專利名稱：：信息存儲介質(zhì)及再現(xiàn)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可記錄信息存儲介質(zhì)，更具體地講，涉及一種被設(shè)計來即使當(dāng)偏心發(fā)生在多個信息存儲層時也控制最佳功率控制(OPC)區(qū)的最佳寫入功率的信息存儲介質(zhì)以及一種用于將數(shù)據(jù)記錄在所述信息存儲介質(zhì)上/從所述信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
：通常的信息存儲介質(zhì)被廣泛用作用于以非接觸的方式來記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光拾取設(shè)備的信息記錄介質(zhì)。盤被用作信息存儲介質(zhì)，并且根據(jù)其信息存儲容量被分為壓縮盤(CD)或數(shù)字多功能盤(DVD)。可記錄、可擦除和可再現(xiàn)盤的實例有650MBCD-R、CD-RW、4.7GBDVD+RW等。此外，具有25GB的記錄容量或更大記錄容量的HD-DVD正在發(fā)展中。如上所述，信息存儲介質(zhì)已經(jīng)被發(fā)展為具有更大的記錄容量。信息存儲介質(zhì)的記錄容量可以通過兩種典型的方式來增加1)減小從光源發(fā)出的記錄光束的波長，和2)增加物鏡的數(shù)值孔徑。此外，還有另一種形成多個信息存儲層的方法。圖1示意性地示出了具有第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1的雙層信息存儲介質(zhì)。所述第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll分別包括用于獲得最佳寫入功率的第一最佳功率控制(OPC)區(qū)IOLO和第二最佳功率控制區(qū)10L1,并且分別包括第一缺陷管理區(qū)(DMA)13L0和第二缺陷管理區(qū)13L1。第一OPC區(qū)10L0和第二OPC區(qū)10L1被布置為彼此相對。使用各種級別的寫入功率將數(shù)據(jù)記錄在第一OPC區(qū)IOLO和第二OPC區(qū)10Ll上，以尋找最佳寫入功率。因此，教:據(jù)可以以高于最佳寫入功率的功率第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll中的每個的抖動特性的變化。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>根據(jù)表l，如果數(shù)據(jù)以正常寫入功率被記錄，那么第一信息存儲層LO或第二信息存儲層L1的抖動特性保持不變。另一方面，如果數(shù)據(jù)以高于正常寫入功率大約20%的寫入功率被記錄，那么數(shù)據(jù)已被記錄在其中的第一信息存儲層L0或第二信息存儲層L1的OPC區(qū)的抖動特性被降低。如果數(shù)據(jù)以高于正常寫入功率超過20%的寫入功率被記錄在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll中的一個上，那么可以預(yù)料到另一個信息存儲層的抖動特性可以被進(jìn)一步降低。因此，如果第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)10L0和第二信息存儲層Ll的第二OPC區(qū)10Ll存在于如圖l所示的相等半徑之內(nèi)，那么它們中的一個可能不能使用。
發(fā)明內(nèi)容第一OPC區(qū)10L0和第二OPC區(qū)10L1中的一個的記錄狀態(tài)可以影響另一OPC區(qū)的記錄特性。例如，如圖2A所示，如果數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在第一OPC區(qū)10L0的部分10L(^A上，并且沒有數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在其剩余的區(qū)10L0_B上，那么相應(yīng)于第一OPC區(qū)10L0的占用的部分10L0一A的第二OPC區(qū)10L1的一部分的記錄性質(zhì)與相應(yīng)于第一OPC區(qū)10L0的未占用部分10L0—B的第二OPC區(qū)10L1的一部分的記錄性質(zhì)不同。換句話:說，由于相對于第一OPC區(qū)10L0的占用的部分10L0一A的激光的透射率與相對于第一OPC區(qū)10L0的未占用的部分10L0—B的激光的透射率不同，因此第二OPC區(qū)10L1的記錄性質(zhì)可能在該區(qū)上無規(guī)則。如上所述，如果第一OPC區(qū)和第二OPC區(qū)^C布置在相等的半徑之內(nèi)，那么它們可能不能正確工作。在制造信息存儲介質(zhì)時會發(fā)生偏心。例如，具有單個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)可能具有大約70-80iam(p-p)(這里p表示頂點)的偏心。為了制造具有第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1的信息存儲介質(zhì)，第一信息存儲層L0和第二信息存儲層LI被分別制造，然后被互相粘貼。如圖2B所示，當(dāng)在制造第一信息存儲層L0和第二信息存儲層LI中的每個的時候都發(fā)生偏心時，可以將它們互相粘貼，從而第一信息存儲層LO的區(qū)不與第二信息存儲層L1的區(qū)對齊。當(dāng)?shù)谝籓PC區(qū)10L0與第二OPC區(qū)10L1不對齊時，由于不對齊排列所產(chǎn)生的交迭的區(qū)可能彼此影響。