專利名稱：光信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光信息記錄介質(zhì)，利用比如激光束之類的光學(xué)手段，高速且高密度記錄并再現(xiàn)光信息。
背景技術(shù)：
利用激光束再現(xiàn)或記錄高密度信息的技術(shù)處于公知領(lǐng)域，實(shí)際的應(yīng)用中，主要用作光盤。
廣義上可以將光盤分為再現(xiàn)專用(reproduction-only)型、可記錄型以及可重寫型。在實(shí)際中，再現(xiàn)專用型被用作壓縮盤和激光盤，可記錄型和可重寫型被用于文檔(document)文件、數(shù)據(jù)文件等?？芍貙懶凸獗P主要被分成磁光類型和相位變化類型。相位變化類光盤利用因激光束照射所引起的記錄層在無定型狀態(tài)與結(jié)晶狀態(tài)之間的(或不同結(jié)構(gòu)的晶體與其他晶體之間)可逆狀態(tài)變化。更具體地，激光束的照射至少改變薄膜的折射率和消光系數(shù)之一，以進(jìn)行記錄。并且，這個(gè)部分中的透射光或反射光的幅度改變，從而使引入探測(cè)系統(tǒng)的透射光量或反射光量發(fā)改變，檢測(cè)這種變化，以再現(xiàn)信號(hào)。
通常，記錄層材料處于結(jié)晶狀態(tài)的狀態(tài)是一種非記錄狀態(tài)，其中用激光照射記錄層材料，以利用熔化使其處于無定型狀態(tài)，并快速冷卻它，以記錄信號(hào)。在擦除信號(hào)情況下，用功率低于記錄所用的激光束照射處于結(jié)晶狀態(tài)的記錄層。通常，經(jīng)常將硫?qū)僭鼗衔镉米饔涗泴硬牧?。將由硫?qū)倩衔镏瞥傻挠涗泴有纬蔀闊o定型狀態(tài)的薄膜，因此，必須預(yù)先通過結(jié)晶使整個(gè)記錄區(qū)域處于非記錄狀態(tài)。這種整體結(jié)晶被稱為初始化。將初始化過程結(jié)合到一部分盤制作過程中，并利用激光束或閃爍光源使記錄層處于結(jié)晶狀態(tài)。在使用激光束的情況下，在旋轉(zhuǎn)盤的同時(shí)使用激光束照射，并將激光束聚焦于信息層。光學(xué)頭的位置在盤上徑向偏移，從而使整個(gè)盤表面被初始化。
從增大光盤記錄容量的角度出發(fā)，提出一種單面雙層結(jié)構(gòu)的光盤及其制作方法(如日本專利申請(qǐng)No.10-132982、日本專利申請(qǐng)No.2000-400442(未公開)和日本專利申請(qǐng)No.2002-260307)。日本專利申請(qǐng)No.2000-400442公開了利用藍(lán)紫激光制造所述單面雙層結(jié)構(gòu)之相位變化光盤的方法。
這里將日本專利申請(qǐng)No.10-132982和日本專利申請(qǐng)No.2002-260307的全部公開內(nèi)容整體引用為參考文獻(xiàn)。
單面多層記錄介質(zhì)所需的盤特性在于通過在記錄及再現(xiàn)信息激光束入射面上的信息層，必須在其背面的信息層記錄及再現(xiàn)信息。為此，前側(cè)層特別需要高透射率(如50％)，并且因此而使所述信息層的記錄層不可避免地必須很薄。
我們利用藍(lán)紫激光開發(fā)了單面多層結(jié)構(gòu)的相位變化光盤。比如，它具有設(shè)在透明襯底上的第一信息層、光分離層、第二信息層和光透射層。初始化過程中出現(xiàn)問題。問題在于初始化過程成功的情況和初始化過程不成功的情況取決于盤的結(jié)構(gòu)。
具體地說，為了初始化，依次處理第一信息層和第二信息層，但是隨后由于激光束沒有成功地聚焦于要被初始化的層上，使與盤結(jié)構(gòu)有關(guān)的初始化失敗。
在試圖在要被初始化的層上聚焦的過程中，初始化成功的概率為90％。其余的10％就是初始化聚焦失敗的情況。還有一些不成功初始化的情況，與所述第一信息層和第二信息層的初始化順序有關(guān)。
可以如下考慮初始化中引起的失敗。如果為了初始化，而使照射激光束的光學(xué)頭靠近光透射層移動(dòng)，則會(huì)測(cè)得三個(gè)信號(hào)，即按照?qǐng)D3所示的順序?yàn)閬碜怨馔干鋵拥木劢拐`差信號(hào)61、來自第二信息層的聚焦誤差信號(hào)62以及來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)63。
不過，至于所測(cè)得的三個(gè)聚焦誤差信號(hào)的大小，在各個(gè)信息層的反射系數(shù)高的情況下，這三個(gè)信號(hào)較大；而在所述反射系數(shù)較低的情況下則所述信號(hào)較小。各個(gè)信息層的反射系數(shù)根據(jù)其薄膜結(jié)構(gòu)及相位狀態(tài)的組合(是否為無定型的抑或結(jié)晶的)而變化，而且在所述各聚焦誤差信號(hào)較小的情況下，初始化失敗的可能性變得更高。
因此，有必要選擇各層的初始化順序和隨后用于初始化的信息層開始初始化的徑向位置，使所述各聚焦誤差信號(hào)變得較大些。
考慮到盤的大規(guī)模生產(chǎn)，為了初始化多個(gè)層，有必要改變用于初始化信息層的初始化條件(如線速度、初始化所用激光束的功率、拾象器(pickup)進(jìn)給的寬度、激光束對(duì)各信息層的散焦量等)。
用于大規(guī)模生產(chǎn)的初始化裝置具有一個(gè)拾象器，目前它被用于商業(yè)化的DVD-RAM等的初始化。為了在我們當(dāng)前開發(fā)的大規(guī)模生產(chǎn)中初始化具有多個(gè)信息層的光盤，無需新的資金總額，并且利用現(xiàn)有的初始化裝置，必須依次按順序初始化各信息層。
在這種情況下，可以想到地是，用一種對(duì)這樣的信息層專用的初始化裝置初始化所述各信息層。當(dāng)這樣做的時(shí)候，必須將多個(gè)盤重置于一個(gè)初始化裝置上。
這種情況下的問題在于，即使通過重置多個(gè)盤，對(duì)所有各層把初始化的起始位置設(shè)定得相同，仍然存在著由于更換盤的安裝誤差引起的初始化起始位置細(xì)微偏離的可能性。在這種情況下，可以想到的是，即使考慮到了各層的初始化順序，初始化的效率仍然很低。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種在光盤大規(guī)模生產(chǎn)的初始化過程中能夠提高生產(chǎn)效率的光信息記錄介質(zhì)及其初始化方法。
為了解決上述問題，第一發(fā)明涉及一種光信息記錄介質(zhì)，其通過層疊信息層(3，6)而構(gòu)成，所述信息層至少具有記錄層(10，14)，并由所照射的激光能夠記錄與再現(xiàn)信號(hào)，所述記錄層受能量束照射，在無定型狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間產(chǎn)生可以光學(xué)檢測(cè)的可逆變化，其中，所述信息層至少由第一信息層(3)和第二信息層(6)組成，并且各信息層包括無定型區(qū)域(34，37，44，47)以及結(jié)晶區(qū)域(33，36，43，46)；所述第一信息層(3)中結(jié)晶區(qū)域(33，43)和無定型區(qū)域(34，44)之間的邊界在光盤中的徑向位置，與所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)和無定型區(qū)域(37，47)之間的邊界在光盤中的徑向位置不同。
