專利名稱：：磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及到磁記錄介質(zhì)以及4吏用該磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝
背景技術(shù)：
將通常是在磁記錄介質(zhì)面內(nèi)取向的磁記錄層的易磁化軸重新定向，可以使磁性轉(zhuǎn)變區(qū)(即記錄位之間的邊界)附近的退磁場(demagnetizingfield)變得更小。于是，當(dāng)記錄密度增加時靜磁特性是穩(wěn)定的，并且抗熱漲落性增加，所以，垂直磁記錄系統(tǒng)是可以增強(qiáng)表面記錄密度的合適系統(tǒng)。當(dāng)在基底和垂直磁記錄層之間提供由軟磁性材料構(gòu)成的軟磁性襯層時，就成了所謂的垂直雙層介質(zhì)，可以獲得高的記錄性能。在這種情形中，軟磁性襯層具有使來自磁頭的記錄磁場返回的作用，從而增強(qiáng)了記錄和再現(xiàn)效率。通常建議使用諸如CoZrNb、CoTaZr和FeCoB等非晶材料作為形成上述軟磁性襯層的軟磁性材料。例如，可以使用CoZr合金(參見專利文件1)或者FeAlSi、FeTaN(參見專利文件2)。已經(jīng)提出了各種材料用于上述軟磁性襯層之上的襯層。例如，可以使用諸如Ti合金(參見專利文件3)和NiFeCr(參見專利文件4)等hep結(jié)構(gòu)或諸如Ta等非晶結(jié)構(gòu)。如果使用CoZrNb或CoTaZr作為上述軟磁性襯層，那么，在這兩種材料中的CoFe合金中，在高溫和高濕度下會發(fā)生Co或Fe的腐蝕問題。已經(jīng)觀察到，在加入Fe以增加飽和磁通密度(Bs)的CoFe合金中，這個問題更加顯著。如果在襯層中使用無磁性材料，那么，磁頭和軟磁性襯層表面之間的距離會因襯層的厚度而進(jìn)一步增加，軟磁性襯層的厚度不得不增加以便能夠進(jìn)行充分的寫入。通過在襯層中使用具有軟磁特性的材料，軟磁性襯層的作用以及位于襯層上面的中間層的晶體取向都可以得到控制。然而，已經(jīng)觀察到，當(dāng)在襯層中使用Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金材料時，晶體取向根據(jù)軟磁性襯層材料會發(fā)生顯著變化。專利文件l:日本待審專利申請，首次公開No.H6-282834。專利文件2:日本待審專利申請，首次公開No.Hll-149628。專利文件3:日本專利7>開No.2669529。專利文件4:曰本待審專利申請，首次公開No.2003-123239。
發(fā)明內(nèi)容過去所提出的磁記錄介質(zhì)的配置不足以獲得具有優(yōu)秀的記錄和再現(xiàn)特性以及具有好的生產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)。一直以來都希望找到解決這個問題的方法以及容易制造的磁記錄介質(zhì)。在考慮了上述情況后，本發(fā)明的目標(biāo)是提供磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置，通過優(yōu)化構(gòu)成軟磁性襯層的軟磁性層材料和村層材料，可以記錄和再現(xiàn)高密度數(shù)據(jù)。本發(fā)明采用下述配置來實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)。(1)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)包括至少由在非磁性基底上的軟磁性襯層、襯層、中間層以及垂直磁記錄層形成的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性村層包括具有非晶結(jié)構(gòu)并由飽和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金構(gòu)成的軟磁性層。(2)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)包括至少由在非磁性基底上的軟磁性襯層、村層、中間層以及垂直磁記錄層形成的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層由飽和磁通密度Bs大于1.4T的CoFeAl合金非晶結(jié)構(gòu)的軟磁性層構(gòu)成。(3)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性層中Al的含量大于0.2at。/o但小于7at0/。。(4)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性層中Al的含量大于0.3at。/o但小于3at0/0。