例如，如果使用高于正常寫入功率的功率將數(shù)據(jù)記錄在第一OPC區(qū)OPC_L0上，那么第一OPC區(qū)OPC—L0反過來會影響第二信息存儲層L1的缺陷管理區(qū)(DMA_L1),這是因為DMA_L1接觸第一OPC區(qū)10L0的C部分。此外，第二OPC區(qū)OPC—LI的D部分可能反過來影響接觸D部分的第一信息存儲層的一部分，因此該部分可能不能被使用。本發(fā)明的一方面提供了一種包括在其中執(zhí)行最佳功率控制(OPC)的區(qū)的信息存儲介質(zhì)，從而防止除OPC區(qū)之外的區(qū)被可能的偏心所影響。本發(fā)明的附加方面和/或優(yōu)點將部分地在下面的描述中被闡述，并且部分地將從這些描述中變得清楚，或可以通過本發(fā)明的實施被領(lǐng)會。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括至少一個信息存儲層，所述信息存儲層包括用于獲得光記錄條件的OPC區(qū)。在相鄰的信息存儲層中的OPC區(qū)#1布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，當(dāng)相鄰的信息存儲層中的OPC區(qū)在所述信息存儲介質(zhì)的徑向上被彼此隔開一小段距離時，該距離至少相應(yīng)于制造所述信息存儲介質(zhì)所需的公差。根據(jù)本發(fā)明的一方面，每個具有至少相應(yīng)于公差的大小的緩沖區(qū)被布置在所述OPC區(qū)中的每個的兩邊。才艮據(jù)本發(fā)明的一方面，在所述信息存儲介質(zhì)的徑向上的所述緩沖區(qū)的長度在5到100jLim的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，用于存儲僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的區(qū)被布置在信息存儲層中，以面對相鄰的信息存儲層的OPC區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，每個信息存儲層包括用于獲得光記錄條件的OPC區(qū)。在奇數(shù)編號的信息存儲層中的OPC區(qū)和在相鄰的偶數(shù)編號的信息存儲層中的OPC區(qū)被布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)，從而即使當(dāng)所述信息存儲層中的每個都具有制造誤差時，它們也不彼此相對。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述信息存儲介質(zhì)包括缺陷管理區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。緩沖區(qū)被包括在所述缺陷管理區(qū)和所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于存儲僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的區(qū)可以被布置在信息存儲層中，以面對相鄰的信息存儲層的OPC區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，每個信息存儲層包括用于獲得光記錄條件的OPC區(qū)和用于存儲僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的區(qū)。信息存儲層中的OPC區(qū)被布置以面對相鄰的信息存儲層的僅僅再現(xiàn)區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述僅僅再現(xiàn)區(qū)可以比所述OPC區(qū)大。沖艮據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述緩沖區(qū)可以被布置在所述OPC區(qū)的兩邊，所述緩沖區(qū)中的每個可以具有考慮到以下因素中的至少一個而獲得的大小在確定每個區(qū)的起始位置時的誤差、用于記錄和再現(xiàn)的光束的大小、和偏心。才艮據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述緩沖區(qū)被布置在所述最佳功率控制區(qū)的兩邊，并且定位于所述最佳功率控制區(qū)的前面的所述緩沖區(qū)可以具有相應(yīng)于從前記錄過的一對盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)的大小。即使當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)被偏心或具有制造誤差時，也可以防止由于一個信息存儲層中的OPC區(qū)對相鄰的信息存儲層中的OPC區(qū)的影響所導(dǎo)致的所述信息存儲介質(zhì)的記錄性質(zhì)的降低。