第二發(fā)明為按照第一發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，所述光信息記錄介質(zhì)具有在所述圓形襯底上按照從所述圓形襯底后退的順序提供的第一信息層、光分離層、第二信息層和光透射層。
第三發(fā)明為按照第二發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，在所述盤的相同半徑范圍內(nèi)存在一個(gè)同心并呈條形的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)所述第一信息層為結(jié)晶的，而所述第二信息層處于無定型狀態(tài)。
第四發(fā)明為按照第三發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，所述同心并呈條形的區(qū)域至少存在于盤的內(nèi)部徑向范圍側(cè)或邊緣側(cè)。
第五發(fā)明為按照第三發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，在結(jié)晶所述第一和第二信息層的激光束波長(zhǎng)下，當(dāng)處于無定型狀態(tài)下的所述第一信息層的反射系數(shù)為Ra1，且處于結(jié)晶狀態(tài)下其反射系數(shù)為Rc1時(shí)，Rc1＜Ra1。
第六發(fā)明為按照第二發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，在盤的相同半徑內(nèi)存在一個(gè)同心并呈條形的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，所述第一信息層為無定型狀態(tài)，并且所述第二信息層為結(jié)晶的。
第七發(fā)明為按照第六發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，所述同心并呈條形的區(qū)域至少存在于盤的內(nèi)部徑向范圍側(cè)或邊緣側(cè)。
第八本發(fā)明為按照第六發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，其中，在結(jié)晶所述第一和第二信息層的激光束波長(zhǎng)下，當(dāng)處于無定型狀態(tài)下的所述第一信息層的反射系數(shù)為Ra1，且處于結(jié)晶狀態(tài)下其反射系數(shù)為Rc1時(shí)，Rc1＞Ra1。
第九發(fā)明涉及一種光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，所述光信息記錄介質(zhì)通過層疊信息層(3，6)而構(gòu)成，所述信息層至少具有記錄層(10，14)，并由所照射的激光能夠記錄與再現(xiàn)信號(hào)，所述記錄層受能量束照射，在無定型狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間產(chǎn)生可以光學(xué)檢測(cè)的可逆變化，其中，所述信息層至少由第一信息層(3)和第二信息層(6)組成，并且各信息層包括無定型區(qū)域(34，37，44，47)以及結(jié)晶區(qū)域(33，36，43，46)；在初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下，在所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)的透過率低于無定型區(qū)域(37，47)的透過率時(shí)，按所述第一、第二信息層的順序初始化；在所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)的透過率高于無定型區(qū)域(37，47)的透過率時(shí)，按所述第二、第一信息層的順序初始化。
第十發(fā)明為按照第九發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)初始化方法，其中，如果當(dāng)處于無定型狀態(tài)的所述第一信息層的反射系數(shù)為Ra1，處于結(jié)晶狀態(tài)的反射系數(shù)為Rc1時(shí)，有Rc1＜Ra1，則預(yù)先從與所述第一信息層結(jié)晶的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)的所述第二信息層區(qū)域開始所述第二信息層的初始化。
第十一發(fā)明為按照第九發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)初始化方法，其中，如果當(dāng)處于無定型狀態(tài)的所述第一信息層的反射系數(shù)為Ra1，處于結(jié)晶狀態(tài)的反射系數(shù)為Rc1時(shí)，有Rc1＞Ra1，則從與所述第一信息層處于無定型狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)的所述第二信息層區(qū)域開始所述第二信息層的初始化。
第十二發(fā)明涉及一種光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，所述光信息記錄介質(zhì)至少具有在所述圓形襯底上按照從所述圓形襯底后退順序提供的第一信息層、光分離層、第二信息層和光透射層；其中，所述信息層至少具有一個(gè)記錄層，在能量射束照射下，在無定型狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間產(chǎn)生可以光學(xué)檢測(cè)的可逆變化；所述初始化方法預(yù)先結(jié)晶光信息記錄介質(zhì)，能夠利用通過所述光透射層照射的激光束在每個(gè)信息層中記錄并再現(xiàn)信號(hào)，并且所述光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中在處于結(jié)晶狀態(tài)的所述第二信息層的透射率低于無定型狀態(tài)透射率的情況下，在第一和第二信息層的相同半徑內(nèi)，按照第一信息層和第二信息層的順序進(jìn)行初始化；而在處于結(jié)晶狀態(tài)的所述第二信息層的透射率高于無定型狀態(tài)透射率的情況下，在第一和第二信息層的相同半徑內(nèi)，按照第二信息層和第一信息層的順序執(zhí)行初始化。
第十三發(fā)明為按照第十或十一發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)初始化方法，其中，所述介質(zhì)具有初始化所述各信息層的光學(xué)頭，并使用該光學(xué)頭依序初始化第一信息層和第二信息層。
