專利名稱：閃存單元熔絲電路和熔斷閃存單元的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及閃存單元熔絲電路及熔斷閃存單元的方法，并尤其涉及防止耦接到公共位線的單元被同時(shí)激活的閃存單元熔絲電路及熔斷方法。
背景技術(shù)：
閃存單元指能夠選擇性地通過或截取電流的半導(dǎo)體元件。因?yàn)殚W存單元是無需電力來維持其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的非易失元件，所以其可以用作熔絲。結(jié)果，閃存單元越來越多地被用于替代傳統(tǒng)的金屬熔絲。
出現(xiàn)此情況是因?yàn)?，?dāng)傳統(tǒng)的金屬熔絲用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，必須使用激光切斷金屬熔絲，而一旦金屬熔絲被切斷則其不能修復(fù)。這樣，因?yàn)殚W存單元熔絲電路并不需要同樣的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程，所以可以以相對(duì)較低的成本提供閃存單元熔絲電路，并且閃存單元熔絲電路比傳統(tǒng)的金屬熔絲更易于測試。
圖1是圖示傳統(tǒng)的閃存單元熔絲電路的電路圖。參考圖1，閃存單元熔絲電路包括熔絲單元陣列100以及熔絲讀出放大器200和300。熔絲單元陣列100包括由第一字線W1控制的第一熔絲單元陣列110和由第二字線W2控制的第二熔絲單元陣列120。第一熔絲單元陣列110和第二熔絲單元陣列120可以用于彼此不同的熔斷任務(wù)。
第一熔絲單元陣列110包括閃存單元C00和C01，第二熔絲單元陣列120包括閃存單元C10和C11。閃存單元C00和C10耦接到第一位線B1，閃存單元C01和C11耦接到第二位線B2。閃存單元C00和C01連接到源極線S1，閃存單元C10和C11連接到源極線S2。源極線S1和S2典型地連接到地。
當(dāng)讀取由編程操作或擦除操作記錄的閃存單元數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)?shù)谝蛔志€W1被激活時(shí)，閃存單元C00和C01被激活。閃存單元C00的數(shù)據(jù)被傳遞到第一位線B1，并且通過第一熔絲讀出放大器200被輸出為第一輸出電壓F01。閃存單元C01的數(shù)據(jù)被傳遞到第二位線B2，并且通過第二熔絲讀出放大器300被輸出為第二輸出電壓F02。
通過同樣的方式，當(dāng)?shù)诙志€W2被激活時(shí)，閃存單元C10和C11被激活。閃存單元C10的數(shù)據(jù)被傳遞到第一位線B1，并且通過第一熔絲讀出放大器200被輸出為第一輸出電壓F01。閃存單元C11的數(shù)據(jù)被傳遞到第二位線B2，并且通過第二熔絲讀出放大器300被輸出為第二輸出電壓F02。然后將輸出電壓F01和F02施加到需要被熔斷的電路塊中的相應(yīng)柵極，從而完成了熔斷過程。
當(dāng)熔絲單元具有如圖1所示的字線和源極線分開而位線共享的配置時(shí)，編程操作和擦除操作可以分開執(zhí)行。此外，與具有分開的位線的閃存單元熔絲電路相比，當(dāng)共享位線時(shí)，可以易于測試閃存單元熔絲電路，并且可以增強(qiáng)閃存單元陣列的布線的集成密度。
然而，在圖1所示的閃存單元熔絲電路中，閃存單元可能被無意地激活，從而不希望的數(shù)據(jù)可能被傳遞到位線并且然后通過熔絲讀出放大器而輸出。例如，當(dāng)激活字線W1和W2的字線使能信號(hào)被同時(shí)使能時(shí)，閃存單元C00和C10的數(shù)據(jù)被同時(shí)傳遞到位線B1。這樣，如果字線W2被無意地激活，則不希望的數(shù)據(jù)可能被傳遞到位線B1，并且取代閃存單元C00的數(shù)據(jù)而作為第一輸出電壓F01輸出。
因而，存在對(duì)能夠防止耦接到公共位線的閃存單元被同時(shí)激活的閃存單元熔絲電路的需要。

發(fā)明內(nèi)容
提供了一種可以防止耦接到公共位線的單元被同時(shí)激活的閃存單元熔絲電路和熔斷方法以及一種可以輸出熔絲單元陣列中希望單元的正確數(shù)據(jù)的閃存單元熔絲電路。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，閃存單元熔絲電路包括熔絲單元陣列、多個(gè)開關(guān)電路、和多個(gè)熔絲讀出放大器。該熔絲單元陣列在編程或擦除操作之后響應(yīng)于字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)。開關(guān)電路響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一而使第一信號(hào)之一通過。每個(gè)熔絲讀出放大器通過檢測和放大對(duì)應(yīng)開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成熔斷信號(hào)。字線使能信號(hào)可以被依次使能。
熔絲單元陣列可以包括多個(gè)位線、多個(gè)字線、和多個(gè)閃存單元，其中每個(gè)閃存單元的柵極耦接到對(duì)應(yīng)的字線，每個(gè)閃存單元的漏極耦接到對(duì)應(yīng)的位線。
