專利名稱：具有自更新模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和相關(guān)的操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有自更新模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置以及相關(guān)的操作方法。
本申請(qǐng)要求2005年1月27提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)2005-7412的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其主題全部合并于此。
背景技術(shù)：
諸如蜂窩電話手機(jī)或PDA的電池供電的移動(dòng)主裝置中使用的諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置必須以最小功率操作。因此，低功率存儲(chǔ)裝置是標(biāo)準(zhǔn)，并且，隨著各種主裝置的操作速度增加，在這樣的低功率存儲(chǔ)裝置中對(duì)節(jié)能的需求也增加。在尋求進(jìn)一步降低功耗時(shí)仔細(xì)考慮的低功率存儲(chǔ)裝置功能的一方面是更新操作。
對(duì)于諸如DRAM的易失性存儲(chǔ)裝置需要更新操作。易失性存儲(chǔ)裝置的特征在于在與存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的電容器上存在電荷。存儲(chǔ)單元電容器在其形式或功能上都不完善，結(jié)果，存儲(chǔ)的電荷將作為漏電流而逸出。周期性地需要更新操作來將電荷恢復(fù)到存儲(chǔ)單元電容器中?？梢詫鹘y(tǒng)的更新操作看作特殊的“寫入”或者“重新寫入”操作，其中，從存儲(chǔ)器中讀取已經(jīng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并然后將其寫回到存儲(chǔ)器中。該更新操作以阻止所存儲(chǔ)的電荷完全耗散的比率反復(fù)發(fā)生。
為了保持存儲(chǔ)在其存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，即使當(dāng)主裝置或者在包括存儲(chǔ)裝置的主裝置內(nèi)的存儲(chǔ)系統(tǒng)不活動(dòng)時(shí)，存儲(chǔ)裝置也必須周期性地執(zhí)行更新操作。這樣，更新操作一直處于“接通(on)”，使得它在減少主裝置內(nèi)與存儲(chǔ)裝置相關(guān)的功耗的努力中成為主要考慮事項(xiàng)。
使易失性存儲(chǔ)裝置的功耗最小的一種傳統(tǒng)途徑是根據(jù)所感知的存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)保存期的變化來改變更新周期。這種類型的“自更新”操作可以監(jiān)視存儲(chǔ)單元的漏電流，并且，當(dāng)感測(cè)到臨界水平的漏電流時(shí)，執(zhí)行更新操作。類似地，存儲(chǔ)單元的臨界存儲(chǔ)電荷值也可以被感測(cè)并用于啟動(dòng)更新操作。然而，這樣的“監(jiān)視方法”一般在關(guān)于漏電流或存儲(chǔ)電荷的平均臨界水平的一定假設(shè)下操作。其并不考慮低于平均或者弱存儲(chǔ)單元的存在。
此外，一些早期的傳統(tǒng)監(jiān)視方法不考慮存儲(chǔ)裝置的周圍操作環(huán)境變化的影響。由于存儲(chǔ)單元漏電流隨溫度變化，所以這是重大的失察。這樣，當(dāng)前的傳統(tǒng)監(jiān)視方法根據(jù)溫度感測(cè)電路為存儲(chǔ)裝置測(cè)量的溫度來控制存儲(chǔ)裝置的自更新操作。該溫度感測(cè)電路可以在芯片內(nèi)或芯片外。受溫度控制的自更新操作通常將預(yù)期的操作溫度范圍劃分多個(gè)溫度控制區(qū)，并根據(jù)當(dāng)前測(cè)量的控制區(qū)來調(diào)整更新操作的周期，從而在低溫下延長(zhǎng)更新循環(huán)。
顯然，作為這樣的溫度控制的效果，自更新操作取決于溫度感測(cè)電路檢測(cè)的存儲(chǔ)裝置的實(shí)際操作溫度的精確性。
一個(gè)傳統(tǒng)的溫度感測(cè)電路通常采用帶隙參考電路。例如，見2004年4月15日提交的已公布的美國(guó)專利申請(qǐng)第2004-0071191號(hào)。這種啟用了帶隙參考電路的溫度感測(cè)電路包括并聯(lián)連接的二極管端和阻抗端。阻抗量值在電路中匹配，使得對(duì)于預(yù)定溫度從這兩端流出的電流相等。這個(gè)結(jié)果是根據(jù)各個(gè)端電流在該預(yù)定溫度下將彼此相反的假設(shè)而得出的。
為了使用這種類型的溫度感測(cè)電路提供對(duì)自更新操作的精確控制，必須考慮制作過程引入的電路元件中的變化。例如，典型地需要微調(diào)操作來校正制造過程引入的溫度感測(cè)電路的二極管中的變化。就是說，在溫度感測(cè)電路的實(shí)際操作之前，可以結(jié)合阻抗和/或電流變化特性對(duì)二極管執(zhí)行靈敏度反應(yīng)測(cè)試。
