專利名稱：濺射靶及其制造方法、和追記型光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射靶及其制造方法，所述濺射靶用于制膜作為追記型光記錄介質(zhì)的構(gòu)成層的氧化物層。另外，涉及使用該濺射靶制造的追記型光記錄介質(zhì)，特別是即使在藍色激光波長區(qū)域也可以高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
為了提供在藍色激光波長以下的短波長下可進行記錄再現(xiàn)的追記型光記錄介質(zhì)，迅速發(fā)展了可以超高密度記錄的藍色激光的開發(fā)，并進行了與此相對應(yīng)的追記型光記錄介質(zhì)的開發(fā)。
作為即使在藍色激光波長以下也可以高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)，本發(fā)明人等提出了以金屬或準金屬的氧化物，尤其是以氧化鉍為主要成分的記錄層的有用性(特開2003-48375號公報、特開2005-161831號公報、特開2005-108396號公報)。
本申請人于在先申請(專利申請2005-64328)等中公開了一種追記型光記錄介質(zhì)，其特征在于，構(gòu)成元素的主要成分是鉍并且具有含有氧化鉍的記錄層，該記錄層還含有選自B、P、Ga、As、Se、Tc、Pd、Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Po、At、Cd中的一種以上的元素X，并公開了使用含有Bi、B、氧的膜的追記型光記錄介質(zhì)顯示出優(yōu)異的特性。再者，作為形成該層的方法，還公開了可以使用濺射法。
濺射法作為薄膜的氣相形成法之一以前就廣為知曉，并可以被利用在工業(yè)的薄膜制造中。關(guān)于濺射法，準備與目標膜的成分相同成分的靶材料，通常，使用輝光放電產(chǎn)生的氬氣離子沖擊該靶材料，激發(fā)出靶材料的構(gòu)成原子，通過在基板上堆積原子來進行制膜。特別是由于氧化物的熔點通常較高，因此，并不優(yōu)選蒸鍍法等的方法，而經(jīng)常使用施加高頻的高頻濺射法。
濺射法在制造工序上具有很多實際成績，在生產(chǎn)能力方面也是有利的。但是，制造包含兩種以上元素的混合材料的膜時，由于靶的組成和膜的組成不同的地方多，因此需要研究靶的組成。再者，由于構(gòu)成靶的化合物的形態(tài)而使膜的構(gòu)造、性質(zhì)有很多不同，因此，也需要對這方面進行研究。
再者，從生產(chǎn)成本方面考慮，也需要進一步提高制膜速度。為了提高制膜速度，需要投入更大的電功率，這時，需要以不破壞靶的方式來提高靶強度。
作為公知技術(shù)，例如在特開平11-92922號公報中，公開了Bi系的氧化物的靶作為用于形成介電體膜的濺射靶。但是，該文獻中并沒有記述含有B的靶。由于如果構(gòu)成元素的種類不同，上述靶的組成或構(gòu)成化合物和膜的結(jié)構(gòu)、組成的關(guān)系也不同，因此，需要改變靶的構(gòu)成，該文獻公開的內(nèi)容并不能成為本發(fā)明的參考。
另外，在特開2005-264206號公報中，有關(guān)于含有B2O3的Bi2O3類的玻璃狀靶的記述。但是，該文獻的發(fā)明必須含有SiO2而且是關(guān)于玻璃狀靶的發(fā)明，因此，不同于本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)可以高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)，需要含有Bi、B、氧且具有穩(wěn)定的組成、結(jié)構(gòu)的膜，為此，需要適當?shù)臑R射靶。但是，由于構(gòu)成靶的化合物的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)等影響到形成的膜的組成、結(jié)晶性等，因此，有必要使構(gòu)成靶的化合物成為必要的適合于膜的特性的物質(zhì)。因此，本發(fā)明其目的在于，提供一種濺射靶及其制造方法，所述濺射靶適合于實現(xiàn)具有低抖晃值等良好記錄特性的可以高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)、以及提供一種使用了該濺射靶的高密度追記型光記錄介質(zhì)。另外，其目的還在于，提供一種濺射靶，該濺射靶可以提高制膜速度以提高生產(chǎn)性，在制膜時的強度高，并且提高了填充密度。
另外，還公開了關(guān)于記錄層中含有Bi、B的追記型光記錄介質(zhì)，并已經(jīng)公開了Bi和B的原子數(shù)比B/Bi為1.25以下。但是，特別是對含有Bi和B的追記型光記錄介質(zhì)進行深入研究的結(jié)果，特別是明確了在保存穩(wěn)定性上顯示出優(yōu)異特性的組成范圍。對于在記錄層含有Bi、B的追記型光記錄介質(zhì)，雖然明確了通過添加B可提高保存穩(wěn)定性，但是，由于在如所謂的HD DVD那樣從基板入射光來進行記錄再現(xiàn)的盤，和如所謂的藍光光盤那樣從覆蓋層側(cè)入射光來進行記錄再現(xiàn)的盤中，最佳的層結(jié)構(gòu)等不相同，因此記錄層的最佳組成也有不同的傾向。如果考慮到生產(chǎn)性等，優(yōu)選記錄層組成處于同等的范圍。因此，在本發(fā)明中，其目的在于，通過使在現(xiàn)有技術(shù)中未曾發(fā)現(xiàn)的Bi和B的原子比、O的含量等處于最佳范圍，提供一種即使在不同層結(jié)構(gòu)的盤中也具有良好特性，特別是保存穩(wěn)定性得以提高的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶的特征在于，含有Bi和B。
本發(fā)明的濺射靶的制造方法的特征在于，使用燒結(jié)法。
本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)的特征在于，具有使用含有Bi和B的濺射靶而制成的、含有Bi、B和氧作為主要成分的膜。
本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)的特征在于，基板上具有至少含有Bi、B和O的記錄層，記錄層中的Bi和B的原子比為3/7≤Bi/B≤8。


圖1是示出Bi/B原子比和抖晃值的關(guān)系的圖。
圖2是示出濺射靶12的X射線衍射圖形的測定結(jié)果的圖。
圖3是保存試驗100小時后的抖晃值和抖晃惡化量。
圖4是示出Bi/B原子比和抖晃值的關(guān)系的圖。
圖5是用于說明實施例25的圖。
圖6是示出氧量和記錄功率的關(guān)系的曲線圖。
圖7是示出氧量和保存穩(wěn)定性的關(guān)系的曲線圖。
圖8是示出第一保護層的厚度和PRSNR值的關(guān)系的曲線圖。
圖9是示出記錄層的厚度和PRSNR值的關(guān)系的曲線圖。
圖10是示出第二保護層的厚度和PRSNR值的關(guān)系的曲線圖。
圖11是示出保存試驗時間和PRSNR值的關(guān)系的曲線圖。
圖12是示出反射層的厚度和PRSNR值的關(guān)系的曲線圖。
圖13是示出第二保護層的厚度和抖晃值的關(guān)系的曲線圖。
圖14是示出第一保護層的厚度和抖晃值的關(guān)系的曲線圖。
圖15是示出記錄層的厚度和抖晃值的關(guān)系的曲線圖。
具體實施例方式
以下，詳細地說明上述本發(fā)明。
本發(fā)明1是含有Bi和B作為主要成分的濺射靶，本發(fā)明2是含有Bi、B和氧作為主要成分的濺射靶。Bi和B能夠采取以單質(zhì)元素的形式含有的形態(tài)、作為氧化物含有的形態(tài)、作為其它化合物含有的形態(tài)等。由于在作為光記錄介質(zhì)的記錄層使用時，作為氧化物使用，因此優(yōu)選以單質(zhì)元素的形態(tài)或氧化物的形態(tài)含有；作為單質(zhì)元素含有時，需要在制膜時添加氧來制作氧化物的膜。如果使用本發(fā)明2那樣的含有氧的靶，在制膜時沒有必要添加氧。另外，所謂“本發(fā)明1和本發(fā)明2中的主要成分”，是指約含有上述元素90原子％以上，但通常除雜質(zhì)元素或后述的本發(fā)明8的微量成分元素以外，只由上述元素構(gòu)成。
本發(fā)明3是靶的結(jié)晶性為結(jié)晶物質(zhì)的濺射靶。靶的結(jié)晶性為非晶物質(zhì)時，制膜中由于靶溫度上升，有時部分或整體結(jié)晶化。關(guān)于非晶物質(zhì)和結(jié)晶，由于原子結(jié)合的強度等不同，被制膜的膜的特性、組成產(chǎn)生差異。如果是結(jié)晶物質(zhì)，歷時變化受到抑制。為了使結(jié)晶粒徑、結(jié)晶的大小均勻，通過使結(jié)晶變細，可以抑制組成偏離、結(jié)晶構(gòu)造的不均勻性等。
本發(fā)明4是Bi和B的原子比為0.6≤Bi/B≤7.0的濺射靶。在Bi變多時，由于被制膜的膜容易結(jié)晶化，因此記錄特性、保存穩(wěn)定性惡化，并且容易產(chǎn)生靶的破損，生產(chǎn)性差。相反，Bi變少時，記錄特性惡化。使用上述范圍的靶制膜記錄層的光記錄介質(zhì)的抖晃良好(參照后述的實施例7)。小于0.6時，抖晃惡化，大于7.0時，保存特性惡化，故不優(yōu)選。
