專利名稱：薄膜磁頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及浮起式薄膜磁頭及其制造方法。
背景技術(shù)：
浮起式薄膜磁頭具備組裝了磁阻效應(yīng)元件和感應(yīng)元件等的滑塊、由將該滑塊粘接固定在自由端部的可撓性金屬薄片構(gòu)成的撓性構(gòu)件、以及固定了該撓性構(gòu)件的負(fù)載梁，當(dāng)記錄介質(zhì)在停止時(shí)，通過(guò)負(fù)載梁的彈性力使滑塊的下面與記錄介質(zhì)表面接觸，當(dāng)記錄介質(zhì)開(kāi)始移動(dòng)時(shí)，沿著該記錄介質(zhì)的移動(dòng)方向在滑塊和記錄介質(zhì)表面之間導(dǎo)入空氣流，受到該空氣流引起的浮起力的作用，滑塊從記錄介質(zhì)表面浮起。薄膜磁頭保持著該浮起姿勢(shì)進(jìn)行再現(xiàn)記錄動(dòng)作。
在滑塊的空氣流出端面，層疊形成有再現(xiàn)元件部，具備電阻隨外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度而變化的磁阻效應(yīng)元件及向該磁阻效應(yīng)元件通電的電極層；記錄元件部，具備在從與記錄介質(zhì)相對(duì)置的相對(duì)面(下面稱為“介質(zhì)相對(duì)面”。)后退的位置磁性連接且?jiàn)A著磁隙層層疊的下部磁心層、上部磁心層、以及向該上下的磁心層提供記錄磁場(chǎng)的線圈層。該再現(xiàn)元件部及記錄元件部通常被例如由Al2O3等絕緣材料構(gòu)成的保護(hù)層覆蓋。薄膜磁頭通過(guò)檢測(cè)出通電的磁阻效應(yīng)元件的電阻變化進(jìn)行再現(xiàn)動(dòng)作，對(duì)線圈層供電，在下部磁心層和上部磁心層產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，將來(lái)自磁隙層的漏磁場(chǎng)作為記錄磁場(chǎng)供給記錄介質(zhì)，由此進(jìn)行記錄動(dòng)作。
在薄膜磁頭的記錄再現(xiàn)動(dòng)作中，流過(guò)磁阻效應(yīng)元件的電流使再現(xiàn)元件部的溫度上升，流過(guò)線圈層的電流使該線圈層發(fā)熱，導(dǎo)致記錄元件部的溫度上升。如上所述，再現(xiàn)元件部及記錄元件部被由絕緣材料構(gòu)成的保護(hù)層覆蓋，因此，這些元件部的熱量不容易向外部排散，元件部成為高溫。該元件部的溫度上升使元件部熱膨脹，導(dǎo)致從介質(zhì)相對(duì)面突出。以往，為了避免薄膜磁頭與記錄介質(zhì)的接觸，采用了傾斜研磨薄膜磁頭的元件部，或者在薄膜磁頭的元件部頂端設(shè)置缺口等各種對(duì)策。
專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)平10-49822號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2000-153452號(hào)公報(bào)但是，近年來(lái)，為了應(yīng)對(duì)記錄介質(zhì)的進(jìn)一步的高記錄密度化，要求將薄膜磁頭相對(duì)于記錄介質(zhì)的浮起量設(shè)定為10nm以下。當(dāng)如此地浮起量變?yōu)榉浅Ｐr(shí)，很難防止因熱膨脹從介質(zhì)相對(duì)面突出的元件部與記錄介質(zhì)的抵接，導(dǎo)致?lián)p傷記錄介質(zhì)或記錄在記錄介質(zhì)中的磁信息、或損傷元件部自身的危險(xiǎn)性進(jìn)一步增加。而且，為了實(shí)現(xiàn)高記錄密度而提供給磁阻效應(yīng)元件及線圈層的電流的頻率也增加，尤其是記錄元件部的溫度超過(guò)100℃的情況較多，記錄元件部的突出量也很大。在研磨薄膜磁頭的元件部或者在元件部設(shè)置缺口部的以往對(duì)策中，由于成為目標(biāo)的薄膜磁頭的浮起量很小，所以研磨誤差或缺口的形成誤差對(duì)浮起量的影響很大，個(gè)體間的偏差變大而難以控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出，其目的在于提供一種薄膜磁頭及其制造方法，在良好地維持低浮起量的同時(shí)，在記錄再現(xiàn)動(dòng)作時(shí)防止與記錄介質(zhì)的接觸，提高磁頭可靠性，能夠應(yīng)對(duì)高記錄密度化。