圖1圖解傳統(tǒng)的溫度感測(cè)電路。
參考圖1，包括帶隙參考電路的溫度感測(cè)電路20包括溫度感測(cè)單元22和偏移溫度檢測(cè)單元24。溫度感測(cè)單元22包括電流反射鏡型差分放大器DA1和DA2；減法阻抗(Ra)端，根據(jù)溫度增加而通過其減少電流；加法阻抗端(R)，根據(jù)溫度增加而通過其增加電流；以及比較器DA3，適配為比較測(cè)試溫度和所感測(cè)的溫度，并將比較結(jié)果作為比較輸出信號(hào)(Tout)輸出。溫度感測(cè)單元22還包括面結(jié)型二極管D1和D2，其分別耦接到差分放大器DA1和DA2。面結(jié)型二極管D1和D2可以具有不同的尺寸，并因此在圖1中呈現(xiàn)具有M∶1的尺寸配量(size ration)。
偏移溫度檢測(cè)單元24包括加權(quán)的阻抗串，其包括串聯(lián)連接在減法阻抗(Ra)端和地端(VSS)之間的多個(gè)二進(jìn)制加權(quán)阻抗RAi和RA4至RA0。偏移溫度檢測(cè)單元24還包括短路開關(guān)電路，其適配為響應(yīng)施加到偏移溫度感測(cè)單元24的測(cè)試輸入信號(hào)或者微調(diào)地址信號(hào)(Taddi和Tadd4至Tadd0)來選擇性地短路各個(gè)二進(jìn)制加權(quán)的阻抗。在圖解的例子中，短路開關(guān)電路是用通常關(guān)“斷”的N型MOS晶體管(Ni和N4至N1)構(gòu)造的。
在二進(jìn)制加權(quán)的阻抗中，阻抗RA4的阻抗值為阻抗RA0的阻抗值的16倍大。阻抗RA3的阻抗值為阻抗RA0的值的8倍大。阻抗RA2的阻抗值為阻抗RA0的值的4倍大。阻抗RA1的阻抗值為阻抗RA0的值的2倍大。例如，可以用諸如多晶硅的圖案形成(patterning)材料來形成二進(jìn)制加權(quán)的阻抗RAi和RA4-RA0。
在操作中，例如，當(dāng)通過將晶體管N0接“通”而使阻抗RA0短路時(shí)，其阻抗值被從二進(jìn)制加權(quán)阻抗的合成阻抗值中移除。這樣，從減法阻抗端(Ra)流到地的電流Ia相應(yīng)增加。在傳統(tǒng)的電路中，將阻抗RA0的移除設(shè)計(jì)為調(diào)整1℃的溫度增加?？梢韵鄳?yīng)地將測(cè)試輸入信號(hào)或者微調(diào)地址設(shè)計(jì)為當(dāng)電路在測(cè)試模式下工作時(shí)改變溫度感測(cè)電路在預(yù)定溫度下的斷路點(diǎn)(trip point)。
類似地，如邏輯高測(cè)試輸入信號(hào)Tadd4所指示的，例如，可以使阻抗RA4短路，并因而從合成阻抗中移除，從而將斷路點(diǎn)調(diào)整到16℃的溫度增加。類似地，各個(gè)微調(diào)地址信號(hào)Tadd3、Tadd2和Tadd1可用于選擇性地從合成阻抗中移除阻抗RA3、阻抗RA2和阻抗RA1，從而調(diào)整8℃、4℃和2℃溫度增加下的斷路點(diǎn)。以類似的方式，二進(jìn)制加權(quán)的阻抗可用于近似于對(duì)具有小于1℃的誤差的溫度偏移的控制的二進(jìn)制連續(xù)近似法。這樣，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的微調(diào)操作。
在施加到傳統(tǒng)的溫度感測(cè)電路上的這種傳統(tǒng)微調(diào)操作中，關(guān)于溫度感測(cè)電路的操作，還提供方式寄存器設(shè)置(MRS)信號(hào)。施加該MRS信號(hào)作為對(duì)溫度感測(cè)電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，該驅(qū)動(dòng)信號(hào)相對(duì)于對(duì)所需要的溫度的檢測(cè)來控制將在溫度感測(cè)電路中使用的二進(jìn)制加權(quán)阻抗的數(shù)目。一旦建立了MRS信號(hào)，可以執(zhí)行熔絲微調(diào)操作，來匹配所得合成阻抗值，并從而校正二極管的制作過程引入的變化。
然而，前述途徑假設(shè)微調(diào)操作(如MRS模式中通過MRS信號(hào)所控制)如實(shí)地復(fù)制存儲(chǔ)裝置的實(shí)際操作條件。當(dāng)這個(gè)假設(shè)失效時(shí)，實(shí)際的自更新操作在實(shí)際的操作條件下可能不會(huì)如所預(yù)期的那樣操作。就是說，在微調(diào)操作期間匹配的溫度可能與實(shí)際自更新操作的溫度不同，這可能阻礙存儲(chǔ)裝置的更新和當(dāng)前特性。