本發(fā)明5是含有Bi和B的復(fù)合氧化物的濺射靶。通過采取復(fù)合氧化物的形態(tài)，結(jié)晶穩(wěn)定地存在，可以提高靶強度。作為復(fù)合氧化物，可以舉出Bi4B2O9、BiBO3、Bi3B5O12等。由于含有包括Bi-B-O三種元素的化合物，靶強度變高，是優(yōu)選的。
本發(fā)明6是含有Bi4B2O9作為復(fù)合氧化物的濺射靶。Bi4B2O9在復(fù)合氧化物中制膜速度、靶的強度等優(yōu)異，可以實現(xiàn)制膜后的記錄特性良好的光記錄介質(zhì)。通過X射線衍射進行判斷是否含有Bi4B2O9。在X射線衍射中，由于測定溫度、膜的內(nèi)部應(yīng)力、X射線的波長的誤差、組成偏離等原因，晶格常數(shù)發(fā)生變化，衍射峰出現(xiàn)的角度發(fā)生偏離。對于已知的物質(zhì)，X射線衍射的峰在哪個角度出現(xiàn)可以使用ASTM(American Society for Testing and Material)卡或JCPDS檢索得知。分析試料并對其進行鑒定時廣泛使用ASTM卡或“JCPDS卡圖表(card chart)”?？墒?，所謂“JCPDS”是“Joint Comittee on PowderDiffraction Standards”的簡稱，是被稱為Inter-national Centre for DiffractionData的機關(guān)頒布的X射線衍射圖形的圖表，現(xiàn)在，保存著大量的標準物質(zhì)的圖表用于檢索。成分不明的試料的X射線衍射圖表與上述標準物質(zhì)的圖表對比，判斷與哪種標準物質(zhì)的圖表一致或近似，由此，鑒定試料。使用“JCPDS卡圖表”進行的鑒定法也示于日本工業(yè)標準中的“X射線衍射分析通則”、“X射線衍射分析通則解說”和東京工業(yè)大學(xué)編的陶瓷基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)3“X射線衍射分析”中，是世界上廣泛使用的方法。研究與登載于此的何種標準物質(zhì)的圖表一致或近似，進行物質(zhì)的鑒定。
物質(zhì)的鑒定可以使用Bragg的法則由被測定的各峰求出面間隔，鑒定所屬的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。另外，在特定的結(jié)晶面取向的材料中，可以根據(jù)對應(yīng)于該結(jié)晶面的多個峰的峰比等來鑒定物質(zhì)。在X射線衍射中，由于測定溫度、膜的內(nèi)部應(yīng)力、X射線的波長的誤差、組成偏離等的原因，晶格常數(shù)發(fā)生變化，衍射峰出現(xiàn)的角度發(fā)生偏離。因此，如果在產(chǎn)生衍射峰的角度附近存在峰，就可以說相當于該物質(zhì)。
雖然衍射峰偏離，但是例如在Bi4B2O9的標準圖表(參考代碼25-1089)中，參照面間隔從3.101的峰，對于在相同的制作方法、條件下制作的其他靶，如果對比各自測定的結(jié)果，則相對于標準數(shù)據(jù)的面間隔為3.1010，測量結(jié)果為3.1058、3.0952，具有若干偏離。但是這種程度的偏離，如果反復(fù)測量可在誤差范圍內(nèi)發(fā)生，均可以說是含有Bi4B2O9。
本發(fā)明7是填充密度為72～100％的濺射靶。通過提高密度而提高強度，還可以提高制膜速度。填充密度變低時，多發(fā)生如下所述的問題不僅制膜速度變慢、靶自身變脆，而且在制膜中產(chǎn)生破壞等。另外，這里所說的填充密度是，通過計算求出利用100％原料物質(zhì)占有靶的體積時的重量，并通過與實際制作出來的靶的重量進行比較將求出的值作為密度。如后述的實施例8所示，在72％以上的范圍內(nèi)，得到良好的濺射靶。另外，填充密度為93％以上時，制膜速度為72％時的1.5倍以上，接近100％時，制膜速度變得更大，所以效果好。
本發(fā)明8是含有Li、Al、Fe、Mg、Na、Si中的至少一種元素的濺射靶。通過添加這些元素，容易提高填充密度，另外，由于可以加強結(jié)晶和結(jié)晶的結(jié)合，因此可以實現(xiàn)高強度的靶。添加量優(yōu)選盡可能微量，即使多也為10原子％左右。添加量變得過多時，由于失去了含有Bi和B、或Bi和B和O作為主要成分的濺射靶的特性，故不優(yōu)選。
本發(fā)明9是氧比化學(xué)計量組成少的濺射靶。由于與化學(xué)計量組成相比，氧變少，因此可以提高光記錄介質(zhì)的記錄特性。即使減少氧，通過在含有氧的氣體中進行濺射，在制膜時也可以添加氧，因此沒有問題。另外，通過減少氧，提高了結(jié)晶的結(jié)合力，也具有實現(xiàn)提高靶密度、提高強度、提高制膜速度的效果。
本發(fā)明10是含有Bi氧化物和B氧化物中的至少一個的濺射靶。存在B氧化物、特別是B2O3時，由于B2O3的熔點低，因而可以提高記錄時的靈敏度。另外，通過含有Bi氧化物和B氧化物的至少一個，可以制成顯示出良好記錄特性的含有Bi和B和氧作為主要成分的膜。
本發(fā)明11是使用燒結(jié)法的濺射靶的制造方法。通過使用燒結(jié)法，可以很好地制成含有熔點高的氧化物的濺射靶。
本發(fā)明12是在燒結(jié)法中包含從原料粉末中除去水分的工序的方法。所謂除去水分的工序是指用真空干燥等方法從稱量前的原材料粉中除去水分的工序。也可以使用在比熔點低的溫度且為100℃以上對各原料粉進行熱處理的工序。這時為氧化物時，可以在大氣中進行熱處理。
例如，由于B2O3容易吸附水分，通過增加除去水分的工序，可以減少原料量的測定誤差，組成的再現(xiàn)性變高。
本發(fā)明13是煅燒Bi2O3和B2O3的粉末的濺射靶的制造方法。由于Bi2O3和B2O3的粉末容易得到，因此成本低。再者，由于熔點比較低，因此比較容易高密度化，從而可以容易地實現(xiàn)強度高的靶。由于B2O3具有吸水性，因此用干式或在有機溶劑中將這些粉末粉碎、分級，成為粒徑一致的粉末。接著混合、成型，調(diào)整形狀后，進行煅燒。煅燒是在大氣中保持在420℃。再次粉碎一次段燒后的物質(zhì)，進行成型、加熱，通過反復(fù)這樣的工序，可以提高靶的強度。在這樣的工序中，第二次以后的煅燒可以將煅燒溫度提高至630℃左右。靶中殘存有B2O3時吸附水分，因此吸濕性變高，有時靶的品質(zhì)惡化。為防止發(fā)生這樣的情況，在不吸附水分的狀態(tài)下混合，以該狀態(tài)在B2O3的熔點以下的溫度下進行煅燒。再次粉碎得到的粉末，通過進行加熱加壓成型燒結(jié)來制成靶時，得到均勻性高的靶，效果好。另外，還可以在B2O3的熔點以下的溫度下邊煅燒邊粉碎。特別重要的是包括不殘存B2O3的工序。另外，加長在420℃以下的低溫下煅燒的時間，煅燒Bi、B的復(fù)合氧化物這樣的化合物后，提高至630℃左右的溫度，短時間煅燒，效果也好。
利用金屬焊接或樹脂粘接，將上述那樣煅燒的靶粘接在無氧銅制的背板上，得到濺射靶。
作為濺射靶的制造工序的大致流程，可以使用原料的稱量、干式球磨機混合、熱壓、成型加工、粘接這樣的工序。另外，也可以使用原料的稱量、濕式球磨機混合、噴霧干燥機、熱壓、成型加工、粘接這樣的順序。
本發(fā)明14涉及一種具有使用本發(fā)明1～10中任一項所述的濺射靶制成的含有Bi、B和氧作為主要成分的膜的光記錄介質(zhì)。在聚碳酸酯等樹脂基板上制膜必要的膜，制成光記錄介質(zhì)。也可以在樹脂基板上形成用于進行尋軌(トラツキング)等的控制的溝或槽。在真空中導(dǎo)入氬氣，通過施加高頻電功率，制成含有Bi、B和氧作為主要成分的膜。另外，還可以設(shè)計作為反射層的金屬膜或用于提高特性的保護層等。
按照本發(fā)明1～14，可以提供一種適合于實現(xiàn)具有低抖晃值等良好的記錄特性的可以高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶及其制造方法、以及使用該濺射靶的高密度追記型光記錄介質(zhì)。再者，還可提供一種可以提高制膜速度以提高生產(chǎn)性、制膜時的強度高、并且提高了填充密度的濺射靶。
本發(fā)明15涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其特征在于，在基板上具有至少含有Bi、B和O的記錄層，記錄層中的Bi和B的原子比為3/7≤Bi/B≤8。原子比Bi/B大于8時，保存穩(wěn)定性差。其原因雖然還不明確，但認為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的情況下，記錄標記由Bi金屬單質(zhì)和Bi、B的氧化物等形成。Bi的比率變得過多時，產(chǎn)生Bi金屬單質(zhì)的可能性高，其結(jié)果是占有記錄標記中的比率變高。可以認為Bi單質(zhì)容易引起氧化等的惡化，以原子比計Bi/B大于8時，保存穩(wěn)定性差。由于添加B，存在Bi的金屬單質(zhì)大的區(qū)域變少，具有Bi單質(zhì)的區(qū)域被分割為小的區(qū)域的效果。其結(jié)果也涉及到記錄特性、保存特性的提高，認為以原子比計Bi/B小于3/7時，追記型光記錄介質(zhì)的保存穩(wěn)定性良好。但是認為由于難以引起B(yǎng)i分離等的相分離，因此，記錄靈敏度降低，記錄變得不充分。另外，用于制膜記錄層的靶在Bi多的組成中，由于熔點降低、熱變化變?nèi)?，因此靶的強度降低。另外，添加了B等的Bi-B-O的化合物靶由于容易制成由三種元素構(gòu)成的Bi4B2O9等的三元化合物、原子間的結(jié)合變強，因此強度得以提高。但是，由于氧化硼的熔點低達450℃左右，B變多時，難以在高溫下煅燒，因此需要進行低溫煅燒。在低溫下的煅燒由于難以提高粒子間的結(jié)合強度，因而難以制成靶，另外，強度降低。Bi、B、O總含量為100％，即，除雜質(zhì)以外無需含有其它物質(zhì)。另外，也可以添加最大10％左右的其它元素。