圖1示出了傳統(tǒng)的雙層信息存儲介質(zhì)的教:據(jù)區(qū)的布局；圖2A和圖2B是示出在圖1的傳統(tǒng)的雙層信息存儲介質(zhì)中OPC區(qū)對除了該OPC區(qū)的區(qū)的影響的示圖；圖3B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的單層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖4A和圖4B示出了圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的不同的偏心狀態(tài)；圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的四層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖5B示出了圖5A的四層信息存儲介質(zhì)的偏心狀態(tài)；圖6A示出了圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的變型；圖6B和圖6C示出了圖6A的雙層信息存儲介質(zhì)的不同的偏心狀態(tài)；圖7A示出了圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的另一變型；圖7B示出了圖3B的單層信息存儲介質(zhì)的變型；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；和圖9示出了圖8的雙層信息存儲介質(zhì)的變型；圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于將信息記錄到信息存儲介質(zhì)上/從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備的方框圖；和圖11是圖IO的設(shè)備被實施于其中的盤驅(qū)動器的方框圖。具體實施方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的部件。下面通過參照附圖來描述這些實施例以解釋本發(fā)明。參照圖3A和圖3B，根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)包括至少一個信息存儲層，所述信息存儲層中的每個都包括用于獲得最佳功率的最佳功率控制(OPC)區(qū)。所述OPC區(qū)被布置在不同的半徑之內(nèi)，從而所述OPC區(qū)不彼此相對。所述信息存儲層中的每個還包括缺陷管理區(qū)(DMA)和用戶數(shù)據(jù)記錄在其中的數(shù)據(jù)區(qū)。圖3A示出了包括第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll的雙層信息存儲介質(zhì)。第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)20—L0、第一DMA23—L0和第一數(shù)據(jù)區(qū)35—L0,第二信息存儲層L1包括第二OPC區(qū)20—Ll、第二DMA23—Ll和第二數(shù)據(jù)區(qū)35—Ll。第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20—Ll被定位于所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)。第一緩沖區(qū)19—L0和21—L0被分別布置在第一OPC區(qū)20一L0的前面和后面。第二緩沖區(qū)19—Ll和21—Ll被分別布置在第二OPC區(qū)20—Ll的前面和后面。最好，但并不總必需，第一緩沖區(qū)19—LO、21—LO和第二緩沖區(qū)19—Ll、21—Ll具有足以覆蓋制造信息存儲介質(zhì)所必需的公差的長度。考慮到以下三個因素中的至少一個來獲得所述公差在確定每個區(qū)的起始位置時的誤差、用于記錄和再現(xiàn)的光束的大小、和偏心。所述確定每個區(qū)的起始位置時的誤差在控制信息存儲介質(zhì)時被產(chǎn)生，并且該誤差的大小約為100jum。在區(qū)之間不具有緩沖區(qū)的信息存儲介質(zhì)中，當(dāng)數(shù)據(jù)被記錄在軌道上或從軌道被再現(xiàn)時，相鄰軌道被光束點影響，這是因為光束點的半徑通常要比軌道間距大。因此，在區(qū)之間放置緩沖區(qū)?？紤]記錄和再現(xiàn)光束的大小來確定緩沖區(qū)的大小，以防止所述記錄和再現(xiàn)光束的影響。如果所使用的信息存儲介質(zhì)在制造時具有誤差，那么第一緩沖區(qū)19—LO、21—LO和第二緩沖區(qū)19—Ll、21JL1防止第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20_L1影響其它區(qū)。第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20—Ll被布置在不同的半徑之內(nèi)，從而第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20—Ll不彼此相對。換句話說，第一OPC區(qū)20—LO面對保留區(qū)30—Ll,第二OPC區(qū)20—Ll面對保留區(qū)30—LO。第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20_L1被這樣制造，以相應(yīng)于不小于在信息存儲介質(zhì)的徑向上的容許偏心量的距離被彼此隔開。換句話說，第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20—Ll在徑向上的位置之間的差不小于容許的偏心量。第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20_L1的位置之間的差表示第一OPC區(qū)20—L0的后端和第二OPC區(qū)20—Ll的前端之間的距離。參照圖3A，第一緩沖區(qū)21—LO和第二緩沖區(qū)19_L1最好以相應(yīng)于不小于容許的偏心量的距離被分開。圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)還包括一對緩沖區(qū)31—L0、31—Ll和一對緩沖區(qū)32—L0、32—Ll以及保留區(qū)30—L0和30—Ll中的至少一對?？梢圆话ūＡ魠^(qū)30—L0和30—Ll。