本發(fā)明是著眼于下述方面來(lái)完成的，即，通過(guò)按大小兩個(gè)階段形成在滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上形成的突出的凸面，來(lái)適當(dāng)?shù)乇３衷诳諝饬鞒龆嗣嫔闲纬傻谋∧ご蓬^元件和記錄介質(zhì)之間的距離，防止接觸。
即，本發(fā)明的一種浮起式薄膜磁頭，具有滑塊，受到在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)表面產(chǎn)生的空氣流的作用，從該記錄介質(zhì)表面浮起；以及薄膜磁頭元件，形成在該滑塊的空氣流出端面上；在由上述薄膜磁頭以及上述滑塊的下表面形成的介質(zhì)相對(duì)面上，在上述滑塊的包含空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成突出的凸面；上述凸面具有大徑凸面，曲率半徑大且構(gòu)成除了上述空氣流入端和空氣流出端之外的中央部的記錄介質(zhì)相對(duì)面；以及小徑凸面，構(gòu)成上述空氣流入端和空氣流出端的記錄介質(zhì)相對(duì)面。
本發(fā)明若采用方法的方式，則該薄膜磁頭的制造方法，包括在受到在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)表面產(chǎn)生的空氣流而從該記錄介質(zhì)表面浮起的滑塊的空氣流出端面上，形成薄膜磁頭元件的步驟；以及，在上述滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上分兩個(gè)階段形成突出的凸面的研磨步驟；該兩個(gè)階段的研磨步驟以不同順序具有在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成第一凸面的第一研磨步驟；以及第二研磨步驟，在相同的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的端面上形成第二突出凸面；該第一、第二凸面的半徑相互不同。
具體地說(shuō)，最好是，上述兩個(gè)階段的研磨步驟以不同順序具有第一研磨步驟，在上述滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成曲率半徑大的突出的第一凸面；以及第二研磨步驟，在相同的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成曲率半徑小的第二突出凸面，并且，由第二凸面引起的上述薄膜磁頭元件與記錄介質(zhì)的距離，比由第一凸面引起的、與該記錄介質(zhì)的距離大。
薄膜磁頭一般是從滑塊側(cè)開(kāi)始依次層疊形成再現(xiàn)元件部和記錄元件部的類型。
第一研磨步驟和第二研磨步驟實(shí)際上在具有多個(gè)滑塊和薄膜磁頭元件的條的狀態(tài)下被執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上形成曲率半徑大小不同的凸面這樣的簡(jiǎn)單且具有穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)，可以獲得一種良好地維持低浮起量的同時(shí)，在記錄再現(xiàn)動(dòng)作時(shí)防止與記錄介質(zhì)的接觸、從而提高磁頭可靠性，能夠應(yīng)對(duì)記錄高密度化的浮起式薄膜磁頭及其制造方法。


圖1是本發(fā)明涉及的薄膜磁頭的整體俯視圖。
圖2是圖1的薄膜磁頭中的具有薄膜磁頭元件的浮起式滑塊的側(cè)視圖。