相應(yīng)地，提供支持改進(jìn)的自更新模式的存儲(chǔ)裝置以及相關(guān)的操作方法將是有益的。該改進(jìn)的自更新模式適配為將其更新周期更精確地控制為溫度的函數(shù)，如在設(shè)計(jì)為校正制作過程引入的變化的微調(diào)操作和存儲(chǔ)裝置的實(shí)際操作溫度之間。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種支持自更新操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包括地址緩沖器單元，其可控制以在自更新操作期間被使能，并且其適配為響應(yīng)第一外部控制信號(hào)和外部地址信號(hào)而生成內(nèi)部地址信號(hào)；以及操作控制單元，其適配為響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)來控制自更新操作。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種操作適配為支持自更新操作并包括溫度感測(cè)電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的方法，該方法包括響應(yīng)第一外部控制信號(hào)而使能地址緩沖器單元，開始自更新操作，響應(yīng)外部地址信號(hào)而生成內(nèi)部地址信號(hào)，使能溫度感測(cè)電路，響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)而生成微調(diào)地址信號(hào)，以及響應(yīng)微調(diào)地址信號(hào)而執(zhí)行溫度感測(cè)電路中的微調(diào)操作。


下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。在附圖中圖1是傳統(tǒng)的溫度感測(cè)電路的電路圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置；以及圖3圖解圖2所示的溫度感測(cè)電路的使能信號(hào)產(chǎn)生時(shí)的定時(shí)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考圖2和3來更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，本發(fā)明將被多樣地實(shí)施，且本發(fā)明的范圍不僅限于所描述的實(shí)施例。而是作為示教例子來呈現(xiàn)實(shí)施例。
圖2是示意性圖解根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的支持自更新操作模式的存儲(chǔ)裝置的方框圖。
參考圖2，該示范存儲(chǔ)裝置包括地址緩沖器單元100和操作控制單元200。響應(yīng)外部提供的地址信號(hào)而執(zhí)行其操作，其中該地址信號(hào)甚至在自更新模式操作期間也可能施加。
在圖解的例子中，地址緩沖器單元100的操作是通過第一外部提供的控制信號(hào)(ABen)所控制的。響應(yīng)外部提供的地址信號(hào)(Tr Addi)而生成內(nèi)部地址信號(hào)(Tr int Addi)。外部提供的地址信號(hào)(Tr Addi)一般控制存儲(chǔ)裝置的操作狀態(tài)，并可以在自更新操作模式期間被施加。
作為比較，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)裝置沒有包括適配為緩沖在存儲(chǔ)裝置在自更新模式下操作時(shí)緩沖的外部提供的地址信號(hào)的電路。然而，圖2所示的本發(fā)明的示范實(shí)施例包括被配置為甚至在自更新模式下也操作的地址緩沖器單元100。
適配為控制地址緩沖器單元100的操作的第一外部控制信號(hào)(ABen)可來源于例如一般的緩沖器使能信號(hào)和微調(diào)MRS信號(hào)之間的邏輯“或非”(NOR)操作，并充當(dāng)?shù)刂肪彌_器100的使能信號(hào)?？商鎿Q地，外部控制信號(hào)(ABen)可來源于微調(diào)MRS信號(hào)。然而，所導(dǎo)出的第一外部控制信號(hào)(ABen)可適配為在任何操作模式期間使能地址緩沖器單元100，只要可得到有效的微調(diào)MRS信號(hào)。
操作控制單元200響應(yīng)在存儲(chǔ)裝置根據(jù)第一外部控制信號(hào)(ABen)的命令啟動(dòng)自更新操作模式之后生成的內(nèi)部地址信號(hào)(Tr int Addi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，操作控制單元200包括微調(diào)地址信號(hào)發(fā)生器210和溫度感測(cè)電路220。微調(diào)地址信號(hào)發(fā)生器210響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)(Tr int Addi)而生成微調(diào)地址信號(hào)(Taddi)。通過第二外部提供的控制信號(hào)(Tr MRS MS)來控制微調(diào)地址信號(hào)發(fā)生器210。該第二外部控制信號(hào)(Tr MRS MS)指示溫度條件，例如，外部提供的溫度信號(hào)是高于還是低于從溫度感測(cè)電路220輸出的預(yù)定溫度信號(hào)。這個(gè)溫度條件可用于執(zhí)行微調(diào)操作，和/或控制微調(diào)地址信號(hào)(Taddi)的狀態(tài)。