緩沖區(qū)被置于保留區(qū)30—L0(或30—Ll)和OPC區(qū)20—L0(或20—Ll)之間以及DMA23—L0(或23—LI)和數(shù)據(jù)區(qū)35—LO(或35_L1)之間。在圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)中，緩沖區(qū)被布置在相應(yīng)的第一信息存儲層LO和第二信息存4諸層LI的第一OPC區(qū)20—LO和第二OPC區(qū)20—LI中的每個的兩邊。最好將這個原則同樣地應(yīng)用于圖3B的單層信息存儲介質(zhì)。參照圖3B,所述單層信息存儲介質(zhì)包括OPC區(qū)20和布置在OPC區(qū)20的兩邊的緩沖區(qū)19和21。所述單層信息存儲介質(zhì)還包括保留區(qū)30、DMA23和數(shù)據(jù)區(qū)35。如圖3B所示，緩沖區(qū)31被置于保留區(qū)30和DMA23之間，緩沖區(qū)32被置于DMA23和數(shù)據(jù)區(qū)35之間。為了防止偏心對圖3A示出的信息存儲介質(zhì)的影響，第一緩沖區(qū)19_L0、21—L0和第二緩沖區(qū)19—Ll、21—Ll中的每個都具有相應(yīng)于容許的偏心量的大小。因此，即使當(dāng)?shù)谝恍畔⒋鎯覮0和第二信息存儲層L1以容許的偏心量范圍中的最大量被偏心時，第一信息存儲層的OPC區(qū)20一L0和第二信息存儲層的OPC區(qū)20—Ll也被布置為不彼此相對。在直徑為120mm的信息存儲介質(zhì)中，容許的偏心量大約在70-80nm的范圍內(nèi)。在直徑為60mm的信息存儲介質(zhì)中，容許的偏心量大約在20-30jum的范圍內(nèi)。容許的偏心量根據(jù)信息存儲介質(zhì)的大小而變化。因此，第一緩沖區(qū)19—L0、21—L0和第二緩沖區(qū)19—Ll、21—Ll具有在5到100um范圍內(nèi)的大小，以覆蓋所有可能種類的信息存儲介質(zhì)的容許的偏心量。圖4A和圖4B示出了第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll,它們以容許的偏心量的范圍之內(nèi)的最大量被偏心。圖4A示出了圖3A的信息存儲介質(zhì)的分別向著內(nèi)側(cè)邊界和外側(cè)邊界被偏心的第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll。圖4B示出了圖3A的信息存儲介質(zhì)的分別向著外側(cè)邊界和內(nèi)側(cè)邊界被偏心的第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll。參照圖4A，當(dāng)圖3A的信息存儲介質(zhì)處于最大偏心狀態(tài)時，第一OPC區(qū)20—L0面對緩沖區(qū)31—Ll(見圈A)或保留區(qū)30—Ll而非第二OPC區(qū)20—Ll。同樣地，第二OPC區(qū)20_L1面對緩沖區(qū)31_L0(見圈B)或保留區(qū)30—L0而非第一OPC區(qū)20—L0。參照圖4B,當(dāng)圖3A的信息存儲介質(zhì)處于最大偏心狀態(tài)時，第一OPC區(qū)20—L0面對緩沖區(qū)19—Ll(見圏A),第二OPC區(qū)20—Ll面對緩沖區(qū)21—L0(見圈B)。如上所述，即使當(dāng)圖3A的信息存儲介質(zhì)處于最大偏心狀態(tài)時，第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20—Ll也不彼此相對，因此在測試最佳功率控制時也不彼此影響。當(dāng)然，當(dāng)如圖3A所示的信息存儲介質(zhì)未被偏心時，第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20—Ll彼此不影響，這是因為它們最初被布置為彼此不相對。圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的上述布局同樣可以凈皮應(yīng)用于具有多于兩個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)。換句話說，在具有至少四個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)中，奇數(shù)編號的信息存儲層每個具有圖3A的第一信息存儲層L0的布局，偶數(shù)編號的信息存儲層每個具有圖3A的第二信息存儲層L1的布局。圖5A示出了分別具有第一信息存儲層L0、第二信息存儲層L1、第三信息存儲層L2和第四信息存儲層L3的四層信息存儲介質(zhì)。第一信息存儲層L0、第二信息存儲層Ll、第三信息存儲層L2和第四信息存儲層L3分別包括OPC區(qū)20—L0、20—Ll、20—L2和20—L3,DMA23—L0、23—Ll、23—L2和23—L3以及數(shù)據(jù)區(qū)35—L0、35—Ll、35—L2、35—L3。如果信息存儲介質(zhì)具有多個信息存儲層，那么它具有奇數(shù)編號的信息存儲層和偶數(shù)編號的信息存儲層。包括在奇數(shù)編號的信息存儲層中的OPC區(qū)20—Ll和20—L3被稱為第一OPC區(qū)，包括在偶數(shù)編號的信息存儲層中的OPC區(qū)20—L0和20一L2被稱為第二OPC區(qū)。奇數(shù)編號的信息存儲層中的第一OPC區(qū)和偶數(shù)編號的信息存儲層中的第二OPC區(qū)被分別布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)。