(5)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性層中Fe的含量小于50at%。(6)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)還至少包括Ta、Nb或Zr之一作為所述軟磁性層的成分。(7)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)還包括Ni或O作為所述軟磁性層的成分。(8)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有軟磁性襯層，該軟磁性襯層包括兩層AFC(反鐵磁耦合，Anti-Ferro-Coupling)結(jié)構(gòu)以及在這兩層軟磁性層之間形成的Ru膜。(9)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性襯層的飽和磁通密度與膜厚之積Mst(Tnm)大于3但小于8。(10)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述襯層材料為Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金，位于其上的所述Ru合金的小于6度。(11)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述中間層由Ru或Ru合金構(gòu)成。(12)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性襯層的膜厚大于20nm但小于80nm。(13)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述中間層的厚度小于16nm。(14)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述軟磁性層為CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbM。(15)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)在所述非磁性基底和所述軟磁性襯層之間還有阻擋層。(16)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述阻擋層所包含的主要元素選自軟磁性襯層所包含的元素中除Co和Fe之外的元素。(17)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述阻擋層具有非晶結(jié)構(gòu)。(18)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，所述阻擋層的膜厚大于1nm但小于20nm。(19)本發(fā)明的磁記錄和再現(xiàn)裝置包括磁記錄介質(zhì)和用來在所i^記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，其中，所池磁頭為單磁極磁頭，所，記錄介質(zhì)為根據(jù)(1)到(18)中的任何一項的磁記錄介質(zhì)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在非磁性基底上垂直磁記錄介質(zhì)至少包括軟磁性襯層、襯層、中間層以及垂直磁記錄層，其中，由飽和磁通密度Bs大于1.1T的軟磁性層形成的軟磁性襯層由CoAl合金構(gòu)成，襯層由Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金構(gòu)成。所以，可以提供能記錄和再現(xiàn)高密度信息并具有很好的生產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置。圖l是剖面圖，顯示了與本發(fā)明相關(guān)的磁記錄介質(zhì)的第一個例子；圖2顯示了與本發(fā)明相關(guān)的磁記錄介質(zhì)中所用的軟磁性襯層的基底表面中的組分的MH回線；圖3是一個配置圖，顯示了使用與本發(fā)明相關(guān)的磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置的一個例子。參考數(shù)字的說明A:磁記錄介質(zhì)；a:軟磁性襯層；1:非磁性基底；2:第一軟磁性層；3:非磁性中間層；4:第二軟磁性層；5:襯層；6:中間層；7:垂直磁記錄層；8:保護(hù)層；9:潤滑層；10:磁記錄介質(zhì)；12:磁記錄和再現(xiàn)裝置；13:主軸電機(jī)；14:磁頭；15:磁頭致動器；16:記錄-再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)。