每個(gè)開關(guān)電路可以包括與非(NAND)門，用于對(duì)復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一執(zhí)行與非操作；反相器，用于將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，用于響應(yīng)于與非門的反相輸出信號(hào)而使第一信號(hào)之一通過。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種閃存單元熔絲電路包括熔絲單元陣列、第一開關(guān)電路、第二開關(guān)電路、第一熔絲讀出放大器、和第二熔絲讀出放大器。該熔絲單元陣列在編程或擦除操作之后響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)和第二信號(hào)。第一開關(guān)電路響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)而使第一信號(hào)通過，而第二開關(guān)電路響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而使第二信號(hào)通過。第一熔絲讀出放大器通過檢測和放大第一開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成第一熔斷信號(hào)，而第二熔絲讀出放大器通過檢測和放大第二開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成第二熔斷信號(hào)。第一和第二字線使能信號(hào)可以被依次使能。
該熔絲單元陣列包括第一位線；第二位線；第一字線，其響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)而被激活；第二字線，其響應(yīng)于第二字線使能信號(hào)而被激活；第一閃存單元，其具有耦接到第一字線的柵極和耦接到第一位線的漏極；以及第二閃存單元，其具有耦接到第二字線的柵極和耦接到第二位線的漏極。
該熔絲單元陣列還可以包括第三閃存單元，其具有耦接到第二字線的柵極和耦接到第一位線的漏極；以及第四閃存單元，其具有耦接到第一字線的柵極和耦接到第二位線的漏極。熔絲單元陣列的第一熔絲單元陣列可以包括第一閃存單元和第四閃存單元，熔絲單元陣列的第二熔絲單元陣列可以包括第二閃存單元和第三閃存單元。
此外，該第一開關(guān)電路可以包括與非門，用于對(duì)復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)執(zhí)行與非操作；反相器，用于將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，用于響應(yīng)于與非門的經(jīng)反相的輸出信號(hào)而使第一信號(hào)通過。此外，第二開關(guān)電路可以包括與非門，用于對(duì)復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)執(zhí)行與非操作；反相器，用于將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，用于響應(yīng)于與非門的經(jīng)反相的輸出信號(hào)而使第二信號(hào)通過。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種熔斷閃存單元的方法包括在編程或擦除操作之后響應(yīng)于字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一而使第一信號(hào)之一通過；以及通過檢測和放大所通過的第一信號(hào)而生成熔斷信號(hào)。所述字線使能信號(hào)可以被依次使能。
使第一信號(hào)之一通過的步驟可以包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一執(zhí)行與操作而輸出第二信號(hào)；以及響應(yīng)于該第二信號(hào)而使第一信號(hào)之一通過。該方法還包括確定是否要執(zhí)行編程或擦除操作。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種熔斷閃存單元的方法包括在編程或擦除操作之后響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)和第二字線使能信號(hào)輸出第一信號(hào)和第二信號(hào)；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)而使第一信號(hào)通過；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而使第二信號(hào)通過；通過檢測和放大所通過的第一信號(hào)而生成第一熔斷信號(hào)；以及通過檢測和放大所通過的第二信號(hào)而生成第二熔斷信號(hào)。第一和第二字線使能信號(hào)可以被依次使能。
使第一信號(hào)通過的步驟可以包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)執(zhí)行與操作而輸出第三信號(hào)；以及響應(yīng)于該第三信號(hào)而使第一信號(hào)通過。此外，使第二信號(hào)通過的步驟可以包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)執(zhí)行與操作而輸出第四信號(hào)；以及響應(yīng)于該第四信號(hào)而使第二信號(hào)通過。該方法還包括確定是否要執(zhí)行編程或擦除操作。