用于防止由于偏心產(chǎn)生的OPC的影響的緩沖區(qū)對19一L0和21—L0、19—Ll和21—Ll、19—L2和21—L2、以及19—L3和21—L3被分別布置在OPC區(qū)20—L0、20—Ll、20—L2和20—L3中的每個的兩邊。還包括保留區(qū)30—L0、30—Ll、30—L2和30—L3，緩沖區(qū)31—L0、31—Ll、31—L2和31_L3還可被布置為與保留區(qū)30—L0、30—Ll、30—L2和30—L3相鄰。圖5B示出了圖5A的四層信息存儲介質(zhì)的偏心狀態(tài)。即使當(dāng)具有至少三個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)被偏心時，相鄰信息存儲層中的OPC區(qū)也不彼此相對，如圖5B的圏E和圈F所示。因此，可以防止在一個OPC區(qū)中執(zhí)行OPC對另一OPC區(qū)的影響。參照圖6A，圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的變型包括至少一個信息存儲層，所述信息存儲層包括用于獲得最佳功率的OPC區(qū)、DMA和用戶數(shù)據(jù)記錄在其中的數(shù)據(jù)區(qū)。緩沖區(qū)被布置為向著所述信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界或外側(cè)邊界與OPC區(qū)相鄰。圖6A的雙層信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll。第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)20—L0和第二信息存儲層Ll的第二OPC區(qū)20—Ll被布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)，從而第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20—Ll不彼此相對。第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20—Ll被這樣布置，以至少相應(yīng)于最大偏心量的距離在所述信息存儲介質(zhì)的徑向上被彼此隔開。第一緩沖區(qū)21—L0被布置在第一OPC區(qū)20一L0的面對所述信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界的一邊，第二緩沖區(qū)19—Ll被布置在第二OPC區(qū)20—Ll的面對所述信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界的一邊。當(dāng)所述信息存儲介質(zhì)沒有偏心時，第一緩沖區(qū)21—L0和第二緩沖區(qū)19—Ll彼此相對。第一緩沖區(qū)21—L0和第二緩沖區(qū)19—Ll具有至少相應(yīng)于最大偏心量的長度。保留區(qū)30一L0被布置為與第一緩沖區(qū)21—L0相鄰，保留區(qū)30—Ll被布置為與第二緩沖區(qū)19一L1相鄰。在圖6A的信息存儲介質(zhì)中，在DMA23—L0和數(shù)據(jù)區(qū)35—L0之間以及DMA23—Ll和數(shù)據(jù)區(qū)35—Ll之間不包括緩沖區(qū)。因此，圖6A的信息存儲介質(zhì)提供了比圖3A的信息存儲介質(zhì)用于存儲用戶數(shù)據(jù)更大的區(qū)。圖6B和圖6C示出了圖6A的雙層信息存儲介質(zhì)的不同的最大偏心狀態(tài)。如圖6B所示，當(dāng)?shù)谝恍畔⒋鎯覮0和第二信息存儲層L1分別向著圖6A的信息存儲介質(zhì)的內(nèi)側(cè)邊界和外側(cè)邊界被偏心時，第二OPC區(qū)20_L1面對第一信息存儲層L0中的DMA23—L0。如圖6C所示，當(dāng)?shù)谝恍畔⒋鎯覮0和第二信息存儲層Ll分別向著圖6A的信息存儲介質(zhì)的外側(cè)邊界和內(nèi)側(cè)邊界被偏心時，第一OPC區(qū)20—L0面對第二信息存儲層U的緩沖區(qū)19_L1，第二OPC區(qū)20_L1面對第一信息存儲層L0中的緩沖區(qū)21_L0。換句話說，在這種情況下，即使當(dāng)圖6A的信息存儲介質(zhì)被偏心時，第一OPC區(qū)20—L0和第二OPC區(qū)20_L1也決不會彼此相對。因此，第一OPC區(qū)20_L0和第二OPC區(qū)20_L1;波此不影響。此外，通過盡可能地減小緩沖區(qū)，可以增加圖6A的信息存儲介質(zhì)的記錄容量。圖7A示出了圖3A的雙層信息存儲介質(zhì)的另一實施例。參照圖7A,第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll分別包括第一OPC區(qū)40—L0和第二OPC區(qū)40—Ll、DMA42—L0和42—Ll以及數(shù)據(jù)區(qū)44—L0和44—Ll。緩沖區(qū)39—L0和第一保留區(qū)41—LO被布置在第一OPC區(qū)40—L0的兩邊，緩沖區(qū)41_L1和第二保留區(qū)39—Ll被布置在第二OPC區(qū)40—LI的兩邊。圖7A的信息存儲介質(zhì)與圖3A的信息存儲介質(zhì)的相同之處在于第一OPC區(qū)40—LO和第二OPC區(qū)40—Ll被布置在不同的半徑之內(nèi)。與圖3A相比，圖7A的第一保留區(qū)41—L0和第二保留區(qū)39—Ll具有與圖3A的保留區(qū)30—L和30一L1不同的大小。在圖3A中，緩沖區(qū)21—L0、保留區(qū)30—L0和緩沖區(qū)31—L0被順序地布置在第一OPC區(qū)20—L0的面對外側(cè)邊界的一邊。