具體實(shí)施方式圖l顯示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第一個例子。這里所示的磁記錄介質(zhì)A包括第一軟磁性層2、由Ru構(gòu)成的非磁性中間層3、和第二軟磁性層4，這些層一起在非磁性基底1上構(gòu)成了軟磁性村層，在此之上順序形成襯層5、中間層6、垂直磁記錄層7、保護(hù)層8和潤滑層9。作為非磁性基底1，可以使用由諸如鋁或鋁合金等金屬材料制成的金屬基底，也可以使用由諸如玻璃、陶瓷、硅、碳化珪或碳等非金屬材料制成的非金屬基底。本例中所用的玻璃基底可以是非晶玻璃和晶化玻璃。通用的鈉釣玻璃或者硅鋁酸鹽玻璃可以用作所述非晶玻璃。鋰基晶化玻璃可以用作所述晶化玻璃。通過使用平均表面粗糙度Ra小于0.8nm(更優(yōu)選的是小于0.5nm)的非磁性基底1，可以使中間層以及垂直磁記錄層的晶體取向得到增強(qiáng)，從而使記錄和再現(xiàn)特性得到增強(qiáng)。此外，適宜于高記錄密度介質(zhì)的磁頭的低高度飛行是一個有利的特點(diǎn)。另外，表面微波統(tǒng)度(Wa)小于0.3nm(優(yōu)選小于0.25nm)對于高記錄密度記錄中所采用的磁頭的低高度飛行來說是優(yōu)選的，是一個有利的特點(diǎn)。軟磁性襯層包括兩個軟磁性層以及在這兩個軟磁性層之間所形成的Ru層。在所述Ru層之上和之下的軟磁性層是AFC耦合的。軟磁性層2、4優(yōu)選由CoAl合金構(gòu)成，更優(yōu)選由CoFeAl合金構(gòu)成。飽和磁通密度Bs應(yīng)該大于l.lT,更優(yōu)選大于1.4T。通過使用這些材料，可以獲得高的飽和磁通密度和高的抗腐蝕性。另外，當(dāng)Ni、Ni合金、NiFe合金或CoNi合金被用于襯層5中時，可以獲得出色的記錄和再現(xiàn)特性。通過在軟磁性層2中加入A1，可以顯著地提高記錄和再現(xiàn)特性以及抗腐蝕性。所加入的Al的量應(yīng)該大于0.2at。/。而小于7at。/。(優(yōu)選大于0.3atQ/o而小于5ato/。)。如果所加入的Al的量小于0.2at。/。，那么，不能充分地阻止Co或Fe的腐蝕，所以這個量是不優(yōu)選的。如果Al的量超過7at%，那么，記錄和再現(xiàn)特性會退化，這個量也是不優(yōu)選的。在軟磁性層2、4中的CoAl或CoFeAl中優(yōu)選加入Ta、Nb或Zr中的不止一種。通it^入這些元素，可以改善軟磁性層2、4的非晶化，并增強(qiáng)抗腐蝕性。隨著在軟磁性層4中加入這些元素，可以增強(qiáng)襯層5和中間層6的晶g向特性，所以加入這些元素是優(yōu)選的。加入Ta、Zr、Nb的量優(yōu)選大于5at。/。而小于12at%。如果加入這些元素的量小于5at。/。，并且如果在軟磁性層2、4中使用晶體結(jié)構(gòu)，那么，襯層5的晶體顆粒尺寸會增加，噪聲會增加，并且抗腐蝕性會退化，所以，這樣的數(shù)量是不優(yōu)選的。此外，從飽和磁通密度的角度看，所加入的A1、Ta、Nb的總量優(yōu)選超過15at%(更優(yōu)選小于12at%)。Ni和Cr的加入用來提高薄膜的抗腐蝕性，所以所加入的量優(yōu)選于小于5at%。隨著所加入的量的增加，抗腐蝕性會增加，但飽和磁通密度會下降，所以這個增加是不優(yōu)選的。軟磁性層2、4中的Fe含量優(yōu)選低于50at%(更優(yōu)選大于10at%而小于40at。/。)。如果Fe的含量超過50at。/Q，那么抗腐蝕性會退化，所以，這個含量是不優(yōu)選的。軟磁性襯層的厚度優(yōu)選大于20nm而小于80nm。如果軟磁性襯層的厚度小于20nm,那么，來自磁頭的磁通量就不能被充分吸收，寫入就會變得不充分，并且記錄和再現(xiàn)特性會退化，所以這個厚度是不優(yōu)選的。如果軟磁性襯層的厚度超過80nm，那么，生產(chǎn)率會大大地減小，所以這個厚度是不優(yōu)選的。當(dāng)CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbNi被用作軟磁性層2、4的材料時，作為設(shè)置在其上的預(yù)定材料的襯層5的取向特性會增強(qiáng)。另外，中間層6的厚度可以減小，于是，軟磁性層2、4的厚度就可以減小。因此，可以在記錄和再現(xiàn)特性以及生產(chǎn)率之間獲得好的平衡。特別優(yōu)選的是，軟磁性層2、4采用非晶結(jié)構(gòu)。通過采用非晶結(jié)構(gòu)，可以防止表面粗糙度Ra增加；可以使磁頭飛行高度減小，另外，可以獲得高記錄密度。如果使用晶體結(jié)構(gòu)，那么在晶粒之間會形成晶粒邊界部分，這是腐蝕的根源，所以這種結(jié)構(gòu)是不優(yōu)選的。指數(shù)Hbias表示構(gòu)成軟磁性襯層a的軟磁性層2、4的AFC耦合量，它優(yōu)選于大于50Oe。