Bi/B原子比是通過盧瑟福后方散射(RBS)、核反應(yīng)分析(NRA)在下述表1、表2所示的條件下測定Bi、B、O，求出Bi/B原子比。用該方法求出的組成包括Bi為±0.5原子％、B為±2.0原子％、O為±3.0原子％的誤差。以下記載的Bi/B原子比、O/B原子比是進行同樣測定的值。
表1

表2

按照本發(fā)明15，可以提供一種追記型光記錄介質(zhì)，該追記型光記錄介質(zhì)通過在基板上具有至少含有Bi、B和O的記錄層，并且記錄層中的Bi和B的原子比為3/7≤Bi/B≤8，可以使記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異。
本發(fā)明16涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，該追記型光記錄介質(zhì)在記錄層中的O和B的原子比為2.2≤O/B≤13?？芍涗泴又械难趿繉τ涗浱匦詭砗艽蟮挠绊?。氧量少時，記錄靈敏度變高，但由于記錄層的導(dǎo)熱率變高，因而在記錄時因光照射產(chǎn)生的熱容易擴散，難以進行高密度記錄。另外，氧量過多時，由于記錄靈敏度變低，記錄變得不充分，因此難以得到良好的特性。
由于Bi/B原子比不同，最合適的氧量發(fā)生變化，O/B原子比的最合適的值發(fā)生變化。例如，Bi/B原子比為2/1時，O/B原子比優(yōu)選大于3.8。另外，超過4.5時，靈敏度降低，因而優(yōu)選4.5以下。
從Bi/B原子比考慮，Bi變多時，有靈敏度上升、保存特性惡化的傾向，因而不優(yōu)選Bi過多的組成。即使是相同Bi/B原子比，也可以通過增加氧量來提高保存特性。即，O/B原子比大時，有保存特性變好的傾向。再者，氧量過多時，靈敏度降低，但可以通過增加Bi量來提高靈敏度。
另外，以原子比計Bi/B＝z時，優(yōu)選0.8×(z+1)×1.5＜O/B＜1.1×(z+1)×1.5的關(guān)系成立的情況。作為實例，表3示出了盤1～盤5的試料的各種特性。
表3

如果是理想狀態(tài)，由于Bi、B、Bi2O3、B2O3的狀態(tài)是穩(wěn)定的，因而O＝(Bi+B)×1.5成立。即，O/B＝((Bi/B)+1)×1.5。但是，實際的膜的組成依賴于靶的狀態(tài)、各元素濺射的容易性、制膜時的電功率、氬流量等的條件。靶的組成和制成的膜的組成不同的情況也多，也需要考慮其組成的偏離。表4示出各種各樣的Bi-B-O靶的組成和用該靶制膜的Bi-B-O膜的組成。
表4

這樣，必須考慮由于制膜時的條件的不同而造成的組成的偏離，對于各種Bi/B原子比的組成進行研究的結(jié)果可知考慮與O/B原子比的理想狀態(tài)的組成偏離等時，上述式子的關(guān)系成立的情況是最優(yōu)選的。該結(jié)果示于表3。由盤1～盤5的Bi/B原子比的測定值求出理想的O/B原子比的值、即O/B＝((Bi/B)+1)×1.5時，為表中的值。該值與作為測定值的O/B原子比的值相比，試著考慮值的偏差時，可知位于從理想原子比O/B×0.8到理想原子比O/B×1.1之間。因此，優(yōu)選該關(guān)系成立的組成范圍。從盤1到盤5，特性良好。符合上述式的范圍的為盤1到盤4。從盤1到5所有的盤中的抖晃值取4～6范圍的值，顯示出良好的特性。最適記錄功率高時，表示靈敏度差；低時，表示靈敏度好，盤5的靈敏度變得最高。保存穩(wěn)定性高的順序用位次標出時，如表3所示。再者，判斷再現(xiàn)光惡化耐性時，盤5變得最差。綜合判斷這些情況時，可知從盤1到4的范圍最優(yōu)選。與后述的實施例13～20同樣地制作盤1～盤5。
按照本發(fā)明16，通過使記錄層中的O和B的原子比為2.2≤O/B≤13，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明17涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，在構(gòu)成記錄層的元素總量中O所占的比率以原子比計在50％～67％的范圍。氧優(yōu)選稍微少的50％～60％的范圍。根據(jù)實施例26所示情況可知該范圍。在氧量少的范圍內(nèi)，特別是不足60％時，認為記錄層成為氧欠缺狀態(tài)，但由于在氧欠缺狀態(tài)下，容易引起相分離，因而記錄靈敏度得以提高。再者，氧變得過少時，記錄層的導(dǎo)熱率降低，熱容易擴散，因而難以形成小的記錄標記，對高密度記錄不利。再者，氧欠缺時，Bi容易以金屬的狀態(tài)存在，因此與氧化物相比，變得不穩(wěn)定。因此，保存穩(wěn)定性有變差的傾向。認為在50％～60％的范圍內(nèi)基本上沒有問題。氧量增加時，保存特性良好，但靈敏度惡化，難以進行良好的記錄，即，從靈敏度方面來看，優(yōu)選氧量小于67％的范圍。
按照本發(fā)明17，通過將構(gòu)成記錄層的元素總量中O所占的比率最優(yōu)化，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明18涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其具有鄰接于記錄層的兩表面的保護層。由于記錄層是氧化物，因此氧產(chǎn)生出入時，對特性有影響。為了抑制氧的出入，可以通過在記錄層的兩表面上設(shè)置保護層來提高保存穩(wěn)定性。作為保護層，通常優(yōu)選在記錄時不會由于來自記錄層的熱而引起分解、升華、空穴化等的材料，例如可以使用Al2O3、MgO、ZrO2、SiO2、SnO2、ZnO、Sm2O3等單純氧化物系的氧化物、以及將它們進行了組合的復(fù)合氧化物、或者氮化硅、氮化鋁、B、Ti等的氮化物等、SiC、B4C、TiC、WC等碳化物系的非氧化物、LaB6、TiB2、ZrB2等硼化物、ZnS、CdS、MoS2等硫化物、MoSi2等硅化物、無定形碳、石墨、金剛石等。另外，也可以使用有機物。
例如，從對記錄再現(xiàn)光的透明性或生產(chǎn)性的觀點看，可以舉出以SiO2或ZnS-SiO2為主體(主要成分)的材料作為優(yōu)選的例子。再者，為了得到充分的隔熱效果，還優(yōu)選以ZrO2為主體(主要成分)的材料。再者，由于穩(wěn)定性高，還優(yōu)選氮化硅、氮化鋁、氧化鋁等。另外，還優(yōu)選選自包含ZnS、ZrO2、Y2O3、SiO2的氧化物、或ZrO2、TiO2、SiO2以及由X組成、X是選自Y2O3、CeO、Al2O3、MgO、Nb2O5、稀土類氧化物中的至少一種氧化物。這里，所謂主要成分表示以摩爾比計約90％以上。例如ZnS-SiO2通過添加碳、透明導(dǎo)電性材料等，由于帶來導(dǎo)電性，可以在直流濺射下制膜。再者，為了調(diào)整導(dǎo)熱率，還可以是添加ZnO、GeO等或混合氧化物和氮化物等的方法。
作為優(yōu)選的層構(gòu)成，從基板側(cè)通過基板照射光的所謂HD DVD這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，可以舉出在基板上以保護層(作為第一保護層)、記錄層、保護層(作為第二保護層)、反射層的順序形成的層構(gòu)成。再者，在藍光光盤這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選基板、反射層、保護層(第二保護層)、記錄層、保護層(第一保護層)、覆蓋層這樣的層構(gòu)成。另外，使用鄰近場光進行記錄時，優(yōu)選在入射光一側(cè)的最表面上設(shè)置氮化硅、金剛石型碳等較硬的、折射率高的層。優(yōu)選基板、反射層、保護層(第二保護層)、記錄層、保護層(第一保護層)這樣的層構(gòu)成，優(yōu)選在最表面上設(shè)置潤滑層。
按照本發(fā)明18，通過使用具有鄰接于記錄層的兩表面的保護層的結(jié)構(gòu)，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明19涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，保護層以ZnS-SiO2或氮化硅或氧化鋁為主要成分。通過在保護層中使用ZnS-SiO2或氮化硅或氧化鋁，防止氧、水分等的出入的效果好，對提高保存穩(wěn)定性的效果大。再者，ZnS-SiO2的ZnS和SiO2為80∶20摩爾％的比率，膜的應(yīng)力幾乎為零，因此是優(yōu)選的。特別是如BD-R等僅在基板的一面上制膜的這種層結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)由于膜的應(yīng)力大時，基板發(fā)生彎曲，因此不優(yōu)選。另外，在貼合方式的HD-R這樣的光記錄介質(zhì)中，應(yīng)力小，難以引起膜剝離等，保存特性優(yōu)異，因此是優(yōu)選的。