同樣地，在圖7A中，具有相應(yīng)于保留區(qū)30—L0以及緩沖區(qū)21—L0和31—L0的長度的第一保留區(qū)41_L0被布置在第一OPC區(qū)40—L0的面對外側(cè)邊界的一邊。此外，在圖3A中，緩沖區(qū)31—Ll、保留區(qū)30—Ll和緩沖區(qū)21—Ll被順序地布置在第二OPC區(qū)20一L1的面對內(nèi)側(cè)邊界的一邊。同樣地，在圖7A中，具有相應(yīng)于保留區(qū)30—Ll以及緩沖區(qū)21—Ll和31_L1的長度的第二保留區(qū)39一L1被布置在第二OPC區(qū)40—Ll的面對內(nèi)側(cè)邊界的一邊。如上所述，根據(jù)各種實施例的信息存儲介質(zhì)被這樣制造，在相鄰信息存儲層中的OPC區(qū)^皮定位于不同的半徑之內(nèi)，并且OPC區(qū)中的每個面對保留區(qū)或緩沖區(qū)，因此防止了由于OPC所造成的記錄性質(zhì)被降低。最好，面對OPC區(qū)中的每個的保留區(qū)或緩沖區(qū)比OPC區(qū)中的每個長。圖7B示出了圖3B的單層信息存儲介質(zhì)的另一實施例。為了與圖7A的雙層信息存儲介質(zhì)相一致，圖7B的單層信息存儲介質(zhì)包括OPC區(qū)40、布置在OPC區(qū)40的一邊的緩沖區(qū)39和布置在OPC區(qū)40的另一邊的保留區(qū)41。DMA42、緩沖區(qū)43和數(shù)據(jù)區(qū)44#皮與保留區(qū)41相鄰而置。在這個實施例中，保留區(qū)41比緩沖區(qū)39大。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局。圖8的雙層信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層L0和第二信息存儲層Ll。用于控制最佳記錄功率的第二OPC區(qū)47—Ll被包括在第二信息存儲層L1中，用于存儲僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0被布置在面對第二OPC區(qū)47_L1的第一信息存儲層L0的位置。第一僅4叉再現(xiàn)區(qū)50_L0比第二OPC區(qū)47—Ll大。僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的實例包括盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)。第一信息存儲層L0還包括第一保護(hù)區(qū)51_L0以及在緩沖區(qū)45—L0和48—L0之間的第一OPC區(qū)47—L0。第二信息存儲層Ll還包括緩沖區(qū)45_L1和48—Ll、第二保護(hù)區(qū)51—Ll以及第二僅僅再現(xiàn)區(qū)50_L1。緩沖區(qū)45—Ll和48Ll被布置在第二OPC區(qū)47—Ll的兩邊。第一保護(hù)區(qū)51—L0和第二保護(hù)區(qū)51—Ll被使用來獲得盤驅(qū)動器訪問盤的每個區(qū)的時間。換句話說，分配保護(hù)區(qū)以在盤徑向上從一個區(qū)過渡到另一個區(qū)。第一和第二緩沖區(qū)45—L0、45—Ll、48—L0和48—Ll中的每個都具有足以覆蓋制造信息存儲介質(zhì)所必需的公差的長度。考慮以下三個因素中的至少一個來獲得所述^^差在確定每個區(qū)的起始位置時的誤差、用于記錄和再現(xiàn)的光束的大小、和偏心。所述確定每個區(qū)的起始位置時的誤差在控制期間被產(chǎn)生，并且該誤差的大小約為lOOjam。在區(qū)之間不具有緩沖區(qū)的信息存儲介質(zhì)中，當(dāng)數(shù)據(jù);故記錄在軌道上或從軌道被再現(xiàn)時，相鄰軌道被光束點影響，這是因為光束點的半徑通常要比軌道間距大。因此，在本發(fā)明的實施例中在區(qū)之間放置緩沖區(qū)。考慮記錄和再現(xiàn)光束的大小來確定緩沖區(qū)的大小，以防止所述記錄和再現(xiàn)光束的影響。為了防止相鄰信息存儲層的OPC的影響，第一信息存儲層L0中的第一OPC區(qū)47—L0被定位以面對第二僅僅再現(xiàn)區(qū)50—Ll，第二信息存儲層Ll中的第二OPC區(qū)47—Ll被定位以面對第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0。盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)是僅僅再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的實例，為了增強(qiáng)信息的可靠性，它們可以被多次記錄在第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—LO和第二僅僅再現(xiàn)區(qū)50—Ll中。在這種情況下，為了面對相應(yīng)于至少一對盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)的區(qū)，對于一次記錄，緩沖區(qū)45—L0和45—Ll中的每個比一對盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)長。因為僅僅再現(xiàn)區(qū)的記錄很少被OPC過程影響，所以該區(qū)被直接定位于圖8的信息存儲介質(zhì)中的OPC區(qū)之上或之下。因此，盡管所述僅僅再現(xiàn)區(qū)被使用以防止一個OPC區(qū)中的OPC對另一個OPC區(qū)的影響，j旦是所述僅僅再現(xiàn)區(qū)也被用作數(shù)據(jù)區(qū)。此外，因為即使當(dāng)圖8的信息存儲介質(zhì)發(fā)生偏心時，第一OPC區(qū)47—L0和第二OPC區(qū)47—Ll也被布置為決不彼此相對，所以在一個OPC區(qū)執(zhí)行OPC過程不影響在不同層上的另一OPC區(qū)。