參考圖2來描述Hbias。圖2顯示了軟磁性襯層a的基底表面中的組分的MH回線(在形成軟磁性襯層a的軟磁性層2、4的易磁化軸的方向上)。如果用Ms表示飽和磁通密度，那么，Hbias就被定義為飽和磁通密度Ms的一半(即，Ms/2)處的磁場。采用上述材料作為軟磁性層2、4，如果設(shè)置在軟磁性層2、4之間的非磁性中間層3(Ru)的厚度取預(yù)定的厚度(0.6到0.8nm)，那么，就可以獲得軟磁性襯層a。這使得外磁場抗性和WATE抗性增強(qiáng)。軟磁性層2、4的矯頑力Hc優(yōu)選為10Oe或更小(更優(yōu)選的是小于10Oe)。注意，10e約為79A/m。可以使用例如濺射方法來形成具有上述配置的軟磁性層2、4。在形成軟磁性襯層a時，優(yōu)選在基底的徑向施加磁場來形成所述膜。襯層5用來控制設(shè)置于其上的垂直磁記錄層的取向和晶粒大小。襯層5優(yōu)選由Ni、M合金、NiFe合金或MCo合金構(gòu)成。在上述襯層5中的Ni、Ni合金、MFe合金或NiCo合金中可以加入若干元素，目的是為了減小晶粒大小并增加晶格大小相對于中間層6的一致性。特別是為了減小晶粒大小的話，可以使用B、Mn等等，所加入的量優(yōu)選低于6at。/。。為了增加晶格大小相對于中間層6的一致性，可以加入Ru、Pt、W、Mo、Ta、Nb、Ti。襯層5中的Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金的飽和磁通密度Bs應(yīng)該大于0,1T，更優(yōu)選大于0,3T。如果小于0.1T，那么，在寫入期間，一部分軟磁性襯層的作用會減弱，這樣會使記錄和再現(xiàn)特性退化，所以是不優(yōu)選的。村層5的厚度優(yōu)選大于1nm而小于10nm。如果襯層5的厚度小于1nm，那么，村層的作用就變得不充分了，不能起到使顆粒大小變得更細(xì)小的作用，并且取向會退化，所以這樣的值是不優(yōu)選的。如果襯層5的厚度超過10nm,那么晶粒大小會增加，所以，這樣的值也是不優(yōu)選的。由Ru或Ru合金構(gòu)成。非磁性中間層3的厚度優(yōu)選小于16nm(更優(yōu)選的是小于12nm)。通過在軟磁性層2、4中使用CoAl合金或CoFeAl合金并在村層5中使用預(yù)定的材料可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。通過減小非磁性中間層3的厚度，可以減小磁頭和軟磁性襯層a之間的距離，并使來自磁頭的磁通量變得更陡。于是，可以進(jìn)一步減小軟磁性層2、4的厚度，并增加生產(chǎn)率。垂直磁記錄層7的易磁化軸在垂直于基底表面的方向上。元素應(yīng)該至少包括Co和Pt;此外，可以加入氧化物或Cr、B、Cu、Ta、Zr，以便提高SNR特性?？梢允褂弥T如Si02、SiO、Cr203、CoO、Ta203和Ti02等氧化物來形成垂直磁記錄層7。氧化物的體積百分比優(yōu)選在15%到40%的范圍內(nèi)。如果氧化物的體積百分比低于15%，那么，SNR特性就變得不足。這是不優(yōu)選的。如果氧化物的體積百分比超過40%，只是不能獲得高記錄密度所需要的矯頑力，所以，這樣的值是不優(yōu)選的。垂直磁記錄層7的成核場(-Hn)優(yōu)選大于2.0kOe。如果-Hn小于2.0kOe,那么會發(fā)生熱漲落，這是不優(yōu)選的。垂直磁記錄層7的厚度優(yōu)選在6到20nm的范圍內(nèi)。如果垂直磁記錄層7是例如粒狀氧化物層，并且如果所述粒狀氧化物層的厚度在這個范圍內(nèi)，那么可以保證有足夠的輸出，并且不會發(fā)生OW特性的退化。所以，厚度在這個范圍內(nèi)是優(yōu)選的。垂直磁記錄層7可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是由具有不同組分的材料所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)優(yōu)選為這樣一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是由特別含有氧化物的層和不含氧化物的層順序?qū)盈B起來的。保護(hù)層8防止垂直磁記錄層的腐蝕，也防止磁頭在接觸介質(zhì)時所導(dǎo)致的對介質(zhì)表面的損傷。因此，可以使用常規(guī)的已知的材料。例如，可以使用含有C、Si02、Zr02的材料。從高記錄密度的角度考慮，保護(hù)層的厚度優(yōu)選大于1nm但小于5nm，使得可以減小磁頭和介質(zhì)之間的距離。在潤滑層9中可以使用常規(guī)已知的材料，諸如全氟聚醚、乙醇氟化物、羧酸氟化物等，&''一一*，1、一個阻擋層。所述阻擋層所具有的主要元素優(yōu)選軟磁性襯層所包含的元素中除Co和Fe之外的元素中所選擇。