按照本發(fā)明19，保護層以ZnS-SiO2或氮化硅或氧化鋁為主要成分，由此，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明20涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其在基板上至少依次疊層第一保護層、記錄層、第二保護層、反射層，并且第一保護層包含氧化鋁，第二保護層包含ZnS-SiO2。第一保護層擔負著由通過基板進出的氧、水分保護記錄層的作用。通過用第一保護層和第二保護層夾住記錄層，可以提高保存穩(wěn)定性。為了同時具有記錄特性、保存穩(wěn)定性，在記錄層的基板側(cè)設(shè)置使用了氧化鋁的保護層，在相反一側(cè)設(shè)置包含ZnS-SiO2的保護層，由于可以采取光學(xué)的、熱的最適宜的條件，因此得到良好的特性。
按照本發(fā)明20，通過形成在基板上至少依次疊層第一保護層、記錄層、第二保護層、反射層，并且第一保護層包含氧化鋁，第二保護層包含ZnS-SiO2的層構(gòu)成，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明21涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其在基板上至少依次疊層反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層、覆蓋層，并且第二保護層包含氮化硅，第一保護層包含ZnS-SiO2。通過在記錄層的反射層側(cè)設(shè)置氮化鋁作為保護層、在相反一側(cè)設(shè)置ZnS-SiO2作為保護層，可以實現(xiàn)顯示出良好的記錄特性、保存穩(wěn)定性的追記型光記錄介質(zhì)。氮化硅可以防止氧、水分，同時由于導(dǎo)熱率比較大，記錄層在記錄時產(chǎn)生的熱可以迅速擴散至反射層，具有防止熱停留在記錄層上并擴散，從而對形成小的記錄標記產(chǎn)生阻礙的作用。再者，ZnS-SiO2在防止氧、水分出入的同時，擔負著防止向覆蓋層一側(cè)的變形的作用。導(dǎo)熱率過高時，記錄不充分，故優(yōu)選導(dǎo)熱率較低的ZnS-SiO2。
作為基板的原材料，只要是具有優(yōu)異的熱、機械特性，并且從基板側(cè)(通過基板)進行記錄再現(xiàn)時光透過特性也優(yōu)異的材料即可，沒有特別限制。
作為具體例，可以舉出聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、非結(jié)晶的聚烯烴、纖維素乙酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等，優(yōu)選聚碳酸酯和非結(jié)晶的聚烯烴?；宓暮穸雀鶕?jù)用途而不同，沒有特別限制。
作為反射層的材料，可以使用在再現(xiàn)光的波長下反射率充分高的材料，例如，可以單獨或以合金狀態(tài)使用Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd等金屬。其中，Au、Al、Ag的反射率高，適合作為反射層的材料。另外，還可以以上述金屬為主要成分并含有其它元素，作為其它元素，可以舉出Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬及準金屬。其中，從成本低、容易出現(xiàn)高反射率的觀點看，特別優(yōu)選以Ag為主要成分的物質(zhì)。用除金屬以外的材料交互疊合低折射率層和高折射率層，形成多層膜，也可以用作反射層。作為形成反射層的方法，可以舉出，例如，濺射法、離子鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。反射層的優(yōu)選厚度為20～300nm。
另外，為了提高反射率、改善記錄特性、提高粘合性等，也可以在基板上或反射層下設(shè)置公知的無機類或有機類的上涂層、底涂層或粘接層。
作為在反射層或干涉層上形成的耐環(huán)境保護層的材料，只要是保護反射層或干涉層免受外力影響的材料即可，沒有特別限定。作為有機材料，可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子射線固化性樹脂、UV固化性樹脂等。再者，作為無機材料，可以舉出SiO2、SiN4、MgF2、SnO2等。通過熱塑性樹脂、熱固性樹脂涂布溶解于適當溶劑中的涂布液并進行干燥而形成。通過直接涂布UV固化性樹脂或涂布將UV固化性樹脂溶解于適當溶劑中的涂布液，并照射UV光使之固化而形成。作為UV固化性樹脂，例如，可以使用聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯類樹脂。這些材料可以單獨使用也可以混合使用，不僅可以使用一層膜也可以使用多層膜。作為形成方法，與記錄層同樣地，可以使用旋涂法或流延法等涂布法、濺射法、化學(xué)蒸鍍法等，其中，優(yōu)選旋涂法。厚度通常為0.1～100μm的范圍，但在本發(fā)明中，優(yōu)選3～30μm。
另外，在反射層或干涉層上還可以貼合基板，還可以使反射層或干涉層面作為內(nèi)面彼此相對地貼合兩張光學(xué)記錄介質(zhì)。為了保護表面或防止附著灰塵等，還可以在基板鏡面?zhèn)瘸赡ぷ贤饩€固化樹脂層或無機類層等。
為了謀求高密度化，在使用高NA的鏡頭時，覆蓋層是必要的。例如，在進行高NA化時，有必要使再現(xiàn)光透過的部分的厚度變薄。這是因為，隨著高N A化，利用盤面相對于光拾取器的光軸從垂直方向偏離的角度(所謂的傾斜角，與光源的波長的倒數(shù)和物鏡的開口數(shù)的積的平方成比例)產(chǎn)生的象差的允許量變小，該傾斜角易受到由基板的厚度造成的象差的影響。因此，需要使基板的厚度減薄從而盡可能減少象差對傾斜角的影響。
因此，提出了如下的光記錄介質(zhì)，例如，在基板上形成凹凸制成記錄層，并在其上設(shè)置反射層，進一步在其上設(shè)置作為透過光的層的光透過性覆蓋層，從覆蓋層一側(cè)照射再現(xiàn)光，從而再現(xiàn)記錄層的信息這樣的光記錄介質(zhì)；或者在基板上設(shè)置反射層，并在在其上設(shè)置記錄層，進一步在其上設(shè)置具有光透過性的覆蓋層，從覆蓋層一側(cè)照射再現(xiàn)光，從而再現(xiàn)記錄層的信息這樣的光記錄介質(zhì)。
如果這樣進行制作，通過將覆蓋層薄型化，則可以應(yīng)對物鏡的高NA化。即，通過設(shè)置薄的覆蓋層，并從該覆蓋層一側(cè)進行記錄再現(xiàn)，可以謀求進一步的高記錄密度化。
另外，這樣的覆蓋層通常由聚碳酸酯片或紫外線固化型樹脂形成。另外，本發(fā)明中所說的覆蓋層也包括用于粘接覆蓋層的層。
按照本發(fā)明21，通過制成在基板上至少依次疊層反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層、覆蓋層，并且第二保護層包含氮化硅，第一保護層包含ZnS-SiO2的層結(jié)構(gòu)，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明22涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，反射層包含鋁合金。特別是，制成反射層和ZnS-SiO2層鄰接的層結(jié)構(gòu)時，為了防止反射層的惡化，優(yōu)選鋁合金。作為反射層，通常大多優(yōu)選Ag或Ag合金，Al合金雖然比Ag等差，但導(dǎo)熱率高、反射率也高，因而顯示出良好的特性。Ag由于導(dǎo)熱率過高，因而靈敏度有變差的傾向，另外，由于反射率也有變得過高的傾向，因而優(yōu)選鋁合金。例如在覆蓋層/ZnS-SiO2(10nm)/Bi-B-O(16nm)/SiN(12nm)/反射層(35nm)/聚碳酸酯基板這樣的層結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)中，反射層為Ag-In合金時，抖晃值為5.8％，而使用Al-Ti合金時，為5.2％，鋁合金的靈敏度高，記錄特性也好，故優(yōu)選。
按照本發(fā)明22，通過限定反射層材料，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明23涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其在基板上至少依次疊層第一保護層、記錄層、第二保護層、反射層，并且第一保護層的厚度為10～80nm，記錄層的厚度為6～30nm，第二保護層的厚度為8～35nm，反射層的厚度為20～100nm的范圍。第一保護層的厚度不為10nm以上時，水分、氧穿過基板而在記錄層中進出，導(dǎo)致保存特性的惡化。另外，厚度厚的雖然靈敏度提高，但超過80nm時，放熱變差，記錄標記擴大，因此記錄特性惡化。對于記錄層，比6nm薄時，靈敏度變差，PRSNR等記錄特性也惡化。比30nm厚時，反射率變低。靈敏度變好，但記錄特性惡化。第二保護層比8nm薄時，由于反射層變近，因而放熱太好，靈敏度惡化。在比35nm厚的區(qū)域，放熱變差，記錄標記擴大。反射層比20nm薄時，反射率變低，尋軌等變得不穩(wěn)定。比100nm厚時，靈敏度變差，記錄特性惡化。