第十四發(fā)明為按照第十二發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)初始化方法，其中，所述介質(zhì)具有初始化所述各信息層的光學(xué)頭，并使用該光學(xué)頭依序初始化第一信息層和第二信息層。
第十五發(fā)明為按照第九至第十一發(fā)明中之一的光信息記錄介質(zhì)初始化方法，其中，所述第一信息層和第二信息層的初始化區(qū)域不同。


圖1為本發(fā)明一種實(shí)施例光盤的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例光盤初始化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中用于光盤初始化的聚焦誤差信號(hào)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的用于光盤初始化的聚焦誤差信號(hào)示意圖；圖5為表示本發(fā)明實(shí)施例光盤(光信息記錄介質(zhì))的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為表示本發(fā)明實(shí)施例光盤(光信息記錄介質(zhì))結(jié)構(gòu)示意圖。
(符號(hào)說明)1襯底2襯底表面3第一信息層4光分離層5光分離層表面6第二信息層7光透射層8反射層9保護(hù)層10記錄層11保護(hù)層
12反射層13保護(hù)層14記錄層15保護(hù)層具體實(shí)施方式
下面將通過利用附圖對(duì)描述本發(fā)明。
利用圖1將對(duì)本實(shí)施例中所用盤結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在圖1中，記錄并再現(xiàn)信息以及初始化信息層的激光束分別從光透射層7一側(cè)入射。襯底1由比如聚碳酸酯或PMMA類的樹脂片、玻璃片等構(gòu)成。襯底表面2上覆蓋有螺旋或同心的連續(xù)凹槽等。
將第一信息層3提供于襯底1上。該第一信息層至少具有反射層8、保護(hù)層9和11以及記錄層10。
光分離層4形成于第一信息層3之上。該光分離層4只是相對(duì)于要在第一信息層3中記錄和再現(xiàn)信號(hào)所照射之激光束波長(zhǎng)的透明材料，而且它具有使第一信息層與第二信息層光學(xué)地分離的功能。對(duì)于所述光分離層而言，有利用旋轉(zhuǎn)涂覆形成由紫外固化樹脂等制成的層的方法、以粘接帶或紫外固化樹脂粘貼透明膜的方法等。光分離層的表面5上覆蓋有螺旋或同心連續(xù)的凹槽等。
第二信息層6形成于光分離層4上。該第二信息層6至少具有反射層12、保護(hù)層13和15以及記錄層14。光透射層7形成于第二信息層6之上。對(duì)于該光透射層7而言，有利用旋轉(zhuǎn)涂覆法形成由紫外固化樹脂等制成的層的情況，或者以粘接帶或紫外固化樹脂等將透明膜粘貼到第二光信息層6，以形成光透射層的情況。
至于保護(hù)層9、11、13以及15的材料，可以使用諸如Al、Si、Ta、Mo、W及Zr等元素的氧化物，諸如ZnS類的硫化物，諸如Al、B、Ge、Si、Ti及Zr等元素的氮化物，以及諸如Pb、Mg及La等元素的氟化物。本實(shí)施例中，使用具有ZnS-20摩爾％SiO2化合物的材料。
至于記錄層10和14的材料，可以使用主要成分為Te、In和Se等相變材料。至于廣泛已知的相變材料主要成分，有TeGeSb、TeGeSn、TeGeSnAu、SbSe、SbTe、SbSeTe、In-Te、In-Se、In-Se-Tl、InSbInSbSe、GeSbTeAg等。目前作為商業(yè)化或活躍研究的相變光盤材料系統(tǒng)為GeSbTe系統(tǒng)或AgGeSbTe系統(tǒng)。這些記錄層通常具有形成為無定型狀態(tài)的膜。在使用這些記錄層材料的情況下，對(duì)于通常用于記錄層初始化的紅外光波長(zhǎng)而言，結(jié)晶狀態(tài)的透射率低于無定型狀態(tài)的透射率。在本實(shí)施例中主要使用GeSbTe系統(tǒng)的材料。
至于反射層8和12，可以使用主要成分為Ag、Au以及Al等金屬元素的材料。還可以通過層壓兩種或多種具有不同折射率的保護(hù)層代替金屬反射層以獲得與非透射層相同的光學(xué)特性。本實(shí)施例中使用的金屬反射層的主要成分為Ag。
盡管在圖1中沒有說明，出于增強(qiáng)記錄層可結(jié)晶性以及保證優(yōu)良的記錄擦除循環(huán)特性的目的，還可以在記錄層10與保護(hù)層9、11之間，以及記錄層14與保護(hù)層13、15之間提供C和氮化物界面層。該氮化物界面層的主要材料為包括至少一種Ge、Cr、Si、Al和Te元素的材料。
至于形成諸如保護(hù)層、記錄層、反射層以及氮化物界面層的方法，通常適用電子束沉積法、濺射法、離子鍍法、CVD法、激光濺射法等。在本實(shí)施例中使用激光濺射法。
接下去，將給出有關(guān)利用激光束對(duì)上述單面雙層結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)進(jìn)行初始化處理的說明。初始化裝置的概述有如圖2所示。如圖2所示，該初始化裝置為一種初始化光盤51的裝置，包括拾象頭進(jìn)給機(jī)構(gòu)52、激光源53、反光鏡54、物鏡55、聚焦伺服56和主軸電機(jī)57。使用比如象散法，由物鏡把來自激光源53的激光束聚焦于第二信息層或第一信息層上。此時(shí)，使用了從第一和第二信息層獲取的聚焦誤差信號(hào)。至于施加聚焦控制的方法，可以采用諸如刀口法等各種方法。
此外，將描述在形成第一和第二信息層之后，有關(guān)區(qū)分第一信息層和第二信息層，以及把用于在所需信息層上初始化的激光束聚焦于各個(gè)初始化信息層的過程。將用于發(fā)射初始化所用激光束的光學(xué)頭靠近光透射層，并依次檢測(cè)來自光透射層、第二信息層以及第一信息層的實(shí)現(xiàn)聚焦的三個(gè)聚焦誤差信號(hào)。為了檢測(cè)這三個(gè)聚焦誤差信號(hào)，并初始化比如第二信息層，在將光學(xué)頭靠近光透射層的情況下，關(guān)于測(cè)得聚焦誤差信號(hào)的第二聚焦誤差信號(hào)實(shí)現(xiàn)聚焦。或者相反，在檢測(cè)到來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)之后，在初始化裝置中，根據(jù)光學(xué)頭與光透射層分離，執(zhí)行實(shí)現(xiàn)關(guān)于第二聚焦誤差信號(hào)的聚焦工作(在用多個(gè)信息層代替兩個(gè)信息層的情況下，以同樣的方法執(zhí)行聚焦)。
作為初始化第一和第二信息層的方法可以想到的是下述多個(gè)模式。
(1)在形成各個(gè)信息層之后，立刻進(jìn)行各個(gè)信息層的初始化。
(2)在形成各個(gè)信息層并且在其上形成光分離層(在第二信息層的情況下為光透射層)之后，立刻進(jìn)行各個(gè)信息層的初始化。