通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述以及其它特征將變得更清楚。在所有附圖中，類似的附圖標(biāo)記始終表示類似的元件。
圖1是圖示傳統(tǒng)的閃存單元熔絲電路的電路圖。
圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閃存單元熔絲電路的電路圖。
圖3和4是圖示圖2的閃存單元熔絲電路中所包括的開關(guān)電路的電路圖。
圖5是圖示圖2的閃存單元熔絲電路的操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參考附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本文所公開的特定結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅是為了描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的而給出的。
應(yīng)該理解，盡管詞匯第一、第二等等可能在本文中用于描述各種元件，但是這些元件并不受這些詞匯的限制。這些詞匯用于將元件彼此區(qū)別開。例如，第一元件可以稱作第二元件，類似地，第二元件也可以稱作第一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。如本文所使用的，詞匯“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)聯(lián)所列項(xiàng)目的任意及所有組合。
應(yīng)該理解，當(dāng)元件被稱為另一元件“之上”、“連接到”或“耦接到”另一元件時(shí)，其可以直接地在另一元件之上、連接或耦接到另一元件，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“直接在另一元件之上”、“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件時(shí)，不存在居間元件。用于描述元件之間關(guān)系的其它詞應(yīng)以類似方式進(jìn)行解釋(例如，“在...之間”對(duì)“直接在...之間”、“鄰近”對(duì)“直接鄰近”等等。)。
本文所使用的術(shù)語是為了描述特定實(shí)施例的目的，而非意欲限制本發(fā)明。如本文所使用的，除非上下文中明確指明，否則單數(shù)形式“a”、“an”和“the”意欲也包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解詞匯“comprise”和/或“comprising”當(dāng)用在說明書中時(shí)，指明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。
圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的閃存單元熔絲電路的電路圖。參考圖2，該閃存單元熔絲電路包括熔絲單元陣列100、第一和第二開關(guān)電路400和500、以及第一和第二熔絲讀出放大器200和300。熔絲單元陣列100包括第一熔絲單元陣列110和第二熔絲單元陣列120。
第一熔絲單元陣列110包括熔絲單元C00和C01，第二熔絲單元陣列120包括閃存單元C10和C11。閃存單元C00和C10耦接到第一位線B1，閃存單元C01和C11耦接到第二位線B2。閃存單元C00和C01連接到源極線S1，閃存單元C10和C11連接到源極線S2。源極線S1和S2典型地連接到地電壓VSS。
每個(gè)閃存單元C00、C01、C10和C11的柵極耦接到對(duì)應(yīng)的字線W1或W2，而每個(gè)閃存單元C00、C01、C10和C11的漏極耦接到對(duì)應(yīng)的位線B1或B2。
響應(yīng)于第一和第二字線使能信號(hào)WEA和WEB，熔絲單元陣列100對(duì)閃存單元C00、C01、C10和C11執(zhí)行編程操作和擦除操作。
響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)WEA，第一開關(guān)電路400通過第一位線B1輸出閃存單元C00的數(shù)據(jù)。響應(yīng)于第二字線使能信號(hào)WEB，第二開關(guān)電路500通過第二位線B2輸出閃存單元C11的數(shù)據(jù)。
第一熔絲讀出放大器200通過檢測并且放大第一開關(guān)電路400的第一輸出信號(hào)S01而生成第一熔斷信號(hào)F01。第二熔絲讀出放大器300通過檢測并且放大第二開關(guān)電路500的第二輸出信號(hào)S02生成第二熔斷信號(hào)F02。
在描述閃存單元熔絲電路的操作之前，應(yīng)該理解，第一和第二熔絲單元陣列110和120可以用于彼此不同的熔斷任務(wù)。例如，第一熔絲單元陣列110可以生成這樣的熔斷信號(hào)，用于當(dāng)在閃存存儲(chǔ)設(shè)備的閃存單元陣列中形成缺陷單元時(shí)，用冗余單元替代缺陷單元，而第二熔絲單元陣列120可以生成這樣的熔斷信號(hào)，用于控制參考電壓的DC電平，使得閃存存儲(chǔ)設(shè)備中所需的參考電壓可以被維持為具有恒定值，而不管其中的過程或操作變化如何。
現(xiàn)在將描述圖2的閃存單元熔絲電路的操作。
現(xiàn)在參考圖2，當(dāng)?shù)谝蛔志€使能信號(hào)WEA和復(fù)位信號(hào)RESET處于邏輯高狀態(tài)且第二字線使能信號(hào)WEB處于邏輯低狀態(tài)時(shí)，閃存單元熔絲電路如下工作。