于是，通過使用這種材料作為阻擋層，可以控制由于原有的或吸附的水成分所導(dǎo)致的腐蝕的發(fā)生。所述阻擋層優(yōu)選具有非晶結(jié)構(gòu)。當(dāng)阻擋層為晶體結(jié)構(gòu)時，腐蝕從顆粒邊界開始發(fā)生。通過使用具有非晶結(jié)構(gòu)的阻擋層，可以提高抗腐蝕性，因為沒有一個部分具有不穩(wěn)定點(diǎn)或不同的密度。本例中的磁記錄介質(zhì)A是在非磁性基底1上的垂直磁記錄介質(zhì)，至少包括軟磁性襯層a、襯層5、中間層6以及垂直磁記錄層。所述軟磁性襯層a為CoAl合金，包括軟磁性層2、4，其飽和磁通密度Bs大于1.1T，所述襯層可以由Ni、M合金、NiFe合金或CoNi合金構(gòu)成。因此，這種磁記錄介質(zhì)能對高密度信息進(jìn)行記錄和再現(xiàn)，并具有出色的生產(chǎn)率。圖3顯示了使用上逸磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置的例子。這里所示的磁記錄和再現(xiàn)裝置12包括磁記錄介質(zhì)10、用來轉(zhuǎn)動地驅(qū)動所ii^記錄介質(zhì)10的主軸電機(jī)13、用來在磁記錄^h質(zhì)10上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭14、磁頭致動器15、以及記錄-再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)16。記錄-再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)16能夠處理輸入數(shù)據(jù)并將記錄信號發(fā)送給磁頭14，以及能處理來自磁頭14的再現(xiàn)信號并輸出數(shù)據(jù)。[例子]這里通過參考例子來描述本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。然而，應(yīng)該明白，本發(fā)明并不只是限于這些例子。(例1)將玻璃基底(非晶基底MEL3，直徑2.5英寸，MYG有限公司(MYGCo.,Ltd.)制造)；^vDC磁控濺射系統(tǒng)(型號C3010,Andva有P艮公司(AnelvaCo.,Ltd.)制造)的薄膜形成腔內(nèi)，將薄膜形成腔內(nèi)的空氣抽真空到1x10_5Pa。形成厚度為30nm的由70Co-20Fe-2Al-4Zr-4Nb(Co含量70at%，F(xiàn)e含量20aty。，Al含量2at。/。，Zr含量4at。/。，Nb含量4at。/。)所構(gòu)成的第一軟磁性層、厚度為0.6nm的由Ru構(gòu)成的非磁性中間層3、以M度為30nm的由70Co-20Fe-2Al-4Zr-4Nb構(gòu)成的第二軟磁性層4，作為軟磁性襯層a。通過XRD可以證實(shí)，第一和第二軟磁性層2、4的晶體結(jié)構(gòu)為非晶結(jié)構(gòu)。接著，襯層5由厚度為5nm的Ni構(gòu)成，中間層6由厚度為12nm的Ru構(gòu)成，垂直磁記錄層7由厚度為10nm的60Co-10Cr-20Pt-10SiO2以及厚度為6nm的65Co-18Cr-14Pt-3B構(gòu)成。接著，通過CVD方法形成厚度為4nm的保護(hù)層8。通過浸蘸的方法形成由全氟聚醚構(gòu)成的潤滑層9，于是就獲得了垂直磁記錄介質(zhì)A。(對照例1、2)除了使用91Co-5Zr-4Nb或71Co-20Fe-5Zr-4Nb作為第一軟磁性層和第二軟磁性層的材料之外，按照例l置備對照例l、2中的磁記錄介質(zhì)。對所述例子以及對照例中的磁記錄介質(zhì)的靜磁特性以及記錄和再現(xiàn)特性進(jìn)行評估。使用Neoarc有限公司(NeoarcCo"Ltd.)制造的Kerr效應(yīng)測量設(shè)備來估計靜磁特性，使用美國GUZIK制造的讀寫分析儀RWA1632和旋轉(zhuǎn)臺S1701MP來測量并估計記錄和再現(xiàn)特性。為了估計記錄和再現(xiàn)特性，使用薄膜磁頭(具有記錄單元中的TMR元件和用于寫入的單磁極)，采用1000kFCI的線性記錄密度來測量記錄頻率狀況。為了估計覆寫(overwrite,OW)特性，對寫入500kFCI信號然后寫入67kFCI信號后剩下的第一信號進(jìn)行測量。進(jìn)行腐蝕測試，使用光學(xué)顯孩t鏡來觀察幾個腐蝕斑，這些腐蝕斑是在高溫和高濕度(80°C,80%)下240小時后留下的。上述評估的結(jié)果示于表l。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表l中的例子可以與對照例1、2進(jìn)行比較，并證實(shí)了記錄和再現(xiàn)特性是非常好的?？梢钥吹?，甚至當(dāng)中間層6使用了12nm較小厚度的Ru時，也可以獲得出色的記錄和再現(xiàn)特性。