圖3是在元件中央將薄膜磁頭元件構(gòu)造部的層疊結(jié)構(gòu)切斷表示的截面圖。
圖4是表示本發(fā)明的薄膜磁頭的制造方法的一個(gè)例子的模式圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明涉及的薄膜磁頭的整體俯視圖。薄膜磁頭具備由Al2O3-TiC構(gòu)成的大致長(zhǎng)方體的浮起式滑塊1；由將該滑塊1粘接固定在自由端部的可撓性金屬薄片構(gòu)成的撓性構(gòu)件30；固定了該撓性構(gòu)件30的負(fù)載梁40。當(dāng)記錄介質(zhì)M在停止時(shí)，成為通過(guò)負(fù)載梁40的彈性力使滑塊1的下面(介質(zhì)相對(duì)面)與記錄介質(zhì)表面接觸的狀態(tài)。對(duì)于此結(jié)構(gòu)，當(dāng)記錄介質(zhì)開(kāi)始移動(dòng)時(shí)，沿著該記錄介質(zhì)的移動(dòng)方向在滑塊1和記錄介質(zhì)表面之間導(dǎo)入空氣流，受到該空氣流引起的浮起力的作用，滑塊1從記錄介質(zhì)表面浮起，保持著該浮起姿勢(shì)進(jìn)行再現(xiàn)記錄動(dòng)作。
如圖2所示，該薄膜磁頭是具有在浮起式滑塊1的空氣流出端面1a形成了薄膜狀的薄膜磁頭元件構(gòu)造部H(再現(xiàn)元件部R和記錄元件部W)的記錄再現(xiàn)用的薄膜磁頭。將空氣流出端面1a的相反側(cè)設(shè)為空氣流入端面1c。圖3是在包括空氣流入端面1c和空氣流出端面1a的元件中央切斷薄膜磁頭元件H的層疊結(jié)構(gòu)來(lái)表示的剖面圖。在圖3中，X方向、Y方向及Z方向，分別定義為磁道寬度方向、深度方向(高度方向)及構(gòu)成薄膜磁頭元件H的各層的層疊方向。
再現(xiàn)元件部R包括從內(nèi)涂層依次層疊的下部保護(hù)層3、下部間隙層4、磁阻效應(yīng)元件5、上部間隙層8及上部保護(hù)層9。下部保護(hù)層3及上部保護(hù)層9由NiFe等的軟磁性材料構(gòu)成，下部間隙層4及上部間隙層8由Al2O3等的非磁性材料構(gòu)成。磁阻效應(yīng)元件5是以旋閥(spin valve)膜為代表的發(fā)揮巨大磁阻效應(yīng)的GMR元件、發(fā)揮各向異性磁阻效應(yīng)的AMR元件、或者發(fā)揮隧道磁阻效應(yīng)的TMR元件。雖然未圖示，但在該磁阻效應(yīng)元件5的圖示X方向的兩側(cè)，在下部間隙層4上形成有由CoPt合金等強(qiáng)磁性材料構(gòu)成的偏磁層6、和由Au等的良好的導(dǎo)電材料構(gòu)成且與該磁阻效應(yīng)元件5連接的一對(duì)電極層。上述上部間隔層8和上部保護(hù)層9位于磁阻效應(yīng)元件5的上方。如圖3所示，構(gòu)成再現(xiàn)元件部R的各層(下部保護(hù)層3、下部間隙層4、磁阻效應(yīng)元件5、上部間隙層8及上部保護(hù)層9)的頂端露出在滑塊1的介質(zhì)相對(duì)面1b。通過(guò)向磁阻效應(yīng)元件5供給一定電流，并將對(duì)外部磁場(chǎng)的磁阻效應(yīng)元件5的電阻變化作為電壓變化來(lái)讀取，薄膜磁頭元件H進(jìn)行再現(xiàn)動(dòng)作。
在作為再現(xiàn)元件部R的最上層的上部保護(hù)層9的上部，形成有由Al2O3等絕緣材料構(gòu)成的分離絕緣層10。記錄元件部W隔著該分離絕緣層10被層疊在再現(xiàn)元件部R上。
記錄元件部W包括從露出于介質(zhì)相對(duì)面1b的分離絕緣層10側(cè)依次層疊的下部磁心層11、電鍍基底層12及記錄磁心部13；被層疊在記錄磁心部13上且在介質(zhì)相對(duì)面不露出的上部磁心層14；由抗蝕劑等有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的Gd確定絕緣層15；夾著電鍍基底層12將下部磁心層11和上部磁心層14磁性連接的磁連接部16；以及被埋設(shè)在絕緣層17內(nèi)的線圈層L。下部磁心層11及上部磁心層14由透磁合金或Co合金、Fe合金等的磁性膜形成，電鍍基底層12由導(dǎo)電材料形成。