當(dāng)響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)WEA而激活第一字線W1時(shí)，閃存單元C00的數(shù)據(jù)被傳遞到位線B1且閃存單元C01的數(shù)據(jù)被傳遞到位線B2。由于第一字線使能信號(hào)WEA和復(fù)位信號(hào)RESET都處于邏輯高狀態(tài)，所以第一開關(guān)電路400輸出通過位線B1所傳遞的閃存單元C00的數(shù)據(jù)。第一開關(guān)電路400的第一輸出信號(hào)S01在被第一熔絲讀出放大器200檢測并放大之后被輸出。由于第二字線使能信號(hào)WEB處于邏輯低狀態(tài)并且復(fù)位信號(hào)RESET處于邏輯高狀態(tài)，所以第二開關(guān)電路500斷開，并且通過位線B2傳遞的閃存單元C01的數(shù)據(jù)不被傳遞到第二熔絲讀出放大器300。
這樣，當(dāng)?shù)谝蛔志€使能信號(hào)WEA和復(fù)位信號(hào)RESET處于使能狀態(tài)時(shí)，閃存單元C00的數(shù)據(jù)通過第一開關(guān)電路400和第一熔絲讀出放大器200而被作為第一熔斷信號(hào)F01輸出。
當(dāng)?shù)诙志€使能信號(hào)WEB和復(fù)位信號(hào)RESET處于邏輯高狀態(tài)并且第一字線使能信號(hào)WEA處于邏輯低狀態(tài)時(shí)，閃存單元熔絲電路如下操作。
當(dāng)響應(yīng)于第二字線使能信號(hào)WEB而激活第二字線W2時(shí)，閃存單元C10的數(shù)據(jù)被傳遞到位線B1且閃存單元C11的數(shù)據(jù)被傳遞到位線B2。由于第二字線使能信號(hào)WEB和復(fù)位信號(hào)RESET都處于邏輯高狀態(tài)，所以第二開關(guān)電路500輸出通過位線B2所傳遞的閃存單元C11的數(shù)據(jù)。第二開關(guān)電路500的第二輸出信號(hào)S02在被第二熔絲讀出放大器300檢測并放大之后被輸出。由于第一字線使能信號(hào)WEA處于邏輯低狀態(tài)并且復(fù)位信號(hào)RESET處于邏輯高狀態(tài)，所以第一開關(guān)電路400斷開，并且通過位線B1傳遞的閃存單元C10的數(shù)據(jù)不被傳遞到第一熔絲讀出放大器200。
這樣，當(dāng)?shù)诙志€使能信號(hào)WEB和復(fù)位信號(hào)RESET處于使能狀態(tài)時(shí)，閃存單元C11的數(shù)據(jù)通過第二開關(guān)電路500和第二熔絲讀出放大器300而作為第二熔斷信號(hào)F02被輸出。
根據(jù)上述操作，通過依次使能字線使能信號(hào)WEA和WEB，而通過熔絲單元陣列100中的一個(gè)位線B1或B2傳遞一個(gè)閃存單元的數(shù)據(jù)。這樣，可以通過僅當(dāng)復(fù)位信號(hào)RESET以及字線使能信號(hào)WEA和WEB被使能時(shí)接通開關(guān)電路400和500，而通過熔絲讀出放大器200和300輸出正確數(shù)據(jù)。利用該數(shù)據(jù)，可以通過將熔斷信號(hào)F01和F02中的一個(gè)或兩者施加到需要被熔斷的電路塊中的其相應(yīng)晶體管柵極，而執(zhí)行熔斷任務(wù)。
圖3和4是圖示在圖2的閃存單元熔絲電路中所包括的開關(guān)電路400和500的電路圖。
參考圖3，第一開關(guān)電路400包括與非門410、反相器420和430、以及傳輸門440。與非門410對(duì)第一字線使能信號(hào)WEA和復(fù)位信號(hào)RESET執(zhí)行與非操作。反相器420將與非門410的輸出信號(hào)反相，并且反相器430將反相器420的輸出信號(hào)RESETA反相。傳輸門440響應(yīng)于反相器420的輸出信號(hào)RESETA而將位線B1上的信號(hào)傳輸?shù)较乱患?jí)。
利用如圖3所示的開關(guān)電路，僅當(dāng)?shù)谝蛔志€使能信號(hào)WEA和復(fù)位信號(hào)RESET都處于邏輯高狀態(tài)時(shí)，位線B1上的熔絲單元陣列的數(shù)據(jù)才通過傳輸門440輸出。因而，希望的閃存單元的正確數(shù)據(jù)可以被檢測到并輸出。
參考圖4，第二開關(guān)電路500包括與非門510、反相器520和530、以及傳輸門540。與非門510對(duì)第二字線使能信號(hào)WEB和復(fù)位信號(hào)RESET執(zhí)行與非操作。反相器520將與非門510的輸出信號(hào)反相，并且反相器530將反相器520的輸出信號(hào)RESETB反相。傳輸門540響應(yīng)于反相器520的輸出信號(hào)RESETB而將位線B2上的信號(hào)傳輸?shù)较乱患?jí)。
利用如圖4所示的開關(guān)電路，僅當(dāng)?shù)诙志€使能信號(hào)WEB和復(fù)位信號(hào)RESET都處于邏輯高狀態(tài)時(shí)，位線B2上的熔絲單元陣列的數(shù)據(jù)才通過傳輸門540輸出。因而，希望的閃存單元的正確數(shù)據(jù)可以被檢測到并輸出。
圖5是圖示圖2的閃存單元熔絲電路的操作的時(shí)序圖，其中ADDR表示尋址信號(hào)，RESET表示復(fù)位信號(hào)，WEA和WEB表示字線使能信號(hào)，而PRO/ERA表示編程/擦除信號(hào)。應(yīng)該理解，PRO/ERA信號(hào)可以根據(jù)用戶的意圖設(shè)置。