當(dāng)使用了諸如CoZrNb或CoTaZr等Bs較低的材料時，覆寫(OW)特性退化了，這意味著薄膜厚度不足。還證實(shí)了對例1中的樣品所進(jìn)行的腐蝕測試中沒有觀察到腐蝕斑。從上面可以得出結(jié)論，記錄和再現(xiàn)特性提高了，通過加入A1可以大大地提高抗腐蝕性。(例2到10)除了改變軟磁性層的組分外，總體上根據(jù)例l來制備磁記錄介質(zhì)。表2顯示了評估的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>對于表2所示例子中具有不同組分的所有的樣品來說，都可以獲得出色的特性。表2所示的例2中的樣品具有0.3at。/。的Al，在該樣品中有少量的腐蝕斑。相反，在含A12at。/。、3at。/。以及7at。/。的樣品中，沒有腐蝕斑出現(xiàn)。此外，如在表l中的對照例2中所觀察到的，在不含A1的樣品中可以在很大范圍上產(chǎn)生腐蝕斑。因此就證實(shí)了，通過在CoFeZrNb系統(tǒng)中加入A1，可以增強(qiáng)抗腐蝕性。然而，將加入了7at。/。的Al的例4中的樣品和加入了3at%的Al的例3中的樣品進(jìn)行比較，記錄和再現(xiàn)特性的SNR開始減小，所以，可以得出結(jié)論，所加入的Al的量上限優(yōu)選取為7at%。另外，表1中例1和對照例1、2的比較顯示，通過在CoFeZrNb基合金中加入Fe，可以提高飽和磁通密度。然而，根據(jù)表2中的例6，在含有50at。/。的Fe的樣品中出現(xiàn)了腐蝕斑。根據(jù)上面數(shù)據(jù)可以得出結(jié)論，必須加入Fe以提高該系統(tǒng)的飽和磁通密度，但如果Fe的含量過多，即使加入了Al，也會開始出現(xiàn)腐蝕斑。所以，即橫是在加入了Al的CoFeZrNb基合金中，F(xiàn)e的含量也優(yōu)選低于50at%。(例11、12、13)除了改變軟磁性襯層的厚度外，根據(jù)例1來制備磁記錄介質(zhì)。表3顯示了評估的結(jié)果。從表3所示的結(jié)果可以看到，在軟磁性襯層的厚度大于20nm的例子中，所有樣品都獲得了出色的特性。在軟磁性襯層的厚度為l5nm的例"中，樣品的矯頑力稍稍減小，SNR也稍稍地降低。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>(例14-31)除了改變襯層的厚度和材料外，根據(jù)例1來制備磁記錄介質(zhì)。表4顯示了評估的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>從表4的結(jié)果中可以證實(shí)，當(dāng)樣品的襯層中使用Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金時，可以獲得特別出色的特性。即，矯頑力高，也發(fā)現(xiàn)SNR特性和抗腐蝕性極好。(例32-41)除了改變中間層的材料和厚度外，根據(jù)例1來制備磁記錄介質(zhì)。表5顯示了評估的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>5中的結(jié)果可以得出結(jié)論，在使用CoFeAlZrNb、CoFeHfTaAl作為中間層材料的樣品中可以獲得出色的特性。中間層的厚度在8到25nm范圍內(nèi)的所有樣品都可以獲得出色的特性。即，矯頑力高，也發(fā)現(xiàn)SNR特性和抗腐蝕性極好。(例42)除了在非磁性基底和軟磁性襯層之間形成厚度為8nm的具有非晶結(jié)構(gòu)的60Nb-40Cr層作為阻擋層之外，根據(jù)例2中的方法制備磁記錄^^質(zhì)。作為靜磁特性，磁記錄介質(zhì)的矯頑力為4630Oe，SNR特性為24.2dB，腐蝕斑(每個表面)為0。工業(yè)實(shí)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在非磁性基底上垂直磁記錄介質(zhì)至少包括軟磁性村層、襯層、中間層以及垂直磁記錄層，其中，由飽和磁通密度Bs大于1.1T的軟磁性層形成的軟磁性襯層由CoAl合金構(gòu)成，該襯層由Ni、Ni合金、NiFe合金或MCo合金構(gòu)成。所以，可以提供能記錄和再現(xiàn)高密度信息并具有很好的生產(chǎn)率的磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置。權(quán)利要求1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，包括非磁性基底；以及在所述非磁性基底上的軟磁性襯層、襯層、中間層以及垂直磁記錄層，其中，所述軟磁性襯層包括具有非晶結(jié)構(gòu)并由飽和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金構(gòu)成的軟磁性層。