(3)在形成第一信息層、光分離層、第二信息層和光透射層之后，執(zhí)行初始化(可以在初始化之后形成光透射層)。
(4)在(3)的情況下，在形成第二信息層之前形成第一信息層(或相反)。
由于利用激光束進(jìn)行結(jié)晶(初始化)需要高激光功率，因此，通常使用波長(zhǎng)約為800nm的紅外激光束。
下面將對(duì)本實(shí)施例中所用盤的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。作為所述盤結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，在直徑為120mm、厚度為1.1mm的聚碳酸酯襯底上-它的表面上覆蓋有螺距為0.3μm、槽深為20nm的凹凸導(dǎo)槽-利用磁控管濺射法按順序形成Ag反射層、GeN、ZnS-20摩爾％SiO2、Ge22Sb25Te53(at％-原子百分?jǐn)?shù))及ZnS-20摩爾％SiO2，從而形成第一信息層。隨后，通過把半徑為120mm、厚度為25μm，并且其表面利用紫外固化樹脂覆蓋有螺距為0.3μm、槽深為20nm之凹凸導(dǎo)槽的聚碳酸酯放在第一信息層上，形成光分離層，從而形成總厚度為30μm。繼而，利用磁控管濺射法，在光分離層上按順序形成Ag反射層、GeN、Ge22Sb25Te53(at％-原子百分?jǐn)?shù))以及ZnS-20摩爾％SiO2，以形成第二信息層。隨后，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法形成厚度為0.1mm的光透射層。
利用圖2所示具有波長(zhǎng)為810nm之激光源的初始化裝置，并在線速度為6m/s且進(jìn)給螺距為20μm條件下，以實(shí)驗(yàn)方式尋找對(duì)第一和第二信息層中每一個(gè)都適用的激光功率，初始化各信息層。初始化所用激光束在盤的徑向方向上的寬度為50μm。在形成第一信息層、光分離層、第二信息層以及光透射層之后，對(duì)這些信息層進(jìn)行初始化。
根據(jù)本實(shí)施例，使用一種初始化所用的激光束，依序使兩個(gè)信息層被初始化。
將上述內(nèi)容同樣地應(yīng)用于下述第一和第二實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)當(dāng)處于無定型狀態(tài)的第二信息層在進(jìn)行初始化的激光束波長(zhǎng)下透射率為Ta2，并且處于結(jié)晶狀態(tài)下的所述透射率為Tc2時(shí)，將對(duì)Tc2和Ta2大小的考查結(jié)果以及各信息層的初始化順序進(jìn)行說明。
所述考查所用盤的結(jié)構(gòu)如下所述。第一信息層的結(jié)構(gòu)為100nm的Ag反射層、5nm的GeN層、25nm的ZnS-20摩爾％SiO2層、15nm的GeSbTe記錄層和60nm的ZnS-20摩爾％SiO2層。至于第二信息層，提供了兩種不同類型的記錄層組成。對(duì)于盤1，在第一信息層上形成光分離層之后，有10nm的Ag反射層、5nm的GeN層、24nm的ZnS-20摩爾％SiO2層、6nm的GeSbTe記錄層以及50nm的ZnS-20摩爾％SiO2層。對(duì)于盤2，各層膜厚與盤1相同，不過僅使記錄層組成變?yōu)镚aSb的盤。另外，將光透射層形成于第二信息層之上。在初始化激光束波長(zhǎng)下，第一和第二信息層的透射率和反射系數(shù)如表1所示。
(表1)

在初始化第一信息層之后初始化第二信息層的情況下，在最后完成兩層初始化之后，將上述單面雙層盤用于考查所述產(chǎn)額；反之亦然。
在這種情況下，第一和第二信息層初始化的起始徑向位置相同，即從23mm處起始。在此過程中，一但第一層初始化結(jié)束之后，就從初始化裝置上取下盤，并在設(shè)定對(duì)下一層的初始化條件之后，再次將該盤安裝于該初始化裝置上。初始化的產(chǎn)額結(jié)果被示于表2中。
(表2)

根據(jù)表2，對(duì)于盤1而言，在初始化第一信息層之后初始化第二信息層的情況下比相反情況下提高了初始化產(chǎn)額。對(duì)于盤2而言，在初始化第二信息層之后初始化第一信息層的情況下通常比相反情況下的初始化錯(cuò)誤少。
從各盤信息層返回初始化所用光學(xué)頭之激光束的反射系數(shù)如表3所示。
(表3)


根據(jù)表3，在按照第一到第二信息層的順序初始化的情況下，第一信息層的反射系數(shù)可以高到7.2％，因此聚焦誤差信號(hào)也大到足以便于聚焦，所以產(chǎn)額優(yōu)良。在初始化第二信息層的情況下，其反射系數(shù)為5.0％，且此時(shí)第一信息層的反射系數(shù)低到2.5％，因此錯(cuò)誤地聚焦到第一信息層的概率很低，所以產(chǎn)額優(yōu)良。在按照第二到第一信息層的順序初始化的情況下，第二信息層的反射系數(shù)為5.0％，而此時(shí)第一信息層的反射系數(shù)高至7.2％，因此存在錯(cuò)誤聚焦到第一信息層的可能性。此外，在初始化第一信息層上的反射系數(shù)與第二信息層的反射系數(shù)一樣低，并且接近，因此可以理解，在第一信息層的初始化中已發(fā)生錯(cuò)誤。在盤2的情況下，可以理解，由于相同的理由，在從第二信息層開始初始化的情況下產(chǎn)額的提高要好于從第一信息層開始初始化的情況。
具體地說，在處于結(jié)晶狀態(tài)的第二信息層的透射率低于處于無定型狀態(tài)下透射率的情況下，按照第一信息層和第二信息層的順序，在第一和第二信息層的相同半徑范圍執(zhí)行初始化。并且在處于結(jié)晶狀態(tài)下的上述第二信息層的透射率高于處于無定型狀態(tài)下透射率的情況下，按照第二信息層和第一信息層的順序，在第一和第二信息層的相同半徑范圍執(zhí)行初始化。
如果按照這種順序執(zhí)行初始化，會(huì)提高產(chǎn)額。更具體地，當(dāng)初始化第一信息層時(shí)，按照這種順序執(zhí)行初始化，可以使來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)盡可能地大。結(jié)果，當(dāng)初始化第一信息層時(shí)，很少會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤聚焦于第二信息層的情況。因此，當(dāng)初始化第一信息層時(shí)，按照上述順序執(zhí)行初始化，以使不常發(fā)生錯(cuò)誤聚焦，從而提高了產(chǎn)額。
如本發(fā)明所示，通過預(yù)先考查Tc2和Ta2，并根據(jù)其結(jié)果確定初始化順序，就能夠減小初始化錯(cuò)誤，并提高產(chǎn)額。
本實(shí)施例給出了兩個(gè)信息層的情況。不過，在三個(gè)或更多信息層的情況下，也可以通過考慮初始化激光束波長(zhǎng)下的反射系數(shù)，并改變各信息層的初始化起始位置，從而穩(wěn)定地大規(guī)模生產(chǎn)盤。