參考圖5，在熔絲單元讀取周期中，第一字線使能信號(hào)WEA和第二字線使能信號(hào)WEB并不同時(shí)被使能，而是依次被使能。換言之，在圖2的閃存單元熔絲電路中，在PRO/ERA信號(hào)被使能之后，在熔絲單元讀取周期期間，僅一個(gè)單元的數(shù)據(jù)可以通過位線B1和B2傳遞。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閃存單元熔絲電路和閃存單元熔斷方法可以用于防止耦接到公共位線的閃存單元被同時(shí)激活，由此使得能夠輸出來自熔絲單元陣列中希望單元的正確數(shù)據(jù)。
盡管圖2的閃存單元熔絲電路被描述為包括兩個(gè)位線、兩個(gè)開關(guān)電路、和兩個(gè)熔絲讀出放大器，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閃存單元熔絲電路可以包括任意數(shù)目的位線、開關(guān)電路和熔絲讀出放大器。例如，閃存單元熔絲電路可以包括四個(gè)位線、四個(gè)開關(guān)電路、和四個(gè)讀出放大器。
雖然參考本發(fā)明示例性實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不背離所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修改。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2005年1月28日提交的韓國專利申請(qǐng)第2005-8052號(hào)在35U.S.C.§119下的優(yōu)先權(quán)，這里通過引用而全部合并其公開。
權(quán)利要求
1.一種閃存單元熔絲電路，包括熔絲單元陣列，被配置成在編程或擦除操作之后響應(yīng)于字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)；多個(gè)開關(guān)電路，被配置成響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一而使第一信號(hào)之一通過；以及多個(gè)熔絲讀出放大器，其每個(gè)被配置成通過檢測和放大對(duì)應(yīng)開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成熔斷信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述字線使能信號(hào)被依次使能。
3.如權(quán)利要求2所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述熔絲單元陣列包括多個(gè)位線；多個(gè)字線；以及多個(gè)閃存單元，其中，每個(gè)閃存單元的柵極耦接到對(duì)應(yīng)的字線，而每個(gè)閃存單元的漏極耦接到對(duì)應(yīng)的位線。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存單元熔絲電路，其中，每個(gè)開關(guān)電路包括與非門，被配置成對(duì)復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一執(zhí)行與非操作；反相器，被配置成將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，被配置成響應(yīng)于與非門的經(jīng)反相的輸出信號(hào)而使第一信號(hào)之一通過。
5.一種閃存單元熔絲電路，包括熔絲單元陣列，被配置成在編程或擦除操作之后響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)和第二信號(hào)；第一開關(guān)電路，被配置成響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)而使第一信號(hào)通過；第二開關(guān)電路，被配置成響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而使第二信號(hào)通過；第一熔絲讀出放大器，被配置成通過檢測和放大第一開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成第一熔斷信號(hào)；以及第二熔絲讀出放大器，被配置成通過檢測和放大第二開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成第二熔斷信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述第一和第二字線使能信號(hào)被依次使能。
7.如權(quán)利要求6所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述熔絲單元陣列包括第一位線；第二位線；第一字線，其響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)而被激活；第二字線，其響應(yīng)于第二字線使能信號(hào)而被激活；第一閃存單元，其具有耦接到第一字線的柵極和耦接到第一位線的漏極；以及第二閃存單元，其具有耦接到第二字線的柵極和耦接到第二位線的漏極。
8.如權(quán)利要求7所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述熔絲單元陣列還包括第三閃存單元，其具有耦接到第二字線的柵極和耦接到第一位線的漏極；以及第四閃存單元，其具有耦接到第一字線的柵極和耦接到第二位線的漏極。