記錄磁心部13具有由隔著電鍍基底層12同下部磁心層11磁性連接的下部磁極層13a、由非磁性金屬材料構(gòu)成的間隙層13b、以及與上部磁心層14磁性連接的上部磁極層13c構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。下部磁極層13a及上部磁極層13c可以由透磁合金或Co合金、Fe合金等的磁性材料形成，希望用飽和磁通密度比下部磁心層11高的磁性材料形成。在記錄磁心部13的磁道寬度方向的兩側(cè)，形成作為絕緣層17的一部分的絕緣基底層17a及第1線圈絕緣層17b。
Gd確定絕緣層15形成在從介質(zhì)相對(duì)面1b向深度方向后退規(guī)定長(zhǎng)度的位置，規(guī)定了記錄磁心部13的間隙層13b的深度方向尺寸。即，根據(jù)從介質(zhì)相對(duì)面1b到Gd確定絕緣層15的頂端的距離，規(guī)定薄膜磁頭元件H的間隙深度(Gd)。磁氣連接部16由透磁合金或Co合金、Fe合金等磁性材料形成。
絕緣層17包括覆蓋上部磁極層13c、Gd確定絕緣層15、電鍍基底層12及磁連接部16的磁道寬度側(cè)的露出面的絕緣基底層17a；形成在該絕緣底層17a的上面且覆蓋第1線圈層18及該第1線圈層18之間的間隔的第1線圈絕緣層17b；在第1線圈絕緣層17b的上面形成且覆蓋第2線圈層19及該第2線圈層19之間的間隔的第2線圈絕緣層17c。在第2線圈絕緣層17c的上面形成有上述的上部磁心層14。該絕緣層17由Al2O3或SiO2等無(wú)機(jī)絕緣材料或者抗蝕劑等有機(jī)絕緣材料形成。
線圈層L由Cu等電阻低的導(dǎo)電材料形成，具有由以卷繞中心部18a為中心卷繞成螺旋狀的第1線圈層18、和向與第1線圈層18相反的方向卷繞的螺旋狀的第2線圈層19構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。第1線圈層18及第2線圈層19通過(guò)接觸導(dǎo)體α在卷繞中心部18a、19a相互連接著。雖然未圖示，但在第1線圈層18的卷繞終端部，形成有與該第1線圈層18連接的第1線圈導(dǎo)線層。線圈層L可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是三層以上的多層結(jié)構(gòu)。薄膜磁頭元件H根據(jù)流過(guò)線圈層L的記錄電流在上部磁心層14和下部磁心層11產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，將從記錄磁心部13的間隙層13b漏出的漏磁場(chǎng)作為記錄磁場(chǎng)付與記錄介質(zhì)，進(jìn)行記錄動(dòng)作。
絕緣保護(hù)層20由AL2O3等絕緣材料形成，并且形成為覆蓋記錄元件部W和再現(xiàn)元件部R的整體。
圖2描述了包括滑塊1的空氣流入端和空氣流出端的剖面形狀(側(cè)面形狀)，該滑塊1包括具有上述整體結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭元件H。在本實(shí)施方式的滑塊1的介質(zhì)相對(duì)面1b上，形成使該介質(zhì)相對(duì)面1b突出的、由曲率半徑(R1)大的大徑凸面C1和曲率半徑(R2)小的小徑凸面C2構(gòu)成的凸面(R1＞R2)。大徑凸面C1(曲率半徑R1)和小徑凸面C2(曲率半徑R2)分別是m級(jí)的量，包括薄膜磁頭元件H的滑塊1的長(zhǎng)度(從空氣流入端到空氣流出端的長(zhǎng)度)是mm級(jí)的量，突出量是nm級(jí)，但在圖中夸張地描述了突出量。大徑凸面C1構(gòu)成除了空氣流入端和空氣流出端之外的中央部的介質(zhì)相對(duì)面1b。與此相對(duì)，小徑凸面C2的曲率半徑比大徑凸面C1小，通過(guò)在形成大徑凸面C1之后形成小徑凸面C2，可以不影響介質(zhì)相對(duì)面1b的中央部(中央部是大徑凸面C1的狀態(tài))，僅在空氣流入端和空氣流出端(包括薄膜磁頭元件H)的記錄介質(zhì)相對(duì)面1b上形成。