通過溫度使能信號(hào)(TSen)來控制溫度感測(cè)電路220的操作。溫度感測(cè)電路220響應(yīng)微調(diào)地址信號(hào)(Taddi)而執(zhí)行微調(diào)操作，以便基于存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部溫度變化，通過使用精確的斷路點(diǎn)來輸出溫度信號(hào)(Tout)。除可以在自更新操作模式期間執(zhí)行所述方法之外，可使用與上述的傳統(tǒng)方法類似的方法來執(zhí)行溫度感測(cè)電路220的微調(diào)操作。
例如，溫度感測(cè)電路220可包括帶隙參考電路，其中二極管端和阻抗端并聯(lián)連接，并且阻抗量值被匹配，以便通過使用在各個(gè)端中流動(dòng)的電流的溫度特性彼此相反的特性，而使確定的溫度下在兩個(gè)端中流動(dòng)的電流值變得相等，從而檢測(cè)并輸出預(yù)定溫度。
圖3是圖解產(chǎn)生適配為使能溫度感測(cè)電路220的溫度使能信號(hào)的一個(gè)示范方法的時(shí)序圖。
如圖3所示，微調(diào)MRS信號(hào)(微調(diào)MRS)(例如，命令信號(hào)Ext COM.)和MRS地址信號(hào)(MRS地址)(例如，Ext Addi)是從外部施加到存儲(chǔ)裝置的，并且進(jìn)入微調(diào)操作模式。通過微調(diào)MRS信號(hào)使能存儲(chǔ)裝置內(nèi)的地址緩沖器單元100。
當(dāng)存儲(chǔ)裝置進(jìn)入自更新操作模式時(shí)，生成適配為在一般的自更新操作模式中使用的置位/復(fù)位控制信號(hào)(例如，S/R MS)。然后，分別響應(yīng)置位/復(fù)位控制信號(hào)(S/R MS)而生成適配為控制或定義自更新模式的周期的自更新循環(huán)信號(hào)(POSC和Q0至Qx)。從而，置位/復(fù)位控制信號(hào)(S/R MS)用作適配為生成自更新循環(huán)信號(hào)(POSC和Q0至Qx)的主時(shí)鐘信號(hào)(或者主時(shí)鐘啟動(dòng)信號(hào))。以不同的周期或頻率來生成自更新循環(huán)信號(hào)(POSC和Q0至Qx)。例如，第一自更新循環(huán)信號(hào)(POSC)可具有第一且最短的循環(huán)周期，而隨后的(例如，第二至第n)自更新循環(huán)信號(hào)(Q0至Qx)可分別具有增加的循環(huán)周期，其中，從第一自更新循環(huán)信號(hào)(POSC)開始一個(gè)循環(huán)周期相對(duì)于另一個(gè)循環(huán)周期按2X(2倍)增加。可以響應(yīng)每一個(gè)先前生成的具有較短的周期循環(huán)的自更新循環(huán)信號(hào)而依次生成隨后的自更新循環(huán)信號(hào)(Q0至Qx)。例如，可以使用對(duì)應(yīng)的多個(gè)更新計(jì)數(shù)器生成隨后的自更新循環(huán)信號(hào)(Q0至Qx)。適配為使能溫度感測(cè)電路220的溫度使能信號(hào)(TSen)可根據(jù)從所述多個(gè)更新計(jì)數(shù)器中的一個(gè)或多個(gè)中輸出的一個(gè)或多個(gè)自更新循環(huán)信號(hào)(POSC或Q0至Qx)而生成。
在使能溫度感測(cè)電路220之后，將外部地址信號(hào)(Tr Addi)施加到地址緩沖器單元100，并生成內(nèi)部地址信號(hào)(Tr int Addi)。響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)(Tr intAddi)生成微調(diào)地址信號(hào)(Taddi)，并且執(zhí)行溫度感測(cè)電路220的微調(diào)操作。
在完成微調(diào)操作之后，溫度感測(cè)電路220在實(shí)際的自更新操作期間輸出溫度感測(cè)輸出信號(hào)(Tout)，并且可響應(yīng)溫度感測(cè)輸出信號(hào)(Tout)來改變操作的自更新循環(huán)。在存儲(chǔ)裝置的溫度太低的情況下，與存儲(chǔ)裝置的溫度太高的情況相比，延長(zhǎng)自更新循環(huán)。
如上所述，與MRS測(cè)試模式相反，在存儲(chǔ)裝置在自更新模式下操作時(shí)，可以在實(shí)際的操作條件下執(zhí)行存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度感測(cè)電路所提供的微調(diào)操作。這樣，可以根據(jù)實(shí)際的溫度改變來精確地調(diào)整和控制自更新循環(huán)。相應(yīng)地改善了更新操作期間存儲(chǔ)裝置的性能，特別是與功耗有關(guān)的性能。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，在不脫離用所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的前述實(shí)施例進(jìn)行改變和變更。例如，內(nèi)部電路配置可以變更，或者可以用對(duì)等的元件和/或電路來替換各個(gè)電路的內(nèi)部元件。
權(quán)利要求
