間隙層的兩側(cè)，寫芯寬 度是不均一的。另一方面，對于使用根據(jù)本實施方式的磁頭制造方法而形成的寫磁 極，在間隙層15上方和下方的寫芯寬度的波動(Wd-Wc)小至約-5到 20nm。該值的平均值也小至約10nm，因此應(yīng)該明白，在間隙層的兩側(cè)， 寫芯寬度是基本均一的。這樣，采用根據(jù)本實施方式的薄膜磁頭制造方法，與僅使用約為15° 的離子束的傳統(tǒng)情況相比，可以將具有大發(fā)散角(至少IO。)的離子束的 照射時間減小到大約一半。這意味著可以抑制寫磁極的磁極端部的鈍化。另外，與僅使用約為3°的離子束的情況相比，通過發(fā)射發(fā)散角約 為15° (或至少10° )的離子束，可以平滑地鋪展結(jié)晶粒塊，這意味著 可以抑制寫磁極的寫芯寬度的波動和不均一性。
權(quán)利要求
1、一種薄膜磁頭制造方法，該方法包括以下工序疊壓工序，連續(xù)地疊壓下磁極層，將間隙層疊壓在所述下磁極層上，并將上磁極層疊壓在所述間隙層上，從而產(chǎn)生疊壓薄膜；以及離子銑削工序，利用離子束從上方照射通過連續(xù)地疊壓所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層而產(chǎn)生的疊壓薄膜，以將所述疊壓薄膜修整成窄寬度，并且由此將所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層形成為寫磁極，其中，在所述離子銑削工序期間，使用具有第一發(fā)散角的離子束來進行修整，然后使用具有與所述第一發(fā)散角不同的第二發(fā)散角的離子束來進行修整。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭制造方法，其中，所述第一發(fā)散角 小于10° ，并且所述第二發(fā)散角至少為10° 。
3、 如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭制造方法，其中，所述第一發(fā)散角 至少為IO。，并且所述第二發(fā)散角小于IO。。
4、 如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭制造方法，其中，在所述離子銑削工序中，使用具有所述第一發(fā)散角的離子束 進行修整的處理時間與使用具有所述第二發(fā)散角的離子束進行修整的處 理時間的比率在1:9到9:1的范圍內(nèi)，該范圍包括邊界。
5、 如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭制造方法，其中，在所述疊壓工序期間，在形成了所述間隙層后，在所述間隙 層的表面上將所述上磁極層形成為寬于所述寫磁極，并且在所述離子銑削工序期間，所述離子束將所述上磁極層修整到所述 寫磁極的寬度，并且還修整從所述上磁極層暴露出的所述間隙層和所述 下磁極層的至少表面?zhèn)?，以形成所述寫磁極。
6、 如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭制造方法，其中，在所述疊壓工序期間，在所述間隙層上形成導(dǎo)電層，并且通 過用所述導(dǎo)電層作為電解鍍種子層進行電解鍍來形成所述上磁極層。
全文摘要
本發(fā)明提供了薄膜磁頭制造方法。該方法可以在形成寫磁極時執(zhí)行的離子銑削期間抑制寫磁極的磁極端部的鈍化，并且還可以抑制寫磁極的寫芯寬度的波動和不均一性。該方法包括疊壓工序，連續(xù)地疊壓下磁極層，將間隙層疊壓在所述下磁極層上，并將上磁極層疊壓在所述間隙層上，從而產(chǎn)生疊壓薄膜；以及離子銑削工序，利用離子束從上方照射通過連續(xù)地疊壓所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層而產(chǎn)生的疊壓薄膜，以將所述疊壓薄膜修整成窄寬度，并且由此將所述下磁極層、所述間隙層以及所述上磁極層形成為寫磁極。在所述離子銑削工序期間，使用具有第一發(fā)散角的離子束來進行修整，然后使用具有與所述第一發(fā)散角不同的第二發(fā)散角的離子束來進行修整。
文檔編號G11B5/31GK101226748SQ20071019336
公開日2008年7月23日 申請日期2007年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月16日
發(fā)明者伊藤隆司, 大松英晃 申請人:富士通株式會社