即，若將形成大徑凸面C1時(shí)的薄膜磁頭元件H端部和記錄介質(zhì)M的距離設(shè)為d1，則形成小徑凸面C2時(shí)的薄膜磁頭元件H端部和記錄介質(zhì)M的距離d2為d2＞d1。薄膜磁頭元件H由于從滑塊1的空氣流出端面1a側(cè)開(kāi)始依次形成了再現(xiàn)元件部R和記錄元件部W，所以，可以使散熱量比再現(xiàn)元件部R大的記錄元件部W側(cè)的與記錄介質(zhì)M的距離變大，能夠可靠地防止因記錄元件部W的發(fā)熱膨脹而與記錄介質(zhì)M的接觸。
在滑塊1上一般形成還向與圖2的紙面正交的方向突出的凸面(交叉凸面)，但在本實(shí)施方式中，該交叉凸面的有無(wú)以及該曲率大小并不是問(wèn)題。
以上的大徑凸面C1和小徑凸面C2分別利用具有不同曲率半徑的研磨基盤形成，圖4是該研磨的概念圖。該研磨基盤及凸面形成裝置在本申請(qǐng)人所申請(qǐng)的特開(kāi)2000-153452號(hào)公報(bào)中公開(kāi)。具有大徑凸面C1的大徑研磨基盤L1，具有由例如曲率半徑R1＝10～12m程度的凹面(球面的一部分)構(gòu)成的加工面R1S。具有小徑凸面C2的小徑研磨基盤L2，具有由比大徑研磨基盤L1小的例如曲率半徑R2＝2～5m程度的凹面(球面的一部分)構(gòu)成的加工面R2S。
眾所周知，在晶片上利用薄膜形成技術(shù)形成多個(gè)具有薄膜磁頭元件H的滑塊1。圖4所示的條1G是從晶片切出的在側(cè)壁面具有多個(gè)薄膜磁頭元件H的部件，與長(zhǎng)度方向正交的方向(X)是具有空氣流入端和空氣流出端的方向。
若將該條1G設(shè)置為其長(zhǎng)度方向朝向被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的大徑研磨基盤L1的半徑方向，對(duì)該加工面R1S按壓預(yù)定時(shí)間的適當(dāng)?shù)牧，則第一研磨結(jié)束。在第一研磨結(jié)束之后，將條1G更換設(shè)置在小徑研磨基盤L2的加工面R2S上，同樣地實(shí)施研磨。此外，也可以交換第一、第二研磨的順序。
將結(jié)束了上述第一、第二研磨的條1G切成各個(gè)薄膜磁頭元件H，從而可以取得具有薄膜磁頭元件H的滑塊1。
上述說(shuō)明中的大徑凸面C1(曲率半徑R1)和小徑凸面C2(曲率半徑R2)的數(shù)值是一個(gè)例子。使薄膜磁頭元件H比滑塊1的介質(zhì)相對(duì)面1b更離開(kāi)記錄介質(zhì)表面的距離間隔d2(圖2)被設(shè)定為，在薄膜磁頭元件H因通電而熱膨脹時(shí)，可以獲得作為目標(biāo)的浮起量(從記錄介質(zhì)表面的距離)。
本實(shí)施方式是在具有再現(xiàn)元件部R和記錄元件部W的記錄再現(xiàn)用的薄膜磁頭中適用本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明也可以適用于僅具有再現(xiàn)元件部R的再現(xiàn)專用的薄膜磁頭及僅具有記錄元件部W的記錄專用的薄膜磁頭中。
本發(fā)明的薄膜磁頭可以適用于CSS(接觸器啟停)方式、磁頭載入(Ramp Load)方式中的任一個(gè)。
權(quán)利要求
1.一種浮起式的薄膜磁頭，其特征在于，具有滑塊，受到在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)表面產(chǎn)生的空氣流的作用，從該記錄介質(zhì)表面浮起；以及薄膜磁頭元件，形成在該滑塊的空氣流出端面上；在由上述薄膜磁頭以及上述滑塊的下表面形成的介質(zhì)相對(duì)面上，在上述滑塊的包含空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成突出的凸面；上述凸面具有大徑凸面，曲率半徑大且構(gòu)成除了上述空氣流入端和空氣流出端之外的中央部的記錄介質(zhì)相對(duì)面；以及小徑凸面，構(gòu)成上述空氣流入端和空氣流出端的記錄介質(zhì)相對(duì)面。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，上述薄膜磁頭從滑塊側(cè)開(kāi)始依次層疊形成了再現(xiàn)元件部和記錄元件部。