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層由飽和磁通密度Bs大于1.4T的CoFeAl合金構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層中A1的含量大于0.2at%但小于7at%。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層中A1的含量大于0.3at%但小于3at%。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層中Fe的含量小于50atD/o。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層中的成分中還至少包括Ta、Nb和Zr之一。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層中的成分中還包括Ni或Cr。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層包括兩層AFC(反鐵磁耦合)結(jié)構(gòu)以及在這兩層軟磁性層之間形成的Ru膜。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層的飽和磁通密度與膜厚之積Mst(Tnm)大于3但小于8。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述襯層材料為Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金，i殳置于其上的所述Ru合金的A05O小于6度。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間層由Ru或Ru合金構(gòu)成。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層的膜厚大于20nm但小于柳nm。13.根據(jù)權(quán)利要求l所迷的磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間層的厚度小于16nm,14.根據(jù)權(quán)利要求1所迷的磁記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性層為CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbNi。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，在所述非磁性基底和所述軟磁性襯層之間還包括阻擋層。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述阻擋層所包含的主要元素選自所述軟磁性襯層所包含的除Co和Fe之外的元素。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述阻擋層具有非晶結(jié)構(gòu)。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述阻擋層的膜厚大于1nm但小于20nm。19.本發(fā)明中的磁記錄和再現(xiàn)裝置，包括，磁記錄介質(zhì)和用來在所述磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，其中，所逸磁頭為單磁極磁頭，所述磁記錄介質(zhì)為根據(jù)權(quán)利要求1到18中的任何一項所述的磁記錄介質(zhì)。全文摘要本發(fā)明的目標(biāo)是提供磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置，通過優(yōu)化構(gòu)成軟磁性襯層的軟磁性層材料和襯層材料，能夠記錄和再現(xiàn)高密度數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，垂直磁記錄介質(zhì)A在非磁性基底1上至少有軟磁性襯層a、襯層5、中間層6和垂直磁記錄層。構(gòu)成軟磁性襯層a的軟磁性層2、4具有非晶結(jié)構(gòu)，并由飽和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金或CoFeAl合金構(gòu)成。文檔編號G11B5/738GK101258542SQ20068003293公開日2008年9月3日申請日期2006年12月22日優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日發(fā)明者清水謙治申請人:昭和電工株式會社