圖9示出了圖8的雙層信息存儲介質(zhì)的變型。在圖9的雙層信息存儲介質(zhì)中，第一信息存儲層L0包括圖8的第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50JL0和第一保護(hù)區(qū)51—L0，用于僅僅再現(xiàn)的盤相關(guān)信息和用于僅僅再現(xiàn)的盤控制數(shù)據(jù)被記錄在第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0中。第二信息存儲層Ll包括面對第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0的OPC區(qū)47—Ll。第一緩沖區(qū)45—Ll和第二緩沖區(qū)49—Ll被布置在OPC區(qū)47—Ll的兩邊。圖9的信息存儲介質(zhì)與圖8的信息存儲介質(zhì)的不同之處在于第二緩沖區(qū)49—Ll的大小被設(shè)置為接近圖8的第二緩沖區(qū)48一L1和圖8的第二保護(hù)區(qū)51_L1的大小。如上所述，根據(jù)其目的、用途等，緩沖區(qū)可具有不同的大小。即使圖8和圖9的信息存儲介質(zhì)被偏心，或者誤差產(chǎn)生在圖8和圖9的信息存儲介質(zhì)中的每個的每個區(qū)的起始位置處，OPC區(qū)47一L1也總是面對第一僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0。因此，僅僅再現(xiàn)區(qū)50—L0防止在一個層的OPC區(qū)的OPC影響相鄰層的區(qū)，并且被用作數(shù)據(jù)區(qū)。圖IO是圖7的設(shè)備被實施于其中的盤驅(qū)動器的方框圖。參照圖8，該盤驅(qū)動器包括用作讀/寫器的拾取器10。盤30被裝在拾取器10中。所述盤驅(qū)動器還包括PCI/F21、DSP22、RFAMP23、伺服機(jī)構(gòu)24和系統(tǒng)控制器25,所有這些組成控制器2。在記錄時，PCI/F^從主機(jī)(未示出)一起接收記錄命令和要被記錄的數(shù)據(jù)。系統(tǒng)控制器25執(zhí)行記錄所必需的初始化。更具體地講，系統(tǒng)控制器25讀出初始化所必需的信息，諸如存儲在盤導(dǎo)入?yún)^(qū)的盤相關(guān)信息，并且基于讀出的信息為記錄作準(zhǔn)備。DSP22通過將諸如奇偶校驗加到從PCI/F21接收到的數(shù)據(jù)上來對接收到的要被記錄的數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC編碼，接著以特定的方式調(diào)制ECC編碼的數(shù)據(jù)。RFAMP23將從DSP22接收到的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成RF信號。拾取器10將從RFAMP23接收到的RF信號記錄到盤30上。伺服機(jī)構(gòu)24從系統(tǒng)控制器25接收伺服控制所必需的命令，并且對拾取器10進(jìn)行伺服控制。如果盤30未存儲再現(xiàn)速度信息，那么當(dāng)記錄開始時、記錄正在被4丸行時、或者記錄已經(jīng)完成之后，系統(tǒng)控制器25命令拾取器10向盤30的特定的區(qū)寫入再現(xiàn)速度信息。在再現(xiàn)時，PCI/F^從主機(jī)(未示出)接收再現(xiàn)命令。系統(tǒng)控制器25執(zhí)行再現(xiàn)所必需的初始化。當(dāng)初始化完成后，系統(tǒng)控制器25讀出記錄在盤30再現(xiàn)。拾取器10投射激光束到盤30上，接收由盤30反射的激光束，并且輸出光信號。RFAMP23將從拾取器10接收到的所述光信號轉(zhuǎn)換成RF信號，將從所述RF信號獲得的調(diào)制的數(shù)據(jù)提供給DSP22，并且將從所述RF信號獲得的伺服控制信號提供給伺服機(jī)構(gòu)24。DSP22將所述調(diào)制的數(shù)據(jù)解調(diào)并輸出經(jīng)過ECC糾錯而獲得的數(shù)據(jù)。伺服機(jī)構(gòu)24從RFAMP23接收所述伺服控制信號，從系統(tǒng)控制器25接收伺服控制所必需的命令，并且對拾取器10進(jìn)行伺服控制。PCI/F21將從DSP22接收到的數(shù)據(jù)發(fā)送到主機(jī)(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的將數(shù)據(jù)記錄到信息存儲介質(zhì)上的方法包括將數(shù)據(jù)記錄在用于獲得光記錄條件的最佳功率控制區(qū)上；并且將相鄰的信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種再現(xiàn)設(shè)備，包括讀取器，從信息存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)，所述信息存儲介質(zhì)包括多個信息存儲層，每個信息存儲層具有最佳功率控制區(qū)以及布置在最佳功率控制區(qū)的一側(cè)的緩沖區(qū)和保留區(qū)中的至少一個；控制器，控制讀取器讀取數(shù)據(jù)，其中，相鄰的信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)，從而布置在所述信息存儲層之一中的緩沖區(qū)和保留區(qū)之一與布置在相鄰的信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)對齊并面對所述布置在相鄰的信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)。