3.一種薄膜磁頭的制造方法，其特征在于，包括在受到在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)表面產(chǎn)生的空氣流而從該記錄介質(zhì)表面浮起的滑塊的空氣流出端面上，形成薄膜磁頭元件的步驟；以及，在上述滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上分兩個(gè)階段形成突出的凸面的研磨步驟；該兩個(gè)階段的研磨步驟以不同順序具有第一研磨步驟，在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成第一凸面；以及第二研磨步驟，在相同的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的端面上形成第二突出凸面；該第一、第二凸面的半徑相互不同。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于，上述兩個(gè)階段的研磨步驟以不同順序具有第一研磨步驟，在上述滑塊的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成曲率半徑大的突出的第一凸面；以及第二研磨步驟，在相同的記錄介質(zhì)相對(duì)面上，在包含該空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成曲率半徑小的第二突出凸面，并且，由第二凸面引起的上述薄膜磁頭元件與記錄介質(zhì)的距離，比由第一凸面引起的、與該記錄介質(zhì)的距離大。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于，在形成上述薄膜磁頭元件的步驟中，從滑塊側(cè)開(kāi)始依次層疊形成再現(xiàn)元件部和記錄元件部。
6.如權(quán)利要求3所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于，上述第一研磨步驟和第二研磨步驟，在具有多個(gè)滑塊和薄膜磁頭元件的條的狀態(tài)下被執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜磁頭及其制造方法，良好地維持低浮起量的同時(shí)，在記錄再現(xiàn)動(dòng)作時(shí)防止與記錄介質(zhì)的接觸，從而提高磁頭可靠性，能夠應(yīng)對(duì)高記錄密度化。該薄膜磁頭具有滑塊，受到在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)表面產(chǎn)生的空氣流的作用，從該記錄介質(zhì)表面浮起；以及薄膜磁頭元件，形成在該滑塊的空氣流出端面上；在由上述薄膜磁頭以及上述滑塊的下表面形成的介質(zhì)相對(duì)面上，在上述滑塊的包含空氣流入端和空氣流出端的斷面上形成突出的凸面；上述凸面具有大徑凸面，曲率半徑大且構(gòu)成除了上述空氣流入端和空氣流出端之外的中央部的記錄介質(zhì)相對(duì)面；以及小徑凸面，構(gòu)成上述空氣流入端和空氣流出端的記錄介質(zhì)相對(duì)面。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1912998SQ200610114850
公開(kāi)日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2006年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月10日
發(fā)明者岸本昭夫, 瀨沼雅光 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社