(第二實(shí)施例)當(dāng)處于無定型狀態(tài)下的第二信息層在執(zhí)行初始化的激光束波長(zhǎng)下的透射率為Ta2、反射系數(shù)為Ra2，處于結(jié)晶狀態(tài)下的所述透射率為Tc2、反射系數(shù)為Rc2、沒有層壓第二信息層的處于無定型狀態(tài)下的第一信息層的反射系數(shù)為Ra1而處于結(jié)晶狀態(tài)下的反射系數(shù)為Rc1時(shí)，進(jìn)行何種情況可以提供更好的初始化產(chǎn)額的考查。這就是說，當(dāng)在初始化Rc1和Ra1之間的數(shù)量關(guān)系和第一信息層之后，初始化第二信息層時(shí)，是否從第一信息層的無定型區(qū)域抑或是從結(jié)晶區(qū)域開始初始化。考查的結(jié)果如下所述。
這種考查所用的盤結(jié)構(gòu)如下。第一信息層的結(jié)構(gòu)為襯底上的100nm的Ag反射層、5nm的GeN層、25nm的ZnS-20摩爾％SiO2層、15nm的GeSbTe記錄層和60nm的ZnS-20摩爾％SiO2層。至于第二信息層，在第一信息層上形成光分離層之后，盤1具有10nm的Ag反射層、5nm的GeN層、24nm的ZnS-20摩爾％SiO2層、6nm的GeSbTe記錄層和50nm的ZnS-20摩爾％SiO2層。另外，光透射層形成于第二信息層之上。第一和第二信息層在初始化激光束波長(zhǎng)下的透射率和反射系數(shù)如表4所示。
(表4)

將上述單面雙層盤用于初始化第一信息層，并隨后從初始化裝置上取下盤，并在設(shè)定第二信息層的初始化條件之后，再次將該盤安裝于該初始化裝置上，以初始化第二信息層。最后考查有關(guān)兩層完成初始化之后的產(chǎn)額。
在這種情況下，開始第一信息層的初始化的徑向位置從23mm開始。至于第二信息層，考查三種開始初始化的徑向位置22mm、23mm和24mm。具體地說，當(dāng)初始化第二信息層時(shí)，分別從第一信息層的無定型區(qū)、從與第一信息層相同的起始位置以及從第一信息層的結(jié)晶區(qū)開始進(jìn)行初始化。其產(chǎn)額結(jié)果如表5所示。
(表5)

根據(jù)表5，在初始化盤1第二信息層時(shí)，按照從第一信息層的結(jié)晶區(qū)開始初始化、與第一信息層相同的初始化起始位置以及第一信息層的無定型區(qū)開始初始化的順序，所述產(chǎn)額減小。
表6所示為初始化起始位置和從各信息層返回到初始化光學(xué)頭的激光束的反射系數(shù)。
(表6)

根據(jù)表6，在首先在盤1上初始化第一信息層的情況下，第一信息層的反射系數(shù)高至7.2％，因此聚焦誤差信號(hào)大到足以便于聚焦，所以產(chǎn)額優(yōu)良。圖4A和4B所示為第一信息層初始化之后，根據(jù)盤徑向位置的差別聚焦誤差信號(hào)大小的比較。
圖4A所示為在半徑22mm處的聚焦誤差信號(hào)，這等效于從第一信息層的無定型區(qū)開始第二信息層初始化的情況。這里，來自光透射層的聚焦誤差信號(hào)71a、來自第二信息層的聚焦誤差信號(hào)72a以及來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)73a具有近似相同的大小。圖4B所示為半徑24mm處的聚焦誤差信號(hào)，這等效于從第一信息層的結(jié)晶區(qū)開始第二信息層初始化的情況。這里，來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)73b小于來自光透射層的聚焦誤差信號(hào)71b和第二信息層的聚焦誤差信號(hào)72b。具體地說，圖4A中來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)73a小于圖4B中來自第一信息層的聚焦誤差信號(hào)73b。
在從第一信息層結(jié)晶區(qū)開始第二信息層初始化的情況下，在盤1上初始化第二信息層的反射系數(shù)為5.0％，而此時(shí)第一信息層的反射系數(shù)低至2.5％。因此，不存在錯(cuò)誤地聚焦于第一信息層的可能性，所以產(chǎn)額推測(cè)為100％。在從第一信息層無定型區(qū)開始第二信息層初始化的情況下，在盤1上初始化第二信息層的反射系數(shù)為5.0％。不過，第一信息層的反射系數(shù)為7.2％，可以理解，會(huì)錯(cuò)誤地聚焦于第一信息層，因此減小了產(chǎn)額。
在相同的初始化起始位置情況下，與從第一信息層的結(jié)晶區(qū)開始第二信息層初始化情況下的反射系數(shù)相同。但實(shí)際上是產(chǎn)額結(jié)果減小。其原因可以推想的，即由于在第一信息層初始化之后，將盤放回，初始化第二信息層，則初始化裝置的拾象器測(cè)得由于在初始化裝置上為了復(fù)位而安裝盤時(shí)的誤差所致來自第一信息層無定型區(qū)的反射光，致使聚焦失敗。盤復(fù)位時(shí)的安裝誤差來源于盤的內(nèi)徑或外徑誤差，或者初始化裝置盤托架部分的尺寸誤差。
根據(jù)本發(fā)明，通過預(yù)先考查Rc1和Ra1，并相應(yīng)地區(qū)分第二信息層和第一信息層開始初始化的徑向位置，可以減少初始化錯(cuò)誤，并提高產(chǎn)額。
本實(shí)施例中報(bào)告了Rc1＜Ra1的盤的結(jié)果。至于Rc1＞Ra1的盤，通過從第一信息層的結(jié)晶區(qū)開始第二信息層的初始化，可以同樣地減少初始化錯(cuò)誤，并提高產(chǎn)額。
在按照第二信息層和第一信息層的順序執(zhí)行初始化的情況下，如果Rc2＜Ra2，則從第二信息層的結(jié)晶區(qū)開始第一信息層的初始化，或者如果Rc2＞Ra2，則從第二信息層的無定型區(qū)開始第一信息層的初始化，因而，可以類似地提高初始化產(chǎn)額。
利用圖5和6可以進(jìn)一步詳細(xì)地對(duì)上述進(jìn)行說明。
圖5A和5B所示為Rc1＜Ra1情況下的光信息記錄介質(zhì)31，即預(yù)先在結(jié)晶記錄層的激光束波長(zhǎng)下，處于結(jié)晶狀態(tài)之第一信息層的反射系數(shù)小于預(yù)先在結(jié)晶記錄層的激光束波長(zhǎng)下，處于無定型狀態(tài)之第一信息層的反射系數(shù)。圖5A為光信息記錄介質(zhì)31的正視圖，圖5B所示為第一信息層32和第二信息層35的示意圖，作為從圖5光信息記錄介質(zhì)31的AA′剖面圖。
光信息記錄介質(zhì)31具有圓形形狀，有位于其中心的圓孔。光信息記錄介質(zhì)31具有已被初始化的第一信息層32和第二信息層35。當(dāng)初始化第二信息層35時(shí)，從光信息記錄介質(zhì)31的內(nèi)部徑向范圍側(cè)向著邊緣側(cè)進(jìn)行初始化。