2、一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)以及緩沖區(qū)和存儲僅僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)的僅僅再現(xiàn)區(qū)中的至少一個，其中，所述信息存儲層之一的僅僅再現(xiàn)區(qū)的一部分與相鄰的信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和緩沖區(qū)對齊并面對所述相鄰的信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和緩沖區(qū)。3、一種再現(xiàn)設(shè)備，包括光學(xué)拾取器，從存儲介質(zhì)的存儲層讀取數(shù)據(jù)；控制器，控制光學(xué)拾取器讀取存儲介質(zhì)上的再現(xiàn)和/或記錄速度信息，并控制光學(xué)拾取器以一定的再現(xiàn)和/或記錄速度從存儲介質(zhì)的存儲層再現(xiàn)和/或記錄數(shù)據(jù)，其中，每個存儲層包括用于獲得光記錄條件的最佳功率控制區(qū)以及布置在最佳功率控制區(qū)的一側(cè)的保留區(qū)和緩沖區(qū)之一，其中，相鄰的存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在所述存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)，從而布置在所述存儲層之一中的緩沖區(qū)和保留區(qū)之一面對布置在相鄰的存儲層中的最佳功率控制區(qū)。4、如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，每個存儲層還包括布置在每個最佳功率控制區(qū)的相對的一側(cè)的另外的緩沖區(qū)。5、如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，保留區(qū)被布置為與布置在所述存儲層之一中的最佳功率控制區(qū)的一側(cè)的緩沖區(qū)之一相鄰，從而面對相鄰的存儲層中的最佳功率控制區(qū)。6、如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，每個存儲層還包括多個數(shù)據(jù)記錄區(qū)和插入相鄰的數(shù)據(jù)記錄區(qū)之間的另外的緩沖區(qū)。7、如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，每個存儲層還包括缺陷管理區(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)以及布置在缺陷管理區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的另外的緩沖區(qū)。8、如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，每個緩沖區(qū)在存儲介質(zhì)的徑向上的長度在5至100pm的范圍內(nèi)。9、如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，存儲僅僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)的僅僅再現(xiàn)區(qū)按照如下方式被布置在所述存儲層之一中所述僅僅再現(xiàn)區(qū)面對相鄰的存儲層的最佳功率控制區(qū)。10、如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，盤相關(guān)信息和盤控制數(shù)據(jù)被記錄在用于存儲僅僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)的僅僅再現(xiàn)區(qū)中。11、一種存儲介質(zhì)，包括多個存儲層，每個存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)、緩沖區(qū)和存儲僅僅再現(xiàn)數(shù)據(jù)的僅僅再現(xiàn)區(qū)，其中，所述存儲層之一的僅僅再現(xiàn)區(qū)被布置為面對相鄰的存儲層的最佳功率控制區(qū)和緩沖區(qū)。12、如權(quán)利要求11所述的存儲介質(zhì)，其中，所述存儲層之一的僅僅再現(xiàn)區(qū)比相鄰的存儲層的最佳功率控制區(qū)大。13、如權(quán)利要求11所述的存儲介質(zhì)，其中，緩沖區(qū)被布置在每個最佳功率控制區(qū)的兩側(cè)。全文摘要一種能夠控制最佳記錄功率的信息存儲介質(zhì)，一個層中的最佳功率控制(OPC)區(qū)不影響不同層中的OPC區(qū)。所述信息存儲介質(zhì)包括至少一個信息存儲層，所述信息存儲層包括用于獲得光記錄條件的最佳功率控制區(qū)。相鄰的信息存儲層中的OPC區(qū)被布置在所述信息存儲介質(zhì)的不同半徑之內(nèi)。因此，即使當(dāng)所述信息存儲介質(zhì)被偏心或具有制造誤差時，也可以防止由一個信息存儲層中的OPC區(qū)對相鄰的信息存儲層中的OPC區(qū)的影響所導(dǎo)致的所述信息存儲介質(zhì)的記錄性質(zhì)的降低。文檔編號G11B7/004GK101399053SQ200710192710公開日2009年4月1日申請日期2004年6月11日優(yōu)先權(quán)日2003年6月12日發(fā)明者李坰根,高禎完申請人:三星電子株式會社