1.一種支持自更新操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包括地址緩沖器單元，其可控制以在自更新操作期間被使能，并且其適配為響應(yīng)第一外部控制信號(hào)和外部地址信號(hào)而產(chǎn)生內(nèi)部地址信號(hào)；以及操作控制單元，其適配為響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)來控制自更新操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)裝置，其中操作控制單元包括微調(diào)地址信號(hào)發(fā)生器，其適配為響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)而生成微調(diào)地址信號(hào)；以及溫度感測(cè)電路，其適配為響應(yīng)微調(diào)地址信號(hào)來執(zhí)行微調(diào)操作，并且響應(yīng)由精確的斷路點(diǎn)定義的存儲(chǔ)裝置的溫度變化而生成溫度信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的存儲(chǔ)裝置，其中存儲(chǔ)裝置適配為在自更新模式期間執(zhí)行溫度感測(cè)電路中的微調(diào)操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)裝置，其中操作控制單元還包括多個(gè)計(jì)數(shù)器，適配為生成多個(gè)自更新循環(huán)信號(hào)，其具有不同循環(huán)周期，并適配為控制自更新操作的循環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的存儲(chǔ)裝置，其中通過多個(gè)自更新循環(huán)信號(hào)中的至少一個(gè)來控制溫度感測(cè)電路電路的操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的存儲(chǔ)裝置，其中溫度感測(cè)電路包括帶隙參考電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲(chǔ)裝置，其中帶隙參考電路包括并聯(lián)連接的二極管端和阻抗端；以及匹配的阻抗量值，適配為與預(yù)定溫度相關(guān)地從二極管和阻抗端生成相等的電流。
8.一種對(duì)適配為支持自更新操作并包括溫度感測(cè)電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行操作的方法，該方法包括響應(yīng)第一外部控制信號(hào)而使能地址緩沖器單元；開始自更新操作；響應(yīng)外部地址信號(hào)而生成內(nèi)部地址信號(hào)；使能溫度感測(cè)電路；響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)而生成微調(diào)地址信號(hào)；以及響應(yīng)微調(diào)地址信號(hào)而執(zhí)行溫度感測(cè)電路中的微調(diào)操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中溫度感測(cè)電路包括帶隙參考電路，其中該帶隙參考電路包括并聯(lián)連接的二極管端和阻抗端；以及阻抗量值，被匹配以與預(yù)定溫度相關(guān)地從二極管和阻抗端生成相等的電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中通過第二外部控制信號(hào)控制內(nèi)部地址信號(hào)的生成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括生成多個(gè)自更新循環(huán)信號(hào)，其具有不同循環(huán)周期，并適配為控制自更新操作的循環(huán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中通過多個(gè)自更新循環(huán)信號(hào)中的至少一個(gè)來控制溫度感測(cè)電路的操作。
全文摘要
公開了一種支持自更新操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，并且該存儲(chǔ)裝置包括地址緩沖器單元和操作控制單元。在自更新操作期間通過第一外部控制信號(hào)來使能地址緩沖器單元，以產(chǎn)生內(nèi)部地址信號(hào)。操作控制單元響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)來控制自更新操作的開始。
文檔編號(hào)G11C11/401GK1822212SQ20061000609
公開日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2006年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月27日
發(fā)明者崔重鏞, 姜榮九, 張奇豪 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社