在這種情況下，注意如圖5B所示光信息記錄介質(zhì)31的內(nèi)部徑向范圍側(cè)，對(duì)于半徑小于22mm，第一信息層32處于無定型狀態(tài)34，而對(duì)于半徑等于或大于22mm，第一信息層32處于結(jié)晶狀態(tài)33。此外，注意內(nèi)部徑向范圍側(cè)，對(duì)于半徑小于23mm，第二信息層35處于無定型狀態(tài)37，而對(duì)于半徑等于或大于23mm，第二信息層35處于結(jié)晶狀態(tài)36。因此，在光信息記錄介質(zhì)31半徑為22mm與23mm之間的區(qū)域中，第一信息層32處于結(jié)晶狀態(tài)，而第二信息層35處于無定型狀態(tài)。具體地說，第一信息層32處于結(jié)晶狀態(tài)且第二信息層35處于無定型狀態(tài)的同心且呈條形的區(qū)域存在于光信息記錄介質(zhì)31中，比如它的半徑在22mm與23mm之間的區(qū)域。另外，在從光信息記錄介質(zhì)31的內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣側(cè)初始化第二信息層35的情況下，這種同心且呈條形的區(qū)域至少存在于盤的內(nèi)部徑向范圍側(cè)。
換句話說，在盤的內(nèi)部徑向范圍側(cè)，在與第二信息層35的處于結(jié)晶態(tài)的區(qū)域36和處于無定型態(tài)的區(qū)域37之間邊界相對(duì)的第一信息層32的區(qū)域內(nèi)，預(yù)先在結(jié)晶記錄層的激光束波長(zhǎng)下的反射系數(shù)，低于第一信息層32的其它區(qū)域內(nèi)，預(yù)先在結(jié)晶記錄層的激光束波長(zhǎng)下的反射系數(shù)。
具體地說，從與第一信息層32的低反射系數(shù)區(qū)的內(nèi)部相對(duì)之第二信息層35的區(qū)域開始第二信息層35的初始化。當(dāng)Rc1＜Ra1時(shí)，從與第一信息層32被結(jié)晶的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層35的區(qū)域開始第二信息層35的初始化。
跟從與第一信息層處于無定型區(qū)的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層的區(qū)域開始第二信息層初始化的情況相比，這種光信息記錄介質(zhì)31給出更優(yōu)的產(chǎn)額。具體地說，當(dāng)按照從內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣側(cè)的順序初始化第二信息層35時(shí)，從與第一信息層32處于結(jié)晶狀態(tài)33的區(qū)域相對(duì)之第二信息層35的區(qū)域開始初始化。因此，當(dāng)開始第二信息層35的初始化時(shí)，從與第一信息層32的低反射系數(shù)區(qū)相對(duì)之第二信息層35的區(qū)域開始初始化。因此，當(dāng)開始第二信息層35的初始化時(shí)，第一信息層32的聚焦誤差信號(hào)變得更小，所以不會(huì)經(jīng)常錯(cuò)誤地聚焦第一信息層32。
因此，在Rc1＜Ra1的情況下，當(dāng)從光信息記錄介質(zhì)31的內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣側(cè)開始初始化第二信息層35時(shí)，與其它任意光信息記錄介質(zhì)相比，在這種在光信息記錄介質(zhì)31的內(nèi)部徑向范圍側(cè)不結(jié)晶第一信息層32且處于無定型狀態(tài)的同心且呈條形區(qū)域存在于相同半徑范圍內(nèi)的光信息記錄介質(zhì)31上，第二信息層35具有更好地提高的產(chǎn)額。
在從內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣側(cè)開始初始化第二信息層35的情況下，在第一信息層32和第二信息層35之間，光信息記錄介質(zhì)31的邊緣側(cè)上的結(jié)晶狀態(tài)與無定型狀態(tài)之間的邊界可以一致，或者是不同的。
當(dāng)在Rc1＜Ra1的情況下，從盤的邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)開始初始化第二信息層35時(shí)，通過從第一信息層的低反射系數(shù)區(qū)內(nèi)部開始第二信息層的初始化，使所述產(chǎn)額得到提高。具體地說，由于在這種情況下Rc1＜Ra1，通過從與第一信息層被結(jié)晶的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層的區(qū)域開始第二信息層的初始化，使所述產(chǎn)額得到提高。
接下去，圖6A和6B所示為Rc1＞Ra1情況下，也就是說，在處于結(jié)晶狀態(tài)的第一信息層的反射系數(shù)大于處于無定型狀態(tài)的反射系數(shù)情況下的光信息記錄介質(zhì)41。圖6A為光信息記錄介質(zhì)41的主視圖，圖6B所示為第一信息層42和第二信息層45的示意圖，作為圖6中光信息記錄介質(zhì)41的BB′剖面圖。
與光信息記錄介質(zhì)31相同，光信息記錄介質(zhì)41具有圓形形狀，有位于其中心的圓孔。光信息記錄介質(zhì)41具有已經(jīng)初始化的第一信息層42和第二信息層45。當(dāng)初始化第二信息層45時(shí)，從光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)進(jìn)行初始化。
在這種情況下，注意如圖6B所示光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)，在半徑大于58mm的區(qū)域內(nèi)，第一信息層42處于無定型狀態(tài)44，而在半徑等于或小于58mm的區(qū)域內(nèi)，第一信息層42處于結(jié)晶狀態(tài)43。此外，注意邊緣側(cè)，在半徑大于59mm的區(qū)域內(nèi)，第二信息層45處于無定型狀態(tài)47，而在半徑等于或小于59mm的區(qū)域內(nèi)，第二信息層45處于結(jié)晶狀態(tài)46。
因此，在光信息記錄介質(zhì)41半徑為58mm與59mm之間的區(qū)域中，第一信息層42處于無定型狀態(tài)，而第二信息層45處于結(jié)晶狀態(tài)。具體地說，第一信息層42處于無定型狀態(tài)且第二信息層45處于結(jié)晶狀態(tài)的同心且呈條形的區(qū)域存在于光信息記錄介質(zhì)41中，比如其半徑在58mm與59mm之間的區(qū)域。并且在從光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)初始化第二信息層45的情況下，這種同心且呈條形的區(qū)域至少存在于盤的邊緣側(cè)。
換句話說，在盤的邊緣側(cè)，與第二信息層45的處于晶體狀態(tài)46的區(qū)域和處于無定型狀態(tài)47的區(qū)域之間的邊界相對(duì)之第一信息層42的區(qū)域內(nèi)，反射系數(shù)低于第一信息層42的其它區(qū)域內(nèi)的反射系數(shù)。