本發(fā)明24涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其在基板上至少依次疊層反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層、覆蓋層，并且第一保護層的厚度為7～30nm，記錄層的厚度為6～30nm，第二保護層的厚度為5～30nm，反射層的厚度為30～80nm的范圍。第一保護層的厚度比7nm薄時，可知保存特性惡化。比30nm厚時，放熱變差，標記容易擴大，記錄特性惡化。記錄層比6nm薄時，靈敏度變差，PRSNR等記錄特性也惡化。比30nm厚時，反射率變低。靈敏度變好，但記錄特性惡化。第二保護層比5nm薄時，反射層變近，因而放熱太好，靈敏度惡化。在比30nm厚的區(qū)域，放熱變差，記錄標記擴大。反射層比30nm薄時，放熱效果變得不充分，抖晃值上升，記錄特性惡化。比80nm厚時，靈敏度變差，記錄特性惡化。
按照本發(fā)明23和24，通過將各層的厚度最優(yōu)化，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明25涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，含有Bi、B、O的記錄層含有氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的氧化物。所謂化學(xué)計量，是表示在化學(xué)世界中使用的化學(xué)反應(yīng)中的元素的量的關(guān)系的理論的值，這里，化學(xué)計量組成定義如下，是各構(gòu)成元素構(gòu)成的穩(wěn)定的化合物可以形成的化合物的元素的組成。例如，這里，將Bi2O3、B2O3、Bi4B2O9等在常溫、常壓下穩(wěn)定存在的化合物所具有的組成稱為化學(xué)計量組成。所謂氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)是在制成BiOx的化合物時，x＜1.5的情況，即BiO1.48等。如果是沒有氧欠缺的情況，則成為BiO1.5。BO1.45、Bi4B2O8.9等也同樣為氧欠缺。換言之，如果是Bi以三價的狀態(tài)存在，可以判斷為不是氧欠缺，包括一價、兩價的狀態(tài)時，可以稱為氧欠缺狀態(tài)。其它元素也是同樣的。不是這些的混合物或氧化物的單質(zhì)元素的狀態(tài)和氧化物混合的狀態(tài)也是本發(fā)明所包含的狀態(tài)。存在氧欠缺狀態(tài)的氧化物時，該氧化物從外部吸取氧，發(fā)生相分離，變化成穩(wěn)定的狀態(tài)。存在BiO1.45時，分離為Bi2O3和Bi的兩相是穩(wěn)定的。在記錄層被保護層夾住等與外部隔斷的狀態(tài)下，照射記錄光溫度上升時，氧欠缺狀態(tài)的記錄層發(fā)生相分離，Bi金屬析出或凝聚，形成記錄標記。在沒有氧欠缺的狀態(tài)或氧過剩的狀態(tài)下，難以引起相分離，靈敏度變差等，難以形成良好的記錄。這樣，含有氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)下的氧化物時，效果好。作為構(gòu)成記錄層的狀態(tài)，優(yōu)選采取只包含氧欠缺狀態(tài)的氧化物的狀態(tài)、該氧欠缺狀態(tài)的氧化物和不是氧欠缺狀態(tài)的氧化物混合的狀態(tài)、以及氧欠缺狀態(tài)的氧化物和單質(zhì)元素的混合狀態(tài)、氧欠缺狀態(tài)的氧化物和不是氧欠缺狀態(tài)的氧化物和單質(zhì)元素的混合狀態(tài)中的任一種狀態(tài)。
按照本發(fā)明25，通過使含有Bi、B、O的記錄層含有氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的氧化物，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明26涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，含有Bi、B、O的記錄層含有氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的Bi氧化物。由于Bi容易被還原，因而Bi容易產(chǎn)生相分離，對形成記錄標記是優(yōu)選的。氧欠缺狀態(tài)的Bi氧化物的比率，在存在的Bi中，優(yōu)選50～80％，但即使是100％也是有效果的。氧欠缺狀態(tài)的判斷可以利用基于X射線光電分光分析(XPS)的測定，通過測定Bi4f的能量區(qū)域附近來進行判斷。例如，認為Bi的三價狀態(tài)的元素成為Bi2O3，可以說是沒有氧欠缺的狀態(tài)。認為Bi為二價的情況是以存在本發(fā)明的氧欠缺的狀態(tài)存在的，另外，還可測量Bi為金屬的狀態(tài)。在本發(fā)明中，如果只存在Bi為單質(zhì)元素的狀態(tài)、和Bi2O3那樣的不是氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的2種Bi氧化物的狀態(tài)時，也具有同樣的效果，所以也包含在本發(fā)明中。
按照本發(fā)明26，通過使含有Bi、B、O的記錄層含有氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的Bi氧化物，可提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明27涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，通過光照射記錄的記錄標記含有不是氧化物的單質(zhì)元素。詳細情況雖然還不明確，但是認為記錄標記的形成原理如下?？梢哉J為含有Bi、B、O元素的記錄層，在未記錄狀態(tài)是全部以氧化物存在的狀態(tài)、除氧之外的各個元素的單質(zhì)狀態(tài)與氧化物的狀態(tài)混合存在的狀態(tài)的任何一個狀態(tài)。處于這種狀態(tài)時，記錄時一旦照射光，記錄層的溫度上升，構(gòu)成記錄層的膜的穩(wěn)定性減少。此時，由于沒有氧欠缺的氧化物的狀態(tài)的穩(wěn)定性高，因此不能良好地記錄。但是，未記錄狀態(tài)以氧欠缺的狀態(tài)存在時，通過照射記錄光，向穩(wěn)定狀態(tài)變化。通過從氧欠缺的狀態(tài)向沒有氧欠缺的氧化物與單質(zhì)元素的混合狀態(tài)變化，容易形成記錄標記。該記錄標記通過單質(zhì)元素析出，與未記錄部分的光學(xué)特性的差變大，從而可以使反射率的差增大。因此，再現(xiàn)信號振幅變大，顯示出更加良好的特性。另外，在未記錄狀態(tài)存在單質(zhì)元素和氧化物的情況下，照射記錄光而使記錄膜的溫度上升時，氧化物分離出氧，可以變成單質(zhì)元素的形態(tài)。在照射了記錄光的部分，氧化物減少，單質(zhì)元素增加，或者，成為氧化物和單質(zhì)元素分別凝聚的形態(tài)，從而實現(xiàn)相分離的狀態(tài)。極微小的單質(zhì)元素混合在氧化物中的狀態(tài)通過照射記錄光，單質(zhì)元素成長，從而可以成為單質(zhì)元素凝聚分布于氧化物之中的狀態(tài)。這就成為記錄標記。該記錄標記通過單質(zhì)元素大量析出，與未記錄部分的光學(xué)特性的差變大，從而可以加大反射率之差。因此，再現(xiàn)信號振幅變大，顯示更加良好的特性。特別是，Bi的氧化物有時容易分離出氧，是優(yōu)選的。在未記錄的狀態(tài)下，Bi氧化物以氧欠缺的狀態(tài)存在，照射記錄光時，Bi的單質(zhì)元素產(chǎn)生相分離并存在于記錄標記中而形成記錄標記，是優(yōu)選的。而且，在未記錄狀態(tài)下，極微小的Bi以單質(zhì)存在并混合在氧化物中的狀態(tài)以Bi成長析出的方式形成記錄標記，也是優(yōu)選的。還優(yōu)選其他的氧化物析出，并以混合的狀態(tài)形成記錄標記。
按照本發(fā)明27，通過使采用光照射而被記錄的記錄標記含有不是氧化物的單質(zhì)元素，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明28涉及一種追記型光記錄介質(zhì)，其中，通過光照射而被記錄的記錄標記不顯示明確的結(jié)晶性。光記錄的記錄雖然大多依賴于變形、結(jié)晶結(jié)構(gòu)變化等的光學(xué)特性的變化，但是本發(fā)明的特征是，記錄標記不顯示明確的結(jié)晶性，與未記錄狀態(tài)一樣，在進行X射線衍射時，是非晶性的。用X射線衍射進行記錄標記的結(jié)晶構(gòu)造的測定時，沒有測出結(jié)晶峰，是非晶性的。至于其原因，雖然不能推測，但認為是由于不顯示明確的結(jié)晶性，因而可抑制記錄標記的部分變形，從而顯示良好的特性。
按照本發(fā)明28，通過使采用光照射而被記錄的記錄標記不顯示明確的結(jié)晶性，可以提供記錄特性、保存穩(wěn)定性優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