9.如權(quán)利要求8所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述熔絲單元陣列的第一熔絲單元陣列包括第一閃存單元和第四閃存單元，所述熔絲單元陣列的第二熔絲單元陣列包括第二閃存單元和第三閃存單元。
10.如權(quán)利要求5所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述第一開關(guān)電路包括與非門，被配置成對(duì)復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)執(zhí)行與非操作；反相器，被配置成將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，被配置成響應(yīng)于與非門的經(jīng)反相的輸出信號(hào)而使第一信號(hào)通過。
11.如權(quán)利要求5所述的閃存單元熔絲電路，其中，所述第二開關(guān)電路包括與非門，被配置成對(duì)復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)執(zhí)行與非操作；反相器，被配置成將與非門的輸出信號(hào)反相；以及傳輸門，被配置成響應(yīng)于與非門的經(jīng)反相的輸出信號(hào)而使第二信號(hào)通過。
12.一種熔斷閃存單元的方法，所述方法包括在編程或擦除操作之后響應(yīng)于字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一而使第一信號(hào)之一通過；以及通過檢測和放大所通過的第一信號(hào)而生成熔斷信號(hào)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述字線使能信號(hào)被依次使能。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，使所述第一信號(hào)之一通過的步驟包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一執(zhí)行與操作而輸出第二信號(hào)；以及響應(yīng)于該第二信號(hào)而使第一信號(hào)之一通過。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括確定是否要執(zhí)行編程或擦除操作。
16.一種熔斷閃存單元的方法，所述方法包括在編程或擦除操作之后響應(yīng)于第一字線使能信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)和第二信號(hào)；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)而使第一信號(hào)通過；響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)而使第二信號(hào)通過；通過檢測和放大所通過的第一信號(hào)而生成第一熔斷信號(hào)；以及通過檢測和放大所通過的第二信號(hào)而生成第二熔斷信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一和第二字線使能信號(hào)被依次使能。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，使所述第一信號(hào)通過的步驟包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和第一字線使能信號(hào)執(zhí)行與操作而輸出第三信號(hào)；以及響應(yīng)于該第三信號(hào)而使第一信號(hào)通過。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，使所述第二信號(hào)通過的步驟包括通過對(duì)復(fù)位信號(hào)和第二字線使能信號(hào)執(zhí)行與操作而輸出第四信號(hào)；以及響應(yīng)于該第四信號(hào)而使第二信號(hào)通過。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括確定是否要執(zhí)行編程或擦除操作。
全文摘要
一種閃存單元熔絲電路包括熔絲單元陣列、多個(gè)開關(guān)電路、和多個(gè)熔絲讀出放大器。該熔絲單元陣列在編程或擦除操作之后響應(yīng)于字線使能信號(hào)而輸出第一信號(hào)。所述開關(guān)電路響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)和字線使能信號(hào)之一而使第一信號(hào)之一通過。所述熔絲讀出放大器的每個(gè)通過檢測和放大對(duì)應(yīng)開關(guān)電路的輸出信號(hào)而生成熔斷信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C17/14GK1825486SQ200610006048
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2006年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月28日
發(fā)明者方薰振, 金奎泓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社