具體地說，從與第一信息層42的低反射系數(shù)區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層45的區(qū)域開始第二信息層45的初始化。當(dāng)Rc1＞Ra1時(shí)，從與第一信息層42處于無定型狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)部開始第二信息層45的初始化。
跟從與第一信息層處于結(jié)晶狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層的區(qū)域開始第二信息層初始化的情況相比，這種光信息記錄介質(zhì)41給出更優(yōu)的產(chǎn)額。具體地說，當(dāng)按照從邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)的順序初始化第二信息層45時(shí)，從與第一信息層42處于無定型狀態(tài)44的區(qū)域相對(duì)之第二信息層45的區(qū)域開始所述初始化。因此，當(dāng)開始第二信息層45的初始化時(shí)，從與第一信息層42的低反射系數(shù)區(qū)相對(duì)之第二信息層45的區(qū)域開始所述初始化。因此，當(dāng)開始第二信息層45的初始化時(shí)，第一信息層42的聚焦誤差信號(hào)變得較小，所以很少會(huì)錯(cuò)誤地聚焦第一信息層42。
因此，在Rc1＞Ra1的情況下，當(dāng)從光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)開始初始化第二信息層45時(shí)，與其它任意光信息記錄介質(zhì)相比，光信息記錄介質(zhì)41中，第二信息層45具有更好地提高的產(chǎn)額，其中在所述光信息記錄介質(zhì)41上，這種在光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)第一信息層42處于無定型狀態(tài)，而且處于結(jié)晶狀態(tài)的同心且呈條形的區(qū)域存在于相同半徑范圍內(nèi)。
在從邊緣側(cè)向內(nèi)部徑向范圍側(cè)開始初始化第二信息層45的情況下，在第一信息層42和第二信息層45之間，光信息記錄介質(zhì)41的邊緣側(cè)上的結(jié)晶狀態(tài)和無定型狀態(tài)之間的邊界可以一致，或者是不同的。
當(dāng)在Rc1＞Ra1的情況下從盤的內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣側(cè)初始化第二信息層45時(shí)，通過與從第一信息層的低反射系數(shù)區(qū)內(nèi)部相對(duì)之第二信息層的區(qū)域開始第二信息層的初始化，使所述產(chǎn)額得到提高。具體地說，由于在這種情況下Rc1＞Ra1，從與第一信息層處于無定型狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)部相對(duì)之第二信息層的區(qū)域開始第二信息層的初始化，使所述產(chǎn)額得到提高。
因此，圖5和6所示的光信息記錄介質(zhì)31和41各自都具有優(yōu)良的初始化產(chǎn)額。
本實(shí)施例給出了兩個(gè)信息層的情況。不過，在三個(gè)或更多信息層的情況下，也可以通過考慮初始化激光束波長(zhǎng)下的反射系數(shù)，并改變各信息層的初始化啟始位置，以穩(wěn)定地大規(guī)模生產(chǎn)盤。
本實(shí)施例從內(nèi)部徑向范圍側(cè)向邊緣徑向初始化。不過，在從邊緣向內(nèi)部徑向范圍側(cè)徑向初始化的情況下，也可以得到相同的效果。
如上所述，在制造光信息記錄介質(zhì)時(shí)，通過執(zhí)行初始化，使每個(gè)多層介質(zhì)具有不同的初始化區(qū)域，可以提高所述產(chǎn)額。
工業(yè)上的應(yīng)用從上述可以清楚看出，本發(fā)明提供的光信息記錄介質(zhì)及其初始化方法，能夠在光盤大規(guī)模生產(chǎn)初始化過程中提高生產(chǎn)效率。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)，其通過層疊信息層(3，6)而構(gòu)成，所述信息層至少具有記錄層(10，14)，并由所照射的激光能夠記錄與再現(xiàn)信號(hào)，所述記錄層受能量束照射，在無定型狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間產(chǎn)生可以光學(xué)檢測(cè)的可逆變化，其中，所述信息層至少由第一信息層(3)和第二信息層(6)組成，并且各信息層包括無定型區(qū)域(34，37，44，47)以及結(jié)晶區(qū)域(33，36，43，46)；所述第一信息層(3)中結(jié)晶區(qū)域(33，43)和無定型區(qū)域(34，44)之間的邊界在光盤中的徑向位置，與所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)和無定型區(qū)域(37，47)之間的邊界在光盤中的徑向位置不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其中，還包括襯底(1)、光分離層(4)、光透射層(7)；從靠近所述襯底(1)起依序具有所述第一信息層(3)、所述光分離層(4)、所述第二信息層(6)、所述光透射層(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其中，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第一信息層(3)中無定型區(qū)域(34，44)的反射系數(shù)設(shè)為Ra1，結(jié)晶區(qū)域(33，43)的反射系數(shù)設(shè)為Rc1，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第二信息層(6)中無定型區(qū)域(37，47)的反射系數(shù)設(shè)為Ra2，結(jié)晶區(qū)域(36，46)的反射系數(shù)設(shè)為Rc2；并且在先初始化所述第二信息層(6)的情況下，當(dāng)所述能量束通過所述第二信息層(6)中無定型區(qū)域(37，47)對(duì)所述第一信息層(3)初始化時(shí)，Ra2＜Rc2，當(dāng)所述能量束通過所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)對(duì)所述第一信息層(3)初始化時(shí)，Ra2＞Rc2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其中，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第一信息層(3)中無定型區(qū)域(34，44)的反射系數(shù)設(shè)為Ra1，結(jié)晶區(qū)域(33，43)的反射系數(shù)設(shè)為Rc1，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第二信息層(6)中無定型區(qū)域(37，47)的反射系數(shù)設(shè)為Ra2，結(jié)晶區(qū)域(36，46)的反射系數(shù)設(shè)為Rc2；并且在先初始化所述第一信息層(3)的情況下，在初始化所述第二信息層(6)時(shí)，當(dāng)所述能量束從所述第一信息層(3)中無定型區(qū)域(34，44)向第二信息層(6)反射時(shí)，Ra1＜Rc1；當(dāng)所述能量束從所述第一信息層(3)中結(jié)晶區(qū)域(33，43)向第二信息層(6)反射時(shí)，Ra1＞Rc1。