如上所述，按照本發(fā)明15～28，可以提供具有優(yōu)良的記錄特性、保存特性的追記型光記錄介質(zhì)，特別是，可以提供符合HD、DVD-R標準或者BD-R標準的優(yōu)異的追記型光記錄介質(zhì)。
實施例下面，通過實施例和比較例更加具體地說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不局限于這些實施例。
(實施例1、2)按照Bi與B的原子比為2∶1的方式，在沒有水分吸附的狀態(tài)下，稱量Bi2O3和B2O3的粉末，用球磨機干式混合1小時后，在420℃下煅燒1小時(實施例1)。再者，另外，一邊用球磨機干式混合1小時一邊在420℃下煅燒1小時(實施例2)。然后，在100～200MPa下加壓成型，在大氣中于600℃下煅燒5小時，制作濺射靶。
靶為直徑200mmφ、厚度6mm的圓盤狀。通過金屬焊接將這些靶粘接到無氧銅制的背板上，得到濺射靶1、2。這些靶的填充密度分別為98％、96％。
(實施例3、4)使用在實施例1、2中制作的濺射靶1、2，制作實施例3、4的追記型光記錄介質(zhì)。
在具有引導(dǎo)槽(槽深度21nm、槽寬0.16μm、軌道間距0.32μm)的厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板(制品名ST3000，帝人バイエルポリテツク公司制造)上，用濺射法依次設(shè)置厚度35nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)膜、厚度20nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)膜、厚度15nm的包含Bi和B和氧的膜(Bi-B-O膜)，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制成光透過層，厚度約1.2mm，制成本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)(對應(yīng)于所謂的藍光射線標準的追記型光記錄介質(zhì))。
對于這些追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)(株)制造的光盤評價裝置DDU-1000(波長405nm、NA0.85)，從光透過層側(cè)進行記錄再現(xiàn)，測量此時的抖晃，實施例3為5.8％、實施例4為5.9％，顯示出良好的值。記錄條如下，再現(xiàn)功率為0.2mW。
調(diào)制方式1-7調(diào)制記錄線密度最短標記長2T＝0.149(μm)記錄線密度4.9(m/s)波形均衡極限均衡器記錄功率6.1mW實施例5將Bi和B的粉末按照原子比2∶1的方式用球磨機濕式混合1小時，然后，一邊在100～200MPa下加壓成型，一邊在大氣中于250℃下煅燒8小時，進行熱壓來制作濺射靶。
靶為直徑200mmφ、厚度6mm的圓盤狀。通過金屬焊接將這些靶粘接在無氧銅制的背板上，得到濺射靶3。這些靶的填充密度為96％。
實施例6使用在實施例5中制作的濺射靶3，除了在氬和氧的混合氣體中(Ar∶氧＝40∶6，容積比)中制作Bi-B-O膜這一點以外，與實施例3同樣地制作追記型光記錄介質(zhì)，測量抖晃時顯示為4.8％，得到良好的特性。
實施例7除了改變Bi2O3和B2O3的Bi∶B的原子比這一點以外，與實施例1同樣地制作濺射靶4～10。除了使用這些靶來制作記錄層這一點以外，與實施例3同樣地制作追記型光記錄介質(zhì)，進行記錄再現(xiàn)，測定抖晃的結(jié)果示于圖1。另外，圖1的各點的Bi/B原子比和抖晃(％)如表5所示。
表5

由圖1可知在0.6≤Bi/B≤7.0的范圍得到良好的抖晃。
實施例8除了改變煅燒條件這一點之外，與實施例1同樣地制作濺射靶時的填充密度、能否制作、以及制膜速度[采用在光記錄介質(zhì)的生產(chǎn)中使用的Unaxis公司制造的濺射裝置(DVD sprinter)制膜]示于表6。
由表6可知，在填充密度為50％以下時，發(fā)脆、不能制成靶。另外，在64％時，雖然有可能制成靶，但是制膜速度不充足。如果在制膜時增大施加的電功率，雖然會提高制膜速度，但是會損傷靶，且不能得到充分的制膜速度。相對于此，在72％以上時就可以得到充分的制膜速度。
表6

實施例9按照Bi與B的原子比為3∶1的方式，稱量Bi2O3和B的粉末，用球磨機濕式混合1小時。然后一邊在100～200MPa下加壓成型，一邊在大氣中于420℃煅燒8小時，再通過進行熱壓來制作濺射靶。靶的大小為直徑200mmφ、厚度6mm的圓盤狀。利用金屬焊接將這些靶粘接在無氧銅制的背板上，得到濺射靶11。該靶的填充密度為98％。在本實施例中，相當于氧比化學(xué)計量組成少的情況。
實施例10使用在實施例9中制作的濺射靶11，除了在氬和氧的混合氣體中(Ar∶氧＝20∶1，容積比)制作Bi-B-O膜這一點以外，與實施例3同樣地制作追記型光記錄介質(zhì)，測定抖晃時顯示為5.1％，得到良好的特性。
實施例11除了增加將Bi2O3和B2O3的粉末在150℃進行24小時真空干燥、除去水分的工序作為稱量的前工序這一點以外，以與實施例1同樣的工序來制作濺射靶12。真空干燥時的真空度為通常的用回轉(zhuǎn)泵進行抽真空時的10Pa～1000Pa左右。該靶的填充密度為99％。
使用上述濺射靶12，與實施例3同樣地制作追記型光記錄介質(zhì)，進行記錄再現(xiàn)時，抖晃為5.3％。
實施例12測定在實施例11中制作的濺射靶12的X射線衍射圖形。測定條件如表7所示。測定結(jié)果示于圖2。
為了鑒定該測定所得到的衍射峰的位置，進行檢索，進行與已有物質(zhì)的對照。圖2的上段是靶的衍射圖形，下段是用已知的數(shù)據(jù)表示出Bi4B2O9的衍射峰出現(xiàn)的位置。在X射線衍射中，根據(jù)過去所測量的數(shù)據(jù)等，將已知物質(zhì)的衍射線在哪兒出現(xiàn)是多大程度的強度數(shù)據(jù)庫化，通過與該數(shù)據(jù)比較可鑒定測定物質(zhì)。將示于下段的Bi4B2O9數(shù)據(jù)與示于上段的測定數(shù)據(jù)進行比較并進行檢索的結(jié)果，幾乎所有的峰都是Bi4B2O9的峰，可以確認該濺射靶主要由Bi4B2O9化合物組成。
即，圖2所示的X射線衍射的結(jié)果，檢測出明確的峰，由于該峰與Bi4B2O9的結(jié)晶性的物質(zhì)存在時的計算上的峰位置一致，因此可以確認存在Bi4B2O9的結(jié)晶。由此，可舉出優(yōu)選靶是結(jié)晶性的情況。
表7

比較列1以70∶30(摩爾比)混合Bi2O3和MoO3并進行燒結(jié)，制作直徑76.2mmφ、厚度4mm的濺射靶，進行制膜。BiMoO是以Bi、Mo和氧為主要成分。調(diào)查此時的施加電功率和靶的強度，其結(jié)果示于表8。將可以正常制膜的情況作為○、將靶破損的情況作為×。為了比較，對于以2∶1混合Bi2O3和B2O3并進行燒結(jié)的情況也進行了記載。
表8

實施例13～22在具有引導(dǎo)槽(槽深度21nm，軌道間距0.32μm)的厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板(制品名ST3000，帝人バイエルポリテツク公司制造)上，用濺射法依次設(shè)置厚度35nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、厚度10nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層、厚度16nm的包含Bi和B和氧的層(Bi-B-O層)、10nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制成光透過層，厚度約為1.2mm，制成本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)(對應(yīng)于所謂的藍光光盤標準的追記型光記錄介質(zhì))。
對于表9、表10中的從實施例13～22的追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)(株)制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.85)，在與追記型藍光光盤標準(BD-R Version1.1)匹配的條件進行記錄，評價抖晃值。
表9

表10

圖3示出了實施例13～17和實施例21的結(jié)果。示出了在溫度80℃、濕度85％的環(huán)境下進行100小時保存試驗后的抖晃值和保存試驗前后的抖晃值的惡化量。Bi/B原子比＝9時，抖晃值急劇變差。附帶說一下，規(guī)定BD-R的抖晃的標準值為6.5％以下。Bi/B原子比＝8時，抖晃的惡化量小，顯示出良好的保存特性。O/B原子比為12.7時，表示良好的抖晃，但在14.2時，急劇惡化。
圖4示出了實施例18～20和實施例22的結(jié)果。在實施例22所示的Bi/B原子比或O/B原子比時，抖晃的值急劇變差。在Bi/B原子比小的組成中，保存前后的差變小。
另外，Bi/B原子比小于0.8時，由于靈敏度有變得較差的傾向，因而Bi/B原子比優(yōu)選0.8以上。