5.一種光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，所述光信息記錄介質(zhì)通過層疊信息層(3，6)而構(gòu)成，所述信息層至少具有記錄層(10，14)，并由所照射的激光能夠記錄與再現(xiàn)信號(hào)，所述記錄層受能量束照射，在無定型狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)之間產(chǎn)生可以光學(xué)檢測(cè)的可逆變化，其中，所述信息層至少由第一信息層(3)和第二信息層(6)組成，并且各信息層包括無定型區(qū)域(34，37，44，47)以及結(jié)晶區(qū)域(33，36，43，46)；在初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下，在所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)的透過率低于無定型區(qū)域(37，47)的透過率時(shí)，按所述第一、第二信息層的順序初始化；在所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)的透過率高于無定型區(qū)域(37，47)的透過率時(shí)，按所述第二、第一信息層的順序初始化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，所述光信息記錄介質(zhì)還包括襯底(1)、光分離層(4)、光透射層(7)；從靠近所述襯底(1)起依序具有所述第一信息層(3)、所述光分離層(4)、所述第二信息層(6)、所述光透射層(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，當(dāng)所述第二信息層(6)中的結(jié)晶區(qū)域(36，46)的透過率低于無定型區(qū)域(37，47)的透過率時(shí)，從與預(yù)先結(jié)晶化記錄層(10，14)所用激光束波長(zhǎng)下的在所述第一信息層(3)的反射系數(shù)低的狀態(tài)的區(qū)域相對(duì)向的所述第二信息層(6)的半徑位置朝向內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)開始所述第二信息層(6)的初始化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，將第一信息層(3)中無定型區(qū)域(34，44)的反射系數(shù)設(shè)為Ra1、結(jié)晶區(qū)域(33，43)的反射系數(shù)設(shè)為Rc1，當(dāng)Rc1＜Ra1時(shí)，從與所述第一信息層(3)的結(jié)晶區(qū)域(33)相對(duì)向的所述第二信息層(6)的半徑位置朝向外周側(cè)，開始第二信息層(6)的初始化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，將第一信息層(3)中無定型區(qū)域(34，44)的反射系數(shù)設(shè)為Ra1、結(jié)晶區(qū)域(33，43)的反射系數(shù)設(shè)為Rc1，當(dāng)Rc1＞Ra1時(shí)，從與所述第一信息層(3)的無定型區(qū)域(44)相對(duì)向的所述第二信息層(6)的半徑位置朝向內(nèi)周側(cè)，開始第二信息層(6)的初始化。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，所述第一信息層(3)中結(jié)晶區(qū)域(33，43)和無定型區(qū)域(34，44)之間的邊界在光盤中的徑向位置，與所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)和無定型區(qū)域(37，47)之間的邊界在光盤中的徑向位置不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第一信息層(3)中的無定型區(qū)域(34，44)的反射系數(shù)設(shè)為Ra1，結(jié)晶區(qū)域(33，43)的反射系數(shù)設(shè)為Rc1，將初始化所述信息層(3，6)時(shí)所用能量束的波長(zhǎng)下的在所述第二信息層(6)中的無定型區(qū)域(37，47)的反射系數(shù)設(shè)為Ra2，結(jié)晶區(qū)域(36，46)的反射系數(shù)設(shè)為Rc2時(shí)，當(dāng)Ra2＜Rc2時(shí)，所述能量束通過所述第二信息層(6)中無定型區(qū)域(37，47)對(duì)第一信息層(3)開始初始化；當(dāng)Ra2＞Rc2時(shí)，所述能量束通過第二信息層(6)中的結(jié)晶區(qū)域(36，46)對(duì)第一信息層(3)開始初始化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光信息記錄介質(zhì)的初始化方法，其中，所述第一信息層(3)中結(jié)晶區(qū)域(33，43)和無定型區(qū)域(34，44)之間的邊界在光盤中的徑向位置，與所述第二信息層(6)中結(jié)晶區(qū)域(36，46)和無定型區(qū)域(37，47)之間的邊界在光盤中的徑向位置不同。
全文摘要
在一個(gè)單面多層結(jié)構(gòu)的相位變化光盤中初始化第一和第二信息層時(shí)，第一和第二信息層的薄膜結(jié)構(gòu)，會(huì)在初始化處發(fā)生錯(cuò)誤。一種光信息記錄介質(zhì)，其中，在至少一個(gè)信息層的結(jié)晶區(qū)域與無定型區(qū)域之間的界面處，即在面向一個(gè)信息層初始化起始位置的另一個(gè)信息層位置的區(qū)域內(nèi)，在預(yù)結(jié)晶記錄層的激光束波長(zhǎng)下的反射率小于在上述波長(zhǎng)下另一個(gè)信息層之其他區(qū)域的反射率。
文檔編號(hào)G11B7/241GK101013576SQ200710085598
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2003年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月9日
發(fā)明者坂上嘉孝, 長(zhǎng)田憲一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社