(實施例23)在具有引導(dǎo)槽(槽深度26nm，軌道間距0.4μm)的聚碳酸酯基板上，使用濺射法依次設(shè)置厚度15nm的ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)、作為記錄層的厚度15nm的Bi-B-O層、厚度20nm的ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)。Bi-B-O層使用Bi/B原子比為7.9、O/B原子比為13.2的物質(zhì)。接著，使用濺射法設(shè)置厚度40nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層，再采用旋涂法在其上設(shè)置包括紫外線固化型樹脂(サンノプコ株式會社制造ノプコキユア134)的厚度約5μm的有機保護層，再用紫外線固化型樹脂與0.6mm厚的假基板(ダミ一基板)貼合，得到追記型光記錄介質(zhì)。對該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)公司制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.65)，在符合HD DVD-R標準(DVD Specifications for High DensityRecordable Disc(HD DVD-R)Version 1.0)的條件下進行記錄，測定PRSNR，得到22.0(標準值15以上)這樣的良好的值。另外，在溫度80℃、濕度85％下進行300小時的保存試驗后的PRSNR為16.0，顯示出良好的特性。
(實施例24)在具有引導(dǎo)槽(槽深度26nm、軌道間距0.4μm)的聚碳酸酯基板上，使用濺射法依次設(shè)置厚度15nm的氧化鋁(Al2O3)層、作為記錄層的厚度15nm的Bi-B-O層、厚度20nm的ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)。Bi-B-O層使用Bi/B原子比為1.75、O/B原子比為4.5的物質(zhì)。
接著，用濺射法設(shè)置厚度40nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、再用旋涂法在其上設(shè)置包括紫外線固化型樹脂(サンノプコ株式會社制ノプコキユア134)的厚度約5μm的有機保護層，再用紫外線固化型樹脂與0.6mm厚的假基板和貼合，得到追記型光記錄介質(zhì)。對該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)公司制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.65)，在符合HD DVD-R標準(DVD Specifications for High Density RecordableDisc(HD DVD-R)Version 1.0)的條件下進行記錄，測定PRSNR，得到29.0(標準值15以上)這樣的良好值。另外，在溫度80℃、濕度85％下進行300小時的保存試驗后的PRSNR為23.0，顯示出良好的特性。將氧化鋁層換成ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)時，PRSNR的值為24.0，保存試驗后為19.0，可知使用了氧化鋁層時的PRSNR的值更高。
(實施例25)在具有引導(dǎo)槽(槽深度21nm，軌道間距0.32μm)的厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板(制品名ST3000，帝人バイエルポリテツク公司制造)上，使用濺射法依次設(shè)置作為反射層的厚度35nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、作為第二保護層的厚度10nm的氮化硅層、厚度16nm的包含Bi和B和氧的層(Bi-B-O層)、厚度12nm的ZnS-SiO2層(80∶20摩爾％)，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm的聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制作光透過層，得到厚度約為1.2mm的本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)(對應(yīng)于所謂的藍光(ブル一ルイ)光盤標準的追記型光記錄介質(zhì))。Bi-B-O層使用Bi/B原子比為1.75、O/B原子比為4.5的物質(zhì)。對于該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)(株)制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.85)，在符合藍光光盤標準(BD-R Version 1.1)的條件下進行記錄，測定抖晃的值。保存試驗前的抖晃值為5.1％。在溫度80℃、濕度85％下進行300小時的保存試驗后的抖晃為6.1％?？芍玫搅己玫奶匦浴Ａ硗?，如圖5所示，可知保存后的再現(xiàn)信號是，使用了氮化硅的盤噪音小，明確了優(yōu)選使用氮化硅作為第二保護層。
(實施例26)是相對于權(quán)利要求17的實施例。在具有引導(dǎo)槽(槽深度21nm，軌道間距0.32μm)的厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板(制品名ST3000，帝人バイエルポリテツク公司制造)上，使用濺射法依次設(shè)置作為反射層的厚度35nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、作為第二保護層的厚度10nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層、厚度16nm的包括Bi和B和氧的層(Bi-B-O層)、厚度10nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm的聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制成光透過層，得到厚度約1.2mm的本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)(對應(yīng)于所謂的藍光光盤標準的追記型光記錄介質(zhì))。對于該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)(株)制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.85)，在符合追記型藍光光盤標準(BD-R Version 1.1)的條件下進行記錄，評價記錄特性。圖6示出了Bi-B-O層的氧量和最適記錄功率的關(guān)系。氧量為該范圍時，最適記錄功率屬于標準值，顯示良好的值，氧量為60原子％以下的范圍時，顯示特別良好的值。另外，圖7示出了調(diào)查在保存前后抖晃值變差多少的結(jié)果。示出了保存前后的抖晃值的變化量占保存前的抖晃值的多大比率。使用300小時保存試驗后的值?？芍趿繛?0％以上時，抖晃值的惡化量比較小，是優(yōu)選的。另外可知氧量55％以上時，抖晃值的惡化量幾乎沒有變化，是更優(yōu)選的。
另外，依次設(shè)置作為反射層的厚度35nm的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、作為第二保護層的厚度25nm的ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層、厚度16nm的包括Bi和B和氧的層(氧68原子％的Bi-B-O層)，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm的聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制成光透過層，除此以外，對與上述同樣的追記型光記錄介質(zhì)進行同樣的記錄。可知在5.6mW的記錄功率下得到5.8％的抖晃，但使記錄線速為2倍時(2X記錄)，抖晃值為6.5％以下，記錄光僅為7.2mW時，靈敏度差，為標準以外的值。
(實施例27)在具有引導(dǎo)槽(槽深度26nm，軌道間距0.4μm)的聚碳酸酯基板上，使用濺射法依次設(shè)置第一保護層ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)、作為記錄層的Bi-B-O層、第二保護層ZnS-SiO2層(ZnS∶SiO2＝80∶20摩爾％)、反射層Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層。Bi-B-O層使用Bi27.0-B13.1-O59.9的組成的物質(zhì)。接著，使用旋涂法在其上設(shè)置包含紫外線固化樹脂(サンノプコ株式會社制造ノプコキユア134)的厚度約5μm的有機保護層，再用紫外線固化型樹脂與0.6mm厚的假基板貼合，得到追記型光記錄介質(zhì)。對于該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)公司制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.65)，在符合HD DVD-R標準(DVD Specifications for HighDensity Recordable Disc(HD DVD-R)Version 1.0)的條件下進行記錄。本實施例27是相對于權(quán)利要求23等的實施例。圖8示出了使第一保護層ZnS-SiO2層的厚度發(fā)生變化、記錄層為17nm、第二保護層為20nm、反射層為40nm的光記錄介質(zhì)的PRSNR的值。特別是，在60nm附近顯示出良好的值。圖9示出了第一保護層ZnS-SiO2層為60nm、使記錄層的厚度發(fā)生變化、第二保護層為20nm、反射層為40nm的光記錄介質(zhì)的PRSNR的值。在17nm附近顯示出最高的值。圖10示出了第一保護層ZnS-SiO2層為60nm、記錄層為17nm、使第二保護層的厚度發(fā)生變化、反射層為40nm的光記錄介質(zhì)的PRSNR的值。在20nm附近顯示出最高的值。另外，圖11示出了保存前和保存試驗200小時后的PRSNR的值?？芍鶕?jù)第一保護層的厚度而有所不同。另外可知第一保護層為0nm時，惡化大，但為10、30nm時，惡化受到抑制，具有一定的效果。圖12示出了反射層的厚度和PRSNR的關(guān)系。第一保護層ZnS-SiO2層為60nm、記錄層為17nm、第二保護層為20nm。在40nm附近顯示出良好的特性。
(實施例28)在具有引導(dǎo)槽(槽深度21nm，軌道間距0.32μm)的厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板(制品名ST3000、帝人バイエルポリテツク公司制造)上，使用濺射法依次設(shè)置作為反射層的Al-Ti合金(Ti1.0重量％)層、作為第二保護層的氮化硅層、作為記錄層的包括Bi和B和氧的層(Bi-B-O層)、第一保護層ZnS-SiO2(80∶20摩爾％)層，再在其上使用紫外線固化樹脂(日本化藥DVD003)貼合厚度75μm的聚碳酸酯片(帝人化成ピユアエ一ス)，制成光透過層，得到厚度約1.2mm的本發(fā)明的追記型光記錄介質(zhì)(對應(yīng)于所謂的藍光光盤標準的追記型光記錄介質(zhì))。對于該追記型光記錄介質(zhì)，使用パルステツク工業(yè)(株)制造的光盤評價裝置ODU-1000(波長405nm，NA0.85)，在符合追記型藍光光盤標準(BD-R Version 1.1)的條件下進行記錄，評價記錄特性。實施例28是相對于權(quán)利要求24的實施例。圖13示出了反射層35nm、記錄層16nm、第一保護層10nm、使第二保護層的厚度發(fā)生變化的結(jié)果。在10～12nm附近顯示出最良好的特性。圖14示出了反射層35nm、記錄層16nm、第二保護層12nm、使第一保護層的厚度發(fā)生變化的結(jié)果。在10nm附近的厚度顯示出良好的特性。圖15示出了反射層35nm、第二保護層12nm、第一保護層10nm、使記錄層的厚度發(fā)生變化的結(jié)果。在13～16nm附近的厚度顯示出良好的特性。
權(quán)利要求
1.一種用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，含有Bi和B。
2.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，還含有氧。
3.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，靶是結(jié)晶性的。
4.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，Bi和B的原子比為0.6≤Bi/B≤7.0。
5.權(quán)利要求2所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，含有Bi和B的復(fù)合氧化物。
6.權(quán)利要求5所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，含有Bi4B2O9作為復(fù)合氧化物。
7.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，填充密度為72～100％。
8.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，還含有Li、Al、Fe、Mg、Na、Si中的至少一種元素。
9.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，氧比化學(xué)計量組成少。
10.權(quán)利要求1所述的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶，其中，含有Bi氧化物和B氧化物中的至少一個。
11.一種制造用于制作追記型光記錄介質(zhì)的含有Bi和B的濺射靶的方法，其中，使用燒結(jié)法。
12.權(quán)利要求11所述的濺射靶的制造方法，其中，包括從原料粉末中除去水分的工序。
13.權(quán)利要求11所述的濺射靶的制造方法，其中，煅燒Bi2O3和B2O3的粉末。
14.一種追記型光記錄介質(zhì)，包括含有Bi、B和氧作為主要成分的膜，該膜是使用用于制作追記型光記錄介質(zhì)的含有Bi和B的濺射靶而制成的。
15.一種追記型光記錄介質(zhì)，包括基板；和形成在基板上的記錄層，該記錄層至少含有Bi、B和O作為主要成分，其中，記錄層中的Bi和B的原子比為3/7≤Bi/B≤8。
16.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，記錄層中的O和B的原子比為2.2≤O/B≤13。
17.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成記錄層的元素總量中，O所占的比率以原子比計為50％～67％的范圍。
18.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，具有鄰接于記錄層的兩表面的保護層。
19.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，保護層以ZnS-SiO2或氮化硅或氧化鋁為主要成分。
20.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，基板上至少依次疊層第一保護層、記錄層、第二保護層、和反射層，第一保護層包含氧化鋁、第二保護層包含ZnS-SiO2。
21.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，基板上至少依次疊層反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層、和覆蓋層，第二保護層包含氮化硅、第一保護層包含ZnS-SiO2。
22.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，反射層包含鋁合金。
23.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，基板上至少依次疊層第一保護層、記錄層、第二保護層、和反射層，第一保護層的厚度為10～80nm、記錄層的厚度為6～30nm、第二保護層的厚度為8～35nm、反射層的厚度為20～100nm的范圍。
24.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，基板上至少依次疊層反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層、和覆蓋層，第一保護層的厚度為7～30nm、記錄層的厚度為6～30nm、第二保護層的厚度為5～30nm、反射層的厚度為30～80nm的范圍。
25.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，含有Bi、B、O的記錄層含有處于氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的氧化物。
26.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，含有Bi、B、O的記錄層含有處于氧比化學(xué)計量組成少的氧欠缺狀態(tài)的Bi氧化物。
27.權(quán)利要求15所述的追記型光記錄介質(zhì)，其中，通過光照射而記錄的記錄標記含有不是其氧化物的單質(zhì)元素。
全文摘要
本發(fā)明提供一種以含有Bi和B為特征的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶及其制造方法、使用該濺射靶的追記型高密度光記錄介質(zhì)，以及可以提高制膜速度來提高生產(chǎn)性、制膜時的強度高、并且提高了填充密度的用于制作追記型光記錄介質(zhì)的濺射靶。
文檔編號G11B7/243GK101037766SQ200710085608
公開日2007年9月19日 申請日期2007年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月1日
發(fā)明者林嘉隆, 笹登, 藤井俊茂, 藤原將行, 三浦裕司, 加藤將紀, 木邊剛, 鳴海慎也 申請人:株式會社理光